【課題】性能を落とすことなく小型化が可能なセンサ、太陽電池等の電気素子と、電気素子を容易に製造する方法を提供する。
【解決手段】柱状体２に、蒸着、或いは半導体の溶融、溶解又はゲル状態の半導体８をコーティングする。その回りに、４本の絶縁線６、例えば糸を縞状に接合したものを巻き付ける。次に１本の絶縁線６をはがして、その跡に銅を蒸着して銅線９を形成する。最後に銅線９に隣接しない絶縁線をはがして、その跡にアルミニウムを蒸着してアルミニウム線１０を形成する。そして銅線９、アルミニウム線１０の間の抵抗値を測ることにより、半導体８に照射している光の強度を知ることができる。４本の絶縁線の太さを調整することにより、銅線９、アルミニウム線１０のそれぞれの直径、及びその間隔を決めることができ、設計とシミュレーションの作業が容易になる。また絶縁線６として細い糸を用いることにより、小型の光センサを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】光センサーの材料として好適に用いられる新規な光導電材料、並びにこの光導電材料を用いた光導電素子、光センサー及びセンサーアレイを提供する。
【解決手段】硫化ビスマスを主成分とする光導電材料である。当該光導電材料において、全原子に対する硫黄原子の含有量を５０モル％以上７０モル％以下とし、かつ、酸素原子の含有量を０．０００１モル％以上１０モル％以下とすることが好ましい。光導電素子１０は、当該光導電材料から形成され、膜厚が２０ｎｍ以上１００μｍ以下の硫化ビスマス薄膜１２を備える。光センサーは、当該光導電素子１０を用いたものである。また、センサーアレイは、当該光センサーを複数備える。 （もっと読む）

【課題】半導体紫外線受光素子の製造を容易にする製造方法を提供する。
【解決手段】半導体紫外線受光素子は、単結晶基板１と、前記単結晶基板１上方に形成された−ｃ極性Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（０．３≦ｘ≦０．６）層１４と、前記−ｃ極性Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（０．３≦ｘ≦０．６）層１４と同一平面上に形成された＋ｃ極性Ｍｇ_ｙＺｎ_１−ｙＯ（０≦ｙ＜０．３）層４と、前記−ｃ極性Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（０．３≦ｘ≦０．６）層１４上及び前記＋ｃ極性Ｍｇ_ｙＺｎ_１−ｙＯ（０≦ｙ＜０．３）層４上に形成されたショットキー電極８と、前記ショットキー電極８と対をなすオーミック電極７とを有する。 （もっと読む）

【課題】シリコンを用いた素子で負性フォトコンダクタンスが実現できるようにする。
【解決手段】シリコン基板１０１と、シリコン基板１０１の上に形成された絶縁層１０２と、絶縁層１０２の上に形成されたシリコンからなるソース１０３およびドレイン１０４とを備える。また、ソース１０３およびドレイン１０４の間にこれらと接続して配置されたシリコンからなる細線部１０５を備える。また、細線部１０５にゲート絶縁層１１１を介して設けられたゲート電極１０６を備える。また、ゲート電極１０６に電圧を印加するゲート電圧印加部１０８を備える。ゲート電圧印加部１０８は、細線部１０５が形成された領域を含む受光領域１０７に光を照射することによってソース１０５およびドレイン１０４の間のコンダクタンスが低下する電圧を、ゲート電極１０６に印加する。 （もっと読む）

【課題】欠陥を制御されたナノチューブを含み、物理または化学量を検出するためのセンサの提供することにある。
【解決手段】典型的なナノチューブ・センサ１９は、信号処理回路２１と接続して使用され、この信号処理回路２１は、電力を供給し、そしてセンサからの信号を処理して、検出された量に比例した出力を生成する。ナノチューブは、シリコン酸化物などからなるベース・フィルム２３上に配置され、ナノチューブの各端に電極２５を含む。信号処理回路２１は、限定されるものではないがひずみ、圧力、湿度および光などの検出された量を示す出力信号２７を供給する。 （もっと読む）

【課題】ＣＺＴＳ等の硫化物系化合物半導体を光吸収層に用いた光電素子において、Ｃｄを含む材料を必要とすることなく、更に高い発電効率を得ること。
【解決手段】ｐ型半導体層である光吸収層１６と、バッファ層１８と、窓層２０と、を備える光電素子１０。光吸収層１６が、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＳを含む硫化物系化合物半導体の膜であり、バッファ層１８が、Ｉｎ_２Ｓ_３及びＩｎ（ＯＨ）_３を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光電変換膜が半導体基板上に積層された積層型の固体撮像装置に関する。
【解決手段】複数の画素が二次元配置されてなる固体撮像装置であって、半導体基板と、半導体基板上に形成された層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に、画素毎に隙間を空けて形成された下部電極と、真性半導体材料からなり、画素毎に、隙間を空けて、各下部電極上に形成された光電変換膜と、不純物半導体材料からなり、前記光電変換膜上に、複数の画素に亘って形成され、光電変換膜間の隙間に相当する部位が当該隙間に入り込んで、光電変換膜の側面の一部または全部を覆っているブロッキング層と、ブロッキング層上に、複数の画素に亘って形成された透光性を有する上部電極とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、輝度情報及びカラー情報を十分に取得することができ、高感度と良好な色再現性を両立できる積層型撮像素子を提供することを目的とする。
【解決手段】入力光を受光し、光学像の輝度成分を取得する第１の撮像素子１０と、
該第１の撮像素子の背面側に配置され、該第１の撮像素子を透過した透過光を受光し、前記光学像の色成分を取得する第２の撮像素子７０とを有し、
前記第２の撮像素子のサブピクセル７１の面積は、前記第１の撮像素子のピクセル１１の面積の２倍、３倍又は４倍であることを特徴とする （もっと読む）

【課題】厚膜アモルファスシリコンと上部電極との間に、低抵抗のｎ型アモルファスシリコン膜を挿入して接続面に形成されるダイオードにより、光伝導による光電流を増幅して出力する。
【解決手段】金属膜から成る下部電極と、前記下部電極上に設けられるアモルファスシリコン膜と、前記アモルファスシリコン膜上に設けられるｎ型アモルファスシリコン膜と、前記ｎ型アモルファスシリコン膜上に設けられ、第１基準電圧が入力される上部電極と、前記下部電極と第２基準電圧との間に接続される容量素子と、オン状態の時に前記下部電極に第１電源電圧を入力し、オフ状態の時に前記下部電極をフローティング状態とするスイッチ回路と、前記スイッチ回路がオン状態において、前記アモルファスシリコン膜に所定期間光が照射された後の前記下部電極の電圧変化を検出する検出回路とを有する。 （もっと読む）

【課題】画素領域中央部での電圧降下を抑制することができる固体撮像装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】複数の画素部１００が二次元配置されてなる画素領域６１を有する固体撮像装置１であって、半導体基板５と、半導体基板５上に形成された層間絶縁膜２０〜２２と、層間絶縁膜２０〜２２上に形成された下部電極４０と、下部電極４０上に形成された光電変換膜４１と、光電変換膜４１上に形成された透光性を有する上部電極４２と、を有し、上部電極４２は画素領域６１全体に拡がっており、上部電極４２における少なくとも一部には、隣接する画素部１００の間を通り、上部電極４２を構成する材料よりも電気抵抗率が小さい材料からなる金属配線４５が積層されていることを特徴とする固体撮像装置１とする。 （もっと読む）