説明

国際特許分類[H01S5/18]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 誘導放出を用いた装置 (18,077) | 半導体レーザ (12,571) | 光共振器の構造または形状 (2,204) | 表面放出型レーザ (1,121)

国際特許分類[H01S5/18]の下位に属する分類

国際特許分類[H01S5/18]に分類される特許

11 - 20 / 114


【課題】本発明は、高出力用途に好適なレーザ素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るレーザ素子は、基板と、該基板の上に形成された下部クラッド層と、該下部クラッド層の上に形成された活性層と、該活性層の上に形成された上部クラッド層と、該活性層の上方の層に100μm×100μm以上の大きさで形成された、該活性層で発生した光を該上部クラッド層の上方に回折する2次の回折格子と、該下部クラッド層、該活性層、及び該上部クラッド層を有する共振器の第1端面に形成された、該活性層で発生した光を反射する第1反射膜と、該共振器の該第1端面と反対側の端面である第2端面に形成された、該活性層で発生した光を反射する第2反射膜と、を備える。 (もっと読む)


【課題】水平の遠視野像と垂直の遠視野像が同じ高出力の光を出射することができる面発光レーザダイオードを得る。
【解決手段】n型の半導体基板1上に、n型クラッド層2、活性層3、及びp型クラッド層4が順に積層されている。p型クラッド層4内に2次の回折格子6が設けられている。2次の回折格子6のパターンは、同心円状の円形である。n型クラッド層2、活性層3、p型クラッド層4、及びp型コンタクト層5を含む活性領域7も円形である。 (もっと読む)


【課題】本発明は、損失の小さいレーザ素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかるレーザ素子は、活性層の上に形成された上部クラッド層と、該活性層で発生した光であって最も利得の高い光よりも波長の長い光を、該上部クラッド層の上方に回折する周期で該活性層の上方の層に形成された2次の回折格子と、共振器の第1端面に形成された、該活性層で発生した光を反射する第1反射膜と、該共振器の該第1端面と反対側の端面である第2端面に形成された、該活性層で発生した光を反射する第2反射膜と、を備える。 (もっと読む)


【課題】電子漏れが抑制でき、光閉じ込めの向上を図ることができ、非発光を抑制することが可能なフォトニック結晶面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板上に、n型クラッド層、活性層、電子ブロック層、2次元フォトニック結晶層がこの順に積層されているフォトニック結晶面発光レーザであって、
2次元フォトニック結晶層は、第一のp型半導体によるバンドギャップの異なる複数の層を備え、
第一のp型半導体による複数の層のバンドギャップは、電子ブロック層を構成する第二のp型半導体のバンドギャップよりも小さく、複数の層の積層方向に向かって段階的ないしは連続的にそのバンドギャップが減少するように積層され、
積層された層の面内方向の高屈折率部と低屈折率部とによる2次元フォトニック結晶層の該低屈折率部には、
電子ブロック層の表面を覆うように、第二のp型半導体よりもアクセプタドープ濃度の小さい第三のp型半導体が設けられている。 (もっと読む)


【課題】高い取出効率を有する半導体チップの簡易な製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ及び半導体チップを製造する方法。半導体チップ1は、放射を発生するために設けられた活性領域23を有する半導体連続層を有する半導体ボディ2を含んで、半導体連続層が半導体ボディ2を形成する。コンタクト部4が半導体ボディ2の上に配置される。注入障壁5がコンタクト部4と活性領域23の間に形成される。 (もっと読む)


【課題】 漏れ光の入射を低減しつつ、反射戻り光を発生しにくい構成のフォトニック結晶面発光レーザアレイを提供する。
【解決手段】 レーザ発振を起こす複数の第1のフォトニック結晶領域と、面外方向への光回折を起こす第2のフォトニック結晶領域と、第2のフォトニック結晶領域の上に設けられている波長λの光を吸収する光吸収体を有する。第1のフォトニック結晶領域の放射係数は、第2のフォトニック結晶領域の放射係数より小さい。 (もっと読む)


【課題】 光モジュールにおける高速変調動作の信頼性を高め、送信器(送受信器)に組み込まれた際のビット誤り率を低減する。
【解決手段】 出力光を表面出射するテーパーミラーと、光変調素子と、光変調用駆動回路とを備え、前記光変調素子と前記光変調用駆動回路とでテーパーミラーを挟み込むように配置する。 (もっと読む)


【課題】所定の波長を出射する面発光レーザ素子の歩留りを向上させる。
【解決手段】基板の上に形成された下部DBRと、前記下部DBRの上に形成された活性層と、前記活性層の上に形成された上部DBRと、を有し、前記活性層より上部に形成された波長調整層を含み、前記波長調整層の厚さを変えることにより、異なる波長を各々出射する複数の面発光レーザを有するものであって、前記波長調整層はGaInPとGaAsPとを交互に積層した膜、または、GaInPとGaAsとを交互に積層した膜により形成されているものであって、前記積層した膜の一部を各々の層ごとに除去することにより、前記波長調整層の膜厚を変えたものであることを特徴とする面発光レーザ素子を提供することにより上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】所望の方向に偏波したレーザ光を射出できること。
【解決手段】面発光レーザ素子300は、基板1上に下部DBRミラー2と、活性層4を含む複数の半導体層が積層され円柱状に形成されたメサポスト15と、メサポスト15上に形成された上部DBRミラー13とを有し、上部DBRミラー13の上面部に設けられたアパーチャ13aからレーザ光を射出する。上部DBRミラー13の少なくとも上面部に、レーザ光に対する光透過性を有する誘電体で形成した保護膜14を備える。保護膜14を、全体として積層面方向の断面が円形のメサポスト15に対し、アパーチャ13aを含む所定範囲内で一体に長円状に成膜されて積層し、長軸方向の端部がP電極8の上面部からメサポスト15の側面部を介し、Nクラッド層3の上面部まで成膜する。保護膜14は、応力付加膜として活性層4に対し長軸方向に応力を加える。 (もっと読む)


【課題】光の回折効率とキャリアの注入効率が高く、且つ、光の吸収を抑えることが可能となるフォトニック結晶面発光レーザ等を提供する。
【解決手段】基板101上に、活性層104と、該活性層の近傍に設けられ面内方向に共振モードを有する2次元フォトニック結晶層105と、を含む複数の半導体層が積層されたフォトニック結晶面発光レーザであって、前記2次元フォトニック結晶層105は、前記基板の面内方向に、低屈折率媒質105bと該低屈折率媒質よりも高屈折率の高屈折率媒質105aとが周期的に配列され、前記低屈折率媒質と前記高屈折率媒質との間に、導電性を備えた側壁部材105cが配置されて構成されている。 (もっと読む)


11 - 20 / 114