電子部品
【課題】応力緩和機能を備える新規な構造の電子部品を提供する。
【解決手段】接続電極Ｅと、下側に空間が設けられた状態で接続電極Ｅに接続され、本体部４０ａ（膨出部）と、本体部４０ａの上面に設けられた突出接続部４０ｂとを備え、圧力によって弾性変形する可撓性電極端子４０とを含む。可撓性電極端子４０は、実装基板、インターポーザ、半導体チップ又はプローブ基板などの外部接続端子として設けられる。
【解決手段】接続電極Ｅと、下側に空間が設けられた状態で接続電極Ｅに接続され、本体部４０ａ（膨出部）と、本体部４０ａの上面に設けられた突出接続部４０ｂとを備え、圧力によって弾性変形する可撓性電極端子４０とを含む。可撓性電極端子４０は、実装基板、インターポーザ、半導体チップ又はプローブ基板などの外部接続端子として設けられる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
実装基板、インターポーザ、半導体チップ、及びプローブ基板などの電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子機器の小型化、薄型化、高性能化に伴って、半導体チップを実装基板にフリップチップ接続する実装構造が広く採用されている。そのような実装構造では、半導体チップのはんだバンプが実装基板の接続電極にフリップチップ接続された後に、半導体チップの下側の隙間にアンダーフィル樹脂が充填される。
【０００３】
また、半導体チップがインターポーザにフリップチップ接続され、インターポーザが実装基板に接続される場合もある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２５２０５３号公報
【特許文献２】特開２００５−１８３９２４号公報
【特許文献３】特開平１１−１９５６７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
後述する予備的事項の欄で説明するように、半導体チップ（シリコン）とそれがフリップチップ接続される実装基板（ガラスエポキシ樹脂）とでは、熱膨張係数がかなり異なっている。このため、半導体チップを実装する際の加熱処理で、熱応力の発生によって接合部に残留応力が集中して発生しやすい。
【０００６】
これにより、半導体チップと実装基板との接合部や半導体チップの素子が破壊することがあり、電気接続の十分な信頼性が得られない。シリコンインターポーザを介して半導体チップを実装基板に接続する場合も同様な問題が発生する。
【０００７】
応力緩和機能を備える新規な構造の電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
以下の開示の一観点によれば、接続電極と、下側に空間が設けられた状態で前記接続電極に接続され、本体部と、前記本体部の上面に設けられた突出接続部とを備え、圧力によって弾性変形する可撓性電極端子とを有する電子部品が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
以下の開示によれば、電子部品（実装基板、インターポーザ、半導体チップ又はプローブ基板など）は、本体部の上面に突出接続部が設けられた可撓性電極端子を備えている。
【００１０】
例えば、実装基板に設けられた可撓性電極端子にインターポーザを介して半導体チップをフリップチップ接続する場合、実装時に熱応力が発生するとしても、実装基板の可撓性電極端子が弾性変形して撓むことにより応力を分散することができる。
【００１１】
可撓性電極端子は突出接続部を備えるため、実装時の応力を突出接続部に集中させることができる。よって、実装時の応力が突出接続部を介して本体部に効率よく伝わって本体部が撓むため応力を容易に分散することができる。
【００１２】
これにより、実装基板とインターポーザとの接続部での残留応力の発生を低減することができる。従って、実装基板とインターポーザとの接続部の破壊が回避され、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１（ａ）〜（ｃ）は予備的事項を説明するための断面図（その１）である。
【図２】図２は予備的事項を説明するための断面図（その２）である。
【図３】図３（ａ）〜（ｄ）は第１実施形態の実装基板（電子部品）の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図４】図４（ａ）〜（ｃ）は第１実施形態の実装基板（電子部品）の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図５】図５（ａ）〜（ｄ）は第１実施形態の実装基板（電子部品）の製造方法を示す断面図（その３）である
【図６】図６は第１実施形態の実装基板（電子部品）を示す断面図である。
【図７】図７（ａ）及び（ｂ）は半導体チップがインターポーザにフリップチップ接続される様子を示す断面図である。
【図８】図８は図７（ｂ）の半導体チップが実装されたインターポーザが図６の実装基板に接続されて得られる半導体装置を示す断面図である。
【図９】図９は図８の半導体装置にアンダーフィル樹脂が充填された様子を示す断面図である。
【図１０】図１０は半導体チップが図６の実装基板に接続されて得られる半導体装置を示す断面図である。
【図１１】図１１は図１０の半導体装置にアンダーフィル樹脂が充填された様子を示す断面図である。
【図１２】図１２は第１実施形態のインターポーザ（電子部品）を示す断面図である。
【図１３】図１３は第１実施形態の半導体チップ（電子部品）を示す断面図である。である。
【図１４】図１４（ａ）及び（ｂ）は第１実施形態に係る変形例の可撓性電極端子の様子を示す断面図である。
【図１５】図１５は第２実施形態の実装基板（電子部品）を示す断面図である。
【図１６】図１６は第２実施形態のインターポーザ（電子部品）を示す断面図である。
【図１７】図１７は第２実施形態の半導体チップ（電子部品）を示す断面図である。
【図１８】図１８（ａ）及び（ｂ）は第２実施形態に係る変形例の可撓性電極端子を示す断面図である。
【図１９】図１９（ａ）は第３実施形態のプローブ基板（電子部品）を示す平面図、図１９（ｂ）は図１９（ａ）のＩ−Ｉに沿った断面図である。
【図２０】図２０は図１９（ｂ）のプローブ基板の上に被試験対象物が配置された様子を示す断面図である。
【図２１】図２１は第３実施形態の別の可撓性電極端子を備えたプローブ基板（電子部品）を示す断面図である。
【図２２】図２２（ａ）及び（ｂ）は第３実施形態の変形例の可撓性電極端子を示す断面図である。
【図２３】図２３（ａ）及び（ｂ）は第３実施形態の別の変形例の可撓性電極端子を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。
【００１５】
実施形態の説明の前に、基礎となる予備的事項について説明する。図１及び図２は予備的事項を説明するための断面図である。
【００１６】
図１（ａ）に示すように、まず、半導体チップ１００と実装基板２００（パッケージ基板）とを用意する。半導体チップ１００はその下面側にはんだバンプ１２０を備えている。
【００１７】
実装基板２００はガラスエポキシ樹脂から形成され、上面側に接続電極２２０とそれを露出させるようにして設けられたソルダレジスト２４０とを備えている。
【００１８】
そして、図１（ｂ）に示すように、実装基板２００の接続電極２２０の上にはんだを塗布し、半導体チップ１００のはんだバンプ１２０を実装基板２００の接続電極２２０の上に配置する。さらに、加熱処理によってはんだを溶融させてリフローはんだ付けを行うことにより、半導体チップ１００を実装基板２００にフリップチップ接続する。
【００１９】
錫（Ｓｎ）−銀（Ａｇ）−銅（Ｃｕ）系などの鉛（Ｐｂ）フリーのはんだでは、２２０〜２５０℃程度の比較的高い温度で加熱処理する必要がある。
【００２０】
ここで、半導体チップ１００（シリコン）の熱膨張係数は３〜４ｐｐｍ／℃であり、実装基板２００（ガラスエポキシ樹脂）の熱膨張係数は１８ｐｐｍ／℃であり、両者において熱膨張係数がかなり異なっている。
【００２１】
このため、図１（ｂ）に示すように、リフローはんだ付けの加熱処理の際に、熱膨張係数の大きな実装基板２００が熱膨張して伸びることになる。次いで、室温まで降下させた後に、半導体チップ１００の下側の隙間にアンダーフィル樹脂３００を充填する。室温まで降下させると、熱膨張して伸びた実装基板２００が元の状態に戻る。
【００２２】
このとき、半導体チップ１００と実装基板２００との接合部には残留応力が集中して発生した状態となっている。このため、残留応力によって半導体チップ１００と実装基板２００との接合部が破壊することがある。
【００２３】
つまり、半導体チップ１００側の接続部、実装基板２００側の接続部、又は、はんだバンプ１２０に破壊が生じ、導通不良が発生することがある。あるいは、残留応力によって半導体チップ１００の内部の素子が破壊されることがある。
【００２４】
このように、半導体チップ１００と実装基板２００と間の熱膨張係数のミスマッチによって、半導体チップ１００を実装基板２００に信頼性よくフリップチップ接続することが困難になる。なお、特に、半導体チップ１００の面積が大きい場合（１５〜２０ｍｍ□）やはんだバンプ１２０の高さが低くなるにつれて接合部の破壊が顕著になる傾向がある。
【００２５】
図２には、半導体チップ１００がシリコンインターポーザ４００を介して実装基板２００にフリップチップ接続される様子が示されている。シリコンインターポーザ４００は上下側を導通可能にする貫通電極４２０を備えている。半導体チップ１００のはんだバンプ１２０がシリコンインターポーザ４００の上面側の電極にフリップチップ接続される。
【００２６】
そして、半導体チップ１００が実装されたシリコンインターポーザ４００のはんだバンプ４４０が実装基板２００の接続電極２２０にリフローはんだ付けによって接続される。
【００２７】
このような、実装構造においても、シリコンインターポーザ４００と実装基板２００との間で熱膨張係数のミスマッチが生じているため、残留応力によってシリコンインターポーザ４００と実装基板２００との接合部に破壊が生じやすい。
【００２８】
以下に説明する実施形態のインターポーザを使用することにより、上記した不具合を解消することができる。
【００２９】
（第１の実施の形態）
