本発明は発光素子パッケージに関するものである。本発明による発光素子パッケージは、複数の電極を備えたパッケージボディと、前記複数の電極に電気的に連結された発光素子と、前記複数の電極に電気的に連結された過電圧抑制ダイオードと、を含む。
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【課題】基板の表面性を向上させると共に、ＳｉＣエピタキシャル層の結晶性を向上させることが可能で、しかも低コストで製造することが可能な単結晶ＳｉＣ半導体基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１上に多孔質層２、３を形成し、その多孔質層２、３上に単結晶シリコン層４を形成する。次に、加熱処理により多孔質層２、３内に中空構造層５を形成し、酸化処理により中空構造層５を酸化する。更に、炭化処理により単結晶シリコン層４を単結晶の炭化シリコン層に変成させてＳｉＣシード層９を形成する。その後、ＳｉＣシード層９を核としてエピタキシャル成長させて単結晶ＳｉＣ層１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】高い熱伝導率を有するＧａＮ、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）、又はＩｎｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）等の化合物半導体基板及び化合物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体基板は、一の同位体と、他の同位体とを含む元素を有し、一の同位体又は他の同位体は、天然存在比より高い混入比で元素中に存在する化合物半導体基板。化合物半導体として、例えば窒化ガリウムを製造方法する場合は、一の同位体として質量数６９のＧａと、他の同位体として質量数７１のＧａを準備する金属元素準備工程Ｓ１００と、前記金属元素を融解する融解工程Ｓ１１０と、融解した前記金属元素を遠心分離し、前記一の同位体又は前記他の同位体のいずれかの混入比を天然存在比より高くした精製原料を取得する精製工程Ｓ１２０と、前記精製原料を用いて化合物半導体基板を形成する基板形成工程Ｓ１４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】精度のよいオリフラおよびインフラを有するIII族窒化物半導体基板を簡単に、かつ短時間で製造できるIII族窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板２上に第一の層３、金属膜４を順次形成した後、第一の層３中に空隙６を発生させて下地基板７とし、その下地基板７上に第二の層８を形成し、第二の層８を、III族窒化物半導体基板１１とすべく下地基板７から剥離して形成するIII族窒化物半導体基板１１の製造方法において、第一の層３中に空隙６を発生させる際に、空隙割合が過多となる部分Ｃを形成し、その後、第二の層８を形成して、その第二の層８に空隙割合が過多となる部分と対応する部分にピット列１２を形成し、その剥離後のIII族窒化物半導体基板１１にピット列１２を境界にしてオリフラ９およびインフラ１０を形成するものである。 （もっと読む）

【課題】表面状態、転位及び他の非放射性再結合中心などのＺｎＯの非放射再結合中心が不動態化されることを可能にし、結果的にあらゆるＺｎＯ試料の放射効率及び効率が増加されることを可能にする方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ試料の非放射再結合中心を不動態化する方法であって、前記ＺｎＯ試料の少なくとも一表面にマグネシウムが堆積され、マグネシウムが堆積された前記試料の焼き鈍しが酸化雰囲気で行われる方法である。また、このように得られたＺｎＯ試料である。 （もっと読む）

【課題】耐半田リフロー性に優れた光半導体素子封止用固形エポキシ樹脂組成物およびそれを用いて光半導体素子を封止して得られる光半導体装置を提供する。
【解決手段】下記の（Ａ）および（Ｂ）成分とともに、下記の（Ｃ）および（Ｄ）成分を含有する光半導体素子封止用固形エポキシ樹脂組成物である。そして、上記光半導体素子封止用固形エポキシ樹脂組成物を用いて光半導体素子を樹脂封止することにより光半導体装置が得られる。
（Ａ）エポキシ樹脂。
（Ｂ）硬化剤。
（Ｃ）ポリエステル樹脂。
（Ｄ）硬化促進剤。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤの熱の放熱効果を大きくすることができ、リフレクタとＬＥＤの位置ズレを低減させることができる照明装置および照明装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】照明装置であって、発光による熱を伝達し外部に放出させる放熱部を備えるチップ型のＬＥＤと、前記ＬＥＤから放出される照明光を反射させることにより集光させる反射部材と、を有し、前記放熱部を前記反射部材に接触させて、前記ＬＥＤを前記反射部材に直接実装させること、を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】直列接続される複数の発光ダイオードに対して逆電圧が印加された場合においても、複数の発光ダイオードのうち、接続方向両端に配置される発光ダイオードの発光不良の発生を抑制する。
【解決手段】発光装置を構成する第１発光グループＧｒ１では、直列接続された３個の第１青色ＬＥＤ６６〜第３青色ＬＥＤ６８をそれぞれ有する第１発光チップ５２_１〜第１０発光チップ５２_１０が直列接続されている。そして、第１発光チップ５２_１〜第１０発光チップ５２_１０には、第１青色ＬＥＤ６６〜第３青色ＬＥＤ６８とは逆向きの極性を有する第１保護ダイオード５３_１〜第１０保護ダイオード５３_１０が、それぞれ、並列接続される。 （もっと読む）

【課題】
設定された色温度の照明光が不所望に変化することを抑制可能な照明装置を提供する。
【解決手段】
照明装置１は、発光色の異なる光源１３を有する器具本体２と、各色光の強度を設定する操作部３８および器具本体２から出射された各色光の強度を検出する色センサ４０を有するリモコン装置３と、受信部５５が受信した照明制御信号に応じて各色光の強度が出力されるように光源１３を制御し、受信部５５が受信した色情報信号における各色光の強度比が照明制御信号における各色光の強度比となるように光源１３を制御する点灯回路部５８とを有する点灯装置４とを具備している。 （もっと読む）

【課題】
回路構成が簡単で部品点数が少ないとともに、スイッチングが良好かつ高効率な発光ダイオード点灯装置を提供する。
【解決手段】
発光ダイオード点灯装置は、電圧制御形スイッチング素子Q1、インダクタL2およびフライホールダイオードD1を備えた降圧チョッパDCCと、その出力端に接続した発光ダイオードLEDと、直流電源側の電圧を降圧チョッパの電圧制御形スイッチング素子の制御端に印加して電圧制御形スイッチング素子をＯＮさせる起動回路STと、インダクタを充電する電流に応動して駆動信号を発生して降圧チョッパの電圧制御形スイッチング素子をＯＮ状態に維持する自励式駆動信号発生回路DSGと、降圧チョッパの電圧制御形スイッチング素子に流れる電流が所定値に到達したときに当該スイッチング素子をＯＦＦさせるスイッチングオフ制御回路SOCとを具備している。 （もっと読む）