【課題】変形パッケージ（特に、ＬＧＡ，ＢＧＡタイプの変形パッケージ）用の電気部品
用ソケットの製作コストを低減する。
【解決手段】変形パッケージ２（２₂）の裏面に格子状に複数形成された電極５の列又は
行を基本パッケージ２（２₁）の電極５の列又は行に合わせると、変形パッケージの電極
５のピッチと基本パッケージの電極５のピッチとが等しく、且つ、変形パッケージの全て
の電極５の電極形成領域が基本パッケージの全ての電極５の電極形成領域内に位置する場
合には、変形パッケージの電極５の行と列をコンタクトピン６の行と列に合わせることが
でき、且つ、変形パッケージの電極５をコンタクトピン６に対して位置決めすることがで
きるパッケージガイド穴１８を有する変形パッケージ用のパッケージガイド１０が基本パ
ッケージ用のパッケージガイド１０に置き換えられ、ソケット本体４が共用される。 （もっと読む）

【課題】絶縁層と密着層との密着性を保ちつつ、電極層と銅配線層との接続を確保する。
【解決手段】インターポーザ１００において、配線パターン１１１は銅から形成される。また、貫通電極１１４も銅から形成される。また、酸化膜１１５は、貫通電極１１４に隣接して配置される。そして、酸化膜１１５と配線パターン１１１とは、密着層であるチタン膜１１７を介して積層される。また、貫通電極１１４と配線パターン１１１とは、チタン膜１１７に隣接して形成された銅合金層１１９を介して積層される。 （もっと読む）

【課題】絶縁層と密着層との密着性を保ちつつ、電極層と銅配線層との接続を確保する。
【解決手段】インターポーザ１００において、配線パターン１１１は銅から形成される。また、貫通電極１１４も銅から形成される。また、酸化膜１１５は、貫通電極１１４に隣接して配置される。そして、酸化膜１１５と配線パターン１１１とは、密着層であるチタン膜１１７を介して積層される。また、貫通電極１１４と配線パターン１１１とは、チタン膜１１７を介することなく積層される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、電気的信頼性を向上させる要求に応えるインターポーザーおよびそれを用いた実装構造体を提供するものである。
【解決手段】本発明の一形態にかかるインターポーザー４は、厚み方向に沿った複数の貫通孔Ｐが形成された無機絶縁層１７と、該貫通孔Ｐに配された貫通導体１６とを備え、無機絶縁層１７は、互いに結合した、アモルファス状態の酸化ケイ素を含有する第１無機絶縁粒子１７ａと、第１無機絶縁粒子１７ａを介して互いに接着された、アモルファス状態の酸化ケイ素を含有する、第１無機絶縁粒子１７ａよりも粒径が大きい第２無機絶縁粒子１７ｂとを有しており、無機絶縁層１７には、第１無機絶縁粒子１７ａおよび第２無機絶縁粒子ｍに取り囲まれた複数の空隙Ｖが形成されている。 （もっと読む）

【課題】一方の面に端子が配列された半導体パッケージをソケットを介して実装した状態で、半導体パッケージの端子からの信号をソケットの表側に取り出す。
【解決手段】パッケージ５０の搭載領域１０２が表側に形成され、裏側を基板（実装基板６０）側に向けて基板上に配置されるソケット本体（内部ソケット３００）を有する。搭載領域１０２には、パッケージ５０の各端子５２と対応する配置の複数の電極部１０３が配置され、電極部１０３の各々は、ソケット本体の表裏を貫通し、ソケット本体の裏側で基板の電極（電極パッド６１）と接触するように構成されている。ソケット本体は、搭載領域１０２の外側においてソケット本体の表面に露出している検査用端子１０５と、検査用端子１０５と複数の電極部１０３のうちの所定の電極部１０３ａとを相互に接続する引出配線１０４と、を有している。 （もっと読む）

