【課題】熱電材料からなる母材から熱電素子を製造する際に、メッキ等の金属被膜の剥離が発生することを抑制することができる熱電素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】熱電材料の母材である板材１１に、ダイシングによって切り込みを入れて溝１３を形成した後で金属被膜５、７を形成するので、ダイシングの際に、金属被膜５、７が剥離することはない。よって、その後、板材１１から分離された熱電素子１には、その表面及び側面の一部に金属被膜５、７が確実に形成されている。従って、熱電発電や電子冷却を行う熱電モジュール２３を製造する際に、詳しくは、半田材２５によって熱電素子１をセラミック基板１９の電極２１に接合する際に、半田材２５の濡れ性を向上でき、また、はんだ材２７に含まれる成分が熱電材料に拡散することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で熱電素子に適切な圧縮応力を作用させ、熱電素子を保護することができる熱電変換装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】熱電変換装置１１は、第１の基板１５と、この第１の基板１５に対向配置された第２の基板２６と、一端が第１の基板１５の第１電極層１４に接合されるとともに他端が第２の基板２６の第２電極層２４に接合された熱電素子２２とを有する。さらに、熱電変換装置１１は、一端が第１絶縁基板１５ａに接合されるとともに他端が第２絶縁基板２６ａに接合される補強部材３０を有する。熱電変換装置１１において、補強部材３０の線膨張係数が、熱電素子２２の線膨張係数より大きい。 （もっと読む）

【課題】新たな構造を有する複無機化合物系を提供する。
【解決手段】本発明に係る複無機化合物系１は、複無機化合物系１において、主結晶相２と同一の非金属元素配列を有し、副結晶相３が、主結晶相２の内部に含有され、副結晶相３に含まれる少なくとも１種の金属元素と同一の金属元素が主結晶相２に固溶し、主結晶相部分２’の結晶方位と、副結晶相３の結晶方位とが同一である。 （もっと読む）

【課題】新規な材料で構成された熱電変換素子を提供する。
【解決手段】 本発明による熱電変換素子（１０）は、ｎ型半導体層（２０ｎ）と、ｐ型半導体層（２０ｐ）とを備える。ｐ型半導体層（２０ｐ）は、ＣｕＧａＴｅ_２、Ｃｕ_３Ｇａ_５Ｔｅ_９、ＣｕＧａ_３Ｔｅ_５およびＣｕＧａ_５Ｔｅ_８からなる群から選択された少なくとも１つを含む。熱電変換素子（１０）は８００Ｋ以上の温度下で好適に用いられる。例えば、ｐ型半導体層（２０ｐ）はＣｕＧａＴｅ_２を含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】接続抵抗増加によるモジュールの出力低下を抑制できる熱電変換モジュールとその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の熱電変換モジュールは、略長方形素子であり、且つＰ型Ｎ型の熱電変換素子形状が異なっていることを特徴とする。この構造により、接合面の空隙が、素子端面までの距離が短くなることにより抜けやすくなる。また、Ｐ型Ｎ型それぞれの素子の構成条件は、Ｐ型の接合面積を大きくし、Ｎ型を小さくすることで、キャリア移動に伴う熱の移動を抑制できると共に内部抵抗の比較的高いＰ型の断面積を大きくすることで内部抵抗の増加を抑制し出力を向上させることができる。更に本構成によって、従来略正方形ではできなかった素子の判別も同時に容易に行うことができるため、配列の誤りによる出力の低下も同時に抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】複数のナノ粒子含有物を有するナノコンポジット熱電材料を製造するための方法を提供する。
【解決手段】マトリックス中に複数のナノ粒子を有するナノコンポジット熱電材料を製造するための方法であって、ナノコンポジット熱電材料のために調査すべき材料組成を決定することを含み、この材料組成は導電性バルク材料およびナノ粒子材料を含有する、方法である。加えて、現行の製造技術を用いて得ることができる絶縁性ナノ粒子材料についての表面粗さ値の範囲が決定される。その後、複数のゼーベック係数、電気抵抗率値、熱伝導率値、および性能指数値が、ナノ粒子材料表面粗さ値の範囲の関数として算出される。これらの算出値に基づいて、ナノコンポジット熱電材料組成、または組成の範囲が選択され、製造される。 （もっと読む）

