パッケージキャリアおよびその製造方法
【課題】パッケージキャリアの製造方法を提供する。
【解決手段】第１表面１１１、第２表面１１３、および互いに背向する第１表面１１１と第２表面１１３が連結する開口１１６を有する基板１１０が提供される。第１粘着層は基板１１０の第１表面１１１上に形成される。第１粘着層と基板１１０は窪みを定義する。熱伝導素子１３０は窪みに配置され、第１粘着層を介し窪みに固定される。第２粘着層と第２粘着層上に位置する金属層１５０ａは基板１１０の第２表面１１３に形成される。金属層１５０ａは熱伝導素子１３０の底面に接続される。熱伝導素子１３０は金属層１５０ａと第１粘着層との間に位置する。第１粘着層は基板１１０の第１表面１１１を露出するために取り除かれる。
【解決手段】第１表面１１１、第２表面１１３、および互いに背向する第１表面１１１と第２表面１１３が連結する開口１１６を有する基板１１０が提供される。第１粘着層は基板１１０の第１表面１１１上に形成される。第１粘着層と基板１１０は窪みを定義する。熱伝導素子１３０は窪みに配置され、第１粘着層を介し窪みに固定される。第２粘着層と第２粘着層上に位置する金属層１５０ａは基板１１０の第２表面１１３に形成される。金属層１５０ａは熱伝導素子１３０の底面に接続される。熱伝導素子１３０は金属層１５０ａと第１粘着層との間に位置する。第１粘着層は基板１１０の第１表面１１１を露出するために取り除かれる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、パッケージ構造およびその製造方法に関する。特に、この発明はパッケージキャリア（package carrier）およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
チップパッケージは、チップに適切な信号伝導経路、熱伝導経路およびチップ構造の保護を提供する。リードフレーム（leadframe）は、従来のワイヤーボンディング（wire bonding）技術が採用されるとき、しばしばチップのキャリア（carrier）としての役割を務める。チップの接点密度（contact density）が次第に増大するに従い、リードフレームでは更に高い接点密度を提供できないため、好ましい接点密度を達成できるパッケージキャリアに置き換えられる。また、チップは金属伝導ワイヤーまたはバンプ（bump）といった導電媒体によってパッケージキャリア上にパッケージされる。
【０００３】
一般的な発光ダイオード（light emitting diode = LED）パッケージ構造においては、LEDチップが使用される前にLEDチップはパッケージされる必要があり、そしてLEDチップは発光時に、大量の熱を発生させる。もしも熱が散逸されず、LEDパッケージ構造内に継続して蓄積されると、LEDパッケージ構造の温度がますます上昇する。こうして、過度に熱せられたLEDチップは輝度を減衰させ、寿命を短縮させ、あるいは恒久的な損傷を受けかねない。そのため、既存のLEDパッケージ構造には、ヒートシンク（heat sink 散熱装置）が組み込まれており、LEDチップの熱を散逸させている。
【０００４】
従来のパッケージキャリアは、複数のパターン化導電層と、少なくとも１つの絶縁層から成る。電気絶縁のため、絶縁層は２つの隣接するパターン化導電層の間に配置される。熱伝導ブロックはパッケージキャリア底面上に粘着層を介し固定される。多くの場合、LEDチップはパッケージキャリアに電気接続され、LEDチップにより発生された熱は、パターン化導電層および絶縁層を通して熱伝導ブロックへ伝導される。粘着層と絶縁層の熱伝導率は好ましくないため、LEDチップによって発生された熱が絶縁層と粘着層を通して熱伝導ブロックへ伝導されるとき、熱抵抗（heat resistance）が上昇し、満足のできない熱散逸をもたらす。従って、LEDチップによって発生された熱を如何に外界へ効果的に散逸させるかが、この領域の研究者および設計者の焦点となっている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
この発明は、熱発生素子を積載するためのパッケージキャリアを提供することを目的とする。
【０００６】
この発明は、さらにパッケージキャリアの製造方法を提供することを目的とする。この製造方法を適用することにより、前述のパッケージキャリアを形成することができる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明の実施形態において、パッケージキャリアの製造方法には以下のステップを含む。基板が提供される。基板は、第１表面、第２表面、互いに背向する第１表面と第２表面を連結する開口を有する。第１粘着層は基板の第１表面上に形成される。第1粘着層と基板は窪み（notch）を定義する。熱伝導素子はその窪みに組み込まれ、第１粘着層を介し窪みに固定される。第２粘着層と、第２粘着層上に位置する金属層は、基板の第２表面上に形成される。ここで、金属層は熱伝導素子の底面に接続され、熱伝導素子は金属層と第１粘着層との間に位置する。第１粘着層は基板の第１表面を露出するために取り除かれる。
【０００８】
この発明の実施形態において、この製造方法はさらに以下のステップを含む。第２粘着層と金属層が基板の第２表面上に形成されるとき、熱伝導素子の底面は第２粘着層によって覆われ、熱伝導素子は第１粘着層と第２粘着層との間に位置する。金属層の一部と第２粘着層の一部は熱伝導素子の底面の一部を露出させるために取り除かれる。複数の伝導柱が熱伝導素子底面の露出部上に形成される。ここで、熱伝導素子は伝導柱を介し金属層に接続され、熱伝導素子から離れた側の伝導柱の表面と、第２粘着層から離れた側の金属層の表面は実質共面である。
【０００９】
この発明の実施形態において、第２粘着層は基板の第２表面と金属層との間に位置し、金属層は収容凹部を有し、熱伝導素子の底面は収容凹部に配置される。
【００１０】
この発明の実施形態において、第２粘着層は基板の第２表面と金属層との間に位置し、金属層は突出部を有し、熱伝導素子の底面は突出部上に配置される。
【００１１】
この発明の実施形態において、熱伝導素子は、第１伝導層、第２伝導層、および第１伝導層と第２伝導層との間に位置する絶縁材層を含む。
【００１２】
この発明の実施形態において、絶縁材層の材料はセラミックスである。
【００１３】
この発明の実施形態において、基板は絶縁層と、絶縁層上に位置するパターン化銅層を含む。ここで、パターン化銅層は絶縁層の一部を露出し、そしてこの製造方法は更に、第1粘着層が取り除かれた後、パターン化銅層上および絶縁層の一部上にソルダーマスク層を形成することを含む。
【００１４】
この発明の実施形態において、熱発生素子を積載するためのパッケージキャリアが提供される。パッケージキャリアは、基板、粘着層、金属層、熱伝導素子を含む。基板は第1表面、第2表面、互いに背向する第１表面と第２表面を連結する開口を有する。粘着層は基板の第２表面に配置される。金属層は、粘着層を介し基板に接着され、金属層と開口は収容空間を定義する。熱伝導素子は収容空間に配置され、頂面と底面を有する。頂面と底面は互いに背向する。金属層は熱伝導素子の底面に接続される。熱発生素子は熱伝導素子の頂面に配置される。
【００１５】
この発明の実施形態において、熱伝導素子は、第１伝導層、第２伝導層、および第１伝導層と第２伝導層との間に位置する絶縁材層を含む。
