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国際特許分類[H01L43/02]の内容

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【課題】磁気センサの検出精度の向上を図る。
【解決手段】第1の実装面と、この第1の実装面に対して相対的に傾斜した第2の実装面とを含むように成形された基板本体11に、複数の回路パターン15が形成された回路基板10を備えている。この回路基板には、第1の実装面において、第1の検出軸方向における磁気成分を電気的に測定する第1の磁気検出素子20が回路パターン15を介して実装され、また、第2の実装面において、第2の検出軸方向における磁気成分を電気的に測定する第2の磁気検出素子20が回路パターン15を介して実装されている。 (もっと読む)


【課題】信頼性に優れ、かつ小型化、ローコスト化も容易な磁気デバイスを提供する。
【解決手段】磁気デバイス10は、弾性体からなる第一基材11と、この第一基材11を挟むように配される磁場検出手段12および磁場印加手段13とを備えている。第一基材11は、圧力変化によって伸縮可能な弾性体によって構成され、例えば一面11a側に磁場検出手段12が、他面11b側に磁場印加手段13が配される。磁場検出手段12は、磁場の変動によって抵抗値などが変化する磁気素子であればよい。また、磁場印加手段13は、第一基材11を介して磁場検出手段12に対して磁場を印加する。 (もっと読む)


本発明は、プレート状の第1の部分(30)を含む集積回路に関する。この構成要素はまた、第1の部分(30)とは別の、第1の部分(30)に取り付けられ、変形可能な接続手段(22)によって第1の部分(30)に接続され、第1の部分(30)との間で非ゼロの角度を形成する少なくとも1つのプレート状の第2の部分(32)を含む。
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【課題】基板を保持するケース上における基板と、この基板上における素子との位置精度を確保して高い精度で検出対象となる情報を検出すること。
【解決手段】磁気抵抗効果素子(GMR素子)を実装する際に利用される位置決め穴が形成された基板2と、この基板2を固定する際の基準となる突出部が形成されたケース1とを具備する磁気検出センサであって、基板2をケース1に固定する際、基板2に形成された位置決め穴に、ケース1に形成された突出部を挿入して基板2の位置決めを行うことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ベース基板両面のセンサ感度がともに高く、それぞれの感度特性が安定し、薄型の磁気センサの提供を図る。
【解決手段】磁気センサ31は、磁電変換素子3と、磁電変換素子3を主面側に搭載するベース基板2と、磁性体部材19と、磁電変換素子3を封止するモールド樹脂4と、を備える。磁性体部材19は磁性体材料を含むベース基板2とともに集磁効果を高める。磁電変換素子3は、磁電変換素子基板3Aと、磁電変換素子基板3Aの一方の主面に形成した薄膜感磁部3Bと、を備える。磁電変換素子3のバンプ電極7は、ベース基板2の接続電極5にバンプ接合し、磁電変換素子3の薄膜感磁部3Bをベース基板2に対向させる。 (もっと読む)


【課題】検知軸が多軸であって、かつ平面上にないような多軸ベクトルを検知可能な磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果素子の基板および磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。
【解決手段】外部からの磁界に応じて磁化が変動するソフト層と、磁性体層と反強磁性体層とを有し磁化が固定された磁化固定層とを備え、ソフト層の有する磁化方向と磁化固定層の有する磁化方向との相対角度によって、電気伝導が変化して磁気抵抗効果を生じさせる磁気抵抗効果素子の形成方法であって、磁化固定層を薄膜にて形成する薄膜形成工程と、磁化固定層の膜面方向以外の方向から膜面方向へと磁界を着磁して、磁化方向を形成する着磁工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】異方性磁気抵抗素子をIC基板上に薄膜形成した磁気センサにおいて、垂直方向と水平方向の印加磁界を検出でき、磁界の印加方向に対する検出感度の調整が可能であり、かつ、印加方向とは異なる他方向から磁界が印加された条件下での感磁界特性への影響を抑制できる1チップ構成の磁気センサ等を提供する。
【解決手段】
磁気センサは、基板上に磁気抵抗素子11〜14を薄膜形成し比較増幅機能を有する電気回路を備えた半導体基板67と、半導体基板67を実装するリードフレーム60と、半導体基板67と接続されるリードフレーム61及び62とをパッケージ66内に収容する。リードフレーム60は、屈曲加工により半導体取付面がパッケージ表面に対して傾斜のある構造を有し、半導体基板67は該取付面に取り付けられる。 (もっと読む)


【課題】コンパクトでありながら、検出対象電流による電流磁界を高精度に、かつ安定して検出可能な電流センサを提供する。
【解決手段】検出対象電流Imの供給により電流磁界HmAを発生する導体の直線部分2Aと、直線部分2Aに沿って配置されたMR素子51Aと、直線部分2AとMR素子51Aとの間に設けられた磁性基板とを備える。MR素子51Aは、電流磁界HmAに応じて変化する磁化方向J13Aを有する自由層と、一定方向に固着された磁化方向J11Aを有する固着層とを含む。磁化方向J11Aは、電流磁界HmAが零のときの自由層の磁化方向J13Aと直交する方向に固着されている。ここでは、磁性基板によって電流磁界HmAが零のときの自由層の磁化方向J13Aに沿ったバイアス磁界Hb1をMR素子51Aに対して印加するようにしたので、形状異方性を利用しなくとも自由層の一軸異方性を強めることができる。 (もっと読む)


少なくとも1個の基板またはウエハ(10)、とくに少なくとも1個のシリコンウエハと、ならびに少なくとも1個の感知素子(30)、とくに少なくとも1個のAMR(異方性磁気抵抗)感知素子、および/または少なくとも1個のGMR(巨大磁気抵抗)感知素子、例えば少なくとも1個のマルチレイヤGMR(巨大磁気抵抗)感知素子、とを有し、感知素子(30)を基板またはウエハ(10)の上部および/または下部に配置するものとした磁気抵抗センサデバイス(100;100′;100″)、さらにこのような磁気抵抗センサデバイス(100;100′;100″)を製造するのに対応する製造方法であって、感知素子(30)および/または磁気抵抗センサデバイス(100;100′;100″)をプリセットするための外部または追加バイアス磁界を不要にすることができる該磁気抵抗センサデバイスおよび製造方法を改良するため、少なくとも1個の磁気層(20t,20b)を、基板またはウエハ(10)の上面(20t)および/または下面(20b)に、また感知素子(30)の上面の少なくとも一部(20t)および/または下面の少なくとも一部(20b)に、配置し、この磁気層(20t,20b)により少なくとも1個のバイアス磁界を生ずるようにすることを提案する。
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【課題】歯車などの回転角度検出に用いられる半導体磁気抵抗素子の出力振幅の位相ずれを低減し、かつ磁気センサモジュールのアセンブリを大幅に簡略化すること。
【解決手段】2個以上のMRセンサチップを実装した半導体磁気抵抗素子の外周部にアジマス位置合わせ用溝27を形成することで、外部ケースとのアセンブリ精度を向上させる。さらに封止樹脂25で樹脂成形する際に裏面側に実装する磁石を挿入する磁石挿入用穴も一体化で成形する。さらに長く伸ばされたリードフレームの足23を折り曲げることで、半導体磁気抵抗素子の端子を一旦プリント基板に実装した後に端子ピンと接続させるような複雑な工程も無くすことが可能となる。 (もっと読む)


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