【課題】埋め込みヘテロ構造を有する半導体レーザ素子の高性能化、高信頼化を図る。
【解決手段】埋め込みヘテロ構造を有する半導体レーザ素子は、メサ構造の両側をＲｕドープＩｎＧａＰワイドギャップ層３０２で埋め込み、続いてＩｎＧａＰからＩｎＰへ組成が傾斜するＲｕドープＩｎＧａＰ組成傾斜層３０３で埋め込んだ後、ＲｕドープＩｎＰ層３０４で埋め込むことによって作製される。ＲｕドープＩｎＧａＰワイドギャップ層３０２とＲｕドープＩｎＰ層３０４との間にＲｕドープＩｎＧａＰ組成傾斜層３０３を設けることにより、格子整合しないＲｕドープＩｎＧａＰワイドギャップ層３０２とＲｕドープＩｎＰ層３０４とを、結晶性が良好な埋め込み層とすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】モールド樹脂の歪みを抑え、内蔵部品に加わる応力を低減するための構造を、新たに部品を追加することなく実現し、レンズ一体型モールドパッケージの低コスト性を活かしつつ、耐環境性、信頼性を向上させることができる光モジュールを提供する。
【解決手段】光モジュールは、光学素子４を実装したリードフレーム７がモールド樹脂１により一体成型される。この光モジュールは、光学素子４の近傍のリードフレーム７の一部が、リードフレーム７の実装面と交わる方向に折り曲げられた折り曲げ部３を備える。光学素子４としては、例えば、発光素子，受光素子，受光素子駆動回路素子，受光回路素子などが含まれ、この光学素子４にはリードフレーム７と接続するためのワイヤ６が接続される。 （もっと読む）

【課題】結晶へのダメージを抑制し、特性を向上する二次元正方格子構造および二次元正方格子構造の製造方法を提供する。
【解決手段】二次元正方格子構造１０ａは、Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ｎ（０＜ｘ≦１）よりなる第１の部分１１と、第１の部分１１を構成する材料の屈折率と異なる屈折率を有する第２の部分１２とを備えている。第１の部分１１を構成する材料は、１×１０³ｃｍ^-2以上１×１０⁷ｃｍ^-2未満の転位密度を有する。 （もっと読む）

【課題】２次元フォトニック結晶による帰還効果を向上させ、その結晶層に分布する光の割合を増加させ、素子を形成する半導体が良好な結晶性を維持し、素子面積を小さくできるＤＦＢ型の面発光レーザを提供する。
【解決手段】バリア層と井戸層とで形成される活性層を含む複数の半導体層からなる積層中に、屈折率の異なる媒質が面内方向に周期的に配列された２次元フォトニック結晶層を備え、該結晶層の面内方向に共振モードを有する面発光レーザであって、
第１クラッド層と、２次元フォトニック結晶層と、活性層と、第２クラッド層とが順次積層されており、
バリア層、第１クラッド層、第２クラッド層のいずれの屈折率よりも高い屈折率を有し、
かつ、井戸層のバンドギャップよりも広いバンドギャップを有する光誘引層が、２次元フォトニック結晶層と活性層との間、または、２次元フォトニック結晶層と第１クラッド層との間に設けられる構成とする。 （もっと読む）

【課題】室温において単一波長で発振可能であるとともに、安定して動作することが可能な量子カスケードレーザ素子を備えた面発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】面発光装置１は、ヒートシンク８０と、面発光素子２とを備えている。面発光素子２は、ｎ−ＩｎＰ基板１０と、量子カスケード活性層３０と、ｎ−ＩｎＧａＡｓバッファ層２０およびｎ−ＩｎＧａＡｓガイド層４０と、ｎ−ＩｎＧａＡｓバッファ層２０およびｎ−ＩｎＧａＡｓガイド層４０と積層され、量子カスケード活性層３０と独立したフォトニック結晶層５０と、量子カスケード活性層３０と積層するように形成された表面電極６０と、表面電極６０に接続される金属パッド７０とを含む。そして、金属パッド７０とヒートシンク８０とがはんだ層９１を介して接続されることにより、面発光素子２はヒートシンク８０に搭載されている。 （もっと読む）

