国際特許分類［H01L29/16］の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置，他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 整流，増幅，発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり，少なくとも１つの電位障壁または表面障壁を有するもの；少なくとも１つの電位障壁または表面障壁，例．ＰＮ接合空乏層またはキャリア集中層，を有するコンデンサーまたは抵抗器；半導体本体または電極の細部（３１／００〜４７／００，５１／０５が優先；半導体本体または電極以外の細部２３／００；１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置２７／００ (54,759) | 半導体本体 (3,016) | 構成材料に特徴のあるもの (1,274) | ドーピング材料または他の不純物は別にして，非結合型周期律表の第ＩＶ族元素のみを含むもの (80)
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ゲルマニウムポリマー、その製造法およびゲルマニウム膜の形成方法
【課題】塗布法によりゲルマニウム膜を形成するための成膜法、そのためのゲルマニウムポリマーとその製造法を提供する。
【解決手段】テトラハロゲン化ゲルマニウムと、式ＲＱＸｎ（ここで、Ｒは１価の有機基であり、Ｑはゲルマニウム原子またはマグネシウム原子を表し、Ｘはハロゲン原子を表し、ｎは１または３である）で表わされる有機金属ハライドと、リチウムおよび／またはマグネシウムを反応させる第１工程および第1工程で得られた反応生成物をＬｉＡｌＨ４で処理する第２工程により、ゲルマニウムポリマーを製造する。また、このゲルマニウムポリマーの溶液を基体表面上に塗布し、加熱し次いで熱および／または光で処理してゲルマニウム膜を形成する。
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高濃度不純物ダイヤモンド薄膜及びその製造方法
【課題】 不純物濃度傾斜層を用いた高濃度不純物ダイヤモンド薄膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
ダイヤモンド単結晶基板上に、不純物濃度が異なる不純物ダイヤモンド薄膜を複数層設けることにより、ダイヤモンド単結晶基板側から、不純物が順次高くなった傾斜層を作成し、最外層が最高濃度不純物を含むダイヤモンド薄膜である不純物傾斜型ダイヤモンド薄膜及びその製造方法。
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炭化ケイ素パワーデバイスを有する半導体ウェハを処理する方法
炭化ケイ素半導体デバイスを形成するいくつかの方法が開示される。これらの方法は、第１の厚さを有する炭化ケイ素基板の第１の表面に半導体デバイスを形成するステップと、炭化ケイ素基板の第１の表面にキャリア基板を取り付けるステップとを含む。キャリア基板は、炭化ケイ素基板に機械的支持を提供する。これらの方法はさらに、炭化ケイ素基板を、第１の厚さ未満の厚さまで薄くするステップ、炭化ケイ素基板の第１の表面とは反対側の薄くされた炭化ケイ素基板の表面に金属層を形成するステップ、および炭化ケイ素基板の第１の表面とは反対側の薄くされた炭化ケイ素基板の表面にオーミックコンタクトを形成するために、金属層を局所的にアニールするステップを含む。炭化ケイ素基板は、個片化された半導体デバイスを提供するために、個片化される。 
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ホウ素をドープしたダイヤモンド半導体
第１及び第２の合成ダイヤモンド領域にホウ素がドープされている。第２の合成ダイヤモンド領域は、第１の合成ダイヤモンド領域よりも大きな度合でホウ素がドープされており、かつ、第１の合成ダイヤモンド領域と物理的に接触している。更なる実施形態では、第１及び第２の合成ダイヤモンド領域は、少なくとも１つの金属リードに取り付けることで、ショットキーダイオードのようなダイヤモンド半導体を形成する。更なる幾つかの実施形態におけるダイヤモンドは、合成ダイヤモンドの導電率を高めるために、Ｃ１２を高濃度に含んだダイヤモンドである。一実施形態における製造プロセスは、ダイヤモンド層のひとつを水素注入層に沿って分離することを含んでいる。 （もっと読む）
不活性化された半導体基板の作成方法
【課題】 更なるＩＣ処理に関してシリコン以外の半導体材料を含む半導体基板を不活性化するための方法を提供する。
【解決手段】 不活性化された半導体基板を作成する方法であって、シリコン以外の半導体材料を含むか、または、シリコン以外の半導体材料より成る単結晶基板の表面を提供する工程と、シリコン層が基板表面の該当部分に実質的に格子整合するように、シリコン層を基板表面に形成する工程とを備える。
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ゲルマニウム・オン・インシュレータ（ＧｅＯＩ）型ウェーハの製造方法
【課題】薄いゲルマニウム層の電気的品質を改良したゲルマニウム・オン・インシュレータ型ウェーハの製造方法を得る。
【解決手段】ゲルマニウム基板１またはエピタキシャル・ゲルマニウム層を備える基板を設け、ゲルマニウム基板１の一つの主表面３上または主表面３内に誘電体層７を設け、ソース基板をハンドル基板５に取り付けることによりソース・ハンドル複合物を形成し、ソース基板内に前もって設けられ、実質的に主表面に平行な所定分離領域において、基板をソース・ハンドル複合物から取り外すことによりゲルマニウム・オン・インシュレータ・ウェーハを作製する工程を備える。誘電体膜の品質を向上し、同時によりコスト削減効果が高い製造工程を達成するために、ゲルマニウム基板１とハンドル基板５の間に誘電体層７として酸窒化ゲルマニウム層を設ける。
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ダイヤモンド基板及びその製造方法
【課題】基板処理装置において取扱いが容易であり、且つ、ダイヤモンドの気相成長温度と同程度の高温にも耐えられるダイヤモンド基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ダイヤモンド基板１は、第１の領域１１と第１の領域１１を取り囲む第２の領域１２とを含む主面１３を有し、第１の領域１１に貫通孔１４を有する基板１０と、貫通孔１４内に配置された単結晶ダイヤモンド部２０と、第２の領域１２上から単結晶ダイヤモンド部２０上に渡って設けられており、基板１０及び単結晶ダイヤモンド部２０に固定された多結晶ダイヤモンド部３０とを備える。この構成では、単結晶ダイヤモンド部２０は、多結晶ダイヤモンド部３０によって、基板１０に対して位置が固定される。その結果、基板処理装置を利用してダイヤモンド基板１を処理するときの取扱が容易になり、また、ダイヤモンドの気相成長温度と同程度の高温にも耐えられる。
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