図３〜図５は第１実施形態の実装基板（電子部品）の製造方法を示す断面図、図６は第１実施形態の実装基板（電子部品）を示す断面図である。
【００３０】
本実施形態では、電子部品として、実装基板、インターポーザ及び半導体チップを例に挙げて説明する。最初に、実装基板に応力緩和機能を有する可撓性電極端子を設ける方法について説明する。実装基板は半導体パッケージの配線基板などとして使用される。
【００３１】
第１実施形態の実装基板の製造方法では、図３（ａ）に示すように、まず、ベース基板１０を用意する。ベース基板１０はガラスエポキシ樹脂などの樹脂を含む有機基板であり、コア基板と呼ばれることもある。
【００３２】
次いで、図３（ｂ）に示すように、ベース基板１０をドリルなどで加工することにより、上面から下面に貫通するスルーホールＴＨを形成する。
【００３３】
続いて、図３（ｃ）に示すように、ベース基板１０のスルーホールＴＨに貫通電極ＴＥを充填すると共に、ベース基板１０の両面側に貫通電極ＴＥを介して相互接続される第１配線層２０をそれぞれ形成する。
【００３４】
貫通電極ＴＥ及び第１配線層２０の形成方法の一例としては、めっきによってベース基板１０のスルーホールＴＨ内から両面側に銅などの金属層を形成した後に、両面側の金属層をフォトリソグラフィ及びエッチングによりパターニングする方法がある。
【００３５】
あるいは、両面銅張積層基板を使用することにより、両面側の第１配線層２０がスルーホールＴＨの側壁に形成されたスルーホールめっき層を介して接続され、スルーホールＴＨ内の孔が樹脂で充填された構造を採用してもよい。
【００３６】
その後に、図３（ｄ）に示すように、ベース基板１０の上面側に、第１配線層２０の接続部上にビアホールＶＨが設けられた保護絶縁層３０を形成する。また同様に、ベース基板１０の下面側に、第１配線層２０の接続部上に開口部３０ｘが設けられた保護絶縁層３０を形成する。
【００３７】
保護絶縁層３０の形成方法としては、感光性の樹脂フィルムを貼付した後に、フォトリソグラフィによってビアホールＶＨ（開口部３０ｘ）を形成する。又は、液状樹脂を塗布した後に、フォトリソグラフィによってビアホールＶＨ（開口部３０ｘ）を形成してもよい。あるいは、樹脂フィルムをレーザで加工してビアホールＶＨ（開口部３０ｘ）を形成してもよい。保護絶縁層３０としては、好適にソルダレジストが使用される。
【００３８】
次いで、図４（ａ）に示すように、無電解めっきによって、上面側の保護絶縁層３０のビアホールＶＨに銅などの金属層を充填することにより、第１配線層２０に接続されるビア導体２１を得る。
【００３９】
あるいは、電解めっきによって保護絶縁層３０のビアホールＶＨにビア導体２１を形成してもよい。この場合は、ベース基板１０の上面側にシード層及び電解めっき層を形成してビアホールＶＨを金属層で埋め込んだ後に、保護絶縁層３０が露出するまで金属層を研磨することによりビア導体２１を得る。
【００４０】
次いで、図４（ｂ）に示すように、上面側の保護絶縁層３０の上に、ビア導体２１に接続される導体パターン層２２を第２配線層として形成する。導体パターン層２２は島状に配置されるパッド電極として形成されてもよいし、あるいは、延在する配線部の一端にパッド電極が繋がって配置されていてもよい。
【００４１】
導体パターン層２２は、例えばセミアディティブ法によって形成される。詳しく説明すると、ベース基板１０の上面側の保護絶縁層３０及びビア導体２１の上に、銅などからなるシード層（不図示）を無電解めっきやスパッタ法により形成する。
【００４２】
さらに、導体パターン層２２が配置される部分に開口部が設けられためっきレジスト（不図示）を形成する。その後に、シード層をめっき給電経路に利用する電解めっきにより、めっきレジストの開口部に銅などからなる金属めっき層（不図示）を形成する。
【００４３】
次いで、めっきレジストを除去した後に、金属めっき層をマスクにしてシード層をエッチングすることにより、シード層及び金属めっき層から形成される導体パターン層２２が得られる。
【００４４】
続いて、図４（ｃ）に示すように、導体パターン層２２の接続部上にコンタクト層Ｃを形成する。コンタクト層Ｃは、無電解めっきにより導体パターン層２２の上にニッケル／金層を順に形成することにより得られる。
【００４５】
あるいは、電解めっきにより導体パターン層２２の上にはんだ層を形成してコンタクト層Ｃとしてもよい。このようにして、導体パターン層２２とその上のコンタクト層Ｃとによって接続電極Ｅが形成される。
【００４６】
さらに、ベース基板１０の下面側の第１配線層２０の接続部上に同様なコンタクト層Ｃを形成する。
【００４７】
次いで、図５（ａ）に示すように、電極部品として可撓性電極端子４０を用意する。可撓性電極端子４０は上側にドーム状に膨らむ膨出部４０ａ（本体部）とその上面中央部に設けられて上側に突き出る突出接続部４０ｂとを備えている。
【００４８】
可撓性電極端子４０は圧力によって弾性変形する金属材料から形成される。これにより、可撓性電極端子４０は、実装時に熱応力が発生する際にその応力を緩和できる程度に弾性変形して撓む。
【００４９】
そのような可撓性電極端子４０として機能する金属材料としては、りん青銅、ベリリウム銅、又はチタン銅などのばね材料、あるいは、銅、ニッケルなどがある。可撓性電極端子４０は、そのような金属板がプレス加工によって一体成形されて形成される。
【００５０】
可撓性電極端子４０の突出接続部４０ｂにインターポーザや半導体チップなどの他の電子部品が接続される。可撓性電極端子４０はその本体部を膨出部４０ａとすることにより、下側、横方向又は斜め方向に容易に撓んで動くことができる。
【００５１】
さらに、膨出部４０ａの上に突出接続部４０ｂが設けられているため、実装時の応力を突出接続部４０ｂに集中させることができる。これにより、実装時の応力が突出接続部４０ｂを介して膨出部４０ａに効率よく伝わり、膨出部４０ａが撓むことにより応力を容易に分散することができる。
【００５２】
可撓性電極端子４０の平面形状としては、図５（ｂ）の例では、円形状の膨出部４０ａの上面中央部に突出接続部４０ｂが設けられている。また、図５（ｂ）に示すように、十字形状の膨出部４０ａの上面中央部に突出接続部４０ｂが設けられていてもよい。さらには、図５（ｃ）に示すように、横長長方形状（帯形状）の膨出部４０ａの上面中央部に突出接続部４０ｂが設けられていてもよい。
【００５３】
そして、図６に示すように、可撓性電極端子４０の膨出部４０ａの終端部を図４（ｃ）の構造体の接続電極Ｅに接続する。可撓性電極端子４０はその下側に空間Ｓが設けられた状態で接続電極Ｅに接続される。
【００５４】
可撓性電極端子４０と接続電極Ｅとの接続方式としては、はんだ接続、金（Ａｕ）―金（Ａｕ）接続、金（Ａｕ）−錫（Ｓｕ）接続、又は金（Ａｕ）−インジウム（Ｉｎ）接続などの金属接続、あるいは導電性ペーストによる接続がある。
【００５５】
可撓性電極端子４０及び接続電極Ｅの各表面に上記した所要の組み合わせの金属層が形成されて各金属接続が行われる。例えば、可撓性電極端子４０の外面全体に、最外層として金層やはんだ層などを形成して予め表面処理しておき、上記した金属接続を行ってもよい。あるいは、金／錫シートを介して可撓性電極端子４０と接続電極Ｅとを金−錫接続してもよい。
【００５６】
以上により、第１実施形態の実装基板１（電子部品）が得られる。
【００５７】
図６に示すように、第１実施形態の実装基板１では、ベース基板１０にスルーホールＴＨが設けられており、スルーホールＴＨ内に貫通電極ＴＥが充填されている、ベース基板１０の両面側には、貫通電極ＴＥを介して相互接続される第１配線層２０がそれぞれ形成されている。
【００５８】
ベース基板１０の上面側には、保護絶縁層３０が形成されており、保護絶縁層３０には第１配線層２０に到達するビアホールＶＨが形成されている。ビアホールＶＨ内には第１配線層２０に接続されるビア導体２１が充填されている。
【００５９】
保護絶縁層３０の上には、ビア導体２１に接続される接続電極Ｅが形成されている。接続電極Ｅは導体パターン層２２とその上のコンタクト層Ｃとにより形成される。
【００６０】
また、ベース基板１０の下面側には、第１配線層２０の接続部上に開口部３０ｘが設けられた保護絶縁層３０が形成されている。第１配線層２０の接続部にはコンタクト層Ｃが設けられている。
【００６１】
ベース基板１０の上面側の接続電極Ｅには下側に空間Ｓが設けられた状態で可撓性電極端子４０が接続されている。可撓性電極端子４０は上側に膨らむ膨出部４０ａ（本体部）とその上面中央部に設けられた突出接続部４０ｂとを備えている。可撓性電極端子４０の膨出部４０ａの下側が空間Ｓとなっており、圧力によって膨出部４０ａが空間Ｓ内で撓んで変形できるようになっている。
【００６２】
次に、図６の実装基板１に接続されるインターポーザ及び半導体チップについて説明する。
【００６３】
図７（ａ）に示すように、インターポーザ２では、シリコン基板５０にスルーホールＴＨが形成されており、シリコン基板５０の両面及びスルーホールＴＨの内面に絶縁層５２が形成されている。そして、スルーホールＴＨ内には貫通電極ＴＥが充填されている。
【００６４】
シリコン基板５０の両面側には、貫通電極ＴＥを介して相互接続される第１配線層６０がそれぞれ形成されている。さらに、シリコン基板５０の上面には、第１配線層６０の接続部を露出させるようにして保護絶縁層３４が形成されている。
【００６５】
シリコン基板５０の下面には第１配線層６０を被覆する層間絶縁層３２が形成されている。層間絶縁層３２には第１配線層６０に到達するビアホールＶＨが形成されている。さらに、層間絶縁層３２の下面にはビアホールＶＨを介して第１配線層６０に接続される第２配線層６２が形成されている。
【００６６】
層間絶縁層３２の下面には、第２配線層６２の接続部を露出させるようにして保護絶縁層３４が形成されている。そして、第２配線層６２の接続部に外部接続端子６４が設けられている。
【００６７】
このように、シリコン基板５０の下面側の第１、第２配線層６０，６２によって、半導体チップに対応する上面側の第１配線層６０の狭ピッチが実装基板１の接続電極Ｅの広ピッチに対応するようにピッチ変換される。例えば、シリコン基板５０の上面側の第１配線層６０のピッチは１５０μｍであり、下面側の第２配線層６２のピッチは３００〜５００μｍに設定される。
