【課題】Ｍｇ_２Ｓｉ_１−ｘＳｎ_ｘ系多結晶体であって、性能指数が高い、熱電変換素子および、熱電変換モジュールの提供。
【解決手段】Ｓｂ、Ｐ、Ａｓ、Ｂｉ、Ａｌから選択される少なくとも１種のドーパントＡでドーピングされたＭｇ_２Ｓｉ_１−ｘＳｎ_ｘ中に、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗから選択される少なくとも１種の遷移金属Ｂの元素および/または遷移金属Ｂのシリサイドが分散していることを特徴とする下記式（１）で表されるＭｇ_２Ｓｉ_１−ｘＳｎ_ｘ・Ａａ・Ｂｂ多結晶体。Ｍｇ_２Ｓｉ_１−ｘＳｎ_ｘ・Ａａ・Ｂｂ、式（１）［ただし、式（１）中のｘは０〜1、ａはＭｇ_２Ｓｉ_１−ｘＳｎ_ｘに対するドーパントＡの含有量であって０．０１〜５ｍｏｌ％であり、ｂはＭｇ_２Ｓｉ_１−ｘＳｎ_ｘに対する遷移金属Ｂの含有量であって０．０１〜５ｍｏｌ％である。］ （もっと読む）

【課題】電極の熱歪を抑制できる熱電モジュールを提供する。
【解決手段】素子配列されている隙間を断熱材で充満させ、さらに電極を形成する面上に、所定の配線配列に従って、素子配列されている隙間に充満されている断熱材と結合し、かつ熱電素子表面を覆うようにしてリブを形成し、電極板材料を用いることなく、リブによって囲まれた部位にハンダブリッジによって電極を形成し、素子および電極を含めて、熱歪を抑制した熱電モジュールを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】サーモパイルにおけるｎ形ポリシリコン層およびｐ形ポリシリコン層それぞれについて、簡単な製造プロセスでゼーベック係数の低下を抑制しつつシート抵抗を低減することが可能な赤外線センサの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１と、この半導体基板１の一表面側に配置されたサーモパイル３０ａとを備え、サーモパイル３０ａの熱電対の２種類の熱電要素が、ｎ形ポリシリコン層３４とｐ形ポリシリコン層３５とである赤外線センサ１００の製造方法であって、ｎ形ポリシリコン層３４およびｐ形ポリシリコン層３５の形成にあたっては、ｎ形ポリシリコン層３４およびｐ形ポリシリコン層３５の基礎となるノンドープのポリシリコン層１３０をＣＶＤ法により形成した後、アニール処理を行う。 （もっと読む）

【課題】ウェハ１枚当たりの赤外線センサの取れ数の減少を抑えつつ、ウェハごとに２種類の熱電要素のゼーベック係数を管理することが可能な赤外線センサの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１の基礎となるウェハ２００の一表面側へのｎ形ポリシリコン層３４（第１の熱電要素）の形成と同時に第１シート抵抗モニタ部２３４を形成し、且つ、ウェハ２００の上記一表面側へのｐ形ポリシリコン層３５（第２の熱電要素）の形成と同時に第２シート抵抗モニタ部２３５を形成するようにし、第１シート抵抗モニタ部２３４のシート抵抗および第２シート抵抗モニタ部２３５のシート抵抗それぞれを測定し、予めデータベース化されているシート抵抗とゼーベック係数との関係に基づいて、第１シート抵抗モニタ部２３４および第２シート抵抗モニタ部２３５のゼーベック係数がそれぞれの管理規格範囲内にある良品か管理規格範囲外にある不良品かを判定する。 （もっと読む）

【課題】室温〜６００℃という温度領域において、熱電変換素子に好適に用いられる新規
なクラスレート化合物およびこれを用いた熱電変換材料、ならびに熱電変換材料の製造方
法を提供する。
【解決手段】本発明にかかるクラスレート化合物およびこれを用いた熱電変換材は、化学
式Ｂａ_ａＧａ_ｂＡｌ_ｃＳｉ_ｄＰｄ_ｅ（７≦ａ≦８、９≦ｂ≦１２、０≦ｃ≦２、３３≦ｄ
≦３５、０＜ｅ≦２、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝５４）で表される。 （もっと読む）

【課題】高い性能指数を有し、高い変換効率を有する熱電デバイスを提供する。
【解決手段】三元主族マトリックス材料とその中に分散された第２族又は第１２族金属酸化物のナノ粒子及び／又はナノ包接物とを含む熱電材料。ナノ粒子の存在下で還元金属前駆体と酸化金属前駆体とを反応させることを含む、熱電材料の製造方法。好ましい一実施態様において、三元主族マトリックス材料はそれぞれ、テルル、アンチモン及びビスマスである。 （もっと読む）

【課題】Ｔｉを含むハーフホイスラー材料の熱電変換特性等を再現性よく高めることによって、高性能の熱電変換材料を提供する。
【解決手段】｛（Ｔｉ_1-p-qＺｒ_pＨｆ_q）_1-bＭ_b｝_x（Ｎｉ_1-cＢ_c）_y（Ｘ_1-dＤ_d）_100-x-y（０．３０≦ｐ≦０．４５、０．２５≦ｑ≦０．３５、３０≦ｘ≦３５原子％、３０≦ｙ≦３５原子％）で表される組成を有し、ＭｇＡｇＡｓ型結晶相を主相とする母合金を１０００〜１３５０℃の範囲の温度で熱処理し、熱処理を施した母合金を粉砕して合金粉末を作製し、この合金粉末を焼結することにより作製された熱電変換材料であって、Ｔｉと元素Ｘの総量が８０原子％以上のＴｉ−Ｘ相の存在比率が０．０１〜９．１％の範囲であり、Ｔｉ−Ｘ相の結晶粒径が１０μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】従来よりも少ない工程数で、ｎｍレベルの平均粒径の材料同士が高分散したナノ複合材料が得られる製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、母材、及び平均粒径１〜５００ｎｍのナノ微粒子を混合することにより、少なくとも前記母材を微細化し、且つ、当該微細化した母材及び前記ナノ微粒子が互いに高分散したナノ複合材料を製造することを特徴とする、ナノ複合材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 熱電素子及びその製造方法に関し、トレンチ構造を用いることなく、ナノワイヤを用いたＺＴの大きな熱電素子を実現する。
【解決手段】 基板と、前記基板上に垂直方向に配向したナノワイヤと、前記ナノワイヤを母体として前記ナノワイヤの少なくとも表面に付着した熱電材料からなる微粒子により形成される微粒子膜とで熱電素子を形成する。 （もっと読む）

【課題】毒性などの問題がなく、面積当たりの発電量を大きくとることが可能で、かつ、絶縁材料を介してｐ型金属熱電変換材料とｎ型酸化物熱電変換材料とが接合された積層体を一体焼成することが可能な生産性に優れた熱電変換素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｐ型金属熱電変換材料２１と、ｎ型酸化物熱電変換材料２２の、互いに対向する一対の面全体が絶縁材料２３を介して接合され、かつ、隣り合うｐ型金属熱電変換材料とｎ型酸化物熱電変換材料とが、端部に配設された電極材料により接合されてｐｎ接合対２０が形成されているとともに、複数のｐｎ接合対が直列接続となるように構成された熱電変換素子３０において、ｐ型金属熱電変換材料に、ｎ型酸化物熱電変換材料を含ませる。
ｐ型金属熱電変換材料に含まれるｎ型酸化物熱電材料の割合を５〜５０重量％の範囲とする。 （もっと読む）