【課題】本発明の目的は、所望の結晶のみを選択的に析出させた熱電変換材料を提供することにある。
【解決手段】Ｖ系ガラス中に、Ｍ_xＶ₂Ｏ₅結晶（Ｍ：Ｆｅ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｗ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｇ，アルカリ金属，アルカリ土類金属）のいずれかの金属元素、０＜ｘ＜１）を選択的に析出させる。 （もっと読む）

【課題】高い熱電性を備えるＭｇ−Ｓｉ系のｐ型熱電変換材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｍｇ_２Ｓｉと、下記一般式（１）：Ｍｇ_２Ｘ・・・・（１）［式（１）中、Ｘはストロンチウム及びバリウムからなる群から選択されるアルカリ土類金属を示す。］で表わされる化合物（Ｉ）と、下記一般式（２）：ＸＭｇＳｉ・・・（２）［式（２）中、Ｘは式（１）中のＸと同義である。］で表わされる化合物（ＩＩ）とからなり、前記Ｍｇ_２Ｓｉと前記化合物（Ｉ）と前記化合物（ＩＩ）との合計量（合計量ａ）に対する前記Ｍｇ_２Ｓｉの含有モル比（Ｍｇ_２Ｓｉ量／合計量ａ）が０．００５〜０．２であり、前記化合物（Ｉ）の含有モル比（化合物（Ｉ）量／合計量ａ）が０．６５〜０．９９であり、前記化合物（ＩＩ）の含有モル比（化合物（ＩＩ）量／合計量ａ）が０．００５〜０．１５である焼結体を含有することを特徴とするｐ型熱電変換材料。 （もっと読む）

【課題】撮像画像の画像品質を向上する。
【解決手段】熱電対素子群２１０の受光面がグレーティング構造になるように、複数の熱電対２１１〜２１６について間を隔てて配置する。入射光がグレーティング構造へ入射して受光面でプラズモン共鳴が発生し、その熱電対素子群２１０においてプラズモン共鳴が発生した部分の温度が変化することによって、各熱電対２１１〜２１６において起電力が生ずるように、熱電対素子群２１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】熱電性能指数を向上して歩留りを確保することができる熱電素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】熱電素子１３０は、熱電半導体からなり、多層に積層された複数の熱電シート１３１と、該複数の熱電シート１３１間に設けられる金属シート１３２とを含む。熱電シートと金属シートとを各々形成するステップと、前記熱電シートと前記金属シートとを積層して予備熱電素子を積層するステップと、前記予備熱電素子を圧縮するステップと、前記圧縮された熱電素子を切断して熱電素子を形成するステップにより熱電素子を製造する。 （もっと読む）

【課題】ＭＮｉＳｎ系ハーフホイスラー化合物（Ｍ＝Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ）を母相とし、母相の周囲が所定の金属酸化物からなる薄くかつ均一な酸化物層で被覆された複合熱電材料及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】所定の組成を有するＭＮｉＳｎ系ハーフホイスラー化合物からなり、１個の結晶粒又は複数個の結晶粒の集合体からなる母相と、母相以上のバンドギャップを有する金属酸化物からなり、母相の周囲を連続的かつ層状に被覆する酸化物層とを備えた複合熱電材料。このような複合熱電材料は、ＭＮｉＳｎ系ハーフホイスラー化合物からなる母相粉末を回転可能な容器に入れ、母相粉末を十分に転動させながらレーザーアブレーションにより母相粉末の表面を酸化物層で被覆し、得られた粉末を成形・焼結することにより得られる。 （もっと読む）

【課題】わずかな温度差によって作動させたときでも1Vを超える電圧で動作し、マイクロワット・レベルからワット・レベルの電力が得られる、高性能薄膜熱電対およびそれを製造する方法の提供。
【解決手段】薄膜TEモジュールおよび電源のある態様は、約20cm-1よりも大きく、おそらく通常約100cm-1を超える比較的な大きなL/A比値を有する。この様な大きなL/A比値は、20℃や10℃のような比較的小さな温度差によって作動させたときでも1Vよりもずっと高い電圧を与えるμW〜W電源の製造を可能にする。 （もっと読む）

