【課題】高い効率で光を射出可能とし、かつ光量のモニタにより安定した光量の光を射出するための制御を可能とする光源装置、その光源装置を用いるプロジェクタを提供すること。
【解決手段】光源装置１０は、基本波光を波長変換する波長変換素子１４を有する光源装置１０であって、基本波光を射出する複数の光射出部と、複数の光射出部から射出された基本波光の光路中に設けられた光学素子１６と、波長変換素子１４で基本波光を波長変換することにより得られた高調波光を検出する光検出部１８と、を有し、光検出部１８は、光学素子１６で散乱した高調波光を検出する。 （もっと読む）

【課題】 特に、複数の発光素子の各発光点の高さのばらつきを従来よりも適切且つ容易に小さくすることが可能な発光装置及び前記発光装置を用いたホログラム再生装置を提供することを目的としている。
【解決手段】 複数の面発光レーザ１２、１３と、各面発光レーザ１２、１３を発光点１２ａ１，１３ａ１が現れる素子表面１２ｂ、１３ｂ側から支持する支持板５０とを有し、前記支持板５０の前記素子表面１２ｂ，１３ｂと対向する対向面５０ａは、同一平面を有して形成され、複数の前記面発光レーザ１２，１３の各素子表面１２ｂ，１３ｂが前記同一平面５０ａ下で支持されている。これにより、前記面発光レーザ１２、１３の厚さが夫々異なる場合でも、複数の前記面発光レーザ１２、１３の各発光点１２ａ１、１３ａ１の高さのばらつきを従来よりも適切且つ容易に小さくすることが可能である。 （もっと読む）

【課題】室温でも発振可能な、高い信頼性を有するフォトニック結晶面発光レーザ素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子１では、サブバンド間遷移を用いた活性層である量子カスケード活性層４と、第１導電型の半導体層としてのｎ型バッファ層３およびｎ型ガイド層５と、２次元回折格子としてのフォトニック結晶層７とを備える。ｎ型バッファ層３およびｎ型ガイド層５は、量子カスケード活性層４を挟むように配置される。フォトニック結晶層７は、ｎ型バッファ層３およびｎ型ガイド層５と積層され、量子カスケード活性層４と独立している。 （もっと読む）

【課題】二次元フォトニック結晶を用いた半導体レーザにおいて、単純で造りやすい構造によって、出射ビームのビーム形状を単峰性ビームとする。
【解決手段】二次元フォトニック結晶による半導体レーザにおいて、二次元フォトニック結晶を構成する格子を矩形領域に円孔を配列させて形成し、この格子形成において矩形領域の外周部分である端部の構成を異ならせることで、出射ビームのビーム形状を単峰性ビームとする。単に矩形領域の外周部分である端部にのみにおいて構成を異ならせることによって出射ビームのビーム形状を単峰性ビームとすることができ、また、格子配列は容易な円孔によって形成することができ、従来の構成のように作製が困難である三角形状や微小孔等の高い精度を要する加工を不要とすることができる。 （もっと読む）

【課題】光増幅器を有するリング型レーザ装置の高効率化、低価格化、及び、小型化を図る。
【解決手段】リング型レーザ装置１０は、面発光型光増幅器（ＶＣＳＯＡ）１１を含む光利得媒体と、光ファイバ１４及びフィルタ格子１２を含み、ＶＣＳＯＡ１１の出力を入力にフィードバックするリング型の共振器構造を有し、単一縦モードで発振する。 （もっと読む）

【課題】偏光双安定ＶＣＳＥＬを用いるレーザ装置において、双安定領域は活性層の温度変化によって変動し、温度が所定の温度（標準状態）よりも上昇すると、双安定領域の注入電流が大きい側が低電流側に移行する性質がある。このため、レーザ出力である２方向の偏光出力の相対的な強度比が変動してしまう。温度センサを用いて温度変化を監視し、温度調整をする方法が知られているが、外部素子を用いるため正確な温度検知が難しい。
【解決手段】２方向の偏光の内、いずれか一方の光出力を常時検知して、変動があったら変動分を半導体レーザのドライバにフィードバックを掛ける。温度上昇であれば、注入電流の低い側で発振する偏光の光量が小さくなる。逆に注入電流の大きい方で発振する偏光をモニタしている場合であれば光量が大きくなる。この変化をフィードバックして、モニタ光量が元の大きさになるようにすることで、標準状態を維持する。 （もっと読む）

【課題】発光効率の低下を抑制することが可能な窒化物系半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子（窒化物系半導体発光素子）５０は、（１−１００）面からなる主表面を有する発光層６、光出射面２０ａおよび光反射面２０ｂを有する半導体レーザ素子部２０と、光出射面２０ａに対して角度θ_１（＝約６２°）傾斜して延びるとともに発光層６の主表面と交差する（１−１０１）面からなる反射面２１ａとを含む反射部２１と、半導体レーザ素子部２０および反射部２１（半導体レーザ素子層３）に接合される支持基板３０とを備える。そして、反射面２１ａは、半導体レーザ素子部２０の発光層６で発生したレーザ出射光を、光出射面２０ａに対して角度θ_２（＝約３４°）傾斜した方向に反射するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】短波長半導体レーザにおいて、導波路内を水平方向に光が進むことにより高い出力が得られ、２次元配列が可能な可視領域波長の傾斜面集積型レーザを接合面下向き組み立てにより実装可能とする。
【解決手段】半導体基板の一主面上に設けた薄膜結晶により形成され、その一主面に垂直な半導体基板方向に光を放射する機能を有する半導体発光素子と、半導体基板の他主面より一主面に向かって薄膜結晶に到達する、もしくは光が透過するに十分な厚みの半導体基板を残して近接する孔部を形成し、該孔部より光を出射する半導体素子であって、この孔部に対向する基板表面には発光素子の通電を必要としない構成部分が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ素子の発光効率が低下するのを抑制することが可能な窒化物系半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】この表面出射型窒化物系半導体レーザ素子３０（窒化物系半導体レーザ素子）は、ｎ型ＧａＮ基板１１の（１−１０−４）面からなる主表面上に形成され、発光層１５を有する半導体レーザ素子層１２と、発光層１５を有する半導体レーザ素子層１２の端部に形成され、（１−１０１）面からなる光出射面３０ａと、光出射面３０ａと対向する領域に形成され、ｎ型ＧａＮ基板１１の主表面（（１−１０−４）面）に対して角度θ_１（＝約６５°）傾斜して延びる（０００−１）面からなる反射面３０ｃとを備える。 （もっと読む）

【課題】 特に、安価で、且つ適切に、広範な波長可変帯域を有する発光装置、及び前記発光装置を用いたホログラム再生装置を提供することを目的としている。
【解決手段】 VCSELアレイ６を構成する各面発光レーザ２，３，４の適正波長帯域は夫々異なっている。制御部２０では、これら前記適正波長帯域を合わせた全域を波長可変帯域として、前記面発光レーザから照射される光の波長を可変に制御する。よって本発明によれば、広範な波長可変帯域を有する発光装置２４を安価に、且つ簡単な構造にて形成できる。 （もっと読む）