【００１６】
この発明の実施形態において、絶縁材層の材料はセラミックスである。
【００１７】
この発明の実施形態において、パッケージキャリアは更に複数の伝導柱を含む。粘着層は熱伝導素子の底面と金属層との間に拡張される。伝導柱は金属層と粘着層を貫通し、伝導柱は熱伝導素子の底面の一部に接続される。
【００１８】
この発明の実施形態において、粘着層は基板の第２表面と金属層との間に位置し、金属層は収容凹部を有し、熱伝導素子の底面は収容凹部に配置される。
【００１９】
この発明の実施形態において、粘着層は基板の第２表面と金属層との間に位置し、金属層は突出部を有し、熱伝導素子の底面は突出部上に配置される。
【００２０】
この発明の実施形態において、基板は絶縁層と、絶縁層上に位置するパターン化銅層を含む。パターン化銅層は絶縁層の一部を露出する。
【００２１】
この発明の実施形態において、パッケージキャリアは更に、パターン化銅層上および絶縁層の一部上に配置されるソルダーマスク層を含む。
【発明の効果】
【００２２】
上記の実施形態で説明されるパッケージキャリアは熱伝導素子を有する。従って、熱発生素子がパッケージキャリアの熱伝導素子上に配置されたとき、熱発生素子により発生された熱は、熱伝導素子と金属層を通して外界へ急速に伝送される。このように、この発明の実施形態中で説明されるパッケージキャリアは、熱発生素子により発生された熱を効果的に散逸することができ、熱発生素子の効率と寿命は共に向上する。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１Ａ】この発明の実施形態によるパッケージキャリアの製造方法を示す概略的な断面図である。
【図１Ｂ】この発明の実施形態によるパッケージキャリアの製造方法を示す概略的な断面図である。
【図１Ｃ】この発明の実施形態によるパッケージキャリアの製造方法を示す概略的な断面図である。
【図１Ｄ】この発明の実施形態によるパッケージキャリアの製造方法を示す概略的な断面図である。
【図１Ｅ】この発明の実施形態によるパッケージキャリアの製造方法を示す概略的な断面図である。
【図１Ｆ】この発明の実施形態によるパッケージキャリアの製造方法を示す概略的な断面図である。
【図１Ｇ】この発明の実施形態によるパッケージキャリアの製造方法を示す概略的な断面図である。
【図１Ｈ】この発明の実施形態によるパッケージキャリアの製造方法を示す概略的な断面図である。
【図１Ｉ】この発明の実施形態によるパッケージキャリアの製造方法を示す概略的な断面図である。
【図１Ｊ】図１Ｉに描写されたパッケージキャリアに熱発生素子を積載したところを示す概略的な断面図である。
【図２】この発明の実施形態によるパッケージキャリアの熱発生素子積載を示す概略的な断面図である。
【図３】この発明の実施形態によるパッケージキャリアの別例を示す概略的な断面図である。
【図４】この発明の実施形態によるパッケージキャリアの更なる別例を示す概略的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
図１Ａから図１Ｉは、この発明の実施形態によるパッケージキャリアの製造方法を示す概略的な断面図である。図１に示されるように、この実施形態によるパッケージキャリアの製造方法では、基板１１０が提供される。基板１１０は、第１表面１１１と、第１表面１１１と背向する第２表面１１３を有する。基板１１０は絶縁層１１２と、絶縁層１１２上に位置する銅層１１４で構成される。ここでは、絶縁層１１２は、例えばＰＩ（polyimide = PI ポリイミド）製あるいはエポキシ樹脂製である。図面により示されていない実施形態では、基板は、１つの絶縁層と、その絶縁層の各面上に位置する２つの銅箔（copper foil）層で構成される両面基板とすることもできる。
【００２５】
図１Ｂにおいて、基板１１０の第１表面１１１と第２表面１１３が連結する開口１１６は、例えばスタンプ（stamping 抜き打ち）処理あるいはルーティング（routing 溝堀り）処理によって形成される。
【００２６】
図１Ｃにおいて、第１粘着層１２０は、基板１１０の第１表面１１１上に形成される。ここで、第１粘着層１２０と基板１１０は窪みＣを定義する。熱伝導素子１３０は窪みＣに配置される。熱伝導素子１３０は、互いに背向する頂面１３１と底面１３３を有し、熱伝導素子１３０は第１粘着層１２０を介し窪みＣに固定される。熱伝導素子１３０は、第１伝導層１３２、絶縁材層１３４、第２伝導層１３６を含む。絶縁材層１３４は、第１伝導層１３２と第２伝導層１３６との間に位置する。加えて、絶縁材層１３４は、例えばＡＩ２０３、ＡＩＮ（aluminum nitride = AIN 窒化アルミニウム）、ＳｉＮ（silicon nitride = SiN 窒化珪素）、もしくは石墨、といったセラミックス材質製である。熱伝導素子１３０の第１伝導層１３２はパターン化伝導層とすることもでき、第１粘着層１２０に接着される。
【００２７】
図１Ｄにおいて、第２粘着層１４０ａと、第２粘着層１４０ａ上に位置する金属層１５０ａは、基板１１０の第２表面１１３上に形成される。第２粘着層１４０ａは、熱伝導素子１３０の底面１３３を覆い、熱伝導素子１３０は第１粘着層１２０と第２粘着層１４０ａとの間に位置する。金属層１５０ａは、例えば単一金属層、合金層、あるいは金属化合物層である。
【００２８】
図１Ｅにおいて、第１粘着層１２０は、基板１１０の第１表面１１１を露出させるために取り除かれる。第２粘着層１４０ａと開口１１６は、収容空間Ｓ１を定義し、熱伝導素子１３０は、収容空間Ｓ１内に位置する。金属層１５０ａの一部は、第２粘着層１４０ａの一部を露出させるために取り除かれる。金属層１５０ａは、例えば物理的エッチングあるいは化学的エッチングによって取り除かれる。
【００２９】
図１Ｆにおいて、第２粘着層１４０ａの一部は、熱伝導素子１３０の底面１３３の一部を露出させるために取り除かれる。ここでは、第２粘着層１４０ａを取り除く方法としては、レーザー処理あるいはプラズマ処理が含まれる。
【００３０】
この実施形態中、第１粘着層１２０、金属層１５０ａの一部、および第２粘着層１４０ａの一部は順に取り除かれるが、第１粘着層１２０、金属層１５０ａの一部、および第２粘着層１４０ａの一部を取り除く順序については当発明で制限されないことを言及しておく。当発明の別の実施形態においては、金属層１５０ａと第２粘着層１４０ａが部分的に取り除かれ、その後、第１粘着層１２０が取り除かれる。
【００３１】
図１Gにおいて、複数の伝導柱１６０が、熱伝導素子１３０の底面１３３の露出された部分上に形成される。熱伝導素子１３０の第２伝導層１３６は、伝導柱１６０を介し金属層１５０ａに接続される。ここで、熱伝導素子１３０から離れた側の伝導柱１６０の表面と、第２粘着層１４０ａから離れた側の金属層１５０ａの表面１５１は、実質共面である。ここでは、伝導柱１６０の形成方法は、電解めっき（electroplating）あるいは無電解めっき（electroless plating）を含む。
【００３２】
図１Ｈにおいて、基板１１０の銅層１１４は、パターン化銅層１１５を形成するためにパターン化される。ここでは、パターン化銅層１１５は絶縁層１１２の一部を露出する。
【００３３】
