【課題】アセンブリ段階において外部磁場から磁気メモリチップを保護する。
【解決手段】主面に磁気メモリ素子および複数のワイヤボンドパッドが形成された磁気メモリチップを準備する。シリコンより高透磁率を有する第１の磁気シールド板を磁気メモリチップの主面に搭載する。磁気メモリチップをリードフレームのダイパッド上に搭載しダイアタッチフィルムにより接着する。磁気メモリチップのワイヤボンドパッドとリードフレームのリードとをワイヤで電気的に接続する。磁気メモリチップ、磁気シールド板、ワイヤ及びリードの一部を樹脂により封止する。複数の磁気メモリチップを有するシリコンウェハを準備し、シリコンウェハの裏面を研削することによりシリコンウェハを所定の厚さまで薄くしてダイアタッチフィルムを張り付けた後にシリコンウェハをダイシングして各々がダイアタッチフィルムをその裏面に有する複数の磁気メモリチップを形成する。 （もっと読む）

【課題】３軸センサ・チップパッケージためのシステムと方法を提供する。
【解決手段】センサパッケージは、ベース１０５と、第１のセンサダイ１１０が、第１のアクティブセンサ回路１１２および、第１のアクティブセンサ回路に電気的に結合された複数の金属パッド１１４とを備え、ベースに取り付けられた第２のセンサダイ１２０が、第１の表面１２８の上に配置された第２のアクティブセンサ回路１２２と、第２の表面の上に配置された第２のアクティブセンサ回路に電気的に結合された第２の複数の金属パッド１２２とを備え、第２のアクティブセンサ回路は、第１のアクティブセンサ回路に対して直交に方位付けされ、ベースに垂直であるように、第２のセンサダイが配置される。第２の表面は、第１の表面に隣接し、第１の表面の面に対して角度がつけられている。 （もっと読む）

【課題】磁界プローブ、磁界測定装置、及び磁界測定方法において、磁界プローブの小型化を図ること。
【解決手段】測定対象Ｓに近接する先端部２ａを備えたベース２と、先端部２ａに設けられた磁気抵抗素子８と、磁気抵抗素子８の横の前記ベース２に設けられ、磁気抵抗素子８に印加する第１のバイアス磁界H₁を発生させる第１の磁界発生部３と、ベース２に設けられ、第１のバイアス磁界H₁とは異なる向きの第２のバイアス磁界H₂を発生させて、磁気抵抗素子８に前記第２のバイアス磁界H₂を印加する第２の磁界発生部４とを有し、第１のバイアス磁界H₁の向きを切り替えることにより、第１のバイアス磁界H₁と第２のバイアス磁界H₂とを合成した合成バイアス磁界H_sの向きが、ベース２の先端方向D_tから９０°変化する磁界プローブによる。 （もっと読む）

【課題】 磁気の遮蔽材を用いず、温度特性に優れた磁気センサおよび磁気センサ装置を提供すること。
【解決手段】 磁化方向が所定方向に固定された固定磁化層と該固定磁化層に絶縁層を介して積層され外部磁界により磁化方向が変わる自由磁化層とを有する第１のスピンバルブ型磁気抵抗素子５Ａおよび第２のスピンバルブ型磁気抵抗素子５Ｂと、第１のスピンバルブ型磁気抵抗素子が設置された第１の板部６Ａおよび第２のスピンバルブ型磁気抵抗素子５Ｂが設置された第２の板部６Ｂとを備え、第１のスピンバルブ型磁気抵抗素子５Ａが、検出しようとする外部磁界の向きＭに対して固定磁化層を平行にして設置され、第２のスピンバルブ型磁気抵抗素子５Ｂが、検出しようとする外部磁界の向きＭに対して固定磁化層を直交させて設置されている。 （もっと読む）

【課題】 磁性パターンを有する被検知物を磁気抵抗効果素子から微小距離離間させた非接触状態において、感度良く被検知物の磁性パターンを検出する磁気センサ装置を得る。
【解決手段】 被検知物が搬送される搬送路に平行に第１の磁石と第２の磁石とは磁極の異極同士が対向配置され、前記搬送路における搬送方向の磁界強度と第１の磁石と第２の磁石の対向方向における強度変化が零点を含んだ勾配磁界を形成し、前記搬送路と前記第１の磁石との間に設けられた磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗効果素子を包囲し樹脂で覆った多層基板を備え、前記磁気抵抗効果素子は前記勾配磁界の搬送方向の磁界強度の零点付近の弱磁界強度領域に設けられ、前記被検知物は前記勾配磁界の強磁界強度領域を通過する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを磁気シールド層で被覆しても、バンプを狭いピッチで配置することができるようにする。
【解決手段】半導体チップ１００は磁気記憶素子１０を有しており、かつ第１面に電極パッドを有している。磁気シールド層４００は、少なくとも電極パッドが露出した状態で半導体チップ１００を被覆している。半導体チップ１００は、バンプ３１０を介して配線基板２００に実装されている。半導体チップ１００と配線基板２００は、少なくとも一方が凸部を有しており、当該凸部上にバンプ３１０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】減少された大きさ、改善された精度、および／または改善されたダイナミックレンジを有する外部磁界センサ等を提供することを目的とする。
【解決手段】 集積回路（１０）は、磁界感知素子（３０）を支持する第１の基板（１４）および他の磁界感知素子（２０）を支持する第２の基板（２６）を備えることができる。第１および第２の基板は、様々な構成で配列されてもよい。他の集積回路は、その表面に配置された第１の磁界感知素子および第２の異なる磁界感知素子を備えることができる。 （もっと読む）

【課題】 特に、複数のセンサ素子における検出誤差を効果的に小さくでき、また装置の小型化を図ることができる磁気検出装置を提供することを目的としている。
【解決手段】 磁気センサ１０と磁石１４とが高さ方向にて間隔を空けて対向配置された磁気検出装置において、前記磁気センサ１０は、基板１１に支持された第１センサ素子１２と第２センサ素子１３とを有し、前記第１センサ素子１２と前記第２センサ素子１３とは、夫々の内部に設けられた第１磁気検知部２０の中心と第２磁気検知部２１の中心とを前記高さ方向に一致させた状態で重ねられて前記基板１１に支持されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】回転センサの製造効率を向上する。
【解決手段】複数のリードフレーム３０を支持部材７１により支持してなる部材７０の複数のリードフレーム３０に磁気抵抗素子５１をそれぞれ搭載し、リードフレーム３０毎に磁気抵抗素子５１およびリードフレーム３０を断面Ｕ字状の永久磁石２０の空所内に配置し、永久磁石２０、リードフレーム３０、および磁気抵抗素子５１をリードフレーム３０毎にモールド樹脂によって覆い、その後、支持部材７１から複数のリードフレーム３０をそれぞれ分離して複数の回転センサを得る。 （もっと読む）

【課題】構成を複雑化することなく、ＭＲ素子を用いて一方向磁界の強度を高感度かつ高精度に評価できるようにし、たとえば、直流電流センサに用いて直流電流を高感度および高精度に測定できるようにする。
【解決手段】磁気抵抗薄膜２２の抵抗値変化を検出することによって一方向磁界Ｍｘの強度を評価する磁界強度センサ１０であって、基板２１に磁気抵抗薄膜による導電パターンが形成された磁気抵抗薄膜素子と、この磁気抵抗薄膜素子を保持する保持具３０とを備え、上記基板は、保形性と可撓性を有する非磁性絶縁薄板からなり、上記保持具は、上記磁気抵抗薄膜面を磁界方向の鉛直面に対して所定角度θ傾斜させた状態で保持する。 （もっと読む）