【課題】電子デバイスを小型化、低背化し、且つコストを低減する手段を得る。
【解決手段】電子デバイスは、第１の電子素子２０と、第１の電子素子２０を搭載する絶縁基板１１と、を備えた電子デバイスであって、絶縁基板１１は一方の主面に第１の電子素子２０を搭載する電極パッド１２を有すると共に、他方の主面に実装端子１３を備え、第１の電子素子２０に設けた端子と電極パッド１２とは、接続用導電部材１５を介して導通接続されている。 （もっと読む）

【課題】ウエハの接合部どうしをＡｕＳｎ共晶接合する工程において、ＡｕＳｎによる密着層の劣化を防ぐこと。
【解決手段】ウエハ１の表面に密着層４を形成し、密着層４の上方にＡｕＳｎとの濡れ性の悪い材料からなる拡散防止層７を積層する。さらに、拡散防止層７の縁よりも引っ込めて拡散防止層７の表面に接着層８を形成し、ウエハ１の表面に接合部３を形成する。一方、ウエハ１１の下面に接合部１３を設け、接合部１３の下にＡｕＳｎハンダ層１９を設ける。ウエハ１とウエハ１１とを向かい合わせ、ＡｕＳｎハンダ層１９を溶融させて接合部３と接合部１３をＡｕＳｎハンダ２２によってＡｕＳｎ共晶接合させる。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージを実装基板から取り外すリペアが容易であって、半導体パッケージと実装基板との接続部の耐衝撃性を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、半導体素子４が接続された半導体パッケージ１と、実装基板２とがはんだバンプ３を介して電気的及び機械的に接続されてなり、半導体パッケージ１は、半導体素子４が接続されるとともに実装基板２と接続される半導体パッケージ用配線板５を有し、半導体パッケージ用配線板５に形成された電極パッド２２のコア層１１側には第１応力緩和層２１が配置されており、実装基板２に形成された電極パッド３３の層間絶縁層３１側には第２応力緩和層３４が配置されており、第１応力緩和層２１の２５℃の弾性率が２．５ＧＰａ以下であり、第２応力緩和層３４の２５℃の弾性率が３ＧＰａ以下かつ第２応力緩和層３４の平面方向の２５℃の熱膨張係数が８×１０^-6／℃以下である。 （もっと読む）

【課題】半導体素子から多層基板への熱拡散性能の向上、および、多層基板と半導体素子との接合強度の向上。
【解決手段】半導体パワーモジュール１０は、セラミックス多層基板１００と、接合層１１０と、拡散層１２０と、半導体素子１３０を備える。接合層１１０は、セラミックス多層基板１００の第１の面１０５上に配置され、半導体素子１３０とセラミックス多層基板１００とを電気的に接続する導電接合部１１１と、半導体素子１３０とセラミックス多層基板１００とを絶縁する絶縁接合部１１２とを備える平面状の薄膜層である。こうすれば、半導体素子１３０とセラミックス多層基板１００との間における空隙の発生を抑制しつつ接合することができ、半導体素子１３０からセラミックス多層基板１００への熱拡散性能、および、セラミックス多層基板１００と半導体素子１３０との接合強度を向上できる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、半導体素子、及び半導体素子と多孔質状金属層との接合面等における、クラックや剥がれを抑制可能な半導体装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板（Ｋ）またはリードフレーム（Ｌ）に設けられたパッド部（Ｐ）上に多孔質状金属層（Ｃ）を介して半導体素子（Ｓ）の金属層が接合されている半導体装置であって、前記多孔質状金属層（Ｃ）の外周側部位の金属密度がその内側に位置する中心側と比較して低いことを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 低コストで製造でき且つ実装信頼性に優れたはんだ実装基板及びその製造方法、並びに半導体装置を提供する。
【解決手段】 はんだ実装基板１００は、銅を含む銅系金属層２０を備える配線２２及びはんだ実装部２１を少なくとも一方面に複数備え、配線２２及びはんだ実装部２１の銅系金属層２０が露出した領域に、銅と反応する官能基を少なくとも一つを有する有機化合物を反応させることにより、有機化合物からなる有機皮膜３０を形成する工程と、有機皮膜３０が形成されたはんだ実装部２１の該有機皮膜３０の一部を除去して開口３１を設けて、銅系金属層２０の一部を露出させる工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子から多層基板への熱拡散性能の向上、および、多層基板と半導体素子との接合強度の向上。
【解決手段】半導体パワーモジュール３０は、セラミックス多層基板３００と、接合層３１０と、半導体素子３３０を備える。接合層３１０は、セラミックス多層基板１００側が平面状に形成されている薄膜層である。接合層３１０の絶縁接合部３１２は、半導体素子３３０側の端部からセラミックス多層基板３００側の端部に向けて先細な形状に形成されている。半導体素子１３０の実装時、半導体素子３３０の突状部３３５は窪み部３１６内に収められ、接合層３１０の導電接合部３１１と導通する。こうすれば、半導体素子３３０と接合層との接合面積を広く接合でき、多層基板と半導体素子との接合強度、絶縁性能を確保しつつ、半導体素子から多層基板への熱拡散性能を向上できる。 （もっと読む）