図１Ｉにおいて、ソルダーマスク層１７０は、パターン化銅層１１５上と絶縁層１１２の一部の上に形成される。これにて、パッケージキャリア１００ａの製造は実質的に完成される。
【００３４】
図１Ｉに示されるように、この実施形態のパッケージキャリア１００ａは、構造的に、基板１１０、熱伝導素子１３０、第２粘着層１４０ａ、金属層１５０ａ、伝導柱１６０、および、ソルダーマスク層１７０を含む。基板１１０は、互いに背向する第１表面１１１と第２表面１１３を有する。また、基板１１０は第１表面１１１と第２表面１１３を連結する開口１１６を有する。基板１１０は絶縁層１１２とパターン化銅層１１５から成る。パターン化銅層１１５は、絶縁層１１２の一部を露出する。熱伝導素子１３０は、互いに背向する頂面１３１と底面１３３を有する。ここでは、熱伝導素子１３０は、第１伝導層１３２、絶縁材層１３４、第２伝導層１３６を含む。絶縁材層１３４は、第１伝導層１３２と第２伝導層１３６との間に位置する。第１伝導層１３２はパターン化伝導層でありうる。第２粘着層１４０ａは、基板１１０の第２表面１１３上と、熱伝導素子１３０の底面１３３上に配置される。ここで、第２粘着層１４０ａと開口１１６は、収容空間Ｓ１を定義し、熱伝導素子１３０は、収容空間Ｓ１内に配置される。金属層１５０ａは、第２粘着層１４０ａを介して基板１１０に接着される。伝導柱１６０は、金属層１５０ａと第２粘着層１４０ａを貫通し、熱伝導素子１３０の底面１３３の一部に接続される。ソルダーマスク層１７０は、基板１１０のパターン化銅層１１５上と絶縁層１１２の一部上に配置される。
【００３５】
図１Ｊは、図１Ｉに描写されたパッケージキャリアに熱発生素子を積載したところを示す概略的な断面図である。図１Ｊにおいて、この実施形態中、パッケージキャリア１００ａは熱発生素子２００ａを積載するのに適している。熱発生素子２００ａは、熱伝導素子１３０の第１伝導層１３２上に配置される。ここでは、熱発生素子２００ａは、例えば電子チップもしくは光電デバイスであり、これらは本発明を制限するものとして解釈されてはならない。例えば、電子チップは集積回路チップ、例を挙げると、チップモジュールあるいはグラフィックチップやメモリーチップ等を含む単一チップでもよい。光電デバイスは、例えばＬＥＤ、レーザーダイオード、あるいはガス放電光源（gas discharge light source）である。この実施形態中、熱発生素子２００ａは、例えばＬＥＤとして述べられる。
【００３６】
具体的に述べると、熱発生素子２００ａ（例：ＬＥＤ）は、フリップチップボンディング（flip-chip bonding）によって熱伝導素子１３０の第１伝導層１３２に電気接続されうる。熱発生素子２００ａとパッケージキャリア１００ａの一部は、熱発生素子２００ａとパッケージキャリア１００ａとの間の電気接続を保護するために、モールドコンパウンド（molding compound）２１０によって封入（encapsulated）されうる。この実施形態の熱発生素子２００ａは、パッケージキャリア１１０ａの熱伝導素子１３０上に直接配置される。このため、熱発生素子２００ａにより発生された熱は、熱伝導素子１３０、伝導柱１６０、金属層１５０ａを介し外界へ急速に伝送される。このように、当発明のこの実施形態で説明されるパッケージキャリア１００ａは、熱発生素子２００ａにより発生された熱を効果的に散逸することができ、熱発生素子２００ａの効率と寿命は共に向上する。
【００３７】
この実施形態で説明される熱発生素子２００ａはパッケージキャリア１００ａの熱伝導素子１３０にフリップチップボンディング（flip-chip bonding）によって電気接続されるが、熱発生素子２００ａとパッケージキャリア１１０ａとの接続方法および熱発生素子２００ａの形態は、本発明では制限されない。図２で示される、もうひとつの実施形態では、熱発生素子２００ｂは、パッケージキャリア１００ａの熱伝導素子１３０ａの第１伝導層１３２ａに、複数のボンディングワイヤー２２０を通して接続される（即ち、ワイヤーボンディング）。熱発生素子は、ここに示されない別の実施形態ではチップパッケージでありえ、パッケージキャリア１００ａ上に表面実装技術（surface mount technology = SMT）を行うことで配置される。熱発生素子２００ａおよび２００ｂとパッケージキャリア１００ａの接続方法と、熱発生素子２００ａおよび２００ｂの形態は、代表的なものであり、本発明を制限するものとして解釈されてはならない。
【００３８】
パッケージキャリア１００ｂおよび１００ｃと、それらの製造方法は、いくつかの実施形態にて以下に説明される。いくつかの参照番号と、前述の実施形態中に提供されたいくつかの解説は、以下の代表的な実施形態の中でも使用されることを言及しておく。同一の参照番号は、同一あるいは類似する構成要素を示し、同一の技術的内容の解説は省略される。前述の代表的実施形態によって省略部分の解説は参照できることから、後述の代表的実施形態のなかでは省略部分は解説されない。
【００３９】
図３は、本発明の実施形態による別のパッケージキャリアを示す概略的な断面図である。図３では、この実施形態のパッケージキャリア１００ｂは、図１Ｉに示されるパッケージキャリア１００ａに類似しているが、これらの差異は、図３に示されるパッケージキャリア１１０ｂが図１Ｉに示される伝導柱１６０を有しないことと、熱伝導素子１３０の底面１３３が直接金属層１５０ｂに接続される点にある。更に明確に述べると、この実施形態中パッケージキャリア１００ｂの第２粘着層１４０ｂは、基板１１０の第２表面１１３と金属層１５０ｂとの間に位置する。金属層１５０ｂは、熱伝導素子１３０が配置される収容凹部１５２を有する。熱伝導素子１３０の底面１３３は、金属層１５０ｂに直接接触している。
【００４０】
この実施形態のパッケージキャリア１００ｂの製造方法は、前述の実施形態で説明されたパッケージキャリア１００ａの製造方法と、おおよそ同一でありうる。すなわち、図１Ｃに示されるように、第１粘着層１２０は基板１１０の第１表面１１１上に形成され、第１粘着層１２０と基板１１０は窪みＣを定義する。そして、第２粘着層１４０ｂと、第２粘着層１４０ｂ上に位置する金属層１５０ｂは、基板１１０の第２表面１１３上に形成される。金属層１５０ｂは、熱伝導素子１３０が配置される収容凹部１５２を有する。熱伝導素子１３０の底面１３３は、金属層１５０ｂに直接接触している。第１粘着層１２０は（図１Ｄに示されるように）取り除かれ、図１Ｈと図１Ｉに示されるステップは、パッケージキャリア１００ｂの製作を完成させるために、順に実行される。
【００４１】
その後、例えばＬＥＤチップ（図示せず）といった熱発生素子がワイヤー・ボンディングまたはフリップチップボンディングによってパッケージキャリア１００ｂの熱伝導素子１３０の第１伝導層１３２に接続されたとき、熱発生素子によって発生された熱は、直接熱伝導素子１３０と金属層１５０ｂを介して外界へ急速に伝送される。要するに、この実施形態中説明されるパッケージキャリア１００ｂは、熱発生素子により発生された熱を効果的に散逸することができ、熱発生素子の効率と寿命は共に向上する。
【００４２】
図４は、本発明の実施形態による別のパッケージキャリアを示す概略的な断面図である。図４では、この実施形態のパッケージキャリア１００ｃは、図３に示されるパッケージキャリア１００ｂに類似しているが、これらの差異は、図４中のパッケージキャリア１００ｃの第２金属層１５０ｃは、熱伝導素子１３０が配置される突出部１５４を有し、熱伝導素子１３０の底面１３３は突出部に直接接触している点にある。