【００６８】
なお、インターポーザ２の基板としてシリコン基板５０を例示するが、シリコン基板５０の代わりにガラス基板を使用してもよい。この場合は、絶縁層５２が省略される。
【００６９】
次いで、図７（ｂ）に示すように、下面側にはんだバンプ７２を備えた半導体チップ７０（ＬＳＩチップ）を用意する。半導体チップ７０はトランジスタなどの各種素子が形成されたシリコンウェハが切断されて得られる。
【００７０】
そして、図７（ａ）のインターポーザ２の上面側の第１配線層６０の上にはんだを塗布し、半導体チップ７０のはんだバンプ７２をインターポーザ２の第１配線層６０の上に配置する、さらに、加熱処理によってリフローはんだ付けを行う。このようにして、半導体チップ７０がインターポーザ２にフリップチップ接続される。
【００７１】
このとき、インターポーザ２（シリコン）と半導体チップ７０（シリコン）とは熱膨張係数が同一であるため、熱応力の発生が抑制されて、接合部の信頼性が確保される。
【００７２】
さらに、図８に示すように、半導体チップ７０が実装されたインターポーザ２（図７（ｂ））の下面の外部接続端子６４（はんだ）を実装基板１（図６）の可撓性電極端子４０の突出接続部４０ｂ上に配置し、加熱処理することによりリフローはんだ付けを行う。
【００７３】
これにより、半導体チップ７０がインターポーザ２を介して実装基板１に電気的に接続される。以上により、実施形態の半導体装置３が得られる。
【００７４】
このとき、実装時に加熱処理を行う際に、実装基板１（ガラスエポキシ樹脂）とインターポーザ２（シリコン）との間の熱膨張係数のミスマッチによって熱応力が発生する。しかしながら、本実施形態では、熱応力が発生するとしても、実装基板１の可撓性電極端子４０が弾性変形して撓むことにより応力を分散することができる。
【００７５】
従って、実装基板１とインターポーザ２との接続部での残留応力の発生を低減することができる。これにより、実装基板１とインターポーザ２との接合部の破壊が回避され、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【００７６】
錫（Ｓｎ）−銀（Ａｇ）−銅（Ｃｕ）系などの鉛（Ｐｂ）フリーのはんだを使用する場合は、２２０〜２５０℃程度の比較的高い温度で加熱処理する必要がある。そのような場合であっても、本実施形態の可撓性電極端子４０を備えた実装基板１を使用することにより、信頼性が高い半導体装置３を歩留りよく製造することができる。
【００７７】
このように、本実施形態の応力緩和機能を有する可撓性電極端子４０を備えた実装基板１を使用することにより、実装基板１とインターポーザ２との接合部に残留応力が集中することが回避され、半導体装置の電気接続の信頼性を向上させることができる。
【００７８】
さらには、実装基板１とインターポーザ２との接合部に外部から機械的応力がかかるとしても、同様に可撓性電極端子４０が撓むことにより応力を分散することができる。
【００７９】
第１実施形態の半導体装置３は、可撓性電極端子４０を備えた実装基板１を使用するため、半導体チップ７０及びインターポーザ２の下側にアンダーフィル樹脂を充填しなくとも接合部の十分な信頼性を得ることができる。
【００８０】
図９に示すように、必要に応じて、半導体チップ７０とインターポーザ２との間の隙間、及びインターポーザ２と実装基板１との間の隙間にアンダーフィル樹脂８０を充填してもよい。接合部をアンダーフィル樹脂８０で封止することにより、応力がさらに分散されるため、電気接続の信頼性をさらに向上させることができる。
【００８１】
また、図１０に示すように、図６の実装基板１の可撓性電極端子４０の突出接続部４０ｂに半導体チップ７０のはんだバンプ７２をフリップチップ接続することにより半導体装置３ａとしてもよい。
【００８２】
この場合も同様に、実装基板１（ガラスエポキシ樹脂）と半導体チップ７０（シリコン）との間の熱膨張係数のミスマッチによって熱応力が発生するとしても、可撓性電極端子４０が撓んで動くため、応力を分散することができる
これにより、実装基板１と半導体チップ７０との接合部が破壊したり、半導体チップ７０の素子が破壊するなどの不具合が解消され、半導体装置の電気接続の信頼性を向上させることができる。
【００８３】
この場合も、図１１に示すように、半導体チップ７０と実装基板１との間の隙間にアンダーフィル樹脂８０を充填してもよい。
【００８４】
なお、図９及び図１１において、可撓性電極端子４０と下側の基板との間の空間Ｓにアンダーフィル樹脂８０を充填してもよい。
【００８５】
前述した説明では、実装基板１に可撓性電極端子４０を設ける形態を説明した。他の形態として、図１２に示すように、図７（ａ）のインターポーザ２の外部接続端子６４の代わりに、可撓性電極端子４０を設けてもよい。
【００８６】
つまり、図１２に示すインターポーザ２ａでは、図７（ａ）のインターポーザ２と同一の下面側の保護絶縁層３４に第２配線層６２に到達するビアホールＶＨが形成されている。また、ビアホールＶＨにビア導体２１が充填されている。
【００８７】
さらに、保護絶縁層３４の下面に、ビア導体２１に接続されて導体パターン層２２及びコンタクト層から形成された接続電極Ｅが設けられている。そして、接続電極Ｅに可撓性電極端子４０が同様に接続されている。
【００８８】
図１２に示すインターポーザ２ａを製造する際は、シリコンウェハの状態で各工程が遂行された後に、シリコンウェハが切断されて個々のインターポーザ２ａが得られる。
【００８９】
このようにして、図６の実装基板１と同様な可撓性電極端子４０がインターポーザ２ａに設けられる。図１２のインターポーザ２ａの上面側の第１配線層６０に可撓性電極端子４０を設けてもよい。
【００９０】
図１２の可撓性電極端子４０を備えたインターポーザ２ａを実装基板１に接続する場合は、必ずしも実装基板１に可撓性電極端子４０が設けられている必要はない。つまり、実装基板１にインターポーザ２ａを接続する場合は、実装基板１及びインターポーザ２ａの少なくとも一方に設けられた可撓性電極端子４０を介して接続されていればよい。
【００９１】
また、図１３に示すように、実装基板やインターポーザなどの配線基板系の電子部品の他に、半導体チップ７０に同様な可撓性電極端子４０を設けてもよい。
【００９２】
つまり、図１３に示す半導体チップ７０では、接続パッド７４の上にビアホールＶＨが設けられた保護絶縁層７６が形成されている。また、ビアホールＶＨ内に接続パッド７４に接続されるビア導体２１が形成されている。
【００９３】
さらに、保護絶縁層７６の下面に、ビア導体２１に接続されて導体パターン層２２及びコンタクト層Ｃから形成される接続電極Ｅが設けられている。そして、接続電極Ｅに可撓性電極端子４０が同様に接続されている。
【００９４】
図１３に示す半導体チップ７０を製造する際は、シリコンウェハの状態で各工程が遂行された後に、シリコンウェハが切断されて個々の半導体チップ７０が得られる。
【００９５】
このようにして、図６の実装基板１と同様な可撓性電極端子４０が半導体チップ７０に設けられている。半導体チップ７０を例示したが、キャパシタ、抵抗素子、インダクタなどの各種の電子部品に外部接続端子として可撓性電極端子４０を設けてもよい。
【００９６】
そして、半導体チップ７０の可撓性電極端子４０がインターポーザや実装基板に接続される。この場合も、半導体チップ７０とインターポーザ（又は実装基板）との少なくとも一方に設けられた可撓性電極端子４０を介して接続されていればよい。
【００９７】
図１４（ａ）及び（ｂ）には、第１実施形態の変形例の可撓性電極端子が示されている。図１４（ａ）に示すように、可撓性電極端子４０の下面中央部に下側突出部４０ｃがさらに設けられていてもよい。
【００９８】
可撓性電極端子４０の下側突出部４０ｃは、可撓性電極端子４０が上側から下側に押圧されて動く際に、下側突出部４０ｃの先端が保護絶縁層３０に当たって動きを止めるストッパとして機能する。
【００９９】
また、図１４（ｂ）に示すように、保護絶縁層３０に可撓性電極端子４０の下側突出部４０ｃに対応する位置決めホールＡＨを形成し、可撓性電極端子４０の下側突出部４０ｃが位置決めホールＡＨに挿入されるようにしてもよい。接続電極Ｅは実装基板又はインターポーザの上に形成されており、実装基板又はインターポーザ（保護絶縁層３０）に位置決めホールＡＨが設けられる。
【０１００】
この場合は、下側突出部４０ｃは位置決めホールＡＨに挿入されるように膨出部４０ａの終端より下側に延びて形成される。
【０１０１】
可撓性電極端子４０を接続電極Ｅに配置する際に、保護絶縁層３０の位置決めホールＡＨに可撓性電極端子４０の下側突出部４０ｃを挿入させることにより、容易に位置決めすることができる。特に治具を使用して可撓性電極端子４０を振り込む際に、可撓性電極端子４０を接続電極Ｅの上に高精度で効率よく配置することができる。
【０１０２】
（第２の実施の形態）
図１５は第２実施形態の実装基板（電子部品）を示す断面図、図１６は同じくインターポーザ（電子部品）を示す断面図、図１７は同じく半導体チップ（電子部品）を示す断面図である。第２実施形態の特徴は可撓性電極端子の本体部が平板部からなることにあり、その他の要素は第１実施形態と同一であるのでその詳しい説明を省略する。
【０１０３】
図１５に示すように、第２実施形態の実装基板１ａに設けられた可撓性電極端子４１は、平板部４１ａ（本体部）とその上面中央部に設けられた突出接続部４１ｂとを備える。可撓性電極端子４１の金属材料は、第１実施形態と同一のものが使用される。
【０１０４】
可撓性電極端子４１の平板部４１ａの端部が接続電極Ｅに接続される。可撓性電極端子４１の平板部４１ａは上側に膨出していないので、その下に空間Ｓを十分に確保するために接続電極Ｅの高さが第１実施形態より高く設定される。接続電極Ｅの高さは、例えは２０〜５０μｍ程度である。
【０１０５】
第２実施形態に係る可撓性電極端子４１では、第１実施形態と同様に、平板部４１ａの上側中央部に突出接続部４１ｂが設けられているので、応力を突出接続部４１ｂに集中させることができる。これにより、応力が突出接続部４１ｂを介して平板部４１ａに効率よく伝わり、平板部４１ａが弾性変形して撓むことにより応力を容易に分散することができる。
【０１０６】
図１６に示すように、第１実施形態の図１２と同様に、インターポーザ２ｂ（電子部品）の接続電極Ｅに平板部４１ａを備えた可撓性電極端子４１を接続してもよい。
