【課題】配線の浮遊容量が略同一となるように可変容量素子を付加し、高速駆動に対応する。
【解決手段】配線２に、可変容量素子（可変容量ダイオード）３を接続し、配線２の浮遊容量と可変容量素子３の可変容量との合成容量が、全ての配線で略同一となるように設定する。これにより、発光素子毎の配線の容量成分がほぼ同一となるので、全ての発光素子１で信号変調特性が同じになり、高速変調時の信号劣化のばらつきが低減される。 （もっと読む）

【課題】 面方位（１００）面等の通常基板上に作製した場合においても、偏波モードの制御性や量産性が高い高性能な面発光型半導体素子を得ることを可能にする。
【解決手段】 発光領域を有する半導体活性層４と、垂直方向の共振器を形成する、第１半導体多層膜反射鏡６及び第２半導体多層膜反射鏡２と、半導体活性層に電流を注入するための電極９、１０と、半導体活性層の近傍に形成され、Ａｌを含む第１被酸化層３２、３０を有し、第１被酸化層の側部が酸化され中央部が未酸化である電流狭窄部と、少なくとも第１被酸化層の最表面層まで到達する溝深さの第１凹部１２ａと、第１被酸化層を貫通する第２凹部１２ｂと、第１および第２凹部に囲まれたメサ部１００と、第１および第２凹部のうちの少なくとも第２凹部に埋め込まれた絶縁膜２００とを備え、第１被酸化層は、第１凹部が設けられた方向と、第２の凹部が設けられた方向とで酸化された領域の大きさが異なる。 （もっと読む）

【目的】 ビームスプリッタ等の、高価で精密な取り扱いを要する光学部品を用いることなく、さらに略単一波長を出力する光源を用いて、中短距離の半ニ重光通信を実現する、光通信装置を提供する。
【解決手段】 一方の面発光型半導体レーザ５０１は、受信状態では、直流成分として０．５ｍＷ程度の強度で発光させている。この面発光型半導体レーザ５０１にから０．３ｍＷ程度の強い光を照射することで、発光状態を乱す。発光状態が乱れた面発光型半導体レーザ５０１の発光強度は例えば０．１ｍＷくらいにまで低下する。この発光強度の変化を光センサ５０３で受信する。また、他方の光通信装置５１１に割り込みをかける時には、一方の面発光型半導体レーザ５０１の発光強度を上げて、他方の面発光型半導体レーザ５０２の発光状態を乱すことで割り込みを伝達する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で面型の受発光素子を利用できるようにすると共に、光クロストークの低減を図ることができる光導波路モジュールを提供する。
【解決手段】導波路シート２は、第１のコア４ａと第２のコア４ｂを備え、第１のコア４ａの他方の端部側の辺に第１の傾斜端面７ａが形成され、第１の傾斜端面７ａに露出した第１のコア４ａの端面によって第１の反射面９ａが形成されて、第１の反射面９ａに対向して面型発光素子１２が実装される。また、第２のコア４ｂの一方の端部側の辺に第２の傾斜端面７ｂが形成され、第２の傾斜端面７ｂに露出した第２のコア４ｂの端面によって第２の反射面９ｂが形成され、第２の反射面９ｂに対向して面型受光素子１３が実装される。更に、第１の傾斜端面７ａ及び第２の傾斜端面７ｂの下面には、各反射面の直下に窓部８ａを備えた遮光膜８が形成される。 （もっと読む）

