【課題】スプリング端子付き基板において、スプリング端子のはんだ接続部を補強すること。
【解決手段】接続パッドＰを備える基板１０と、接続部３２がはんだ層２２によって接続パッドＰに接続されたスプリング端子３０と、はんだ層２２の側面を覆って形成された補強樹脂部２４とを含む。はんだ層２２及び補強樹脂部２４は、樹脂含有はんだペーストから形成される。 （もっと読む）

【課題】 多配線への対応及び電源強化を図りながら歩留まりが下がらない半導体実装部材を提供する。
【解決手段】 半導体実装部材１００を第２基板１１０と第１基板１０との２つのプリント配線板で構成するため、多配線への対応及び電源強化の目的で、１枚のビルドアップ基板の層数を増やしサイズを大きくするのと比較し、歩留まりが低下しない。第１基板１０と第２基板１１０との間に支持体１８８が介在するので、第１基板１０と第２基板１１０との間にアンダーフィルを充填させる必要が無い。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性に優れた電子装置を提供する。
【解決手段】電子装置１は、回路基板１０と電子部品３０が、それらの間に配置された中継基板２０を介して、電気的に接続される。中継基板２０は、熱膨張性の絶縁基板２１と、絶縁基板２１に設けられた貫通孔２２と、貫通孔２２の内壁に設けられた導電部２３とを含む。回路基板１０と電子部品３０は、互いの突起電極１０ａ，３０ａが、中継基板２０の熱膨張性の絶縁基板２１に設けられた貫通孔２２に挿入され、その貫通孔２２の内壁に設けられた導電部２３と接触することで、電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】信号伝送速度を高速化しても信頼性が高く、かつ、汎用的なリードフレームを利用可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置１は、内側ワイヤボンディング２０、内側ボンディング用端子１００、配線１１０、外側ボンディング用端子１２０、外側ワイヤボンディング３０を具備し、この順に、ボンディングパッド９０からインナーリード６０までを電気的に接続する信号伝送手段を有する。内側ボンディング用端子１００、配線１１０、外側ボンディング用端子１２０は、絶縁性部材４０上に形成されている。信号伝送手段は、ボンディングパッド９０から前記アウターリード７０の先端までの信号伝送路の距離が実質的に等しくなるように、配線１１０の配線長によって調整されている。 （もっと読む）

【課題】応力緩和機能を備える新規な構造の電子部品を提供する。
【解決手段】接続電極Ｅと、下側に空間が設けられた状態で接続電極Ｅに接続され、本体部４０ａ（膨出部）と、本体部４０ａの上面に設けられた突出接続部４０ｂとを備え、圧力によって弾性変形する可撓性電極端子４０とを含む。可撓性電極端子４０は、実装基板、インターポーザ、半導体チップ又はプローブ基板などの外部接続端子として設けられる。 （もっと読む）

【課題】電子部品とその製造方法において、従来よりも微細な導体パターンを形成すること。
【解決手段】導体プレート１２４の一方の主面１２４ｘに形成されたパターン１２４ｗを、樹脂基材１２１の電極パッド１２２に接続する工程と、導体プレート１２４と樹脂基材１２１との間に樹脂を注入して樹脂層１２３を形成する工程と、樹脂層１２３が現れるまで導体プレート１２４の他方の主面１２４ｙに対して研磨、CMP 、又は切削を行い、パターン１２４ｗを樹脂層１２３に導体パターン１２４ｚとして残す工程とを有する電子部品の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】電子部品とその製造方法、及びコネクタにおいて、パッケージ基板とコネクタとを電気的に良好に接続すること。
【解決手段】パッケージ基板８と、バネ２１を介してパッケージ基板８と電気的に接続されているコネクタ５有することを特徴とする電子部品による。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上の有機絶縁膜の内部応力よって引き起こされる反りを緩和することができるインターポーザを提供する。
【解決手段】複数の貫通電極１０を有するシリコン基板１と、シリコン基板１の一方の面に形成された有機絶縁膜２２０と、シリコン基板１の他方の面に形成され、貫通電極１０と電気的に接続された外部接続用端子（電極パッド３又はハンダバンプ１４）とを有し、貫通電極１０の間に位置する有機絶縁膜２２０に切り欠き部３０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】配線基板に半導体素子を形成する場合において、配線基板の製造工程数を少なくする。
【解決手段】コア層２００の一面上には、第１配線２３２が設けられている。第１配線２３２上、及びその周囲に位置するコア層２００の一面上には、半導体層２３６が形成されている。第１配線２３２及び半導体層２３６は、半導体素子を形成している。本実施形態において半導体素子は、第１配線２３２をゲート電極としたトランジスタ２３０であり、半導体層２３６と第１配線２３２の間に、ゲート絶縁膜２３４を有している。 （もっと読む）

【課題】電気抵抗の低い貫通電極構造、または、放熱特性に優れた熱伝導路を有する電子機器用基板及びそれを用いた電子機器を提供すること。
【解決手段】基板１は、複数の貫通電極２及び柱状ヒートシンク３の少なくとも一方を有する。貫通電極２は、カーボンナノチューブを含有し、基板１に設けられたビア２０を鋳型とする鋳込み成形体でなる。柱状ヒートシンク３は、基板に設けられたビア３０を鋳型とする鋳込み成形体でなり、炭素原子構造体を含有する。 （もっと読む）