【０１０７】
あるいは、図１７に示すように、第１実施形態の図１３と同様に、半導体チップ７０（電子部品）の接続電極Ｅに平板部４１ａを備えた可撓性電極端子４１を接続してもよい。
【０１０８】
図１８には、第２実施形態の変形例の可撓性電極端子が示されている。図１８（ａ）に示すように、第１実施形態の図１４（ａ）と同様に、可撓性電極端子４１の下面中央部に下側突出部４１ｃがさらに設けられていてもよい。
【０１０９】
第１実施形態と同様に、可撓性電極端子４１の下側突出部４１ｃは、可撓性電極端子４１が上側から下側に押圧されて動く際に動きを止めるストッパとして機能する。
【０１１０】
また、図１８（ｂ）に示すように、第１実施形態の図１４（ｂ）と同様に、保護絶縁層３０に可撓性電極端子４１の下側突出部４１ｃに対応する位置決めホールＡＨを形成し、可撓性電極端子４１の下側突出部４１ｃが位置決めホールＡＨに挿入されるようにしてもよい。第１実施形態と同様に、保護絶縁層３０の位置決めホールＡＨに可撓性電極端子４１の下側突出部４１ｃを挿入させることにより、容易に位置決めすることができる。
【０１１１】
接続電極Ｅは実装基板又はインターポーザの上に形成されており、実装基板又はインターポーザ（保護絶縁層３０）に位置決めホールＡＨが設けられる。
【０１１２】
第２実施形態においても、第１実施形態の図８と同様に、実装基板１ａの可撓性電極端子４１に、半導体チップ７０がフリップチップ接続されたインターポーザ２の外部接続端子６４が接続される。
【０１１３】
あるいは、第１実施形態の図１０のように、実装基板１ａの可撓性電極端子４１に半導体チップ７０のはんだバンプ７２が接続される。又は、可撓性電極端子４１を備えたインターポーザ２ａや半導体チップ７０を実装基板に接続してもよい。
【０１１４】
第２実施形態の可撓性電極端子４１を備える実装基板１ａ、インターポーザ２ｂ又は半導体チップ７０は第１実施形態と同様な効果を奏する。
【０１１５】
(第３の実施の形態)
図１９（ａ）及び（ｂ）は第３実施形態のプローブ基板（電子部品）を示す図、図２０は図１９（ｂ）のプローブ基板に被試験対象物が配置された様子を示す断面図である。
【０１１６】
第３実施形態では、可撓性電極端子をプローブ基板に適用する形態について説明する。その他の要素は第１、第２実施形態と同一であるのでその詳しい説明を省略する。
【０１１７】
図１９（ａ）の平面図に示すように、第３実施形態のプローブ基板４では、絶縁基板１２の上に、周縁側から内側に延在する複数の配線パターン１４がくし歯状に並んで形成されている。各配線パターン１４は周縁側に配置された接続パッド１４ｂとそこから内側に延在する延在部１４ｂとを備えている。絶縁基板１２の代わりに、外面が絶縁層で被覆されたシリコンなどの半導体基板を使用してもよい。
【０１１８】
さらに、図１９（ｂ）の断面図を加えて参照すると、配線パターン１４の延在部１４ｂの先端部に導体パターン層２２及びコンタクト層Ｃから形成された接続電極Ｅが設けられている。
【０１１９】
また、第１実施形態と同様に、配線パターン１４の接続電極Ｅには下側に空間Ｓが設けられた状態で可撓性電極端子４０が接続されている。可撓性電極端子４０は上側に膨らむ膨出部４０ａ（本体部）とその上面中央部に設けられた突出接続部４０ｂとを備えている。このようにして、可撓性電極端子４０は絶縁基板１２上のリング状の領域に配列されている。
【０１２０】
第３実施形態では、プローブ基板４に可撓性電極端子４０が設けられており、第１実施形態と同様に、可撓性電極端子４０を下側に押圧することによって膨出部４０ａが空間Ｓ内で撓んで変形できるようになっている。
【０１２１】
なお、絶縁基板１２の両面側に配線パターン１４が形成され、絶縁基板１２に設けられた貫通電極を介して両面側の配線パターンが相互接続されていてもよい。
【０１２２】
第３実施形態のプローブ基板４の可撓性電極端子４０は、被試験対象物の電極パッドに適応するように配列されている。そして、図２０に示すように、プローブ基板４の可撓性電極端子４０の上に被検査対象物９０の電極パッド９２が配置される。
【０１２３】
このとき、被検査対象物９０を下側に押圧した状態で治具（不図示）によって固定すると、可撓性電極端子４０が撓んで変形する。これにより、被検査対象物９０の電極パッド９２が所要のコンタクト荷重でプローブ基板４の可撓性電極端子４０に押圧されて導通可能な状態となる。
【０１２４】
プローブ基板４の配線パターン１４の接続パッド１４ａには検査用装置の端子（不図示）が電気的に接続され、検査用装置からプローブ基板４を介して被検査対象物９０に各種の試験信号が供給されて被検査対象物９０の電気特性が測定される。
【０１２５】
プローブ基板４の接続端子として撓んで変形する可撓性電極端子４０を使用することにより、被検査対象物９０の全ての電極パッド９２をプローブ基板４の可撓性電極端子４０に確実に導通させることができる。これにより、被検査対象物９０の電気測定を行う際の信頼性を確保することができる。
【０１２６】
被検査対象物９０としては、半導体素子（ＬＳＩチップ）、所要の素子が形成された半導体ウェハ、ＣＳＰ（Chip Size Package）、又は配線基板などがあり、プローブ基板４を使用して各種の電子装置の電気特性を測定することができる。
【０１２７】
なお、電極パッド９２が周辺に配置されたペリフェラル型の被検査対象物９０に対応するプローブ基板４を例示したが、電極パッドが基板全体に格子状に配置されるエリアアレイ型の被検査対象物に対応するように可撓性電極端子４０を配列してもよい。
【０１２８】
また、図２１に示すプローブ基板４ａのように、第２実施形態の図１５などと同様に、平板部４１ａ（本体部）とその上面中央部に設けられた突出接続部４１とを備えた可撓性接続端子４１を使用してもよい。
【０１２９】
また、図２２（ａ）に示す変形例のように、第１実施形態の図１４（ａ）と同様に、図１９（ｂ）の可撓性接続端子４０の下面中央部に下側突出部４０ｃを設けてもよい。
【０１３０】
さらには、図２２（ｂ）に示すように、第１実施形態の図１４（ｂ）と同様に、配線パターン１４に位置決めホールＡＨを形成し、可撓性接続端子４０の下側突出部４０ｃが位置決めホールＡＨに挿入されるようにしてもよい。
【０１３１】
また、図２３（ａ）に別の変形例に示すように、第２実施形態の図１８（ａ）と同様に、図２１の可撓性接続端子４１の下面中央部に下側突出部４１ｃを設けてもよい。
【０１３２】
さらには、図２３（ｂ）に示すように、第２実施形態の図１８（ｂ）と同様に、配線パターン１４に位置決めホールＡＨを形成し、可撓性接続端子４１の下側突出部４１ｃが位置決めホールＡＨに挿入されるようにしてもよい。
【０１３３】
第３実施形態では、可撓性電極端子を備えた電子部品としてプローブ基板４を例示しており、第１、第２実施形態と同様な効果を奏する。
【符号の説明】
【０１３４】
１，１ａ…実装基板（電子部品）、２，２ａ、２ｂ…インターポーザ（電子部品）、３，３ａ…半導体装置、４，４ａ…プローブ基板、１０…ベース基板、２０…第１配線層、２１…ビア導体、２２…導体パターン層、３０，３４，７６…保護絶縁層、３０ｘ…開口部、３２…層間絶縁層、４０，４１…可撓性電極端子、４０ａ…膨出部（本体部）、４１ａ…平板部（本体部）、４０ｂ，４１ｂ…突出接続部、４０ｃ，４１ｃ…下側突出部、５０…シリコン基板、５２…絶縁層、６０…第１配線層、６２…第２配線層、６４…外部接続端子、７０…半導体チップ（電子部品）、７２…はんだバンプ、８０…アンダーフィル樹脂、９０…被検査対象物、９２…電極パッド、ＡＨ…位置決めホール、Ｃ…コンタクト層、Ｅ…接続電極、Ｓ…空間、ＴＥ…貫通電極、ＴＨ…スルーホール、ＶＨ…ビアホール。
【技術分野】
【０００１】
実装基板、インターポーザ、半導体チップ、及びプローブ基板などの電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子機器の小型化、薄型化、高性能化に伴って、半導体チップを実装基板にフリップチップ接続する実装構造が広く採用されている。そのような実装構造では、半導体チップのはんだバンプが実装基板の接続電極にフリップチップ接続された後に、半導体チップの下側の隙間にアンダーフィル樹脂が充填される。
【０００３】
また、半導体チップがインターポーザにフリップチップ接続され、インターポーザが実装基板に接続される場合もある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２５２０５３号公報
【特許文献２】特開２００５−１８３９２４号公報
【特許文献３】特開平１１−１９５６７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
後述する予備的事項の欄で説明するように、半導体チップ（シリコン）とそれがフリップチップ接続される実装基板（ガラスエポキシ樹脂）とでは、熱膨張係数がかなり異なっている。このため、半導体チップを実装する際の加熱処理で、熱応力の発生によって接合部に残留応力が集中して発生しやすい。
【０００６】
これにより、半導体チップと実装基板との接合部や半導体チップの素子が破壊することがあり、電気接続の十分な信頼性が得られない。シリコンインターポーザを介して半導体チップを実装基板に接続する場合も同様な問題が発生する。
【０００７】
応力緩和機能を備える新規な構造の電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
以下の開示の一観点によれば、接続電極と、下側に空間が設けられた状態で前記接続電極に接続され、本体部と、前記本体部の上面に設けられた突出接続部とを備え、圧力によって弾性変形する可撓性電極端子とを有する電子部品が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
以下の開示によれば、電子部品（実装基板、インターポーザ、半導体チップ又はプローブ基板など）は、本体部の上面に突出接続部が設けられた可撓性電極端子を備えている。
【００１０】
例えば、実装基板に設けられた可撓性電極端子にインターポーザを介して半導体チップをフリップチップ接続する場合、実装時に熱応力が発生するとしても、実装基板の可撓性電極端子が弾性変形して撓むことにより応力を分散することができる。