【課題】 裏面出射型の面発光型半導体レーザを用いた場合に、曲率半径の小さなマイクロレンズなどの光学部を容易に形成することができ、かつへき開処理で個別の光装置に分離する場合に用いられる粘着性を有する保護シートによるマイクロレンズなどの光学部の剥がれが防止される光装置、光装置の製造方法、および光伝達装置を提供する。
【解決手段】 基板１０１の表面側に形成されており、基板１０１の裏面側に光出力面を備えた面発光型半導体レーザ１０９と、面発光型半導体レーザ１０９の光出力面を取り囲むように底部を設けた、基板１０１の裏面側に配置された第１凹状部１１１と、第１凹状部１１１の底部の外周部からなる第１保護部１１５と、第１凹状部１１１の底部に、第１凹状部１１１の側面と接触せぬ位置にある液状の光学部前駆体１２０１に、エネルギーを付加することで硬化させた光学部としての凸レンズ１１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】 短波長の光に効果を及ぼす、良好な特性を持った２次元回折格子を有する半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】 半導体レーザ素子１は、主面３ａを有する基板３と、主面３ａが延びる方向に沿って基板３上に形成された２次元回折格子７と、基板３上に形成されたｎ型クラッド層４と、基板３上に形成されたｐ型クラッド層６と、ｎ型クラッド層４およびｐ型クラッド層６に挟まれ、キャリアが注入されると発光する活性層５とを備えている。２次元回折格子７は、ＧａＮよりなるエピタキシャル層２ａと、エピタキシャル層２ａよりも低屈折率である複数の回折格子点２ｂとを含んでいる。基板３は導電性ＧａＮまたは導電性ＳｉＣのいずれか一方よりなっている。 （もっと読む）

【課題】 光の取り出し効率が高く、かつ発振強度のムラを抑制できる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 半導体発光素子３０においては、アノード電極（電流注入用電極）１４は、二次元フォトニック結晶２により媒質の表面に対して垂直な方向に発せられた光の放出面に形成されている。このアノード電極１４は、平面的な外形形状が二次元フォトニック結晶２の二次元回折格子の方位に合わせた多角形状よりなっている。 （もっと読む）

【課題】 スペックルを含み且つ放射パターンマスクに適合した放射強度分布を呈する光源装置を提供する。
【解決手段】 光源装置は、出射光の拡散程度が小さく大きなスペックル量を呈する半導体レーザ１を用いており、ＩrＤＡ１.１に適用される。その場合、ＩrＤＡ１.１に関する(最大放射強度)/(放射角度が±Θ以内での最小放射強度)および(放射角度が±２Θよりも外側での最大放射強度)/(放射角度が±Θ以内での最小放射強度)に応じて要求されるスペックル量と指向半値角度/通信角度との関係から、スペックル量に応じた指向半値角度になるようにエポキシ製のレンズ６の形状を制御する。こうすることによって、最小の光出力で、ＩrＤＡ１.１の放射パターンマスクに適合した放射強度分布を有する光源装置を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 面発光型装置及びその製造方法に関して、静電破壊を防止して、信頼性の向上を図ることにある。
【解決手段】 面発光型装置は、基板１０と、基板１０の上方に、基板１０側から配置された、第１の導電型からなる第１の半導体部２２と、活性層として機能する第２の半導体部２４と、第２の導電型からなる第３の半導体部２６，２８と、を含む発光素子部２０と、基板１０の上方に、基板１０側から配置された、第１の半導体部２２と同一組成からなる第１の支持部４２と、第２の半導体部２４と同一組成からなる第２の支持部４４と、第４の半導体部４６，４８と、第５の半導体部５０と、を含む整流素子部４０と、発光素子部２０を駆動する第１及び第２の電極３０，３２と、を含む。第４及び第５の半導体部４６，４８，５０は、第１及び第２の電極３０，３２の間に並列接続され、発光素子部２０とは逆方向の整流作用を有する。 （もっと読む）

【課題】 製造が容易で、高い光利用効率で高強度の近接場光を出射することができる近接場光出射素子および光ヘッドを提供するを提供する。
【解決手段】 半導体レーザ３から出射したレーザ光４ａは、コリメータレンズ５によって平行光４ｂに整形され、透明媒体６の第１面６ａに入射し、第３面６ｃの表面に形成された反射膜６ｄで反射し、浮上スライダ２の下面２ａに設けられた金属フィルム１０の開口１０ｄに集光する。この開口１０ｄに集光したレーザ光によって金属フィルム１０の第１および第２の表面１０ａ，１０ｂに表面プラズモンが励起され、その表面プラズモンが端面１０ｃで反射して開口１０ｄに収束し、開口１０ｄ付近においてレーザ光とプラズモンとの相互作用により開口１０ｄから出射される近接場光４ｅが大幅に増強する。 （もっと読む）