【００４３】
この実施形態でのパッケージキャリア１００ｃの製造方法は、前述の実施形態のパッケージキャリア１００ｂの製造方法と、おおよそ同一でありうる。すなわち、図１Ｃに示されるように、第１粘着層１２０は基板１１０の第１表面１１１上に形成され、第１粘着層１２０と基板１１０は窪みＣを定義する。第２粘着層１４０ｂと、第２粘着層１４０ｂ上に位置する金属層１５０ｃは、基板１１０の第２表面１１３上に形成される。金属層１５０ｃは、熱伝導素子１３０が配置される突出部１５４を有する。熱伝導素子１３０の底面１３３は、突出部１５４に直接接触している。第１粘着層１２０は（図１Ｄに示されるように）取り除かれ、図１Ｈと図１Ｉに示されるステップは、パッケージキャリア１００ｃの製作を完成させるために、順番に実行される。
【００４４】
その後、例えばＬＥＤチップ（図示せず）といった熱発生素子がワイヤー・ボンディングまたはフリップチップボンディングによってパッケージキャリア１００ｃの熱伝導素子１３０の第１伝導層１３２に接続されたとき、熱発生素子によって発生された熱は、直接熱伝導素子１３０と金属層１５０ｃを介して外界へ急速に伝送される。要するに、この実施形態中説明されるパッケージキャリア１００ｂは、熱発生素子により発生された熱を効果的に散逸することができ、熱発生素子の効率と寿命は共に向上する。
【００４５】
要約すると、上述の実施形態によるパッケージキャリアは熱伝導素子を有する。このため、熱発生素子が熱伝導素子上に配置されたとき、熱発生素子により発生された熱は、直接熱伝導素子と金属層を介して外界へ急速に伝送される。要するに、この発明の実施形態中説明されるパッケージキャリアは、熱発生素子により発生された熱を効果的に散逸することができ、熱発生素子の効率と寿命は共に向上する。
【００４６】
この発明は上記の実施形態において説明されているが、当業者による説明された実施形態の変更は当発明の技術思想から離れることなくなされうることは明白である。従って、本発明の範囲は、上記の詳細説明ではなく、添付の請求項によって定義される。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明は、ＬＥＤ等の熱発生素子の積載に用いることのできるパッケージキャリアとその製造方法に関するものである。
【符号の説明】
【００４８】
１００ａ、１００ｂ、１００ｃ パッケージキャリア
１１０ 基板
１１１ 第１表面
１１２ 絶縁層
１１３ 第２表面
１１４ 銅層
１１５ パターン化銅層
１１６ 開口
１２０ 第１粘着層
１３０、１３０ａ 熱伝導素子
１３１ 頂面
１３２、１３２ａ 第１伝導層
１３３ 底面
１３４ 絶縁材層
１３６ 第２伝導層
１４０ａ、１４０ｂ 第２粘着層
１５０ａ、１５０ｂ、１５０ｃ 金属層
１５１ 表面
１５２ 収容凹部
１５４ 突出部
１６０ 伝導柱
１７０ ソルダーマスク層
２００ａ、２００ｂ 熱発生素子
２１０ モールドコンパウンド（molding compound）
２２０ ボンディングワイヤー
Ｃ 窪み
Ｓ１ 収容空間
【技術分野】
【０００１】
この発明は、パッケージ構造およびその製造方法に関する。特に、この発明はパッケージキャリア（package carrier）およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
チップパッケージは、チップに適切な信号伝導経路、熱伝導経路およびチップ構造の保護を提供する。リードフレーム（leadframe）は、従来のワイヤーボンディング（wire bonding）技術が採用されるとき、しばしばチップのキャリア（carrier）としての役割を務める。チップの接点密度（contact density）が次第に増大するに従い、リードフレームでは更に高い接点密度を提供できないため、好ましい接点密度を達成できるパッケージキャリアに置き換えられる。また、チップは金属伝導ワイヤーまたはバンプ（bump）といった導電媒体によってパッケージキャリア上にパッケージされる。
【０００３】
一般的な発光ダイオード（light emitting diode = LED）パッケージ構造においては、LEDチップが使用される前にLEDチップはパッケージされる必要があり、そしてLEDチップは発光時に、大量の熱を発生させる。もしも熱が散逸されず、LEDパッケージ構造内に継続して蓄積されると、LEDパッケージ構造の温度がますます上昇する。こうして、過度に熱せられたLEDチップは輝度を減衰させ、寿命を短縮させ、あるいは恒久的な損傷を受けかねない。そのため、既存のLEDパッケージ構造には、ヒートシンク（heat sink 散熱装置）が組み込まれており、LEDチップの熱を散逸させている。
【０００４】
従来のパッケージキャリアは、複数のパターン化導電層と、少なくとも１つの絶縁層から成る。電気絶縁のため、絶縁層は２つの隣接するパターン化導電層の間に配置される。熱伝導ブロックはパッケージキャリア底面上に粘着層を介し固定される。多くの場合、LEDチップはパッケージキャリアに電気接続され、LEDチップにより発生された熱は、パターン化導電層および絶縁層を通して熱伝導ブロックへ伝導される。粘着層と絶縁層の熱伝導率は好ましくないため、LEDチップによって発生された熱が絶縁層と粘着層を通して熱伝導ブロックへ伝導されるとき、熱抵抗（heat resistance）が上昇し、満足のできない熱散逸をもたらす。従って、LEDチップによって発生された熱を如何に外界へ効果的に散逸させるかが、この領域の研究者および設計者の焦点となっている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
この発明は、熱発生素子を積載するためのパッケージキャリアを提供することを目的とする。
【０００６】
この発明は、さらにパッケージキャリアの製造方法を提供することを目的とする。この製造方法を適用することにより、前述のパッケージキャリアを形成することができる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明の実施形態において、パッケージキャリアの製造方法には以下のステップを含む。基板が提供される。基板は、第１表面、第２表面、互いに背向する第１表面と第２表面を連結する開口を有する。第１粘着層は基板の第１表面上に形成される。第1粘着層と基板は窪み（notch）を定義する。熱伝導素子はその窪みに組み込まれ、第１粘着層を介し窪みに固定される。第２粘着層と、第２粘着層上に位置する金属層は、基板の第２表面上に形成される。ここで、金属層は熱伝導素子の底面に接続され、熱伝導素子は金属層と第１粘着層との間に位置する。第１粘着層は基板の第１表面を露出するために取り除かれる。
【０００８】
この発明の実施形態において、この製造方法はさらに以下のステップを含む。第２粘着層と金属層が基板の第２表面上に形成されるとき、熱伝導素子の底面は第２粘着層によって覆われ、熱伝導素子は第１粘着層と第２粘着層との間に位置する。金属層の一部と第２粘着層の一部は熱伝導素子の底面の一部を露出させるために取り除かれる。複数の伝導柱が熱伝導素子底面の露出部上に形成される。ここで、熱伝導素子は伝導柱を介し金属層に接続され、熱伝導素子から離れた側の伝導柱の表面と、第２粘着層から離れた側の金属層の表面は実質共面である。