【課題】５０ミクロンピッチ以下の微細ピッチ電極を有する半導体素子を基板上のパッドもしくは配線を接続する構造において、接続時の加熱または荷重負荷時に発生するバンプ間ショートや、高歪みによる接続部破断を防止しあるいは接触抵抗を低減し、高信頼性で高速伝送に対応可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】基板２０と半導体素子１は縦弾性係数（ヤング率）が６５ＧＰａ以上６００ＧＰａ以下のバンプ１１と、錫、アルミニウム、インジウム、あるいは鉛のいづれかを主成分とする緩衝層１２を介して接続されており、バンプ１１と基板２０上のパッドもしくは配線２１の対向した面の少なくとも一方に突起が形成され、超音波により接続することにより低温接続が可能な半導体装置。 （もっと読む）

【課題】ソルダーレジスト層に良好な半田バンプの形成が可能な開口形状を備えるプリント配線板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】層間絶縁層と、上記層間絶縁層上に形成された導体パターンと、上記層間絶縁層上及び上記導体パターン上に設けられ、上記導体パターン上の少なくとも一部を露出する開口部を有するソルダーレジスト層と、上記開口部の内部に形成された半田バンプとを有するプリント配線板であって、上記開口部の形状は、平面視ティアドロップ形状又は平面視ｎ角形状（ｎ≧３）であることを特徴とするプリント配線板。 （もっと読む）

【課題】接続部に不具合の生じにくい構造を備えた電子部品の実装構造体を提供する。
【解決手段】電子部品４の実装構造体１０は、コアとなる樹脂の表面の長手方向に沿う複数箇所が金属からなる導電膜で覆われた構造を有するバンプ電極２３を備えた電子部品４と、金属端子１２を備えた基板１１とを電気的に接続することで構成されており、バンプ電極２３の金属端子１２と接続される位置に、金属端子１２との接触領域を少なくとも二分割する溝部が形成されている。 （もっと読む）

【課題】異方性導電材料を用いた半導体デバイスウエーハ同士の接合方法を提供する。
【解決手段】複数の突起電極１７を有する半導体デバイスが複数形成された第１半導体デバイスウエーハ１１の該突起電極側を絶縁体１０で被覆する絶縁体被覆ステップと、該絶縁体１０が被覆された第１半導体デバイスウエーハ１１の該突起電極側を平坦化するとともに該突起電極１７の端面を露出させる突起電極端面露出ステップと、該突起電極１７に対応した電極を有する第２半導体デバイスウエーハ２４の該電極と第１半導体デバイスウエーハ１１の該突起電極１７とを異方性導電体２８で接合し、該電極と該突起電極１７とを接続する接合ステップと、を具備する。 （もっと読む）

【課題】コストの上昇を抑えながら高い信頼性の接合を実現することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子に設けられた第１の電極の表面の機械加工を行って、当該機械加工前よりも粒径が小さい微結晶の第１の層を設け、前記半導体素子が搭載される搭載部材に設けられた第２の電極の表面の機械加工を行って、当該機械加工前よりも粒径が小さい微結晶の第２の層を設ける（ステップＳ１）。前記第１の電極を構成する金属が固相拡散する温度未満、かつ前記第２の電極を構成する金属が固相拡散する温度未満の温度で、前記第１の層の表面に存在する酸化膜及び前記第２の層の表面に存在する酸化膜を還元する（ステップＳ２）。前記第１の層及び前記第２の層を互いに固相拡散接合する（ステップＳ４）。 （もっと読む）

