【課題】熱電材料が高いＺＴを示す最適な結晶粒の範囲を計算するもしくは決定する方法を提供する。
【解決手段】複数の結晶粒及び粒界を有する熱電材料の製造方法であって、熱電材料用に調査される材料組成を決定すること、現状の製造技術を用いてその材料組成に得られるマトリックス粒度及びマトリックス粒界障壁高さの値の範囲を決定すること、粒度及び粒界障壁高さの値の範囲の関数として、その材料組成の複数のジーベック係数を計算すること、性能指数値の最大範囲に相当する平均粒度及び粒界障壁高さ及び材料組成を有する熱電材料を製造することを含む方法。 （もっと読む）

【課題】Ｍｇ−Ｓｉ系であって地球上に多量に存在する物質を用い且つ６５０℃以上の温度での加熱という熱処理を必要とせず低い熱伝導率を与え得る熱電材料および前記熱電材料の製造方法を提供する。
【解決手段】非晶質シリコンからなる母材中にＭｇ_２Ｓｉからなる熱電材料のナノ粒子が分散されてなるナノコンポジット熱電材料であって、全材料中の各元素原子比で示される割合が式：Ｍｇ_ｘＳｉ_ｙにおいて０．４７４≦ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．５４５で規定される範囲内である、前記材料、およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】所望のサイズや形状の熱電変換材料を安定して得ることができる熱電変換材料製造装置及び熱電変換材料製造方法を提供する。
【解決手段】熱電変換材料の溶融された原料である溶融原料を収納する原料収納部と、前記原料収納部から流入した溶融原料を冷却して凝固させる凝固部と、原料収納部に収納された溶融原料を加圧しながら凝固部に流入させる加圧構造と、を含む。 （もっと読む）

【課題】セーベック／ペルティ効果を利用した積層体を提供する。
【解決手段】 電気回路にそれぞれ接続される高温側金属領域と低温側金属領域とを対向して有するセーベック−ペルティ効果を有する導電性の膜からなる本発明の積層構造は、導電層と誘電体層を連続的に交互に積層して構成される。前記誘電体層は、ｎｍ級以下の酸化物の粒子或いは粒子のクラスタを高密度に分散させた形態或いは連続する膜の形態で形成され、前記導電層は、その平均厚さが５−１００ｎｍの範囲にあり、前記誘電体層と前記導電層とのインターフェースの表面の不規則性は、山と谷の間の平均振幅とその平均周期は、５−２０ｎｍの間にある。セーベック効果は、平均の山と谷の振幅と平均の周期性が５−２０ｎｍの表面の不規則性の時に顕著に表れる。 （もっと読む）

【課題】同じの材料系で成分の調整のみによって、ｐ型およびｎ型のクラスレート化合物および熱電変換素子を提供する。
【解決手段】化学式Ｂａ_ａＧａ_ｂＡｌ_ｃＧｅ_ｄ（７．８≦ａ≦８．１、７．４≦ｂ≦１２、４．０≦ｃ≦８．１、２９≦ｄ≦３４、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝５４）で表されるクラスレート化合物およびこのクラスレート化合物からなる熱電変換材料。 （もっと読む）

【課題】、熱電変換素子の高密度配列と接続信頼性の確保を容易に実現できる熱電変換素子の製造装置を提供する。
【解決手段】本発明は、熱電変換素子の製造装置および製造方法に関する。耐熱性絶縁材製の管１０２の内部に、ｐ型或いはｎ型の熱電変換材料を吸い上げて充填する熱電変換素子の製造装置であって、溶融した熱電変換素子を吸い上げる前に、管１０２を所定の温度に加熱することができる予備加熱装置２０５を有する。予備加熱装置２０５で加熱されて温度条件が調整された管１０２が坩堝２０４中に挿入され、この管１０２の内部へ、溶融した熱電変換材料が減圧装置２０１によって吸い上げられる。 （もっと読む）

【課題】熱電変換材料の表面からの熱放射を抑制することで、従来の熱電変換材料よりも高いエネルギー変換効果を得ることを可能とする優れた熱電変換特性を有する熱電変換材料および該熱電変換材料を低コストで製造する方法を提供する。
【解決手段】熱電変換物質を主相とし、該熱電変換物質の焼結体を構成する微細構造の中心部から外縁部にむかって結晶粒径および密度のいずれか、もしくはその両方を傾斜的に小さくした熱電変換材料、および短時間の通電による比較的小さな電力を被焼結物に集中的に投入する通電焼結法により該熱電変換材料を製造する方法。
【効果】元の熱電変換材料に比べて該熱電変換材料を構成する熱電変換物質の焼結体の微細構造の中心部から外縁部への熱の流れを抑制し、さらには熱電変換材料表面からの熱放射を抑制することができる新しい熱電交換材料を提供できる。 （もっと読む）

【課題】Ｂａ_８Ｇａ_１６Ｓｎ_３０熱電変換材料に比べて高い性能指数（ＺＴ）を示し、安価なクラスレート化合物、熱電変換素子、およびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】Ｂａ_８Ｇａ_１６Ｓｎ_３０熱電変換材料のＧａの一部をＧａより安価なＣｕで置換する。この場合、Ｃｕの仕込み比を０より大きく２．０以下とする。クラスレート化合物におけるＣｕの組成比（Ｃｕ×１００／（Ｂａ＋Ｇａ＋Ｓｎ＋Ｃｕ））は０より大きく０．０６１以下である。このように、ＧａをＣｕで置換したクラスレート化合物は、ゼーベック係数、比抵抗、および性能指数（ＺＴ）についてＢａ_８Ｇａ_１６Ｓｎ_３０熱電変換材料よりも良い数値を示すことがわかった。 （もっと読む）

【課題】薄型・軽量で柔軟なデバイス構造を得るも、簡素な構成で熱電変換装置の表面における断熱を要する部位の可及的な断熱を達成して、熱電変換効率を向上して発電量を大幅に増加させる信頼性の高い熱電変換装置を実現する。
【解決手段】突起部３ａ，３ｂは、フィルム状基板１の第１の主面１ａ及び第２の主面１ｂにおいて、接続部２ｃ，２ｄの下方及び上方に位置整合する箇所に、一部が第１及び第２の主面１ａ，１ｂから突出するように設けられおり、突起部３ａ，３ｂの当該突出部分を３ａ１，３ｂ１とすると、突出部分３ａ１，３ｂ１により、隣り合う突起部３ａ，３ｂ間の第１及び第２の主面１ａ，１ｂの領域には空隙１０ａ，１０ｂが形成される。 （もっと読む）

【課題】電極の厚さに関わらず熱電素子の近傍における余剰の半田のたまりを防止することが可能な熱電モジュールおよび熱電モジュールの製造方法の提供にある。
【解決手段】複数の板状の第１電極１３が設けられる第１表面を有する第１基材１１と、複数の板状の第２電極１４が設けられ、かつ第１表面と対向する第２表面を有する第２基材１２と、複数のＰ型熱電素子１５及び複数のＮ型熱電素子１６と、を備えた熱電モジュール１０である。第１基材１１の第１表面であって、第１電極中間部１３Ｂの位置に第１基材凹部２１を形成し、第１電極中間部１３Ｂを第１基材凹部２１の表面に沿って配置して第１電極中間部１３Ｂに第１電極凹部２３を形成した。 （もっと読む）