【０００９】
この発明の実施形態において、第２粘着層は基板の第２表面と金属層との間に位置し、金属層は収容凹部を有し、熱伝導素子の底面は収容凹部に配置される。
【００１０】
この発明の実施形態において、第２粘着層は基板の第２表面と金属層との間に位置し、金属層は突出部を有し、熱伝導素子の底面は突出部上に配置される。
【００１１】
この発明の実施形態において、熱伝導素子は、第１伝導層、第２伝導層、および第１伝導層と第２伝導層との間に位置する絶縁材層を含む。
【００１２】
この発明の実施形態において、絶縁材層の材料はセラミックスである。
【００１３】
この発明の実施形態において、基板は絶縁層と、絶縁層上に位置するパターン化銅層を含む。ここで、パターン化銅層は絶縁層の一部を露出し、そしてこの製造方法は更に、第1粘着層が取り除かれた後、パターン化銅層上および絶縁層の一部上にソルダーマスク層を形成することを含む。
【００１４】
この発明の実施形態において、熱発生素子を積載するためのパッケージキャリアが提供される。パッケージキャリアは、基板、粘着層、金属層、熱伝導素子を含む。基板は第1表面、第2表面、互いに背向する第１表面と第２表面を連結する開口を有する。粘着層は基板の第２表面に配置される。金属層は、粘着層を介し基板に接着され、金属層と開口は収容空間を定義する。熱伝導素子は収容空間に配置され、頂面と底面を有する。頂面と底面は互いに背向する。金属層は熱伝導素子の底面に接続される。熱発生素子は熱伝導素子の頂面に配置される。
【００１５】
この発明の実施形態において、熱伝導素子は、第１伝導層、第２伝導層、および第１伝導層と第２伝導層との間に位置する絶縁材層を含む。
【００１６】
この発明の実施形態において、絶縁材層の材料はセラミックスである。
【００１７】
この発明の実施形態において、パッケージキャリアは更に複数の伝導柱を含む。粘着層は熱伝導素子の底面と金属層との間に拡張される。伝導柱は金属層と粘着層を貫通し、伝導柱は熱伝導素子の底面の一部に接続される。
【００１８】
この発明の実施形態において、粘着層は基板の第２表面と金属層との間に位置し、金属層は収容凹部を有し、熱伝導素子の底面は収容凹部に配置される。
【００１９】
この発明の実施形態において、粘着層は基板の第２表面と金属層との間に位置し、金属層は突出部を有し、熱伝導素子の底面は突出部上に配置される。
【００２０】
この発明の実施形態において、基板は絶縁層と、絶縁層上に位置するパターン化銅層を含む。パターン化銅層は絶縁層の一部を露出する。
【００２１】
この発明の実施形態において、パッケージキャリアは更に、パターン化銅層上および絶縁層の一部上に配置されるソルダーマスク層を含む。
【発明の効果】
【００２２】
上記の実施形態で説明されるパッケージキャリアは熱伝導素子を有する。従って、熱発生素子がパッケージキャリアの熱伝導素子上に配置されたとき、熱発生素子により発生された熱は、熱伝導素子と金属層を通して外界へ急速に伝送される。このように、この発明の実施形態中で説明されるパッケージキャリアは、熱発生素子により発生された熱を効果的に散逸することができ、熱発生素子の効率と寿命は共に向上する。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１Ａ】この発明の実施形態によるパッケージキャリアの製造方法を示す概略的な断面図である。
【図１Ｂ】この発明の実施形態によるパッケージキャリアの製造方法を示す概略的な断面図である。
【図１Ｃ】この発明の実施形態によるパッケージキャリアの製造方法を示す概略的な断面図である。
【図１Ｄ】この発明の実施形態によるパッケージキャリアの製造方法を示す概略的な断面図である。
【図１Ｅ】この発明の実施形態によるパッケージキャリアの製造方法を示す概略的な断面図である。
【図１Ｆ】この発明の実施形態によるパッケージキャリアの製造方法を示す概略的な断面図である。
【図１Ｇ】この発明の実施形態によるパッケージキャリアの製造方法を示す概略的な断面図である。
【図１Ｈ】この発明の実施形態によるパッケージキャリアの製造方法を示す概略的な断面図である。
【図１Ｉ】この発明の実施形態によるパッケージキャリアの製造方法を示す概略的な断面図である。
【図１Ｊ】図１Ｉに描写されたパッケージキャリアに熱発生素子を積載したところを示す概略的な断面図である。
【図２】この発明の実施形態によるパッケージキャリアの熱発生素子積載を示す概略的な断面図である。
【図３】この発明の実施形態によるパッケージキャリアの別例を示す概略的な断面図である。
【図４】この発明の実施形態によるパッケージキャリアの更なる別例を示す概略的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
図１Ａから図１Ｉは、この発明の実施形態によるパッケージキャリアの製造方法を示す概略的な断面図である。図１に示されるように、この実施形態によるパッケージキャリアの製造方法では、基板１１０が提供される。基板１１０は、第１表面１１１と、第１表面１１１と背向する第２表面１１３を有する。基板１１０は絶縁層１１２と、絶縁層１１２上に位置する銅層１１４で構成される。ここでは、絶縁層１１２は、例えばＰＩ（polyimide = PI ポリイミド）製あるいはエポキシ樹脂製である。図面により示されていない実施形態では、基板は、１つの絶縁層と、その絶縁層の各面上に位置する２つの銅箔（copper foil）層で構成される両面基板とすることもできる。
【００２５】
図１Ｂにおいて、基板１１０の第１表面１１１と第２表面１１３が連結する開口１１６は、例えばスタンプ（stamping 抜き打ち）処理あるいはルーティング（routing 溝堀り）処理によって形成される。
【００２６】
図１Ｃにおいて、第１粘着層１２０は、基板１１０の第１表面１１１上に形成される。ここで、第１粘着層１２０と基板１１０は窪みＣを定義する。熱伝導素子１３０は窪みＣに配置される。熱伝導素子１３０は、互いに背向する頂面１３１と底面１３３を有し、熱伝導素子１３０は第１粘着層１２０を介し窪みＣに固定される。熱伝導素子１３０は、第１伝導層１３２、絶縁材層１３４、第２伝導層１３６を含む。絶縁材層１３４は、第１伝導層１３２と第２伝導層１３６との間に位置する。加えて、絶縁材層１３４は、例えばＡＩ２０３、ＡＩＮ（aluminum nitride = AIN 窒化アルミニウム）、ＳｉＮ（silicon nitride = SiN 窒化珪素）、もしくは石墨、といったセラミックス材質製である。熱伝導素子１３０の第１伝導層１３２はパターン化伝導層とすることもでき、第１粘着層１２０に接着される。
【００２７】
図１Ｄにおいて、第２粘着層１４０ａと、第２粘着層１４０ａ上に位置する金属層１５０ａは、基板１１０の第２表面１１３上に形成される。第２粘着層１４０ａは、熱伝導素子１３０の底面１３３を覆い、熱伝導素子１３０は第１粘着層１２０と第２粘着層１４０ａとの間に位置する。金属層１５０ａは、例えば単一金属層、合金層、あるいは金属化合物層である。
【００２８】
図１Ｅにおいて、第１粘着層１２０は、基板１１０の第１表面１１１を露出させるために取り除かれる。第２粘着層１４０ａと開口１１６は、収容空間Ｓ１を定義し、熱伝導素子１３０は、収容空間Ｓ１内に位置する。金属層１５０ａの一部は、第２粘着層１４０ａの一部を露出させるために取り除かれる。金属層１５０ａは、例えば物理的エッチングあるいは化学的エッチングによって取り除かれる。