【００１１】
可撓性電極端子は突出接続部を備えるため、実装時の応力を突出接続部に集中させることができる。よって、実装時の応力が突出接続部を介して本体部に効率よく伝わって本体部が撓むため応力を容易に分散することができる。
【００１２】
これにより、実装基板とインターポーザとの接続部での残留応力の発生を低減することができる。従って、実装基板とインターポーザとの接続部の破壊が回避され、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１（ａ）〜（ｃ）は予備的事項を説明するための断面図（その１）である。
【図２】図２は予備的事項を説明するための断面図（その２）である。
【図３】図３（ａ）〜（ｄ）は第１実施形態の実装基板（電子部品）の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図４】図４（ａ）〜（ｃ）は第１実施形態の実装基板（電子部品）の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図５】図５（ａ）〜（ｄ）は第１実施形態の実装基板（電子部品）の製造方法を示す断面図（その３）である
【図６】図６は第１実施形態の実装基板（電子部品）を示す断面図である。
【図７】図７（ａ）及び（ｂ）は半導体チップがインターポーザにフリップチップ接続される様子を示す断面図である。
【図８】図８は図７（ｂ）の半導体チップが実装されたインターポーザが図６の実装基板に接続されて得られる半導体装置を示す断面図である。
【図９】図９は図８の半導体装置にアンダーフィル樹脂が充填された様子を示す断面図である。
【図１０】図１０は半導体チップが図６の実装基板に接続されて得られる半導体装置を示す断面図である。
【図１１】図１１は図１０の半導体装置にアンダーフィル樹脂が充填された様子を示す断面図である。
【図１２】図１２は第１実施形態のインターポーザ（電子部品）を示す断面図である。
【図１３】図１３は第１実施形態の半導体チップ（電子部品）を示す断面図である。である。
【図１４】図１４（ａ）及び（ｂ）は第１実施形態に係る変形例の可撓性電極端子の様子を示す断面図である。
【図１５】図１５は第２実施形態の実装基板（電子部品）を示す断面図である。
【図１６】図１６は第２実施形態のインターポーザ（電子部品）を示す断面図である。
【図１７】図１７は第２実施形態の半導体チップ（電子部品）を示す断面図である。
【図１８】図１８（ａ）及び（ｂ）は第２実施形態に係る変形例の可撓性電極端子を示す断面図である。
【図１９】図１９（ａ）は第３実施形態のプローブ基板（電子部品）を示す平面図、図１９（ｂ）は図１９（ａ）のＩ−Ｉに沿った断面図である。
【図２０】図２０は図１９（ｂ）のプローブ基板の上に被試験対象物が配置された様子を示す断面図である。
【図２１】図２１は第３実施形態の別の可撓性電極端子を備えたプローブ基板（電子部品）を示す断面図である。
【図２２】図２２（ａ）及び（ｂ）は第３実施形態の変形例の可撓性電極端子を示す断面図である。
【図２３】図２３（ａ）及び（ｂ）は第３実施形態の別の変形例の可撓性電極端子を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。
【００１５】
実施形態の説明の前に、基礎となる予備的事項について説明する。図１及び図２は予備的事項を説明するための断面図である。
【００１６】
図１（ａ）に示すように、まず、半導体チップ１００と実装基板２００（パッケージ基板）とを用意する。半導体チップ１００はその下面側にはんだバンプ１２０を備えている。
【００１７】
実装基板２００はガラスエポキシ樹脂から形成され、上面側に接続電極２２０とそれを露出させるようにして設けられたソルダレジスト２４０とを備えている。
【００１８】
そして、図１（ｂ）に示すように、実装基板２００の接続電極２２０の上にはんだを塗布し、半導体チップ１００のはんだバンプ１２０を実装基板２００の接続電極２２０の上に配置する。さらに、加熱処理によってはんだを溶融させてリフローはんだ付けを行うことにより、半導体チップ１００を実装基板２００にフリップチップ接続する。
【００１９】
錫（Ｓｎ）−銀（Ａｇ）−銅（Ｃｕ）系などの鉛（Ｐｂ）フリーのはんだでは、２２０〜２５０℃程度の比較的高い温度で加熱処理する必要がある。
【００２０】
ここで、半導体チップ１００（シリコン）の熱膨張係数は３〜４ｐｐｍ／℃であり、実装基板２００（ガラスエポキシ樹脂）の熱膨張係数は１８ｐｐｍ／℃であり、両者において熱膨張係数がかなり異なっている。
【００２１】
このため、図１（ｂ）に示すように、リフローはんだ付けの加熱処理の際に、熱膨張係数の大きな実装基板２００が熱膨張して伸びることになる。次いで、室温まで降下させた後に、半導体チップ１００の下側の隙間にアンダーフィル樹脂３００を充填する。室温まで降下させると、熱膨張して伸びた実装基板２００が元の状態に戻る。
【００２２】
このとき、半導体チップ１００と実装基板２００との接合部には残留応力が集中して発生した状態となっている。このため、残留応力によって半導体チップ１００と実装基板２００との接合部が破壊することがある。
【００２３】
つまり、半導体チップ１００側の接続部、実装基板２００側の接続部、又は、はんだバンプ１２０に破壊が生じ、導通不良が発生することがある。あるいは、残留応力によって半導体チップ１００の内部の素子が破壊されることがある。
【００２４】
このように、半導体チップ１００と実装基板２００と間の熱膨張係数のミスマッチによって、半導体チップ１００を実装基板２００に信頼性よくフリップチップ接続することが困難になる。なお、特に、半導体チップ１００の面積が大きい場合（１５〜２０ｍｍ□）やはんだバンプ１２０の高さが低くなるにつれて接合部の破壊が顕著になる傾向がある。
【００２５】
図２には、半導体チップ１００がシリコンインターポーザ４００を介して実装基板２００にフリップチップ接続される様子が示されている。シリコンインターポーザ４００は上下側を導通可能にする貫通電極４２０を備えている。半導体チップ１００のはんだバンプ１２０がシリコンインターポーザ４００の上面側の電極にフリップチップ接続される。
【００２６】
そして、半導体チップ１００が実装されたシリコンインターポーザ４００のはんだバンプ４４０が実装基板２００の接続電極２２０にリフローはんだ付けによって接続される。
【００２７】
このような、実装構造においても、シリコンインターポーザ４００と実装基板２００との間で熱膨張係数のミスマッチが生じているため、残留応力によってシリコンインターポーザ４００と実装基板２００との接合部に破壊が生じやすい。
【００２８】
以下に説明する実施形態のインターポーザを使用することにより、上記した不具合を解消することができる。
【００２９】
（第１の実施の形態）
図３〜図５は第１実施形態の実装基板（電子部品）の製造方法を示す断面図、図６は第１実施形態の実装基板（電子部品）を示す断面図である。
【００３０】
本実施形態では、電子部品として、実装基板、インターポーザ及び半導体チップを例に挙げて説明する。最初に、実装基板に応力緩和機能を有する可撓性電極端子を設ける方法について説明する。実装基板は半導体パッケージの配線基板などとして使用される。
【００３１】
第１実施形態の実装基板の製造方法では、図３（ａ）に示すように、まず、ベース基板１０を用意する。ベース基板１０はガラスエポキシ樹脂などの樹脂を含む有機基板であり、コア基板と呼ばれることもある。
【００３２】
次いで、図３（ｂ）に示すように、ベース基板１０をドリルなどで加工することにより、上面から下面に貫通するスルーホールＴＨを形成する。
【００３３】
続いて、図３（ｃ）に示すように、ベース基板１０のスルーホールＴＨに貫通電極ＴＥを充填すると共に、ベース基板１０の両面側に貫通電極ＴＥを介して相互接続される第１配線層２０をそれぞれ形成する。
【００３４】
貫通電極ＴＥ及び第１配線層２０の形成方法の一例としては、めっきによってベース基板１０のスルーホールＴＨ内から両面側に銅などの金属層を形成した後に、両面側の金属層をフォトリソグラフィ及びエッチングによりパターニングする方法がある。
【００３５】
あるいは、両面銅張積層基板を使用することにより、両面側の第１配線層２０がスルーホールＴＨの側壁に形成されたスルーホールめっき層を介して接続され、スルーホールＴＨ内の孔が樹脂で充填された構造を採用してもよい。
【００３６】
その後に、図３（ｄ）に示すように、ベース基板１０の上面側に、第１配線層２０の接続部上にビアホールＶＨが設けられた保護絶縁層３０を形成する。また同様に、ベース基板１０の下面側に、第１配線層２０の接続部上に開口部３０ｘが設けられた保護絶縁層３０を形成する。
【００３７】
保護絶縁層３０の形成方法としては、感光性の樹脂フィルムを貼付した後に、フォトリソグラフィによってビアホールＶＨ（開口部３０ｘ）を形成する。又は、液状樹脂を塗布した後に、フォトリソグラフィによってビアホールＶＨ（開口部３０ｘ）を形成してもよい。あるいは、樹脂フィルムをレーザで加工してビアホールＶＨ（開口部３０ｘ）を形成してもよい。保護絶縁層３０としては、好適にソルダレジストが使用される。
【００３８】
次いで、図４（ａ）に示すように、無電解めっきによって、上面側の保護絶縁層３０のビアホールＶＨに銅などの金属層を充填することにより、第１配線層２０に接続されるビア導体２１を得る。
【００３９】
あるいは、電解めっきによって保護絶縁層３０のビアホールＶＨにビア導体２１を形成してもよい。この場合は、ベース基板１０の上面側にシード層及び電解めっき層を形成してビアホールＶＨを金属層で埋め込んだ後に、保護絶縁層３０が露出するまで金属層を研磨することによりビア導体２１を得る。
【００４０】
次いで、図４（ｂ）に示すように、上面側の保護絶縁層３０の上に、ビア導体２１に接続される導体パターン層２２を第２配線層として形成する。導体パターン層２２は島状に配置されるパッド電極として形成されてもよいし、あるいは、延在する配線部の一端にパッド電極が繋がって配置されていてもよい。
【００４１】
導体パターン層２２は、例えばセミアディティブ法によって形成される。詳しく説明すると、ベース基板１０の上面側の保護絶縁層３０及びビア導体２１の上に、銅などからなるシード層（不図示）を無電解めっきやスパッタ法により形成する。
