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国際特許分類[H01S5/18]の内容

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【課題】電流狭窄構造を別途設けることなく、容易に作製できる2次元フォトニック結晶面発光レーザおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】2次元フォトニック結晶面発光レーザは、第1および第2半導体層と、前記第1半導体層と、前記第2半導体層とに挟まれ、キャリア注入によって、光を発生する活性層とを備え、前記第1半導体層は、前記活性層側とは反対側に複数の凸部を有し、前記複数の凸部のうちの全部または一部によって2次元フォトニック結晶構造を形成する。 (もっと読む)


光学フォトニック・デバイスであって、導光層を上に有する平面半導体基板と、前記導光層内の1次レーザ光源と、導光層の導波路部分によって1次レーザ光源に光学的に結合した垂直カプラーとを備える、光学フォトニック・デバイス。垂直カプラーは、1次レーザ光源から光ビームを受信し、平面基板の表面に実質的に垂直な方向に、光ビームを方向転換するように構成される。
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【課題】半導体のエッチング工程で精密に制御して形成した孔のサイズを、熱処理工程を施した後においても大きく変動させることなく、半導体の内部に空孔を含む微細構造の形成が可能となる窒化物半導体の微細構造の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体の微細構造の製造方法であって、
窒化物半導体の主面に形成された細孔と、細孔を除く窒化物半導体の主面を覆う熱処理用マスクと、を備えた半導体構造を用意する工程と、
半導体構造を用意する工程の後に、半導体構造を窒素元素を含む雰囲気下で熱処理し、細孔の側壁の少なくとも一部に窒化物半導体の結晶面を形成する第一熱処理工程と、
第一熱処理工程の後に、熱処理用マスクを除去する工程と、
熱処理用マスクを除去する工程の後に、半導体構造を窒素元素を含む雰囲気下で熱処理し、側壁に結晶面が形成された細孔の上部を窒化物半導体で塞ぐ第二熱処理工程と、を有する。 (もっと読む)


【解決手段】
マルチビームコヒーレントレーザダイオード光源は、マスターレーザ、リニア増幅器、及び2つの直交増幅器を備える。マスターレーザ及び増幅器は、活性層、2つのクラッド層、及びリークイン層を有する放射リークイン領域を含む単一のヘテロ構造の形態にある。ヘテロ構造は、リークイン層の屈折率(nIN)に対するヘテロ構造の屈折率(neff)の比によって特徴付けられる。比neff:nINは、1+δから1−γまで広がる範囲から決定され、ここでδ及びγは1より十分小さい数によって定められ且つγはδよりも大きい。リニア増幅器は、マスターレーザからの放射伝搬の光学軸がリニア増幅器の軸に一致するように配置される。各直交増幅器は、出力エッジを有しており、そしてその光学軸がリニア増幅器の軸に対して直角になるように配置される。放射の一部がリニア増幅器から直交増幅器へ流れ込むようにするために、増幅器の軸が交差する点の近くに要素が設けられる。この要素は、ヘテロ構造の活性層とリークイン領域の一部とリークイン層の厚みの20%〜80%の範囲内で交差すると共に増幅器の軸と45°の傾斜をなす反射面を含む。ダイオード光源の別の実施形態によると、直交増幅器の活性領域に沿って出力要素が配置され、出力要素は、ヘテロ構造層の面と45°の角度で交差する反射面を含み且つ活性層とリークイン層の厚みの30%〜80%とを含む。技術的な結果は、レーザ放射の強度の増大、より高い効率及び信頼性、より長い動作寿命、変調速度の向上、及び製造技術の簡素化である。 (もっと読む)


