磁気トンネル接合に加えられる電流の方向を制御するためのシステムおよび方法が、開示される。ある特定の実施形態では、装置は、磁気トンネル接合(MTJ)記憶素子およびセンス増幅器を含む。センス増幅器は、第1の経路および第2の経路に結合される。第1の経路は、第1の電流方向選択トランジスタを含み、第2の経路は、第2の電流方向選択トランジスタを含む。第1の経路は、MTJ記憶素子のビット線に結合され、第2の経路は、MTJ記憶素子のソース線に結合される。
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【課題】ドライバ領域の増加を最小限に抑え、抵抗変化メモリの三次元化を実現する。
【解決手段】本発明の抵抗変化メモリは、半導体基板１１上に、第１導電線、第１可変抵抗素子、第２導電線、第２可変抵抗素子、…第ｎ導電線、第ｎ可変抵抗素子、及び、第（ｎ＋１）導電線の順番で、積み重ねられる積層構造（但し、ｎは、２以上の自然数）と、第１乃至第（ｎ＋１）導電線Ｌ１（１），Ｌ２（１），…Ｌ（ｎ＋１）（１）を駆動する第１乃至第（ｎ＋１）ドライバＤｒ１（１），Ｄｒ２（１）とを備える。第１乃至第（ｎ＋１）ドライバＤｒ１（１），Ｄｒ２（１）のサイズは、第１ドライバから第（ｎ＋１）ドライバに向かって次第に大きくなる。 （もっと読む）

【課題】 保存安定性を長期に亘って良好に保持することができるセラミックス薄膜形成
用組成物の保存方法、セラミック薄膜の製造方法、圧電素子の製造方法、液体噴射ヘッド
の製造方法を提供する。
【解決手段】 セラミックス薄膜を構成する有機金属化合物と、水と、を少なくとも混合
してセラミックス薄膜形成用組成物とし、該セラミックス薄膜形成用組成物を冷結晶化さ
せた後、冷結晶化のピーク領域の上限温度より高く融解開始温度より低い温度で保存する
。 （もっと読む）

磁気トンネル接合（ＭＴＪ）記憶素子およびＭＴＪを形成する方法が開示される。磁気トンネル接合（ＭＴＪ）記憶素子は、固定層、バリア層、自由層、および複合ハードマスクまたは上部電極を含む。複合ハードマスク／上部電極構造体はＭＴＪ記憶素子を通る不均一電流経路を提供するよう構成され、平行にカップリングされた様々な抵抗特性を有する電極から形成される。自由層と上部電極との間に組み込まれた任意の調整層が自由層の減衰定数を低減する助けとなる。
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【課題】スピン分極率の高いフルホイスラー合金と反強磁性結合を形成する磁性体を含む、ＴＭＲ比が高い磁気抵抗効果素子を用いたスピンＭＯＳ電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に形成されたフルホイスラー合金層１３と、フルホイスラー合金層１３上に形成された、面心立方格子構造を有する強磁性体層１４と、強磁性体層１４上に形成された非磁性層１５と、非磁性層１５上に形成された強磁性体層１６とを含む構造をソース及びドレインのうち少なくとも一つに備える。非磁性層１５を介して形成された強磁性層１４と強磁性層１６との間には反強磁性結合が形成されている。 （もっと読む）

【課題】非揮発性メモリ装置に関し、ヒステリシス（Hysteresis）特性を有する素子をメモリの情報格納素子として用いるメモリにおいて、別途の検証（Verify）時間を費やさず、安定した動作レベルを確保する。
【解決手段】ビットラインＢＬ及びソースラインＳＬに印加される書込み電流に従い、磁気抵抗素子ＭＴＪにデータを読出し及び書込みするメモリセル１００と、ビットライン及びソースラインの電圧を検出する電圧検出部１１０と、電圧検出部の出力に従い書込み制御信号の活性化の可否を制御する書込み電流制御部１２０と、書込み制御信号の活性化の可否に従い、メモリセル１００に供給される書込み電流の量を制御する書込み駆動部ＷＤ１，ＷＤ２とを含む。 （もっと読む）

炭素／トンネル障壁／炭素・ダイオード及び炭素／トンネル障壁／炭素・ダイオードの形成方法を開示する。炭素／トンネル障壁／炭素はメモリアレイ内でステアリング素子として用いられてもよい。メモリアレイ内の各メモリセルは可逆的抵抗性スイッチング素子、及びステアリング素子として炭素／トンネル障壁／炭素・ダイオードを含んでいてもよい。トンネル障壁は半導体又は絶縁体を含んでいてもよい。従って、ダイオードは炭素／半導体／炭素・ダイオードであってもよい。ダイオード内の半導体は真性であってもよいし、ドープされていてもよい。ダイオードが平衡状態にある場合は、半導体が空乏化されることがある。例えば、空乏領域が半導体領域の一端から他端まで延びるように、半導体が低濃度にドープされてもよい。ダイオードは炭素／絶縁体／炭素・ダイオードであってもよい。 （もっと読む）

【課題】電気的特性が向上した半導体メモリ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体メモリ素子は第１電極及び第２電極を含む。第１元素を含む可変抵抗物質パターンが第１及び第２電極の間に提供される。第１スペーサは可変抵抗物質パターンに隣接して提供される。 （もっと読む）

【課題】垂直異方性をもつＭｇＯベースの磁気トンネル接合（ＭＴＪ）デバイスを提供すること。垂直異方性をもつＭｇＯベースの磁気トンネル接合（ＭＴＪ）デバイスは、ＭｇＯトンネル障壁によって分離された垂直磁化をもつ強磁性ピンおよび自由層を本質的に含む。金属Ｍｇ堆積とその後の酸化処理によってまたは反応性スパッタリングによって作製されるＭｇＯトンネル障壁の微細構造はアモルファスまたは不完全な（００１）面垂直方向組織をもつ微晶質である。
【解決手段】本発明では、少なくとも強磁性ピン層のみまたは強磁性ピンおよび自由層の両方が、トンネル障壁と強磁性ピン層のみとの間に、またはトンネル障壁とピンおよび自由層の両方との間に位置する結晶好適結晶粒成長促進（ＰＧＧＰ）シード層を有する構造とすることが提案される。この結晶ＰＧＧＰシード層は、堆積後アニーリングに際してＭｇＯトンネル障壁の結晶化および好適結晶粒成長を誘起する。 （もっと読む）

【課題】強誘電体キャパシタの分極特性を向上させつつ、ＭｇＯ膜の還元を抑制することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、スイッチングトランジスタ３０１と、第１及び第２の拡散層１２１₁，１２１₂と、層間絶縁膜１３１と、ＭｇＯ膜１４１と、ＭｇＯ膜上に形成された下部電極２１１、強誘電体膜２１２、及び上部電極２１３を含む強誘電体キャパシタ２０１と、上部電極２１３上に形成された第１のプラグ１７１と、第１の拡散層上に形成された第２のプラグ１７２と、第２の拡散層上に形成され、下部電極２１１と第２の拡散層とを電気的に導通させている第３のプラグ１７３とを備え、第３のプラグ１７３は、側面及び底面を形成するバリアメタル層１８１と、バリアメタル層１８１上に形成されたプラグ材層１８２とを含み、バリアメタル層１８１は、ＭｇＯ膜１４１とプラグ材層１８２との間に介在している。 （もっと読む）