【課題】良好な電気伝導率を有する一方、熱伝導率が低いことで優れた熱電変換性能を有する熱電変換材料を提供する。
【解決手段】熱電変換材料マトリックス中に、中空状のカーボンブラック粒子を分散させている。電変換材料マトリックスは、ＢｉおよびＴｅを含む半導体であることが好ましく、カーボンブラック粒子の粒子径は０．５〜１００ｎｍの範囲にあることが好ましい。中空状のカーボンブラック粒子は、良好な電気伝導率を有しながら断熱効果も有することで、熱電変換材料における良好な電気伝導率を担保しながら、熱伝導率を低下させることができる。これにより、熱電変換材料の性能指数Ｚないし無次元性能指数ＺＴを向上することができる。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムの含有量の高い亜鉛−アルミニウム複合酸化物の、工業的に有利な製造方法を提供すること。
【解決手段】亜鉛元素およびアルミニウム元素が存在する水系媒体中でプラズマ放電する亜鉛−アルミニウム複合酸化物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】温度差が大きい場合でも信頼性のある動作を可能とすると共に，製造もしくは工程の促進が容易な熱電モジュールを提供する。
【解決手段】熱エネルギーと電気エネルギーとの間のエネルギーを交換するための熱電モジュール１０に於いて、少なくとも１個の熱電素子１，２は，第１の面１３と，この第１の面１３と反対側の第２の面１４を備えている。上記熱電モジュール１０は，更に上記第１の面１３に直接配置される少なくとも第１の領域１７を有する第１の電極３と，上記第２の面１４に直接配置される少なくとも第２の領域１８を含む第２の電極４とを備えている。上記第１の領域１７と上記第２の領域１８の少なくとも一方はインバー効果を発揮する金属合金を有する。 （もっと読む）

【課題】薄膜のフィルムにＮ型材料及びＰ型材料を容易に形成することができる発電積層フィルム及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】温度差を利用して発電する発電積層フィルム１０であって、絶縁フィルム２０と、Ｎ型材料３２を第１フィルム３４に印刷して、前記絶縁フィルム２０の一方の主面に積層した前記第１フィルムに紫外線を照射して形成されたＮ型フィルム３０と、Ｐ型材料４２を第２フィルム４４に印刷して、前記絶縁フィルム２０の他方の主面に積層した前記第２フィルムに紫外線を照射して形成されたＰ型フィルム４０と、からなることを特徴とする発電積層フィルム１０である。 （もっと読む）

【課題】起電力の大きい熱電変換素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の基材１０と第２の基材１８との間に熱電変換層１２，１４が配された積層体２２と、熱電変換層の一方の端部に近接し、積層体の一方の面から一部が突出している柱状の第１の熱伝導体２４ａと、熱電変換層の他方の端部に近接し、積層体の他方の面にパッド部２４ｃを有する柱状の第２の熱伝導体２４ｂとを有している。 （もっと読む）

【課題】優れた性能指数を有する熱電変換材料を提供する。
【解決手段】熱電変換材料の母相中に分散材として半導体ナノワイヤが分散されたナノコンポジット熱電変換材料であって、前記半導体ナノワイヤがその長軸方向に一方向に配列していることを特徴とするナノコンポジット熱電変換材料。 （もっと読む）

【課題】アトマイズ法を用いた熱電変換材料の製造方法において、熱電変換材料の安定的な製造を可能とする。
【解決手段】熱電変換材料の製造方法は、坩堝１０内に保持された金属原料を加熱し、溶融する工程と、金属原料を溶融する上記工程における温度から、金属原料を昇温する工程と、坩堝１０内に保持されている溶融した金属材料を、ガスアトマイズ法を用いて噴射室１２へ噴霧し、合金粉末を生成する工程と、合金粉末を焼結して熱電変換材料を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】アルカリ金属やアルカリ土類金属を充填させた高純度なシェブレル相化合物の製造を容易にするための製造方法を提供する。
【解決手段】シェブレル相骨格構造化合物Mo₆Ch₈（式中Chは、S、Se、Teから選ばれる少なくとも１種類）と、アルカリ金属及びアルカリ土類金属から選ばれる少なくとも１種類の元素の炭酸塩とを加熱して反応させる。 （もっと読む）

【課題】結晶性が高く、微細であり、しかも不純物量の少ないＭｇ₂Ｓｉ微粒子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】比表面積が３０ｍ²／ｇ以上であり、Ｍｇ₂ＳｉのＸＲＤ最強線強度（Ｉ_Mg2Si）に対するＳｉのＸＲＤ最強線強度（Ｉ_Si）の比（＝Ｉ_Si×１００／Ｉ_Mg2Si）が５．０％以下であるＭｇ₂Ｓｉ微粒子。このようなＭｇ₂Ｓｉ微粒子は、Ｎａ−Ｓｉ系化合物及びＭｇのハロゲン化物、並びに、必要に応じてＮａを、Ｍｇ／Ｓｉ比（モル比）が２以下となり、かつ、Ｎａ／Ｓｉ比（モル比）が１以上９以下となるように配合し、配合物を、０．７Ｔ_min以上Ｔ_min未満の温度（但し、Ｔ_minは、前記Ｎａ−Ｓｉ系化合物の融点、共晶点、及び分解温度の内の最も低い温度）で加熱し、反応物を溶媒で洗浄し、未反応原料及び副生成物を除去することにより得られる。 （もっと読む）

【課題】熱電モジュールの熱伝達効率を増大させるための手段を提供する。
【解決手段】熱電モジュール１００は、一面に複数の溝が形成された上部基板１１０及び下部基板１２０と、前記複数の溝に埋め込まれるように形成される複数の放熱パッド１３２，１３４と、前記複数の放熱パッドの表面に形成され、前記複数の放熱パッドと一対一に対応するように形成される複数の電極１４２，１４４と、前記複数の電極と電気的に連結されるｐ型及びｎ型熱電素子とを含む。上部基板及び下部基板の夫々に形成された溝の内部に放熱パッドが埋め込まれるように形成することにより、熱伝達効率を極大化することができ、基板と電極との間の電気的ショート（Ｓｈｏｒｔ）が発生しないように絶縁体として用いることができる。 （もっと読む）