【課題】高い終端耐圧が得られる半導体装置を提供する。
【解決手段】素子領域及びこの素子領域の外側の終端領域における第１の第１導電型半導体層の主面上に設けられた第２の第１導電型半導体層と、第１の第１導電型半導体層の主面に対して略平行な横方向に第２の第１導電型半導体層と共に周期的配列構造を形成する第３の第２導電型半導体層と、終端領域における第２の第１導電型半導体層及び第３の第２導電型半導体層の上に設けられたフィールド絶縁膜と、フィールド絶縁膜上に設けられ第２の主電極もしくは制御電極に接続されたフィールドプレート電極と、絶縁膜を介在させてフィールドプレート電極に一部が重なって、フィールドプレート電極よりも外側のフィールド絶縁膜上に設けられ、電位が浮遊したフローティングフィールドプレート電極とを備えている。 （もっと読む）

【課題】耐電圧特性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、ｐｎ接合面７を有する半導体基体１と、半導体基体１の第１表面１ｃに形成されているアノード電極３と、第１絶縁膜５とを備える。半導体基体１は、第１表面１ｃに連続して形成され、ｐｎ接合面７の延びる方向に対して傾斜するように形成されている第１傾斜面４ａと、第１傾斜面４ａに連続する端面４ｂとを有する。第１絶縁膜５は、第１傾斜面４ａおよび端面４ｂを覆うように配置されている。半導体基体１は、先端部に第１傾斜面４ａから突出するように形成されている突出部８を有する。 （もっと読む）

【課題】発光効率などが、品質改善された量子ドット及び半導体レーザの作製を可能とすること。
【解決手段】III-V化合物を含む第１の半導体からなる基板上にAlを含む半導体からなる中間層を形成し、微細なホールパターンを有するマスク層をマスクとして、塩素系ガスによるドライエッチング法を用いて中間層をエッチングし基板を表出させる。さらに中間層を水蒸気酸化法により酸化させ、表出された基板の上に、III-V化合物を含む第２の半導体材料を主成分とする量子ドットを形成させることによって作製する。 （もっと読む）

【課題】
ＦＬＲ構造を有する半導体装置において、特性変動のばらつきの小さい半導体装置を提供する。
【解決手段】
半導体基板７に形成されたＮベース領域９と、半導体基板７の第１主面側において、半導体基板７に形成されたＰウェル領域Ｐ（０）と、半導体基板７の第１主面側において、Ｐウェル領域を囲むように形成された複数のＰリング領域Ｐ（１）〜Ｐ（ｎ）と、半導体基板７の第１主面側において、Ｐリング領域を囲むように形成されたＮストッパ領域ＳＲと、半導体基板の第１主面の上において、隣り合うＰリング領域の間に設けられた（酸化膜２と、酸化膜２の上に配置されたポリシリコン３と、Ｐリング領域及びポリシリコン３に電気的接続されるように配置されたアルミニウム４と、半導体基板７の第１主面とは反対側の第２主面に設けられた電極１１、とを備える。 （もっと読む）

電子デバイス（１０、１０’、１０’’、１０’’’、１００、１００’、１００’’、１００’’’、１０００）は、第１の導電性タイプの一次ナノワイヤ（１８）と、一次ナノワイヤから外側に延在する、第２の導電性タイプの二次ナノワイヤ（２４）とを備える。第２の導電性タイプのドープ領域（２６）が、二次ナノワイヤ２４から一次ナノワイヤ（１８）の少なくとも一部内に延在する。
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【課題】高いアバランシェ耐量が得られる半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の第１導電型半導体層と、第１の第１導電型半導体層の主面上に設けられた第２の第１導電型半導体層と、第２の第１導電型半導体層に隣接して第１の第１導電型半導体層の主面上に設けられ、第１の第１導電型半導体層の主面に対して略平行な横方向に第２の第１導電型半導体層と共に周期的配列構造を形成する第３の第２導電型半導体層と、第２の第１導電型半導体層と第３の第２導電型半導体層との周期的配列構造の外側の終端部における第１の第１導電型半導体層の主面上に設けられた第６の第１導電型半導体層と、を備え、第２の第１導電型半導体層の不純物濃度は横方向に変化し、その横方向の中央が最も濃度が低く、第６の第１導電型半導体層の不純物濃度は、第２の第１導電型半導体層の中央の濃度以下である。 （もっと読む）

【課題】半導体チップが備えている絶縁されているべき一対の対象電極間に短絡が生じる可能性が増大したタイミングを検出する。
【解決手段】半導体チップ１０の半導体基板２８にＥＱＲ電極１４とＦＬＲ電極１６で構成される一対の対象電極が形成されている。半導体基板２８に、ＥＱＲ電極１４と第１センサ電極１２で構成される一対のセンサ電極が構成されている。検査回路５０は、一対の対象電極間に発生する電界よりも強い電界を一対のセンサ電極間に発生させる電圧を一対のセンサ電極間に印加する。また検査回路５０は、一対のセンサ電極間の電流を検出する。電界が強いほどイオンマイグレーションの進行速度は速くなる。従って、一対の対象電極間が短絡するのに先立って一対のセンサ電極間が短絡する。一対の対象電極間に短絡が生じる可能性が増大したタイミングを、一対のセンサ電極間に電流が流れたタイミングとして検出できる。 （もっと読む）

カーボンナノチューブの電界効果トランジスタは、基板、ソース電極、ドレイン電極およびカーボンナノチューブを含む。カーボンナノチューブはソース電極とドレイン電極との間のチャネルを形成する。カーボンナノチューブの電界効果トランジスタは、ゲート誘電体およびゲート電極も含む。ゲート電極をカーボンナノチューブからゲート誘電体で分離し、入力高周波電圧をゲート電極に印加する。
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【課題】半導体装置のうちセル部および外周耐圧部の基板の構造を共通化したとしても、外周耐圧部の耐圧を確保する。
【解決手段】スーパージャンクション基板７で構成された半導体装置の外周耐圧部において、スーパージャンクション基板７の表面にセル部から外周耐圧部の方向にＮ型領域２２およびＰ型領域２３で構成されるツェナーダイオード２１を設ける。 （もっと読む）

【課題】膜中に多くの欠陥を含まない自己組織化単分子膜からなる有機薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】被成膜基板１０２が配置された反応室１０１内の気体を排気した後に基板１０２表面に対して結合性有機分子を含む気体を導入する第１の工程と、前記反応室１０１内の前記有機分子を基板１０２表面に化学結合させる第２の工程と、前記反応室１０１内を排気して、反応室１０１内および前記基板１０２表面上の未反応の前記有機分子を排出させる第３の工程とを含み、前記第１の工程から第３の工程を１回以上繰り返す。 （もっと読む）