【課題】比抵抗の低いインターポーザ基板を用いる場合であっても、高速信号の伝送を困難にすることなく、微細化・狭ピッチ化に対応し、製造コストを低減できるインターポーザ基板を提供する。
【解決手段】半導体材料により構成されたインターポーザ基板（１）の一方の面に配線層（５）が形成され、一端が配線層（５）に電気接続され他端がインターポーザ基板（１）の他方の面に達する貫通電極（１４）と、配線層（５）の下に位置するインターポーザ基板（１）に配線層（５）の長さ方向に間隔を空けて形成された貫通孔（１１）に絶縁材料（１６）が充填され、インターポーザ基板（１）と配線層（５）の間、貫通孔（１１）と絶縁材料（１６）の間に絶縁層（１０，１３）が介装されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】容易に製造可能な、両面に配線パターンを有するインターポーザを提供する。
【解決手段】インターポーザ１０は、第１の配線基板２０および第２の配線基板３０を備えている。第１および第２の配線基板２０，３０は、一方の面に形成された配線パターン２２，３２と、配線パターン２２，３２と電気的に接続された貫通ビア２５，３５と、貫通ビア２５，３５と電気的に接続され、配線パターン２２，３２が形成された面とは反対側の面に設けられた電極２６，３６と、を有する。第１の配線基板２０の、電極２６が設けられた面と、第２の配線基板３０の、電極３６が設けられた面とは対向している。第１の配線基板２０の電極２６と第２の配線基板３０の電極３６とは互いに電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 低価格を狙うとともに、故障した電子部品およびその周辺の電子部品などを容易に交換可能な線条材で成形したスパイラル状接触子を提供する。
【解決手段】
線条材から成形されたスパイラル状接触子２を備えた電子部品１は、電子部品１を構成する基板３の上下面３ａ、３ｂの少なくとも一方にスパイラル状接触子２を突出させ、このスパイラル状接触子２の先端部２ａは、上方に突起して、線条材の断面は丸形、矩形、丸形の上下および左右の少なくとも一方を押圧した太鼓形であり、スパイラル状接触子は樽型形状でもよく、基板３には、樽型のスパイラル状接触子を保持する樽型の空洞を備えることによって、接触精度向上や品質向上は言うまでもなく、コスト低減と、大量生産された電子機器の廃棄量を低減させて二酸化炭素排出量低減の効果が得られる。 （もっと読む）

【課題】コーティング膜を有しながらも、反りや変形の抑制された半導体デバイス貫通電極用のガラス基板を提供する。
【解決手段】第１の表面から第２の表面まで延在する貫通孔を有する、半導体デバイス貫通電極用のガラス基板であって、０．００５ｍｍ〜１ｍｍの範囲の厚さを有し、５０℃〜３５０℃における平均熱膨張係数は、１０×１０^−７／Ｋ〜１００×１０^−７／Ｋの範囲であり、貫通孔の数密度は、０．１個／ｍｍ^２〜１００００個／ｍｍ^２の範囲であり、第１の表面および第２の表面には、それぞれ、第１のシリカ膜および第２のシリカ膜が設置され、第１のシリカ膜の厚さｔ１および第２のシリカ膜の厚さｔ２は、いずれも０．２μｍ〜１０μｍの範囲であり、第１のシリカ膜の厚さｔ１と、第２のシリカ膜の厚さｔ２の差の比ΔｔをΔｔ（％）＝（ｔ１−ｔ２）／ｔ１×１００で表したとき、Δｔは、±２０％以下である。 （もっと読む）

【課題】反りの発生を抑制できる回路基板を提供すること。
【解決手段】導電体が貫通する第一絶縁層２１と、第一絶縁層２１の一方の側に設けられ、導電体に接続された第一回路層２２と、この第一回路層２２を被覆するとともに、第一回路層２２の一部を露出させるための開口が形成された第二絶縁層２３と、第二絶縁層２３の開口内に設けられ、開口から露出する第一回路層２２の一部と接触する金属層２７とを備え、金属層２７は、第一回路層２２側から、厚さが０μｍ以上、５５μｍ以下の銅を含む金属層（ａ）２７１、厚さが２μｍ以上、１５μｍ以下のニッケルを含む金属層（ｂ）２７２、厚さが３μｍ以上、３０μｍ以下の錫を含む金属層（ｃ）２７３がこの順に構成されている回路基板１である。 （もっと読む）