【課題】本発明は、実装構造体の電気的接続信頼性を向上させる要求に応える配線基板およびその実装構造体を提供するものである。
【解決手段】本発明の一形態にかかる配線基板は、交互に積層された複数の絶縁層１３および導電層１４を備え、複数の絶縁層１３は、最外層に位置する第１絶縁層１３ａと、該第１絶縁層１３ａに接している第２絶縁層１３ｂとを有し、導電層１４は、第１絶縁層１３ａと第２絶縁層１３ｂとの間に配された接続パッド１８を有し、第１絶縁層１３ａは、厚み方向に貫通して接続パッド１８を露出する貫通孔Ｐを具備し、接続パッド１８は、貫通孔Ｐの開口部に向かって突出した突起部２０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 ＬＳＩモジュールと回路基板とを電気的に接続し、ＬＳＩモジュールへの電源を損失なく安定に供給する接続部品を提供する。
【解決手段】
回路基板の上面及びＬＳＩモジュールの下面における端子部に設けられた２以上の電源端子と接続する、金属材料からなる電源端子ブロックと、回路基板の上面及び前記ＬＳＩモジュールの下面における端子部に設けられた２以上の接地端子と接続する、金属材料からなる接地端子ブロックと、を有し、回路基板とＬＳＩモジュールとを接続することを特徴とする接続部品に関する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ照射をせずに表面電極とランドとの電気的な接続信頼性を確保できるとともに、小型化及び電子装置としてのコストの低減を図ることができる電子部品及びその製造方法、該電子部品を含む電子装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板のランドと電気的に接続される外部接続用の電極として、基板との対向面である裏面に所定間隔を有して格子状に配列され、ランドとはんだ接合される複数の裏面電極を有した電子部品であって、電極として、裏面と反対の表面に複数の表面電極を有し、各表面電極には、リードがそれぞれはんだ接合されており、各リードは、表面電極と反対の端部が基板のランドとはんだを介して接続されるように、基板に向けて延びている。 （もっと読む）

【課題】電力用半導体装置とプリント配線板との接続において、接続信頼性の向上、電力損失の低減、製造コストの削減、接続工程の簡略化および接続構造の小型化を図る。
【解決手段】パワー半導体装置１は、プリント配線板３との対向面に突出した外部端子である導電性の嵌入部材２を備える。プリント配線板３は、パッド部３１上に実装され、パワー半導体装置１が当該プリント配線板３に接続されるときに嵌入部材２が挿入される導電性の嵌合部材４を備える。嵌入部材２は、側面に凹部２１を有し、嵌合部材４は、内側面に弾性を有する凸部４１を有する。嵌入部材２が嵌合部材４に挿入されたとき、嵌入部材２の凸部４１が弾性により嵌合部材４の凹部２１に圧接する。 （もっと読む）

【課題】熱膨張差による大きな応力が加わる外周部のはんだと電極とが接する箇所に応力が集中するのを緩和し、信頼性を向上させる。
【解決手段】実装構造体を、複数の第１電極４を有する配線基板１と、配線基板上に実装され、複数の第２電極５を有する半導体装置２と、配線基板と半導体装置との間に設けられ、表面及び裏面が露出している導電性パッド７と、導電性パッドを支持するシート８とを有するインターポーザ３とを備えるものとし、配線基板の半導体装置実装領域の外周部に設けられた第１電極４Ａと半導体装置の外周部に設けられた第２電極５Ａとがはんだ接合されており、配線基板の半導体装置実装領域の内周部に設けられた第１電極４Ｂと前記インターポーザの導電性パッドの裏面とがはんだ接合されており、半導体装置の内周部に設けられた第２電極５Ｂとインターポーザの導電性パッドの表面とがはんだ接合されているものとする。 （もっと読む）

【課題】慣性測定ユニット（ＩＭＵ）からの振動および／または大きな衝撃を減衰させるための振動絶縁インターポーザ・ダイを提供する。
【解決手段】１つの例では、インターポーザ・チップが提供される。インターポーザ・チップは、ベース部２０４とチップ実装部２０２を含む。インターポーザ・チップは、また、ベース部をチップ実装部に接続する１つまたは複数の屈曲部３０２を含む。さらに、第１の複数の突起４０２−１、４０２−２が、ベース部からチップ実装部の方へ伸び、第２の複数の突起４０４−１、４０４−２が、チップ実装部からベース部の方へ伸びて、第１の複数の突起によって形成される隙間に入り込んでいる。 （もっと読む）

【課題】 二つの熱源の間に配置した際に、それら熱源間での熱伝導をより効果的に抑制することができるインターポーザを提供する。
【解決手段】 インターポーザ２４は、真空に維持されたキャビティ２３を有する本体と、本体の上壁２０ａと下壁２０ｂにそれぞれ形成された絶縁層２２ａ及び２２ｂと、絶縁層２２ａ及び２２ｂの上にそれぞれ形成された熱反射層２１ａ及び２１ｂとを備える。インターポーザ２４は、その上下に搭載された半導体デバイス１１ａと１２ａの間を熱的に絶縁する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、低周波振動を用いた金属間接合およびインジウム基はんだ実装を適用した電気的な接続状態を形成するスパイラル状接触子、その製造方法、およびその実装技術に関する。
【解決手段】 薄板を深絞りして形成された凹部に切断型によって形成されたスパイラル状接触子２は、位相差を有する第１の根元部２ｂａおよび第２の根元部２ｂｂから渦巻状に立ち上がり互いに隣接しながら第１の渦巻部２ｃａおよび第２の渦巻部２ｃｂを形成し、凸形の先端で合流して先端部２ｄを形成して、隣接する渦巻部が互いに接触するようにクリアランスが極めて少なく形成され、接続部に低周波振動を印加することによって強固な金属間接合部が生成され、スパイラル状接触子２の伸縮動作で極め明確に現れる回動動作を利用して、接合面を離反させる方向に引っ張ることによって、接合部がせん断破断されて、スパイラル状接触子が容易に取り外され、修理交換が容易である。 （もっと読む）

【課題】給電経路を確保しつつ、キャパシタ部品等の搭載用電子部品を電子部品実装面に近付けて搭載する。
【解決手段】本発明のインターポーザ１は、複数の貫通電極６を有するシリコン基板２と、該シリコン基板２上に設けられ、第１配線層１２及び第２配線層１３と層間絶縁層１４とを有する多層配線部３と、該多層配線部３上に設けられ、第２配線層１３と電気的に接続された第１ＵＢＭ構造８と、シリコン基板２の裏側に設けられ、各貫通電極６と電気的に接続された複数のバンプ９を有している。そして、特に、シリコン基板２の裏面２ａには、第１配線層１２のパッド部１２ａが露出するキャビティ部１１が設けられ、このキャビティ部１１内にキャパシタ部品が収容されてパッド部１２ａに接続されている。 （もっと読む）

【課題】材料コストが安く高周波特性が良好な貫通電極基板を簡便な工程で得ることができ、製造時間とコストの大幅な削減が可能な貫通電極基板の製造方法を提供する。
【解決手段】厚さ方向に形成された複数の貫通孔を有するガラス基板の前記貫通孔内に、導電性材料からなる貫通電極を有する貫通電極基板の製造方法であって、金属粒子を含む流動性の導電性組成物を前記ガラス基板上に塗布して、該導電性組成物を前記貫通孔内に充填する工程と、前記貫通孔内に充填された前記導電性組成物を加熱して、該貫通孔内に前記貫通電極を形成する工程を備える貫通電極基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）