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国際特許分類[H01L41/26]の内容

国際特許分類[H01L41/26]に分類される特許

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本発明は、デバイスおよびそれを製造する方法に関する。この方法は、セラミック粉末を第1のポリマーおよび界面活性剤と接触させてスリップ混合物を形成する工程;このスリップ混合物を混合する工程;このスリップ混合物をモールドに注入し、未焼結物体を形成する工程;この未焼結物体からモールドをはずす工程;この未焼結物体を焼結して、焼結したセラミック物体を形成する工程;ならびにこの焼結したセラミック物体を第2のポリマー中に包埋し、複合材を形成する工程、を包含する。最終形状の未焼結物体を形成するための装置は、モールド、補助モールドおよびモールドアセンブリを備える。
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所望の体積比を有する圧電性複合物などの複合物を作成する方法について記載する。まず、一方のダイシングされたベーススラブの材料部分が、別のダイシングされたベーススラブのスロットに収容され得るように、ベーススラブの対をダイシングすることによって均一なピッチ間隔を有するスロットを形成する。ダイシングされたベーススラブを嵌合し連結することによって、第1の圧電性複合物が形成され、次いで、その第1の圧電性複合物は、均一なピッチ間隔を有しかつ第1のスロットと間隔をおかれたスロットを形成するためにダイシングされ得る。2つのダイシングされた圧電性複合物を嵌合し連結することによって、体積比が低減されかつピッチがより短い第2の圧電性複合物が形成される。
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【目的】 基板温度が低温状態で基板上に形成された高分子膜に十分なポーリング処理を施して、焦電圧電性に優れた有機焦電圧電体の形成方法の提供。
【構成】 真空中で基板温度が低温で、高分子膜が形成可能な原料モノマーを蒸発させて、基板上に高分子膜を形成後、真空処理室内にガスを導入しながら、高分子膜の下部に設けた電極と、基板の前方に配置された針状の電極間に高電界を印加し、基板温度を昇温しながら高分子膜にポーリング処理を行う。
【効果】 高分子膜がオリゴマー状態から、未反応部分が膜内部で基板の昇温時に反応する際にポーリング処理が行われて、圧電性や焦電性が向上した有機焦電圧電体を容易にかつ効率よく形成することが出来る。 (もっと読む)


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