【課題】
サファイア基板上に水晶をヘテロエピタキシャル水晶薄膜では、カットアングルを補正することができない欠点とサファイア基板と水晶薄膜との熱膨張係数の差で生じる残留応力の問題を解決する。
【解決手段】
任意に傾けたオフ角２°〜４°の水晶基板に５００℃以下の低温でのホモエピタキシャル膜の作製に光ＣＶＤ装置を使用し、無ひずみ加工の状態の水晶基板上にホモエピタキシャル水晶を結晶成長させることで成長方位の制御を可能とし、水晶基板と水晶薄膜とのの間の残留応力が発生しないため長期安定性に優れたＡＴカット水晶振動子や弾性表面波デバイス用水晶エピタキシャル基板を提供できる。本発明の水晶エピタキシャル基板は、大口径のΦ４インチ水晶ウェハを使用する。バッチ処理でこのΦ４インチ水晶ウェハ上に多数のパターンを形成後、ダイシングで個々のチップに分割し、一括処理が可能である。 （もっと読む）

【課題】環境に優しく、圧電特性に優れた新規な圧電材料を提供する。
【解決手段】本発明に係る圧電材料は，下記一般式（１）で表される。
（Ｂａ_ａＢｉ_ｂＺ_ｃ）（(Ｍｇ_１／３Ｎｂ_２／３)_ｘＴｉ_(１−ｘ)）Ｏ_３ ・・・（１）
但し、Ｚは、ペロブスカイト型構造におけるＡサイトの欠陥を示し、ａ、ｂ、ｃは，下記式（ｉ）および（ii）を満たす。
２ａ＋３ｂ＝２ ・・・（ｉ）
ａ＋ｂ＋ｃ＝１ ・・・（ii） （もっと読む）

【課題】保存安定性及び塗布乾燥時の膜の均質性に優れた強誘電体薄膜形成用組成物の製造方法を提供する。
【解決手段】金属アルコキシドと金属酢酸塩と金属アセチルアセトナート塩とアミン類とアルコール溶媒とを混合し、この混合物１を蒸留塔３を用いて加熱して蒸発物の一部を除去しながら還流すると共に水を補給することにより、ＭＯＤ法用のコロイド溶液を形成する。 （もっと読む）

【課題】粒径が小さい粒子を容易に取り除いて粉体粒子の粒径をそろえることができる粉体の製造方法及びその粉体を用いた成膜方法を提供する。
【解決手段】この製造方法は、一群の粉体粒子を原料粉として準備する工程（ａ）と、一群の粉体粒子にエネルギーを与えることにより、粉体粒子間の合体を起こさせる工程（ｂ）とを具備し、得られた粉体を用いて成膜するもので、粉体の製造に用いられる粉体製造室１１に配置された容器１８中の粒径分布を有する粉体粒子にマグネトロン１５からマイクロ波を発生させ上記粒子に照射することにより小粒子が大粒子に取り込まれ、微粉が取り除かれることにより粒径が制御された粉体が得られ、この粉体を用いてエアロゾルデポジション法により緻密で強固な安定した高品質の膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】基体上にニオブ酸カリウムナトリウムからなる圧電体層が形成された圧電体積層体を提供する。
【解決手段】圧電体積層体１００は、基体１と、前記基体１の上方に形成された、ニオブ酸カリウムナトリウムからなる第１圧電体層３と、を含む。前記第１圧電体層３は、組成式（Ｋ_ａＮａ_１−ａ）_ｘＮｂＯ_３で表され、該組成式において、０．１＜ａ＜１であり、１≦ｘ≦１．２であることができる。 （もっと読む）

【課題】ニオブ酸リチウム（ＬＮ）またはタンタル酸リチウム（ＬＴ）単結晶からなり、より結晶性に優れた電気光学用途向け単結晶薄膜およびその形成方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ（１１１）基板１上に、立方晶炭化ケイ素層３および酸化マグネシウム単結晶層４を順次積層させ、前記酸化マグネシウム層４の上に、ＬＮまたはＬＴからなる薄膜５をエピタキシャル成長させることにより、ＬＮまたはＬＴからなる単結晶薄膜６を形成させる。 （もっと読む）

本発明には、０〜１００層の圧電不活性材料からなる少なくとも１つの層パケット（２）によって分離されている、それぞれ１〜４００層の圧電活性材料を有する少なくとも２つの層パケット（１）を有する一体型多層部材または一体型曲げ部材としての構造部材の製造法が記載され、この場合、活性の層パケットの内部電極は、少なくとも次の材料：ａ）純粋な銀、ｂ）０％〜最大３０％の質量含分を有する非導電性材料を含有し、圧電活性層の材料は、内部電極の材料の溶融温度未満で焼結が可能でありかつ実施もされるような十分な活性を熱処理中で有している。
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【課題】圧電デバイス用基板の製造方法と圧電デバイス用基板、及びこれを用いた弾性表面波デバイスにおいて、結晶中の欠陥等が少ないとともに、バラツキの少ない伝搬速度が得られること。
【解決手段】Ｌａ_３Ｇａ_５ＳｉＯ_１４単結晶を育成して圧電デバイス用基板に加工する圧電デバイス用基板の製造方法であって、Ｌａ_２Ｏ_３を、４８．０６から４８．８０重量％とし、Ｇａ_２Ｏ_３を、４５．２５から４６．６０重量％とし、ＳｉＯ_２を、５．２１から６．１９重量％とした組成範囲内で秤量してルツボ１内で融解させ、該ルツボ内からＬａ_３Ｇａ_５ＳｉＯ_１４の単結晶Ｃを引き上げ育成する。 （もっと読む）

【課題】焦電性による不具合の改善効果が均一で再現性と生産効率に優れたタンタル酸リチウム（ＬＴ）基板の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｃａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｓｉからなる群より選択された１つの金属元素により還元されたタンタル酸リチウム基板を、真空度が２０Ｐａを越え、４０Ｐａ以下の減圧雰囲気中で、かつ、キュリー温度以下の温度で熱処理する。この方法によれば、還元された上記ＬＴ基板を、酸素空孔の拡散は生じるが新たに酸素空孔が増大しない上記環境下において熱処理しており、これによりＬＴ基板面内での酸素空孔濃度を均一にすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ハンドリングの容易な単結晶薄膜からなるAT‐cut水晶振動子用や高機能弾性表面波（SAW）素子用基板の実現とその光ＣＶＤ製造装置を提供する。
【解決手段】シリコン（０１１）基板１０１上にβ‐SiC（０１１）緩衝層（低温成長緩衝層である水晶薄膜）１０２、成長層として水晶（０１１）１０３をヘテロエピタキシャルに結晶成長させた後、前記シリコン基板の裏面に形成されたSiO2膜をマスクとして異方性エッチングで不要なシリコンを除去して水晶エピタキシャル薄膜が露出して存在する領域１０４を形成し、ダイアフラム構造とする。 （もっと読む）