【課題】Ｍｇ_２Ｓｉ_１−ｘＳｎ_ｘ系多結晶体であって、性能指数が高い、熱電変換素子および、熱電変換モジュールの提供。
【解決手段】Ｓｂ、Ｐ、Ａｓ、Ｂｉ、Ａｌから選択される少なくとも１種のドーパントＡでドーピングされたＭｇ_２Ｓｉ_１−ｘＳｎ_ｘ中に、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗから選択される少なくとも１種の遷移金属Ｂの元素および/または遷移金属Ｂのシリサイドが分散していることを特徴とする下記式（１）で表されるＭｇ_２Ｓｉ_１−ｘＳｎ_ｘ・Ａａ・Ｂｂ多結晶体。Ｍｇ_２Ｓｉ_１−ｘＳｎ_ｘ・Ａａ・Ｂｂ、式（１）［ただし、式（１）中のｘは０〜1、ａはＭｇ_２Ｓｉ_１−ｘＳｎ_ｘに対するドーパントＡの含有量であって０．０１〜５ｍｏｌ％であり、ｂはＭｇ_２Ｓｉ_１−ｘＳｎ_ｘに対する遷移金属Ｂの含有量であって０．０１〜５ｍｏｌ％である。］ （もっと読む）

【課題】ゼーベック係数を高めることにより、フォノン散乱効果のみでは到達できなかった高い熱電特性を有するナノコンポジット熱電変換材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】熱電変換材料の複数の構成元素の塩を配合する際に、構成元素のうち半導体である１種の構成元素の塩を化学量論組成に対して過剰量に配合し、還元剤と混合して各構成元素のナノ粒子を含むスラリーとし、これを水熱合成して、化学両論組成の部分を合金化させて熱電変換材料のナノ粒子を形成するとともに、半導体である１種の構成元素のナノ粒子を作成し、得られたナノ粒子の混合粉末を焼結して、熱電変換材料からマトリクス中に半導体ナノ粒子が分散した前躯体を作成し、前躯体を熱間強加工することにより半導体ナノ粒子を塑性変形させて、熱電変換材料の電気伝導面内にかつ電気伝導方向に配向して配列した半導体ナノワイヤーを形成する、ナノコンポジット熱電変換材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】個々に独立した熱電変換モジュールをケースの内部に複数組み付けて成る熱交換ユニットであっても、この組み付けを簡便に行うことができる熱交換ユニットおよび熱電変換モジュールの組み付け方法を提供すること。
【解決手段】熱交換ユニット１には、複数のペルチェモジュール２２から成るペルチェモジュール群２０がケース１０の内部に組み付けられている。このペルチェモジュール群２０は、複数のペルチェモジュール２２がシール材５０を介して一体を成した状態でケース１０の内部に組み付けられている。 （もっと読む）

【課題】第一基板と第二基板をより好適に位置決めできる熱電変換モジュールを提供する。
【解決手段】熱電変換モジュール２の製造方法は、第一基板２ｂの第一内面２ｂ１に第一電極２ｆと第一電極２ｆと重ならない位置で第一電極２ｆに対して所定の相対位置に第一位置決め部２ｈとを設ける工程と、第二基板２ｃの第二内面２ｃ１に第二電極２ｇと第二電極２ｇと重ならない位置で第二電極２ｇに対して所定の相対位置に第二位置決め部２ｉとを設ける工程と、第一基板２ｂの第一電極２ｆに熱電変換素子２ａを設置し、第一位置決め部２ｈに対して中間部材３の第三位置決め部３ｃ１，３ｄ１を位置決めして中間部材３を第一基板２ｂに設置する工程と、中間部材３の第四位置決め部３ｃ２，３ｄ２に対して第二基板２ｃの第二位置決め部２ｉを位置決めして第二基板２ｇを中間部材３に設置して熱電変換素子２ａを第二電極２ｇに当接させる工程を有する。 （もっと読む）