集積回路（１０）は、磁界感知素子（３０）を支持する第１の基板（１４）および他の磁界感知素子（２０）を支持する第２の基板（２６）を備えることができる。第１および第２の基板は、様々な構成で配列されてもよい。他の集積回路は、その表面に配置された第１の磁界感知素子および第２の異なる磁界感知素子を備えることができる。
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【課題】小型化を容易に図ることのできる磁気方位検出装置を提供する。
【解決手段】回路基板２の一面に、３つ以上の複数の磁気センサ３およびこれらの磁気センサ３の制御を行う制御用半導体４を取り付けて実装するとともに、各磁気センサ３および制御用半導体装置４を封止部材５により封止して一体化する。さらに、各磁気センサ３を少なくとも２つのグループに区分し、かつ、一方のグループの磁気センサ３の端子形成面６が他方のグループの磁気センサ３の端子形成面６と直交するように配置する。 （もっと読む）

【課題】各軸方向の加速度成分を確実に分離して検出することができる加速度センサ及びこの加速度センサを備えた磁気ディスクドライブ装置を提供する。
【解決手段】ハウジング部材と、第１及び第２の磁界発生錘部材と、支点がハウジング部材に固定されており、第１及び第２の磁界発生錘部材を支持しており、互いに直交する第１及び第２の軸方向成分の外力が印加された際に第１及び第２の磁界発生錘部材を変位させるばね部材と、第１及び第２の磁界発生錘部材にそれぞれ対向してハウジング部材に取り付けられた第１及び第２の磁界検出センサとを備えており、第１の磁界検出センサの一方の対の多層構造ＭＲ素子と第２の磁界検出センサの一方の対の多層構造ＭＲ素子とがフルブリッジ接続されており、第１の磁界検出センサの他方の対の多層構造磁気抵抗効果素子と第２の磁界検出センサの他方の対の多層構造ＭＲ素子とがフルブリッジ接続されている。 （もっと読む）

【課題】位置検出精度をより向上させることができる位置検出装置を提供する
【解決手段】磁気抵抗素子２は、磁石４の着磁方向に離間して設けられている。磁石４及び磁気抵抗素子２は、該磁石４の着磁方向と直交する方向に相対移動可能に設けられ、磁石４は、相対移動方向Ｆにおける両端部位の磁束の方向が、該相対移動方向Ｆに対して積極的に傾斜する方向を向くように変化する形状をなしている。 （もっと読む）

【課題】磁界センサを用いた電流測定用組立体を提供する。
【解決手段】電流測定用組立体群には、３つの切欠部５、６、７を有する導体板１と、２つの磁界センサ２、３から成る差分センサ４を有する導体板１に配置する測定素子とを備える。これら３つの切欠部５、６、７によって、第１及び第２導体部分８、９を導体板１に形成し、第２導体部分９の電流方向を第１導体部分８の電流方向と反対にする。第１磁界センサ２を第１導体部分８上に位置付け、第２磁界センサ３を第２導体部分９上に位置付ける。磁界センサ２、３は、導体板１の表面と平行に、２つの導体部分８、９の電流方向に直交して流れる磁界に感応する。 （もっと読む）

【課題】測定対象とする電流を高精度に安定して測定可能であると共に、より小さく簡素な構成の電流センサを提供する。
【解決手段】電流センサ１０は、ＭＲ素子３Ａ，３Ｂを有する素子基板５Ａ，５Ｂと磁性基板６Ａ，６Ｂとを貼り合わせて一体化したものを検出対象電流Ｉｍの流路となる導体２に沿って配置したものである。磁性基板６Ａ，６ＢによってＭＲ素子３Ａ，３Ｂに対してバイアス磁界Ｈｂ１，Ｈｂ２をそれぞれ印加することができるので、外部からの不要な擾乱磁界の影響を十分に回避しつつ、検出対象電流Ｉｍに基づく電流磁界Ｈｍを正確に、かつ安定して検知することができる。そのうえ、永久磁石やコイルをＭＲ素子３Ａ，３Ｂの両側に配置するなどした場合と比べ、スペースを有効に利用して、より小さく簡素な全体構成とすることができる。 （もっと読む）

【課題】 簡単な構成で外部磁界では抵抗が変化しない参照用磁気抵抗素子を備えた磁界検出装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 磁石と、強磁性体層を含む層構造を備えて、前記強磁性体層の磁化方向の変化によって抵抗が変化する検出用磁気抵抗素子と、前記検出用磁気抵抗素子と略同一の層構造を有し、前記磁石から強磁性体層の感磁する方向に飽和磁界以上の強度を有する磁界が印加された参照用磁気抵抗素子と、を備えた磁界検出装置とした。 （もっと読む）

【課題】 広範囲での物理量の検知が可能であり、長期信頼性に優れたセンサ装置を提供する。
【解決手段】 センサ装置Ｘは、測定対象から入力される物理量を検知するための検知部１１を有し、該検知部１１により検知される物理量を電気信号に変換するための複数のセンサ素子１０と、複数のセンサ素子１０を配置するための配置領域２１を有する絶縁基板２０と、平面視で略多角形状の開口部３１を規定する複数の開口部規定面３０ａを有し、配置領域２１を取り囲むように設けられる枠状部材３０とを備える。複数のセンサ素子１０は、検知部１１の形成面が複数の開口部規定面３０ａの各々に沿うように配置されている。複数のセンサ素子が互いに異なる方向を向くようにして配置されるので、広範囲での物理量の検知が可能であり、長期信頼性も高い。 （もっと読む）

【課題】 ＥＳＤによる損傷を受けにくく、かつ耐電圧特性にも優れ、安定動作が可能な薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】 薄膜デバイス２Ａは、比抵抗が１０⁸Ω・ｃｍ以上１０¹⁰Ω・ｃｍ以下の材料からなる耐電圧基板２０の上に、接着層４１を介して薄膜エレメント１０が配置されたものである。耐電圧基板２０の構成材料は、所定の重量比をなすＡｌ₂Ｏ₃、ＴｉＣおよびＭｇＯを含む焼結体である。よって、薄膜エレメント１０に電荷が生じた場合であっても、その電荷は多量に蓄積される前に接着層４１を介して耐電圧基板２０へ徐々に移動するのでＥＳＤの発生を抑制することができる。その一方で、リードフレーム３０上に配置した場合であっても十分な絶縁破壊電圧を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】 感度を向上することができる磁気センサを提供すること。
【解決手段】 基板１１上に形成され、２個のスピンバルブ型磁電変換素子からなるハーフブリッジを少なくとも１つ含む検出部１１３と、検出部１１３に対して近接配置され、被検体２００の影響を受けて磁界が変化する磁石１２０とを備える磁気センサ１００であって、ハーフブリッジ１１１（１１２）を構成するスピンバルブ型磁電変換素子１０，１１（１２，１３）を、各素子１０，１１（１２，１３）に作用する磁界の向きが互いに略逆向きとなるように、磁石１２０に対して配置した。 （もっと読む）