【００４２】
さらに、導体パターン層２２が配置される部分に開口部が設けられためっきレジスト（不図示）を形成する。その後に、シード層をめっき給電経路に利用する電解めっきにより、めっきレジストの開口部に銅などからなる金属めっき層（不図示）を形成する。
【００４３】
次いで、めっきレジストを除去した後に、金属めっき層をマスクにしてシード層をエッチングすることにより、シード層及び金属めっき層から形成される導体パターン層２２が得られる。
【００４４】
続いて、図４（ｃ）に示すように、導体パターン層２２の接続部上にコンタクト層Ｃを形成する。コンタクト層Ｃは、無電解めっきにより導体パターン層２２の上にニッケル／金層を順に形成することにより得られる。
【００４５】
あるいは、電解めっきにより導体パターン層２２の上にはんだ層を形成してコンタクト層Ｃとしてもよい。このようにして、導体パターン層２２とその上のコンタクト層Ｃとによって接続電極Ｅが形成される。
【００４６】
さらに、ベース基板１０の下面側の第１配線層２０の接続部上に同様なコンタクト層Ｃを形成する。
【００４７】
次いで、図５（ａ）に示すように、電極部品として可撓性電極端子４０を用意する。可撓性電極端子４０は上側にドーム状に膨らむ膨出部４０ａ（本体部）とその上面中央部に設けられて上側に突き出る突出接続部４０ｂとを備えている。
【００４８】
可撓性電極端子４０は圧力によって弾性変形する金属材料から形成される。これにより、可撓性電極端子４０は、実装時に熱応力が発生する際にその応力を緩和できる程度に弾性変形して撓む。
【００４９】
そのような可撓性電極端子４０として機能する金属材料としては、りん青銅、ベリリウム銅、又はチタン銅などのばね材料、あるいは、銅、ニッケルなどがある。可撓性電極端子４０は、そのような金属板がプレス加工によって一体成形されて形成される。
【００５０】
可撓性電極端子４０の突出接続部４０ｂにインターポーザや半導体チップなどの他の電子部品が接続される。可撓性電極端子４０はその本体部を膨出部４０ａとすることにより、下側、横方向又は斜め方向に容易に撓んで動くことができる。
【００５１】
さらに、膨出部４０ａの上に突出接続部４０ｂが設けられているため、実装時の応力を突出接続部４０ｂに集中させることができる。これにより、実装時の応力が突出接続部４０ｂを介して膨出部４０ａに効率よく伝わり、膨出部４０ａが撓むことにより応力を容易に分散することができる。
【００５２】
可撓性電極端子４０の平面形状としては、図５（ｂ）の例では、円形状の膨出部４０ａの上面中央部に突出接続部４０ｂが設けられている。また、図５（ｂ）に示すように、十字形状の膨出部４０ａの上面中央部に突出接続部４０ｂが設けられていてもよい。さらには、図５（ｃ）に示すように、横長長方形状（帯形状）の膨出部４０ａの上面中央部に突出接続部４０ｂが設けられていてもよい。
【００５３】
そして、図６に示すように、可撓性電極端子４０の膨出部４０ａの終端部を図４（ｃ）の構造体の接続電極Ｅに接続する。可撓性電極端子４０はその下側に空間Ｓが設けられた状態で接続電極Ｅに接続される。
【００５４】
可撓性電極端子４０と接続電極Ｅとの接続方式としては、はんだ接続、金（Ａｕ）―金（Ａｕ）接続、金（Ａｕ）−錫（Ｓｕ）接続、又は金（Ａｕ）−インジウム（Ｉｎ）接続などの金属接続、あるいは導電性ペーストによる接続がある。
【００５５】
可撓性電極端子４０及び接続電極Ｅの各表面に上記した所要の組み合わせの金属層が形成されて各金属接続が行われる。例えば、可撓性電極端子４０の外面全体に、最外層として金層やはんだ層などを形成して予め表面処理しておき、上記した金属接続を行ってもよい。あるいは、金／錫シートを介して可撓性電極端子４０と接続電極Ｅとを金−錫接続してもよい。
【００５６】
以上により、第１実施形態の実装基板１（電子部品）が得られる。
【００５７】
図６に示すように、第１実施形態の実装基板１では、ベース基板１０にスルーホールＴＨが設けられており、スルーホールＴＨ内に貫通電極ＴＥが充填されている、ベース基板１０の両面側には、貫通電極ＴＥを介して相互接続される第１配線層２０がそれぞれ形成されている。
【００５８】
ベース基板１０の上面側には、保護絶縁層３０が形成されており、保護絶縁層３０には第１配線層２０に到達するビアホールＶＨが形成されている。ビアホールＶＨ内には第１配線層２０に接続されるビア導体２１が充填されている。
【００５９】
保護絶縁層３０の上には、ビア導体２１に接続される接続電極Ｅが形成されている。接続電極Ｅは導体パターン層２２とその上のコンタクト層Ｃとにより形成される。
【００６０】
また、ベース基板１０の下面側には、第１配線層２０の接続部上に開口部３０ｘが設けられた保護絶縁層３０が形成されている。第１配線層２０の接続部にはコンタクト層Ｃが設けられている。
【００６１】
ベース基板１０の上面側の接続電極Ｅには下側に空間Ｓが設けられた状態で可撓性電極端子４０が接続されている。可撓性電極端子４０は上側に膨らむ膨出部４０ａ（本体部）とその上面中央部に設けられた突出接続部４０ｂとを備えている。可撓性電極端子４０の膨出部４０ａの下側が空間Ｓとなっており、圧力によって膨出部４０ａが空間Ｓ内で撓んで変形できるようになっている。
【００６２】
次に、図６の実装基板１に接続されるインターポーザ及び半導体チップについて説明する。
【００６３】
図７（ａ）に示すように、インターポーザ２では、シリコン基板５０にスルーホールＴＨが形成されており、シリコン基板５０の両面及びスルーホールＴＨの内面に絶縁層５２が形成されている。そして、スルーホールＴＨ内には貫通電極ＴＥが充填されている。
【００６４】
シリコン基板５０の両面側には、貫通電極ＴＥを介して相互接続される第１配線層６０がそれぞれ形成されている。さらに、シリコン基板５０の上面には、第１配線層６０の接続部を露出させるようにして保護絶縁層３４が形成されている。
【００６５】
シリコン基板５０の下面には第１配線層６０を被覆する層間絶縁層３２が形成されている。層間絶縁層３２には第１配線層６０に到達するビアホールＶＨが形成されている。さらに、層間絶縁層３２の下面にはビアホールＶＨを介して第１配線層６０に接続される第２配線層６２が形成されている。
【００６６】
層間絶縁層３２の下面には、第２配線層６２の接続部を露出させるようにして保護絶縁層３４が形成されている。そして、第２配線層６２の接続部に外部接続端子６４が設けられている。
【００６７】
このように、シリコン基板５０の下面側の第１、第２配線層６０，６２によって、半導体チップに対応する上面側の第１配線層６０の狭ピッチが実装基板１の接続電極Ｅの広ピッチに対応するようにピッチ変換される。例えば、シリコン基板５０の上面側の第１配線層６０のピッチは１５０μｍであり、下面側の第２配線層６２のピッチは３００〜５００μｍに設定される。
【００６８】
なお、インターポーザ２の基板としてシリコン基板５０を例示するが、シリコン基板５０の代わりにガラス基板を使用してもよい。この場合は、絶縁層５２が省略される。
【００６９】
次いで、図７（ｂ）に示すように、下面側にはんだバンプ７２を備えた半導体チップ７０（ＬＳＩチップ）を用意する。半導体チップ７０はトランジスタなどの各種素子が形成されたシリコンウェハが切断されて得られる。
【００７０】
そして、図７（ａ）のインターポーザ２の上面側の第１配線層６０の上にはんだを塗布し、半導体チップ７０のはんだバンプ７２をインターポーザ２の第１配線層６０の上に配置する、さらに、加熱処理によってリフローはんだ付けを行う。このようにして、半導体チップ７０がインターポーザ２にフリップチップ接続される。
【００７１】
このとき、インターポーザ２（シリコン）と半導体チップ７０（シリコン）とは熱膨張係数が同一であるため、熱応力の発生が抑制されて、接合部の信頼性が確保される。
【００７２】
さらに、図８に示すように、半導体チップ７０が実装されたインターポーザ２（図７（ｂ））の下面の外部接続端子６４（はんだ）を実装基板１（図６）の可撓性電極端子４０の突出接続部４０ｂ上に配置し、加熱処理することによりリフローはんだ付けを行う。
【００７３】
これにより、半導体チップ７０がインターポーザ２を介して実装基板１に電気的に接続される。以上により、実施形態の半導体装置３が得られる。
【００７４】
このとき、実装時に加熱処理を行う際に、実装基板１（ガラスエポキシ樹脂）とインターポーザ２（シリコン）との間の熱膨張係数のミスマッチによって熱応力が発生する。しかしながら、本実施形態では、熱応力が発生するとしても、実装基板１の可撓性電極端子４０が弾性変形して撓むことにより応力を分散することができる。
【００７５】
従って、実装基板１とインターポーザ２との接続部での残留応力の発生を低減することができる。これにより、実装基板１とインターポーザ２との接合部の破壊が回避され、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【００７６】
錫（Ｓｎ）−銀（Ａｇ）−銅（Ｃｕ）系などの鉛（Ｐｂ）フリーのはんだを使用する場合は、２２０〜２５０℃程度の比較的高い温度で加熱処理する必要がある。そのような場合であっても、本実施形態の可撓性電極端子４０を備えた実装基板１を使用することにより、信頼性が高い半導体装置３を歩留りよく製造することができる。
【００７７】
このように、本実施形態の応力緩和機能を有する可撓性電極端子４０を備えた実装基板１を使用することにより、実装基板１とインターポーザ２との接合部に残留応力が集中することが回避され、半導体装置の電気接続の信頼性を向上させることができる。
【００７８】
さらには、実装基板１とインターポーザ２との接合部に外部から機械的応力がかかるとしても、同様に可撓性電極端子４０が撓むことにより応力を分散することができる。
【００７９】
第１実施形態の半導体装置３は、可撓性電極端子４０を備えた実装基板１を使用するため、半導体チップ７０及びインターポーザ２の下側にアンダーフィル樹脂を充填しなくとも接合部の十分な信頼性を得ることができる。
【００８０】
図９に示すように、必要に応じて、半導体チップ７０とインターポーザ２との間の隙間、及びインターポーザ２と実装基板１との間の隙間にアンダーフィル樹脂８０を充填してもよい。接合部をアンダーフィル樹脂８０で封止することにより、応力がさらに分散されるため、電気接続の信頼性をさらに向上させることができる。