【課題】柔軟性がありながら効率よく発電できる熱電変換モジュール、および熱電変換モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】熱電変換モジュール６００は、厚み方向に対して熱の伝導率が異なる不良熱伝導部１１０と熱伝導部１２０とを有する基板３００と、不良熱伝導部と熱伝導部とに熱的に接合する熱電変換素子５００，５１０とを備え、基板の不良熱伝導部においては、熱伝導層の両面に断熱接着層を設けた熱伝導シートが基板の表面に沿って水平に積層して形成され、熱伝導部においては垂直に積層して形成される。 （もっと読む）

【課題】支持基板を十分に薄厚化する。
【解決手段】熱電薄膜素子を構成する薄膜の積層体１４を貫通して基板１１に達する深さＤａの溝２５ａを形成した後に検出用導体部２６ａ，２７ａおよびリード部２６ｂ，２７ｂを形成して中間体２０にセンサ部２１ａを形成するセンサ部形成処理と、研削用定盤に対して中間体２０を相対的に摺動させることで基板１１を研削して薄厚化する研削処理とをこの順で実行する際に、検出用導体部２７ａの表面が基板１１に対する研削を終了すべき研削終了位置と同じ深さに位置するように溝２５ａの深さＤａおよび検出用導体部２６ａ，２７ａの厚みＴａを規定して、溝２５ａ、検出用導体部２６ａ，２７ａおよびリード部２６ｂ，２７ｂを形成し、検出用導体部２６ａ，２７ａについての電気的パラメータを測定しつつ研削を実行して、検出用導体部２７ａの消失に関連付けられた電気的パラメータが測定されたときに研削を終了する。 （もっと読む）

【課題】高い性能指数と高い機械強度または機械特性とを併せ持つＢｉＴｅ系の熱電材料から、少ない工程数の加工によって熱電素子を製造することが可能であるとともに、廃棄される材料の量を抑制することが可能な技術を提供すること。
【解決手段】一方向に延びる溝を備えた第１金型の前記溝にＢｉ，Ｓｂからなる群から選択される少なくとも１種の元素と、Ｔｅ，Ｓｅからなる群から選択される少なくとも１種の元素とからなる材料を配置し、前記溝に嵌められた状態で前記溝内において前記溝が延びる方向に移動可能な溝適合部を備えた第２金型の前記溝適合部が前記溝に嵌められた状態で、前記第１金型と前記第２金型とを前記溝が延びる方向に沿って相対的に逆向きに移動させつつ前記第１金型と前記第２金型との距離を相対的に小さくして前記材料に圧力を作用させる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板やシリコン化合物半導体基板にマグネシウムを十分にドープさせる方法、並びに、低い電気抵抗と豊富なキャリア濃度を備えた熱電変換材料を提供する。
【解決手段】Ｍｇの蒸気圧を約１０^２Ｐａと、同温度でのＭｇ飽和蒸気圧（約１０^６Ｐａ）の１／１０^４程度に制御して、安定相のＭｇ_２Ｓｉを形成させずにＳｉ基板中にＭｇをドープする。具体的には、アルミナルツボ１にＭｇＢ_２粉末３を入れ、上蓋にＳｉ基板２を取り付ける。アルミナルツボ１内はＡｒ雰囲気にし、ＭｇＢ_２を熱分解させ、Ｍｇ蒸気４を発生させる。この状態で、Ｓｉ基板２の温度を約１０００℃に保持して、Ｓｉ基板２にマグネシウムをドープする。得られたドーピング結晶は、優れたキャリア濃度を有するｐ型半導体の性質と、電気抵抗率が温度低下と共に減少する縮退半導体的挙動を示す性質を備える。 （もっと読む）