【課題】選択横方向成長を用いた場合であっても、結合領域での欠陥を含む選択横方向成長領域上に共振器を構成でき、大型化を抑制することが可能となる2次元フォトニック結晶面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板上に、活性層と2次元フォトニック結晶層を備えた2次元フォトニック結晶面発光レーザであって、
前記基板上に設けられたパターンを有する構造体と、
前記構造体をマスクとして、前記基板が露出している面から該構造体を覆うように選択横方向成長によって半導体同士を結合させて形成された半導体層と、を備え、
前記活性層と前記2次元フォトニック結晶層は、前記半導体層上に設けられ、該2次元フォトニック結晶層には、フォトニック結晶欠陥が導入されており、
該フォトニック結晶欠陥によって、前記半導体同士を結合させた領域に発生した結晶欠陥の上部における前記2次元フォトニック結晶層中の共振光の電界強度を弱める構成を備えている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、回折部品を用いてビームの一部を分離し、モニタ用ビームを形成し、モニタ用ビームのパワーを検出する、垂直共振器面発光レーザのための回折性パワーモニタを提供するものである。
【解決手段】本発明に係るパワーモニタは、発光デバイスからの光ビームが入射される第1の表面、およびこれに対向する第2の表面を有する基板と、基板の第1の表面上に配設された第1の光学部品であって、発光デバイスから入射された光ビームの一部を分離するとともに、別の一部を集光する第1の光学部品と、分離された光ビームの一部を受光して、発光デバイスからの光ビームの強度をモニタする検出部とを備えたことを特徴とするものである。 (もっと読む)


【課題】 任意形状のビーム形状を得ることができ、自由度の高い設計が可能となるフォトニック結晶面発光レーザを提供する。
【解決手段】 基板に平行な面内方向に共振モードを有するフォトニック結晶を含み構成された面発光レーザであって、
前記フォトニック結晶から基板垂直方向に放射された光を反射させるための反射鏡と、前記反射鏡と前記フォトニック結晶との間にスペーサ層と、
を備え、前記面発光レーザにおける基板垂直方向の共振器特性であるQ値が不均一な面内分布を持つように、前記反射鏡または前記スペーサ層の特性に不均一な面内分布が形成されている構成とする。 (もっと読む)


【課題】
光結合効率が高く、高密度実装された小型の光モジュールを提供する。
【解決手段】
光モジュールにおいて、半導体基板11の主表面に対して光を垂直方向に出射する発光素子が光出射領域に集積されたレンズ19と光出射領域を囲むように集積された保持部22とを有することにより、発光素子と発光素子からの光を導波する光ファイバ31との水平垂直方向の位置合わせの簡易性が向上し、光結合効率が高く、高密度実装された小型の光モジュールを提供することができる。 (もっと読む)


【課題】クロストークと戻り光の両方を同時に低減し、2次元アレイ状の配列に適した面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板上に、該基板に平行な面内方向に共振モードを有する2次元フォトニック結晶と、光導波層と、該光導波層と該基板との間に光閉じ込めのためのクラッド層と、が積層された積層構造を有する面発光レーザであって、
前記積層構造は、前記基板に平行な方向に、
レーザ発振波長において前記面内方向へ光が伝搬される伝搬モードとして、少なくとも1つの導波モードを有する第1の領域と、
前記レーザ発振波長において基板側に光が放射される基板放射モードを有する第2の領域と、を含み構成されている。 (もっと読む)


向上された効果で2端子半導体素子から光放射を生産ための方法は、以下の、少なくとも1つのドレイン層を備える半導体ドレイン領域、前記ドレイン領域上に配置され、少なくとも1つのベース層を含む半導体ベース領域、および前記ベース領域の部分上に配置され、少なくとも1つのエミッタ層を含むエミッタメサを備える半導体エミッタ領域を含む層構造の半導体構造を提供する、前記ベース領域上に量子サイズ効果を示す少なくとも1つの領域を提供する、前記ベース領域の露出した表面上に第1の部分と、前記ドレイン領域と連結されたさらなる部分とを有するベース/ドレイン電極を提供し、前記エミッタ領域の表面上にエミッタ電極を提供する、前記ベース領域から光放射を得るため前記ベース/ドレインおよびエミッタ電極に対して信号を印加する、これらの領域の間で電圧分布の実質的な一様性のため、前記ベース/ドレインおよびエミッタ電極を構成するステップを有する。さらなる実施形態の中で、側面の大きさの拡大縮小は高周波数動作のため、素子の速度を制御するために使用される。 (もっと読む)


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