【００８１】
また、図１０に示すように、図６の実装基板１の可撓性電極端子４０の突出接続部４０ｂに半導体チップ７０のはんだバンプ７２をフリップチップ接続することにより半導体装置３ａとしてもよい。
【００８２】
この場合も同様に、実装基板１（ガラスエポキシ樹脂）と半導体チップ７０（シリコン）との間の熱膨張係数のミスマッチによって熱応力が発生するとしても、可撓性電極端子４０が撓んで動くため、応力を分散することができる
これにより、実装基板１と半導体チップ７０との接合部が破壊したり、半導体チップ７０の素子が破壊するなどの不具合が解消され、半導体装置の電気接続の信頼性を向上させることができる。
【００８３】
この場合も、図１１に示すように、半導体チップ７０と実装基板１との間の隙間にアンダーフィル樹脂８０を充填してもよい。
【００８４】
なお、図９及び図１１において、可撓性電極端子４０と下側の基板との間の空間Ｓにアンダーフィル樹脂８０を充填してもよい。
【００８５】
前述した説明では、実装基板１に可撓性電極端子４０を設ける形態を説明した。他の形態として、図１２に示すように、図７（ａ）のインターポーザ２の外部接続端子６４の代わりに、可撓性電極端子４０を設けてもよい。
【００８６】
つまり、図１２に示すインターポーザ２ａでは、図７（ａ）のインターポーザ２と同一の下面側の保護絶縁層３４に第２配線層６２に到達するビアホールＶＨが形成されている。また、ビアホールＶＨにビア導体２１が充填されている。
【００８７】
さらに、保護絶縁層３４の下面に、ビア導体２１に接続されて導体パターン層２２及びコンタクト層から形成された接続電極Ｅが設けられている。そして、接続電極Ｅに可撓性電極端子４０が同様に接続されている。
【００８８】
図１２に示すインターポーザ２ａを製造する際は、シリコンウェハの状態で各工程が遂行された後に、シリコンウェハが切断されて個々のインターポーザ２ａが得られる。
【００８９】
このようにして、図６の実装基板１と同様な可撓性電極端子４０がインターポーザ２ａに設けられる。図１２のインターポーザ２ａの上面側の第１配線層６０に可撓性電極端子４０を設けてもよい。
【００９０】
図１２の可撓性電極端子４０を備えたインターポーザ２ａを実装基板１に接続する場合は、必ずしも実装基板１に可撓性電極端子４０が設けられている必要はない。つまり、実装基板１にインターポーザ２ａを接続する場合は、実装基板１及びインターポーザ２ａの少なくとも一方に設けられた可撓性電極端子４０を介して接続されていればよい。
【００９１】
また、図１３に示すように、実装基板やインターポーザなどの配線基板系の電子部品の他に、半導体チップ７０に同様な可撓性電極端子４０を設けてもよい。
【００９２】
つまり、図１３に示す半導体チップ７０では、接続パッド７４の上にビアホールＶＨが設けられた保護絶縁層７６が形成されている。また、ビアホールＶＨ内に接続パッド７４に接続されるビア導体２１が形成されている。
【００９３】
さらに、保護絶縁層７６の下面に、ビア導体２１に接続されて導体パターン層２２及びコンタクト層Ｃから形成される接続電極Ｅが設けられている。そして、接続電極Ｅに可撓性電極端子４０が同様に接続されている。
【００９４】
図１３に示す半導体チップ７０を製造する際は、シリコンウェハの状態で各工程が遂行された後に、シリコンウェハが切断されて個々の半導体チップ７０が得られる。
【００９５】
このようにして、図６の実装基板１と同様な可撓性電極端子４０が半導体チップ７０に設けられている。半導体チップ７０を例示したが、キャパシタ、抵抗素子、インダクタなどの各種の電子部品に外部接続端子として可撓性電極端子４０を設けてもよい。
【００９６】
そして、半導体チップ７０の可撓性電極端子４０がインターポーザや実装基板に接続される。この場合も、半導体チップ７０とインターポーザ（又は実装基板）との少なくとも一方に設けられた可撓性電極端子４０を介して接続されていればよい。
【００９７】
図１４（ａ）及び（ｂ）には、第１実施形態の変形例の可撓性電極端子が示されている。図１４（ａ）に示すように、可撓性電極端子４０の下面中央部に下側突出部４０ｃがさらに設けられていてもよい。
【００９８】
可撓性電極端子４０の下側突出部４０ｃは、可撓性電極端子４０が上側から下側に押圧されて動く際に、下側突出部４０ｃの先端が保護絶縁層３０に当たって動きを止めるストッパとして機能する。
【００９９】
また、図１４（ｂ）に示すように、保護絶縁層３０に可撓性電極端子４０の下側突出部４０ｃに対応する位置決めホールＡＨを形成し、可撓性電極端子４０の下側突出部４０ｃが位置決めホールＡＨに挿入されるようにしてもよい。接続電極Ｅは実装基板又はインターポーザの上に形成されており、実装基板又はインターポーザ（保護絶縁層３０）に位置決めホールＡＨが設けられる。
【０１００】
この場合は、下側突出部４０ｃは位置決めホールＡＨに挿入されるように膨出部４０ａの終端より下側に延びて形成される。
【０１０１】
可撓性電極端子４０を接続電極Ｅに配置する際に、保護絶縁層３０の位置決めホールＡＨに可撓性電極端子４０の下側突出部４０ｃを挿入させることにより、容易に位置決めすることができる。特に治具を使用して可撓性電極端子４０を振り込む際に、可撓性電極端子４０を接続電極Ｅの上に高精度で効率よく配置することができる。
【０１０２】
（第２の実施の形態）
図１５は第２実施形態の実装基板（電子部品）を示す断面図、図１６は同じくインターポーザ（電子部品）を示す断面図、図１７は同じく半導体チップ（電子部品）を示す断面図である。第２実施形態の特徴は可撓性電極端子の本体部が平板部からなることにあり、その他の要素は第１実施形態と同一であるのでその詳しい説明を省略する。
【０１０３】
図１５に示すように、第２実施形態の実装基板１ａに設けられた可撓性電極端子４１は、平板部４１ａ（本体部）とその上面中央部に設けられた突出接続部４１ｂとを備える。可撓性電極端子４１の金属材料は、第１実施形態と同一のものが使用される。
【０１０４】
可撓性電極端子４１の平板部４１ａの端部が接続電極Ｅに接続される。可撓性電極端子４１の平板部４１ａは上側に膨出していないので、その下に空間Ｓを十分に確保するために接続電極Ｅの高さが第１実施形態より高く設定される。接続電極Ｅの高さは、例えは２０〜５０μｍ程度である。
【０１０５】
第２実施形態に係る可撓性電極端子４１では、第１実施形態と同様に、平板部４１ａの上側中央部に突出接続部４１ｂが設けられているので、応力を突出接続部４１ｂに集中させることができる。これにより、応力が突出接続部４１ｂを介して平板部４１ａに効率よく伝わり、平板部４１ａが弾性変形して撓むことにより応力を容易に分散することができる。
【０１０６】
図１６に示すように、第１実施形態の図１２と同様に、インターポーザ２ｂ（電子部品）の接続電極Ｅに平板部４１ａを備えた可撓性電極端子４１を接続してもよい。
【０１０７】
あるいは、図１７に示すように、第１実施形態の図１３と同様に、半導体チップ７０（電子部品）の接続電極Ｅに平板部４１ａを備えた可撓性電極端子４１を接続してもよい。
【０１０８】
図１８には、第２実施形態の変形例の可撓性電極端子が示されている。図１８（ａ）に示すように、第１実施形態の図１４（ａ）と同様に、可撓性電極端子４１の下面中央部に下側突出部４１ｃがさらに設けられていてもよい。
【０１０９】
第１実施形態と同様に、可撓性電極端子４１の下側突出部４１ｃは、可撓性電極端子４１が上側から下側に押圧されて動く際に動きを止めるストッパとして機能する。
【０１１０】
また、図１８（ｂ）に示すように、第１実施形態の図１４（ｂ）と同様に、保護絶縁層３０に可撓性電極端子４１の下側突出部４１ｃに対応する位置決めホールＡＨを形成し、可撓性電極端子４１の下側突出部４１ｃが位置決めホールＡＨに挿入されるようにしてもよい。第１実施形態と同様に、保護絶縁層３０の位置決めホールＡＨに可撓性電極端子４１の下側突出部４１ｃを挿入させることにより、容易に位置決めすることができる。
【０１１１】
接続電極Ｅは実装基板又はインターポーザの上に形成されており、実装基板又はインターポーザ（保護絶縁層３０）に位置決めホールＡＨが設けられる。
【０１１２】
第２実施形態においても、第１実施形態の図８と同様に、実装基板１ａの可撓性電極端子４１に、半導体チップ７０がフリップチップ接続されたインターポーザ２の外部接続端子６４が接続される。
【０１１３】
あるいは、第１実施形態の図１０のように、実装基板１ａの可撓性電極端子４１に半導体チップ７０のはんだバンプ７２が接続される。又は、可撓性電極端子４１を備えたインターポーザ２ａや半導体チップ７０を実装基板に接続してもよい。
【０１１４】
第２実施形態の可撓性電極端子４１を備える実装基板１ａ、インターポーザ２ｂ又は半導体チップ７０は第１実施形態と同様な効果を奏する。
【０１１５】
(第３の実施の形態)
図１９（ａ）及び（ｂ）は第３実施形態のプローブ基板（電子部品）を示す図、図２０は図１９（ｂ）のプローブ基板に被試験対象物が配置された様子を示す断面図である。
【０１１６】
第３実施形態では、可撓性電極端子をプローブ基板に適用する形態について説明する。その他の要素は第１、第２実施形態と同一であるのでその詳しい説明を省略する。
【０１１７】
図１９（ａ）の平面図に示すように、第３実施形態のプローブ基板４では、絶縁基板１２の上に、周縁側から内側に延在する複数の配線パターン１４がくし歯状に並んで形成されている。各配線パターン１４は周縁側に配置された接続パッド１４ｂとそこから内側に延在する延在部１４ｂとを備えている。絶縁基板１２の代わりに、外面が絶縁層で被覆されたシリコンなどの半導体基板を使用してもよい。
【０１１８】
さらに、図１９（ｂ）の断面図を加えて参照すると、配線パターン１４の延在部１４ｂの先端部に導体パターン層２２及びコンタクト層Ｃから形成された接続電極Ｅが設けられている。
【０１１９】
また、第１実施形態と同様に、配線パターン１４の接続電極Ｅには下側に空間Ｓが設けられた状態で可撓性電極端子４０が接続されている。可撓性電極端子４０は上側に膨らむ膨出部４０ａ（本体部）とその上面中央部に設けられた突出接続部４０ｂとを備えている。このようにして、可撓性電極端子４０は絶縁基板１２上のリング状の領域に配列されている。
【０１２０】