【課題】電極間の接続に用いた場合に、電極間の接続が容易であり、導通信頼性を高めることができる異方性導電材料、並びに該異方性導電材料を用いた接続構造体を提供する。
【解決手段】本発明に係る異方性導電材料は、導電性粒子１と、バインダー樹脂とを含む。導電性粒子１は、樹脂粒子２と、該樹脂粒子２の表面２ａを被覆している導電層３とを有する。導電層３の少なくとも外側の表面層が、はんだ層５である。本発明に係る接続構造体は、第１の接続対象部材と、第２の接続対象部材と、該第１，第２の接続対象部材を接続している接続部とを備える。上記接続部が、上記異方性導電材料により形成されている。 （もっと読む）

【課題】狭ピッチに形成されたバンプや柱状電極であっても、接合面積を増加させ、バンプと素子との接合部破断を防止できる電子部品およびモジュールを提供する。
【解決手段】素子１１のパッド１２上に形成されるバンプ１５を、パッド１２の長さ方向にパッド１２よりはみ出して形成する。これによりバンプの接合面積を大きくすることができ、実装時に熱応力によるバンプ破断を抑制できる。また、バンプ同士が隣接する横方向にはみ出さないので、実装時に熱応力によるバンプ破断を抑制でき、隣接するバンプ間の距離を確保できるため、バンプ同士による短絡を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ接続時における腹打ち現象を防止し、プローブテスト時のダメージに対する耐性を低下させることなく、配線のレイアウトの自由度を向上させる。
【解決手段】半導体チップは、外部素子と接続するパッド部１５，２５が形成されると共に、電源／ＧＮＤ配線１６として利用されるパッドメタル層１２と、パッドメタル層１２と回路領域とを接続する複数の配線層１３と、フリップチップ接続面５の周辺部に設けられプローブテストに利用される周辺パッド部１５を含み、パッドメタル層１２と少なくとも１つの配線層１３とからなる積層構造を有する周辺パッド層１８と、フリップチップ接続面５の周辺部より内側に設けられプローブテストに利用されない内部パッド部２５を含み、パッドメタル層１２のみからなる単層構造を有する内部パッド層２８とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＦＣ−ＢＧＡなどの半導体装置を適切に製造する技術を提供する。
【解決手段】チップ側電極（４）を有する半導体チップ（２）と、基板側電極（５）を有する基板（３）とを具備する半導体装置（１）を構成する。基板（３）は、基板側電極（５）が配置される基板側電極配置領域（８）と、チップ支持領域（９）とを備えている。その基板側電極配置領域（８）は、基板側電極（５）が配置される第１基板面（１２）を有する。チップ支持領域（９）は、第１基板面（１２）を含む面を基準面としたとき、基準面からの高さが第１高さ（ｈ１）となる位置にチップ支持面を有する。そして、チップ支持面は、チップ面（１１）の一部と向かい合う対向領域（２１）を有する。 （もっと読む）

【課題】アンダーフィル樹脂の充填が困難な場合であっても、半導体装置の信頼性が低下することを防ぐ技術を提供する。
【解決手段】半導体チップ（２）と、基板（８）と、チップ面に形成されたチップ面絶縁層（７）と、基板面に形成された基板面絶縁層（１０）と、フリップチップボンディングによってチップ側電極（４）と基板側電極（９）とを接続する接続部材（１１）とを具備する半導体装置（１）を構成する。接続部材（１１）は、チップ面絶縁層（７）を貫通するバンプ部分（１２）と、基板面絶縁層（１０）を貫通する低融点部分（１３）と、バンプ部分（１２）と低融点部分（１３）とが接触している接触領域（１６）とを備えることが好ましい。ここで、チップ面絶縁層（７）と基板面絶縁層（１０）とは、空隙（１４）を介して向かい合うように配置されている。そして、接触領域（１６）は、空隙（１４）によって露出される表面を有する。 （もっと読む）