【００２９】
図１Ｆにおいて、第２粘着層１４０ａの一部は、熱伝導素子１３０の底面１３３の一部を露出させるために取り除かれる。ここでは、第２粘着層１４０ａを取り除く方法としては、レーザー処理あるいはプラズマ処理が含まれる。
【００３０】
この実施形態中、第１粘着層１２０、金属層１５０ａの一部、および第２粘着層１４０ａの一部は順に取り除かれるが、第１粘着層１２０、金属層１５０ａの一部、および第２粘着層１４０ａの一部を取り除く順序については当発明で制限されないことを言及しておく。当発明の別の実施形態においては、金属層１５０ａと第２粘着層１４０ａが部分的に取り除かれ、その後、第１粘着層１２０が取り除かれる。
【００３１】
図１Gにおいて、複数の伝導柱１６０が、熱伝導素子１３０の底面１３３の露出された部分上に形成される。熱伝導素子１３０の第２伝導層１３６は、伝導柱１６０を介し金属層１５０ａに接続される。ここで、熱伝導素子１３０から離れた側の伝導柱１６０の表面と、第２粘着層１４０ａから離れた側の金属層１５０ａの表面１５１は、実質共面である。ここでは、伝導柱１６０の形成方法は、電解めっき（electroplating）あるいは無電解めっき（electroless plating）を含む。
【００３２】
図１Ｈにおいて、基板１１０の銅層１１４は、パターン化銅層１１５を形成するためにパターン化される。ここでは、パターン化銅層１１５は絶縁層１１２の一部を露出する。
【００３３】
図１Ｉにおいて、ソルダーマスク層１７０は、パターン化銅層１１５上と絶縁層１１２の一部の上に形成される。これにて、パッケージキャリア１００ａの製造は実質的に完成される。
【００３４】
図１Ｉに示されるように、この実施形態のパッケージキャリア１００ａは、構造的に、基板１１０、熱伝導素子１３０、第２粘着層１４０ａ、金属層１５０ａ、伝導柱１６０、および、ソルダーマスク層１７０を含む。基板１１０は、互いに背向する第１表面１１１と第２表面１１３を有する。また、基板１１０は第１表面１１１と第２表面１１３を連結する開口１１６を有する。基板１１０は絶縁層１１２とパターン化銅層１１５から成る。パターン化銅層１１５は、絶縁層１１２の一部を露出する。熱伝導素子１３０は、互いに背向する頂面１３１と底面１３３を有する。ここでは、熱伝導素子１３０は、第１伝導層１３２、絶縁材層１３４、第２伝導層１３６を含む。絶縁材層１３４は、第１伝導層１３２と第２伝導層１３６との間に位置する。第１伝導層１３２はパターン化伝導層でありうる。第２粘着層１４０ａは、基板１１０の第２表面１１３上と、熱伝導素子１３０の底面１３３上に配置される。ここで、第２粘着層１４０ａと開口１１６は、収容空間Ｓ１を定義し、熱伝導素子１３０は、収容空間Ｓ１内に配置される。金属層１５０ａは、第２粘着層１４０ａを介して基板１１０に接着される。伝導柱１６０は、金属層１５０ａと第２粘着層１４０ａを貫通し、熱伝導素子１３０の底面１３３の一部に接続される。ソルダーマスク層１７０は、基板１１０のパターン化銅層１１５上と絶縁層１１２の一部上に配置される。
【００３５】
図１Ｊは、図１Ｉに描写されたパッケージキャリアに熱発生素子を積載したところを示す概略的な断面図である。図１Ｊにおいて、この実施形態中、パッケージキャリア１００ａは熱発生素子２００ａを積載するのに適している。熱発生素子２００ａは、熱伝導素子１３０の第１伝導層１３２上に配置される。ここでは、熱発生素子２００ａは、例えば電子チップもしくは光電デバイスであり、これらは本発明を制限するものとして解釈されてはならない。例えば、電子チップは集積回路チップ、例を挙げると、チップモジュールあるいはグラフィックチップやメモリーチップ等を含む単一チップでもよい。光電デバイスは、例えばＬＥＤ、レーザーダイオード、あるいはガス放電光源（gas discharge light source）である。この実施形態中、熱発生素子２００ａは、例えばＬＥＤとして述べられる。
【００３６】
具体的に述べると、熱発生素子２００ａ（例：ＬＥＤ）は、フリップチップボンディング（flip-chip bonding）によって熱伝導素子１３０の第１伝導層１３２に電気接続されうる。熱発生素子２００ａとパッケージキャリア１００ａの一部は、熱発生素子２００ａとパッケージキャリア１００ａとの間の電気接続を保護するために、モールドコンパウンド（molding compound）２１０によって封入（encapsulated）されうる。この実施形態の熱発生素子２００ａは、パッケージキャリア１１０ａの熱伝導素子１３０上に直接配置される。このため、熱発生素子２００ａにより発生された熱は、熱伝導素子１３０、伝導柱１６０、金属層１５０ａを介し外界へ急速に伝送される。このように、当発明のこの実施形態で説明されるパッケージキャリア１００ａは、熱発生素子２００ａにより発生された熱を効果的に散逸することができ、熱発生素子２００ａの効率と寿命は共に向上する。
【００３７】
この実施形態で説明される熱発生素子２００ａはパッケージキャリア１００ａの熱伝導素子１３０にフリップチップボンディング（flip-chip bonding）によって電気接続されるが、熱発生素子２００ａとパッケージキャリア１１０ａとの接続方法および熱発生素子２００ａの形態は、本発明では制限されない。図２で示される、もうひとつの実施形態では、熱発生素子２００ｂは、パッケージキャリア１００ａの熱伝導素子１３０ａの第１伝導層１３２ａに、複数のボンディングワイヤー２２０を通して接続される（即ち、ワイヤーボンディング）。熱発生素子は、ここに示されない別の実施形態ではチップパッケージでありえ、パッケージキャリア１００ａ上に表面実装技術（surface mount technology = SMT）を行うことで配置される。熱発生素子２００ａおよび２００ｂとパッケージキャリア１００ａの接続方法と、熱発生素子２００ａおよび２００ｂの形態は、代表的なものであり、本発明を制限するものとして解釈されてはならない。
【００３８】
パッケージキャリア１００ｂおよび１００ｃと、それらの製造方法は、いくつかの実施形態にて以下に説明される。いくつかの参照番号と、前述の実施形態中に提供されたいくつかの解説は、以下の代表的な実施形態の中でも使用されることを言及しておく。同一の参照番号は、同一あるいは類似する構成要素を示し、同一の技術的内容の解説は省略される。前述の代表的実施形態によって省略部分の解説は参照できることから、後述の代表的実施形態のなかでは省略部分は解説されない。
【００３９】
図３は、本発明の実施形態による別のパッケージキャリアを示す概略的な断面図である。図３では、この実施形態のパッケージキャリア１００ｂは、図１Ｉに示されるパッケージキャリア１００ａに類似しているが、これらの差異は、図３に示されるパッケージキャリア１１０ｂが図１Ｉに示される伝導柱１６０を有しないことと、熱伝導素子１３０の底面１３３が直接金属層１５０ｂに接続される点にある。更に明確に述べると、この実施形態中パッケージキャリア１００ｂの第２粘着層１４０ｂは、基板１１０の第２表面１１３と金属層１５０ｂとの間に位置する。金属層１５０ｂは、熱伝導素子１３０が配置される収容凹部１５２を有する。熱伝導素子１３０の底面１３３は、金属層１５０ｂに直接接触している。
【００４０】