第３実施形態では、プローブ基板４に可撓性電極端子４０が設けられており、第１実施形態と同様に、可撓性電極端子４０を下側に押圧することによって膨出部４０ａが空間Ｓ内で撓んで変形できるようになっている。
【０１２１】
なお、絶縁基板１２の両面側に配線パターン１４が形成され、絶縁基板１２に設けられた貫通電極を介して両面側の配線パターンが相互接続されていてもよい。
【０１２２】
第３実施形態のプローブ基板４の可撓性電極端子４０は、被試験対象物の電極パッドに適応するように配列されている。そして、図２０に示すように、プローブ基板４の可撓性電極端子４０の上に被検査対象物９０の電極パッド９２が配置される。
【０１２３】
このとき、被検査対象物９０を下側に押圧した状態で治具（不図示）によって固定すると、可撓性電極端子４０が撓んで変形する。これにより、被検査対象物９０の電極パッド９２が所要のコンタクト荷重でプローブ基板４の可撓性電極端子４０に押圧されて導通可能な状態となる。
【０１２４】
プローブ基板４の配線パターン１４の接続パッド１４ａには検査用装置の端子（不図示）が電気的に接続され、検査用装置からプローブ基板４を介して被検査対象物９０に各種の試験信号が供給されて被検査対象物９０の電気特性が測定される。
【０１２５】
プローブ基板４の接続端子として撓んで変形する可撓性電極端子４０を使用することにより、被検査対象物９０の全ての電極パッド９２をプローブ基板４の可撓性電極端子４０に確実に導通させることができる。これにより、被検査対象物９０の電気測定を行う際の信頼性を確保することができる。
【０１２６】
被検査対象物９０としては、半導体素子（ＬＳＩチップ）、所要の素子が形成された半導体ウェハ、ＣＳＰ（Chip Size Package）、又は配線基板などがあり、プローブ基板４を使用して各種の電子装置の電気特性を測定することができる。
【０１２７】
なお、電極パッド９２が周辺に配置されたペリフェラル型の被検査対象物９０に対応するプローブ基板４を例示したが、電極パッドが基板全体に格子状に配置されるエリアアレイ型の被検査対象物に対応するように可撓性電極端子４０を配列してもよい。
【０１２８】
また、図２１に示すプローブ基板４ａのように、第２実施形態の図１５などと同様に、平板部４１ａ（本体部）とその上面中央部に設けられた突出接続部４１とを備えた可撓性接続端子４１を使用してもよい。
【０１２９】
また、図２２（ａ）に示す変形例のように、第１実施形態の図１４（ａ）と同様に、図１９（ｂ）の可撓性接続端子４０の下面中央部に下側突出部４０ｃを設けてもよい。
【０１３０】
さらには、図２２（ｂ）に示すように、第１実施形態の図１４（ｂ）と同様に、配線パターン１４に位置決めホールＡＨを形成し、可撓性接続端子４０の下側突出部４０ｃが位置決めホールＡＨに挿入されるようにしてもよい。
【０１３１】
また、図２３（ａ）に別の変形例に示すように、第２実施形態の図１８（ａ）と同様に、図２１の可撓性接続端子４１の下面中央部に下側突出部４１ｃを設けてもよい。
【０１３２】
さらには、図２３（ｂ）に示すように、第２実施形態の図１８（ｂ）と同様に、配線パターン１４に位置決めホールＡＨを形成し、可撓性接続端子４１の下側突出部４１ｃが位置決めホールＡＨに挿入されるようにしてもよい。
【０１３３】
第３実施形態では、可撓性電極端子を備えた電子部品としてプローブ基板４を例示しており、第１、第２実施形態と同様な効果を奏する。
【符号の説明】
【０１３４】
１，１ａ…実装基板（電子部品）、２，２ａ、２ｂ…インターポーザ（電子部品）、３，３ａ…半導体装置、４，４ａ…プローブ基板、１０…ベース基板、２０…第１配線層、２１…ビア導体、２２…導体パターン層、３０，３４，７６…保護絶縁層、３０ｘ…開口部、３２…層間絶縁層、４０，４１…可撓性電極端子、４０ａ…膨出部（本体部）、４１ａ…平板部（本体部）、４０ｂ，４１ｂ…突出接続部、４０ｃ，４１ｃ…下側突出部、５０…シリコン基板、５２…絶縁層、６０…第１配線層、６２…第２配線層、６４…外部接続端子、７０…半導体チップ（電子部品）、７２…はんだバンプ、８０…アンダーフィル樹脂、９０…被検査対象物、９２…電極パッド、ＡＨ…位置決めホール、Ｃ…コンタクト層、Ｅ…接続電極、Ｓ…空間、ＴＥ…貫通電極、ＴＨ…スルーホール、ＶＨ…ビアホール。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接続電極と、
下側に空間が設けられた状態で前記接続電極に接続され、本体部と、前記本体部の上面に設けられた突出接続部とを備え、圧力によって弾性変形する可撓性電極端子とを有することを特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記可撓性電極端子の前記本体部は、上側に膨らむ膨出部又は平板部からなることを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記電子部品は、実装基板、インターポーザ、半導体チップ及びプローブ基板のいずれかであることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記可撓性電極端子は実装基板の前記接続電極に設けられており、前記実装基板の前記可撓性電極端子に、半導体チップがフリップチップ接続されたインターポーザの接続端子が接続されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項５】
前記可撓性電極端子は実装基板の前記接続電極に設けられており、前記実装基板の前記可撓性電極端子に、半導体チップがフリップチップ接続されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項６】
前記可撓性電極端子は、りん青銅、ベリリウム銅、チタン銅、銅、及びニッケルのいずれかより形成されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項７】
前記可撓性電極端子は、前記本体部の下面に設けられた下側突出部をさらに備えていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項８】
前記接続電極は実装基板又はインターポーザの上に形成されており、前記実装基板又は前記インターポーザに位置決めホールが設けられており、前記可撓性電極端子の前記下側突出部が前記位置決めホールに挿入されていることを特徴とする請求項７に記載の電子部品。
【請求項９】
前記可撓性電極端子の平面形状は、円形状、十字形状、又は横長長方形状であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項１０】
前記実装基板は樹脂を含む有機基板であり、前記インターポーザの基板はシリコンからなることを特徴とする請求項４に記載の電子部品。
【請求項１】
接続電極と、
下側に空間が設けられた状態で前記接続電極に接続され、本体部と、前記本体部の上面に設けられた突出接続部とを備え、圧力によって弾性変形する可撓性電極端子とを有することを特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記可撓性電極端子の前記本体部は、上側に膨らむ膨出部又は平板部からなることを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記電子部品は、実装基板、インターポーザ、半導体チップ及びプローブ基板のいずれかであることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記可撓性電極端子は実装基板の前記接続電極に設けられており、前記実装基板の前記可撓性電極端子に、半導体チップがフリップチップ接続されたインターポーザの接続端子が接続されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項５】
前記可撓性電極端子は実装基板の前記接続電極に設けられており、前記実装基板の前記可撓性電極端子に、半導体チップがフリップチップ接続されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項６】
前記可撓性電極端子は、りん青銅、ベリリウム銅、チタン銅、銅、及びニッケルのいずれかより形成されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項７】
前記可撓性電極端子は、前記本体部の下面に設けられた下側突出部をさらに備えていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項８】
前記接続電極は実装基板又はインターポーザの上に形成されており、前記実装基板又は前記インターポーザに位置決めホールが設けられており、前記可撓性電極端子の前記下側突出部が前記位置決めホールに挿入されていることを特徴とする請求項７に記載の電子部品。
【請求項９】
前記可撓性電極端子の平面形状は、円形状、十字形状、又は横長長方形状であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項１０】
前記実装基板は樹脂を含む有機基板であり、前記インターポーザの基板はシリコンからなることを特徴とする請求項４に記載の電子部品。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【公開番号】特開２０１３−３０７４８（Ｐ２０１３−３０７４８Ａ）
【公開日】平成２５年２月７日（２０１３．２．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−８８０４５（Ｐ２０１２−８８０４５）
【出願日】平成２４年４月９日（２０１２．４．９）
【出願人】（０００１９０６８８）新光電気工業株式会社 (1,516)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年２月７日（２０１３．２．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年４月９日（２０１２．４．９）
【出願人】（０００１９０６８８）新光電気工業株式会社 (1,516)
【Ｆターム（参考）】
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