【課題】 半導体パッケージの内部で電磁ノイズを吸収し、半導体パッケージ内の電磁干渉、および半導体パッケージとその近傍の部品あるいは回路との間の電磁干渉を抑制することが可能なインターポーザを提供すること。
【解決手段】 電極端子を有する半導体素子を搭載可能に構成され、下面に実装用端子を備え、前記電極端子と前記実装用端子との間を接続する信号線、電源線またはグラウンド線からなる配線７を備える配線基板を有するインターポーザであって、配線７の上に、無電解めっきにより形成されたフェライト膜８が配線７に沿って配置され、フェライト膜８は、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトまたはＭｎ−Ｚｎ系フェライトの少なくとも一方を有する膜厚１μｍ〜２０μｍの膜であり、前記フェライト膜と前記配線とが０〜５０μｍの間隔で配置されている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを実装基板に信頼性よく接続するための応力緩和機構を備えたインターポーザを提供する。
【解決手段】下側配線基板部６と、下側配線基板部６の上方に配置された上側配線基板部７と、上側配線基板部７を貫通して下側配線基板部６の中まで設けられて、上側配線基板部７と下側配線基板部６とを連結する貫通電極ＴＥとを含み、下側配線基板部６と上側配線基板部７との間は離間しており、貫通電極ＴＥの側面は下側配線基板部６と上側配線基板部７との間に形成された空間に露出している。 （もっと読む）

【課題】半導体モジュールのテストポイント配線処理用に空間要件が軽減された半導体パッケージ用キャリアおよび半導体パッケージを提供する。
【解決手段】 本発明は、半導体パッケージと、側壁（１６）により隔てられた頂面（１２）および底面（１４）を有する半導体パッケージ（１００）用キャリア（１０）とに関し、当該キャリア（１０）は、構成要素（５０）用の着座部（２２）と、前記着座部（２２）に載置された前記構成要素（５０）を前記キャリア（１０）に電気接続する少なくとも１つの端子領域（２４、２６）とを有し、テストポータル（３０）が前記キャリア（１０）の外面に構成され、前記キャリア（１０）に構成された１若しくはそれ以上の電気接点を前記テストポータル（３０）に配線する１若しくはそれ以上の配線経路（３８）が前記キャリア（１０）に内設される。 （もっと読む）

【課題】複数個の個片のインターポーザと、捨て桟とからなるインターポーザシートの場合、半導体チップや電子部品等を実装する良品部分と、これらの実装に適さない課題品部分とを区別するために、マーキングペン法が使われていたが、金めっき層の周縁部の散乱光の影響を受けやすく、光学的な自動認識に課題があった。
【解決手段】複数個の個片のインターポーザ１１と、捨て桟１２とからなるインターポーザシート１３の場合、半導体チップや電子部品等を実装する良品部分と、これらの実装に適さない課題品部分とを区別するための識別マーク１５を、配線１９で形成し、この配線１９の周縁部をソルダーレジスト１７で覆うことで、周縁部からの散乱光３２を低減し、光学的な自動認識性を高める。 （もっと読む）

【課題】 インターポーザ試験構造と方法を提供する。
【解決手段】 具体例は、インターポーザを含む構造を開示する。インターポーザは、インターポーザの周辺に延伸する試験構造を有し、少なくとも一部の試験構造は、第一再配線素子中にある。第一再配線素子は、インターポーザの基板の第一表面上にある。試験構造は中間物で、少なくとも二個の探針パッドに電気的に結合される。 （もっと読む）

【課題】配線密度が高く薄型化された基板を安価に提供する。
【解決手段】本発明にかかる中間板の製造方法の一例は、様々に高さが変化する所定のパターンが形成されたスタンパを絶縁樹脂層１１０の表面に直接押し付けてパターンを絶縁樹脂層１１０に転写するインプリント工程と、パターンが転写された絶縁樹脂層の表面の全面に物理気相成長またはメッキ法によって１種類以上の金属層１１２を成膜する成膜工程と、最も厚い絶縁樹脂層の表面に成膜された金属層１１２を研削又は研磨して金属層１１２を電気的に独立した複数の配線１１２Ａ〜１１２Ｆに分離する第１研削工程と、絶縁樹脂層の裏面を切削又は研磨して金属層１１２を露出する第２研削工程と、備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の電極端子と半導体素子接続パッドとの接続を良好に行なうことが可能な配線基板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】絶縁基板１に設けられたスルーホール２内は絶縁基板１の下面側に被着された熱硬化性樹脂から成るソルダーレジスト層６により充填されているとともに、絶縁基板１の上面に被着された熱硬化性樹脂から成るソルダーレジスト層７は、搭載部１ａにおけるスルーホール２を露出させる開口部を有し、かつ絶縁基板１の下面側に被着されたソルダーレジスト層６よりも硬化収縮率が大きい。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハに貫通孔を形成することが不可欠なチップサイズパッケージや３次元積層型のパッケージについて、シリコンウエハに直接識別記号を形成する技術を提供することを目的とした
【解決手段】少なくとも、シリコンウエハ上に感光性レジストを塗布する塗布工程、感光性レジストを所定のパターンを有する濃度分布マスクを介して露光する露光工程、感光性レジストにシリコンウエハが露出する開口部と露出しない開口部とを形成する現像工程、ドライエッチングにより感光性レジスト開口部に対応する部位のシリコンウエハを除去してシリコンウエハに導通用の貫通孔と非貫通孔から構成される識別記号とを同時に形成する工程、残余の感光性レジストを除去する工程、とを有することを特徴とするシリコンウエハの加工方法である。 （もっと読む）

【課題】めっき設備や微小な金属粒子を用いることなく、シリコンボードにシリコン貫通配線（ＴＳＶ）を形成すること、それらを複数積層して層間接続を形成すること。
【解決手段】溶融されたはんだそのものを用いて、シリコンボードの貫通孔を充填させる。具体的には、シリコンボードの貫通孔の上方（真上または横）に配置されている固形はんだを溶融させて、貫通孔の外部の空間と内部の空間との間の圧力差によって、溶融されたはんだを貫通孔の内部の空間へと導いて充填させる。貫通孔の内部の表面には金属層を予め堆積させてもよいし、さらに、金属層以外の部分については、金属間化合物（ＩＭＣ）を形成してもよい。めっきの堆積のように時間をかけなくても、ボイドが発生して導通不良が生じにくく、予め堆積された金属層により濡れ性を向上させ、高周波の信号を通し易くし、後のプロセスで再溶融しないように金属間化合物（ＩＭＣ）を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】パッケージキャリアの製造方法を提供する。
【解決手段】第１表面１１１、第２表面１１３、および互いに背向する第１表面１１１と第２表面１１３が連結する開口１１６を有する基板１１０が提供される。第１粘着層は基板１１０の第１表面１１１上に形成される。第１粘着層と基板１１０は窪みを定義する。熱伝導素子１３０は窪みに配置され、第１粘着層を介し窪みに固定される。第２粘着層と第２粘着層上に位置する金属層１５０ａは基板１１０の第２表面１１３に形成される。金属層１５０ａは熱伝導素子１３０の底面に接続される。熱伝導素子１３０は金属層１５０ａと第１粘着層との間に位置する。第１粘着層は基板１１０の第１表面１１１を露出するために取り除かれる。 （もっと読む）