この実施形態のパッケージキャリア１００ｂの製造方法は、前述の実施形態で説明されたパッケージキャリア１００ａの製造方法と、おおよそ同一でありうる。すなわち、図１Ｃに示されるように、第１粘着層１２０は基板１１０の第１表面１１１上に形成され、第１粘着層１２０と基板１１０は窪みＣを定義する。そして、第２粘着層１４０ｂと、第２粘着層１４０ｂ上に位置する金属層１５０ｂは、基板１１０の第２表面１１３上に形成される。金属層１５０ｂは、熱伝導素子１３０が配置される収容凹部１５２を有する。熱伝導素子１３０の底面１３３は、金属層１５０ｂに直接接触している。第１粘着層１２０は（図１Ｄに示されるように）取り除かれ、図１Ｈと図１Ｉに示されるステップは、パッケージキャリア１００ｂの製作を完成させるために、順に実行される。
【００４１】
その後、例えばＬＥＤチップ（図示せず）といった熱発生素子がワイヤー・ボンディングまたはフリップチップボンディングによってパッケージキャリア１００ｂの熱伝導素子１３０の第１伝導層１３２に接続されたとき、熱発生素子によって発生された熱は、直接熱伝導素子１３０と金属層１５０ｂを介して外界へ急速に伝送される。要するに、この実施形態中説明されるパッケージキャリア１００ｂは、熱発生素子により発生された熱を効果的に散逸することができ、熱発生素子の効率と寿命は共に向上する。
【００４２】
図４は、本発明の実施形態による別のパッケージキャリアを示す概略的な断面図である。図４では、この実施形態のパッケージキャリア１００ｃは、図３に示されるパッケージキャリア１００ｂに類似しているが、これらの差異は、図４中のパッケージキャリア１００ｃの第２金属層１５０ｃは、熱伝導素子１３０が配置される突出部１５４を有し、熱伝導素子１３０の底面１３３は突出部に直接接触している点にある。
【００４３】
この実施形態でのパッケージキャリア１００ｃの製造方法は、前述の実施形態のパッケージキャリア１００ｂの製造方法と、おおよそ同一でありうる。すなわち、図１Ｃに示されるように、第１粘着層１２０は基板１１０の第１表面１１１上に形成され、第１粘着層１２０と基板１１０は窪みＣを定義する。第２粘着層１４０ｂと、第２粘着層１４０ｂ上に位置する金属層１５０ｃは、基板１１０の第２表面１１３上に形成される。金属層１５０ｃは、熱伝導素子１３０が配置される突出部１５４を有する。熱伝導素子１３０の底面１３３は、突出部１５４に直接接触している。第１粘着層１２０は（図１Ｄに示されるように）取り除かれ、図１Ｈと図１Ｉに示されるステップは、パッケージキャリア１００ｃの製作を完成させるために、順番に実行される。
【００４４】
その後、例えばＬＥＤチップ（図示せず）といった熱発生素子がワイヤー・ボンディングまたはフリップチップボンディングによってパッケージキャリア１００ｃの熱伝導素子１３０の第１伝導層１３２に接続されたとき、熱発生素子によって発生された熱は、直接熱伝導素子１３０と金属層１５０ｃを介して外界へ急速に伝送される。要するに、この実施形態中説明されるパッケージキャリア１００ｂは、熱発生素子により発生された熱を効果的に散逸することができ、熱発生素子の効率と寿命は共に向上する。
【００４５】
要約すると、上述の実施形態によるパッケージキャリアは熱伝導素子を有する。このため、熱発生素子が熱伝導素子上に配置されたとき、熱発生素子により発生された熱は、直接熱伝導素子と金属層を介して外界へ急速に伝送される。要するに、この発明の実施形態中説明されるパッケージキャリアは、熱発生素子により発生された熱を効果的に散逸することができ、熱発生素子の効率と寿命は共に向上する。
【００４６】
この発明は上記の実施形態において説明されているが、当業者による説明された実施形態の変更は当発明の技術思想から離れることなくなされうることは明白である。従って、本発明の範囲は、上記の詳細説明ではなく、添付の請求項によって定義される。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明は、ＬＥＤ等の熱発生素子の積載に用いることのできるパッケージキャリアとその製造方法に関するものである。
【符号の説明】
【００４８】
１００ａ、１００ｂ、１００ｃ パッケージキャリア
１１０ 基板
１１１ 第１表面
１１２ 絶縁層
１１３ 第２表面
１１４ 銅層
１１５ パターン化銅層
１１６ 開口
１２０ 第１粘着層
１３０、１３０ａ 熱伝導素子
１３１ 頂面
１３２、１３２ａ 第１伝導層
１３３ 底面
１３４ 絶縁材層
１３６ 第２伝導層
１４０ａ、１４０ｂ 第２粘着層
１５０ａ、１５０ｂ、１５０ｃ 金属層
１５１ 表面
１５２ 収容凹部
１５４ 突出部
１６０ 伝導柱
１７０ ソルダーマスク層
２００ａ、２００ｂ 熱発生素子
２１０ モールドコンパウンド（molding compound）
２２０ ボンディングワイヤー
Ｃ 窪み
Ｓ１ 収容空間
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１表面、第２表面、および互いに背向する第１表面と第２表面が連結する開口を有する基板を提供することと、
前記基板の第１表面上に第１粘着層を形成し、前記第１粘着層と前記基板が窪みを定義することと、
前記窪みに熱伝導素子を配置し、前記熱伝導素子は前記第１粘着層を介し前記窪みに固定されることと、
第２粘着層と、前記第２粘着層上に位置する金属層を前記基板の第２表面上に形成し、前記金属層は前記熱伝導素子の底面に接続され、前記熱伝導素子は前記金属層と前記第１粘着層の間に位置することと、
前記第１粘着層が前記基材の前記第１表面を露出させるために取り除かれることと、
を備えるパッケージキャリアの製造方法。
【請求項２】
前記基板の第２表面上に前記第２粘着層と前記金属層を形成するときに、前記第２粘着層により前記熱伝導素子の底面を覆い、前記熱伝導素子は前記第１粘着層と前記第２粘着層の間に位置することと、
前記熱伝導素子底面の一部を露出させるために前記金属層の一部と前記第２粘着層の一部を取り除くことと、
前記熱伝導素子の底面の露出された部分に複数の伝導柱を形成し、そのうち前記熱伝導素子は前記伝導柱により前記金属層に接続され、前記伝導柱の前記熱伝導素子から離れた側の表面と前記金属層の第２粘着層から離れた側の表面は実質共面であることと、
を更に備える請求項1に記載の製造方法。
【請求項３】
前記第２粘着層は前記基板の第２表面と前記金属層との間に位置し、前記金属層は収容凹部を有し、前記熱伝導素子の底面は前記収容凹部に配置される請求項１に記載の製造方法。
【請求項４】
前記第２粘着層は前記基板の第２表面と前記金属層との間に位置し、前記金属層は突出部を有し、前記熱伝導素子の底面は前記突出部上に配置される請求項１に記載の製造方法。
【請求項５】
前記熱伝導素子は、第１伝導層、第２伝導層、および前記第１伝導層と前記第２伝導層との間に位置する絶縁層を含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項６】
前記絶縁層の材料がセラミックスである請求項５に記載の製造方法。
【請求項７】
前記基板が、絶縁層と、前記絶縁層上に位置するパターン化銅層を含み、前記パターン化銅層は前記絶縁層の一部を露出し、更に、前記第１粘着層を取り除いた後、前記パターン化銅層上と前記絶縁層の一部上にソルダーマスク層を形成することを備える請求項５に記載の製造方法。
【請求項８】
熱発生素子を積載するパッケージキャリアであって、