【課題】 レーザ光の強度を高めることや必要な強度が得られるように調整することができる２次元フォトニック結晶レーザを提供する。
【解決手段】 活性層１１と、活性層１１の一方の側に設けられ、第１板状部材内にそれとは屈折率が異なる第１空孔（第１異屈折率領域）が所定の周期で配置されており、所定の波長の光に共振する第１の２次元フォトニック結晶層１２１と、第１の２次元フォトニック結晶層１２１の活性層１１とは反対側に設けられ、第２板状部材内に第２空孔（第２異屈折率領域）が前記所定周期で且つ前記第１空孔とは各層に平行な方向にずれた位置に配置されており、前記所定波長の光に共振する第２の２次元フォトニック結晶層１２２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 垂直出射型発光素子の一部である面発光型半導体レーザーを用いたモニター機能付き光モジュールの構成においては、次の課題がある。
（１）発光素子と受光素子の位置関係やパッケージ蓋の位置など組立精度が必要となりコスト増加になる。（２）ハーフミラーや回折格子の使用により光出力に損失が生じる。（３）光学部材など部品点数の増加や特殊型のパッケージ蓋等が必要になる。
【解決手段】 発光素子は水平共振器と、前記水平共振器に対し概45度、もしくは概135度の角度で備え付けられたミラーをもっており、それぞれ前記水平共振器に対して垂直出射する光を信号用光、また水平出射する光をモニター用光とし、前記発光素子がステムに対して概水平に実装されており、前記ステムに対して受光素子が概直角にかつ前記モニター用光が入射するように実装することで解決する。 （もっと読む）

【課題】２次元状に配置可能で且つ光の結合ロスが少なく、発光効率が高い表面発光型半導体レーザ装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体レーザ装置は、基板１１の上に形成され、基板１１の主面と平行に延びるストライプ状の光導波路３２を有する窒化物半導体の積層構造３１を備えている。光導波路３２の少なくとも一方の端面には、光導波路３２を伝播する光を基板１１の主面と垂直な方向に反射する反射ミラー３４が形成されている。積層構造３１における反射ミラー３４により反射された光が出射される光出射領域には、外縁部において中央部よりも実効屈折率が小さい実効屈折率分布を有するように形成された光透過膜３５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】二次元フォトニック結晶を作製する際の活性層のダメージを低減することができると共に、活性層からの光を二次元フォトニック結晶に効率良く導入することができ、
活性層に近い側の二次元フォトニック結晶界面の形状精度を向上させ、素子特性の向上を図ることが可能となる二次元フォトニック結晶を備えた面発光レーザを提供する。
【解決手段】活性層と二次元フォトニック結晶を備え、該二次元フォトニック結晶の面内方向に共振モードを有する面発光レーザであって、
二次元フォトニック結晶は、半導体層と空孔とによる屈折率の異なる媒質を二次元周期で配列して構成され、
前記空孔よりも前記活性層に近い側に、該空孔を形成する際に前記半導体層の結晶成長を抑制するために用いられた結晶成長抑制用マスクを有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】素子厚を増加させることなく出射面におけるレーザ光のビーム径を拡大することができる面発光レーザ素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】水平共振器面発光レーザ素子１０１は、ｎ型ＩｎＰ基板１１と、ｎ型ＩｎＰ基板１１上に形成されたＩｎＧａＡｌＡｓ活性層６１と、ＩｎＧａＡｌＡｓ活性層６１で発生する光をその長手方向に共振させる共振器と、共振器内で共振するレーザ光の少なくとも一部をｎ型ＩｎＰ基板１１の裏面方向に反射する反射鏡１８と、反射鏡１８により反射されるレーザ光を外部に出射するよう該レーザ光の光軸上に形成された光出射面が凸状の低屈折率レンズ３１と、を含む。低屈折率レンズ３１は、ｎ型ＩｎＰ基板１１の屈折率とは異なる屈折率と、反射鏡１８から入射するレーザ光の放射角を広げるよう形成された光入射面と、を有する。 （もっと読む）