第１表面、第２表面、互いに背向する第１表面と第２表面が連結する開口を有する基板と、
前記基板の前記第２表面上に配置される粘着層と、
前記粘着層を介し前記基板に接着され、前記開口と収容空間を定義する金属層と、
収容空間に配置され、互いに背向する頂面と底面を有する熱伝導素子とを含み、
前記金属層は前記熱伝導素子の底面に接続され、前記熱発生素子は前記熱伝導素子の頂面に配置される、
パッケージキャリア。
【請求項９】
前記熱伝導素子は、第１伝導層、第２伝導層、前記第１伝導層と前記第２伝導層との間に位置する絶縁層を含む請求項８に記載のパッケージキャリア。
【請求項１０】
前記絶縁層の材料がセラミックスである請求項９に記載のパッケージキャリア。
【請求項１１】
更に、複数の伝導柱を含み、
前記粘着層が、前記熱伝導素子の底面と前記金属層との間に拡張され、前記伝導柱が前記金属層と前記粘着層を貫通し前記熱伝導素子の底面の一部に接続する請求項８に記載のパッケージキャリア。
【請求項１２】
前記粘着層は、前記基板の第２表面と前記金属層との間に位置し、前記金属層は前記収容凹部を有し、前記熱伝導素子の底面は前記収容凹部に配置される請求項８に記載のパッケージキャリア。
【請求項１３】
前記粘着層は、前記基板の第２表面と前記金属層との間に位置し、前記金属層は突出部を有し、前記熱伝導素子の底面は前記突出部に配置される請求項８に記載のパッケージキャリア。
【請求項１４】
前記基板が、絶縁層と、前記絶縁層上に位置するパターン化銅層を含み、前記パターン化銅層が前記絶縁層の一部を露出する請求項８に記載のパッケージキャリア。
【請求項１５】
前記パターン化銅層上と前記絶縁層の一部上に配置されるソルダーマスク層を更に備える請求項１４に記載のパッケージキャリア。
【請求項１】
第１表面、第２表面、および互いに背向する第１表面と第２表面が連結する開口を有する基板を提供することと、
前記基板の第１表面上に第１粘着層を形成し、前記第１粘着層と前記基板が窪みを定義することと、
前記窪みに熱伝導素子を配置し、前記熱伝導素子は前記第１粘着層を介し前記窪みに固定されることと、
第２粘着層と、前記第２粘着層上に位置する金属層を前記基板の第２表面上に形成し、前記金属層は前記熱伝導素子の底面に接続され、前記熱伝導素子は前記金属層と前記第１粘着層の間に位置することと、
前記第１粘着層が前記基材の前記第１表面を露出させるために取り除かれることと、
を備えるパッケージキャリアの製造方法。
【請求項２】
前記基板の第２表面上に前記第２粘着層と前記金属層を形成するときに、前記第２粘着層により前記熱伝導素子の底面を覆い、前記熱伝導素子は前記第１粘着層と前記第２粘着層の間に位置することと、
前記熱伝導素子底面の一部を露出させるために前記金属層の一部と前記第２粘着層の一部を取り除くことと、
前記熱伝導素子の底面の露出された部分に複数の伝導柱を形成し、そのうち前記熱伝導素子は前記伝導柱により前記金属層に接続され、前記伝導柱の前記熱伝導素子から離れた側の表面と前記金属層の第２粘着層から離れた側の表面は実質共面であることと、
を更に備える請求項1に記載の製造方法。
【請求項３】
前記第２粘着層は前記基板の第２表面と前記金属層との間に位置し、前記金属層は収容凹部を有し、前記熱伝導素子の底面は前記収容凹部に配置される請求項１に記載の製造方法。
【請求項４】
前記第２粘着層は前記基板の第２表面と前記金属層との間に位置し、前記金属層は突出部を有し、前記熱伝導素子の底面は前記突出部上に配置される請求項１に記載の製造方法。
【請求項５】
前記熱伝導素子は、第１伝導層、第２伝導層、および前記第１伝導層と前記第２伝導層との間に位置する絶縁層を含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項６】
前記絶縁層の材料がセラミックスである請求項５に記載の製造方法。
【請求項７】
前記基板が、絶縁層と、前記絶縁層上に位置するパターン化銅層を含み、前記パターン化銅層は前記絶縁層の一部を露出し、更に、前記第１粘着層を取り除いた後、前記パターン化銅層上と前記絶縁層の一部上にソルダーマスク層を形成することを備える請求項５に記載の製造方法。
【請求項８】
熱発生素子を積載するパッケージキャリアであって、
第１表面、第２表面、互いに背向する第１表面と第２表面が連結する開口を有する基板と、
前記基板の前記第２表面上に配置される粘着層と、
前記粘着層を介し前記基板に接着され、前記開口と収容空間を定義する金属層と、
収容空間に配置され、互いに背向する頂面と底面を有する熱伝導素子とを含み、
前記金属層は前記熱伝導素子の底面に接続され、前記熱発生素子は前記熱伝導素子の頂面に配置される、
パッケージキャリア。
【請求項９】
前記熱伝導素子は、第１伝導層、第２伝導層、前記第１伝導層と前記第２伝導層との間に位置する絶縁層を含む請求項８に記載のパッケージキャリア。
【請求項１０】
前記絶縁層の材料がセラミックスである請求項９に記載のパッケージキャリア。
【請求項１１】
更に、複数の伝導柱を含み、
前記粘着層が、前記熱伝導素子の底面と前記金属層との間に拡張され、前記伝導柱が前記金属層と前記粘着層を貫通し前記熱伝導素子の底面の一部に接続する請求項８に記載のパッケージキャリア。
【請求項１２】
前記粘着層は、前記基板の第２表面と前記金属層との間に位置し、前記金属層は前記収容凹部を有し、前記熱伝導素子の底面は前記収容凹部に配置される請求項８に記載のパッケージキャリア。
【請求項１３】
前記粘着層は、前記基板の第２表面と前記金属層との間に位置し、前記金属層は突出部を有し、前記熱伝導素子の底面は前記突出部に配置される請求項８に記載のパッケージキャリア。
【請求項１４】
前記基板が、絶縁層と、前記絶縁層上に位置するパターン化銅層を含み、前記パターン化銅層が前記絶縁層の一部を露出する請求項８に記載のパッケージキャリア。
【請求項１５】
前記パターン化銅層上と前記絶縁層の一部上に配置されるソルダーマスク層を更に備える請求項１４に記載のパッケージキャリア。
【図１Ａ】
【図１Ｂ】
【図１Ｃ】
【図１Ｄ】
【図１Ｅ】
【図１Ｆ】
【図１Ｇ】
【図１Ｈ】
【図１Ｉ】
【図１Ｊ】
【図２】
【図３】
【図４】
【図１Ｂ】
【図１Ｃ】
【図１Ｄ】
【図１Ｅ】
【図１Ｆ】
【図１Ｇ】
【図１Ｈ】
【図１Ｉ】
【図１Ｊ】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２０１２−２３５０８９（Ｐ２０１２−２３５０８９Ａ）
【公開日】平成２４年１１月２９日（２０１２．１１．２９）
【国際特許分類】
【外国語出願】
【出願番号】特願２０１２−４１５２０（Ｐ２０１２−４１５２０）
【出願日】平成２４年２月２８日（２０１２．２．２８）
【出願人】（５９９１１０５９９）旭徳科技股▲ふん▼有限公司 (14)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１１月２９日（２０１２．１１．２９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−４１５２０（Ｐ２０１２−４１５２０）
【出願日】平成２４年２月２８日（２０１２．２．２８）
【出願人】（５９９１１０５９９）旭徳科技股▲ふん▼有限公司 (14)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]