説明

国際特許分類[H01S5/18]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 誘導放出を用いた装置 (18,077) | 半導体レーザ (12,571) | 光共振器の構造または形状 (2,204) | 表面放出型レーザ (1,121)

国際特許分類[H01S5/18]の下位に属する分類

国際特許分類[H01S5/18]に分類される特許

81 - 90 / 114


【課題】低コスト化を実現すると共に装置構成を簡略化し、更に、小型化を可能にした光源装置及び画像表示装置を提供する。
【解決手段】光源装置2は、レーザ発振時にレーザ光20を発光面22に対して垂直に射出する少なくとも一つの発光素子24を有する発光部10と、特定波長の光を選択的に発光素子24に戻すことによって、発光素子24を特定波長でレーザ発振させる外部共振器16と、発光部10、及び、外部共振器16が固定されたベースプレート18と、発光素子24と外部共振器16との間で、且つ、発光素子24の表面より離れたレーザ光20の光路上に配置固定され、レーザ光20の進行方向を変える光学素子12とを備えた。 (もっと読む)


【課題】 耐候性、分散性向上に優れた蛍光体表面処理方法、および耐湿性、分散性に優れた蛍光体を提供する。また、前記蛍光体を用いた高品質の蛍光体含有組成物、発光装置、画像表示装置、および照明装置を提供する。
【解決手段】 雰囲気温度0℃以上20℃以下で金属アルコキシドおよび/またはその誘導体を加水分解、脱水重合させる工程を含むことを特徴とする蛍光体表面処理方法。および/または、金属アルコキシドおよび/またはその誘導体を加水分解、脱水重合させる工程を2回以上含むことを特徴とする蛍光体表面処理方法。並びに、金属酸化物皮膜を有する蛍光体であって、前記金属酸化物皮膜が所定の条件を満たすことを特徴とする蛍光体。 (もっと読む)


【課題】面出力型の半導体光デバイスの構造を簡単にして製造し易くする。さらに発光デバイスの他に、光増幅デバイスとしても用い得るようにする。
【解決手段】半導体基板上に形成され光学遷移が起こる活性層領域と、活性層領域に形成した導波路と、活性層領域に電流を供給する電極と、を備え、半導体基板表面に沿った導波路をもち、垂直方向に光を出力する半導体光素子であって、電極は、互いに電気的に接続された導電性の物質で構成され、2次元の周期性のある形状をもち、上記の半導体光素子の導波路の近傍で導波路に沿って形成され、上記の活性層領域に電気的に接続され、上記の導波路を伝搬する光波に、フォトニック結晶として作用して導波路に垂直な方向に目的とする光を導くものであり、その周期は、ほぼ導波路を伝搬する光の波長の長さであり、その電極と半導体基板間に電流を流して、上記の活性層領域に給電する。 (もっと読む)


【課題】小型でコンパクトな、1チップで実現された緑色半導体レーザー素子が望まれていた。
【解決手段】InGaN活性層14中に、フォトニック結晶領域21および希土類ドープ領域22を形成する。活性層14中の、フォトニック結晶領域21および希土類ドープ領域は、一表面沿いに、互いに近接して形成する。フォトニック結晶領域21は、第1のパターンとして、活性層14の一表面沿いに形成され、励起光の波長に応じた間隔で平行に配列された複数の溝23を含む。希土類ドープ領域22は、第2のパターンとして、出力する緑色光の波長に応じた間隔で互いに平行に配列された複数の溝24を含む。 (もっと読む)


【課題】光の取り出し効率を向上させることができる上、半導体多層膜に接する電極の変質を防ぐことができる半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板(10)と、基板(10)上に形成された金属接合層(11)と、金属接合層(11)上に配置された、凹部(12a)を有する金属層(12)と、凹部(12a)内に形成された電極(13)と、電極(13)に接し、かつ凹部(12a)内に形成された半導体多層膜(14)と、半導体多層膜(14)の側面と凹部(12a)との間に配置された電気絶縁膜(15)とを含み、凹部(12a)は、半導体多層膜(14)の光出射側に向かって広がっており、半導体多層膜(14)の側面は、凹部(12a)の内壁に沿って形成されており、金属接合層(11)と金属層(12)との間に介在する金属拡散防止層(17)を含む半導体発光装置(1)とする。 (もっと読む)


【課題】面発光レーザの各LDに、隣接LDから受ける温度影響に起因して発生する光量の経時変化に対応して安定した光量制御を行うことを可能にする。
【解決手段】面発光レーザの各発光素子が点灯する期間に基づき、該各発光素子における自己発熱による時系列に沿った自己昇温量を求める(401)。また、各点灯期間に基づき、隣接する各発光素子が受ける時系列に沿った温度影響の度合いを求める(402)。これらの各自己昇温量と各温度影響度とに基づき、各発光素子における時系列に沿った温度上昇量を求める。これらの各温度上昇量に基づき、各発光素子における時系列に沿った光量減衰量を求める。これらの各光量減衰量に基づき、各発光素子にそれぞれ供給されるべき駆動電流の時系列に沿った駆動電流変動量であって、対応の発光素子の点灯期間における発光量が一定となるような駆動電流変動量を求める(403)。 (もっと読む)


【課題】小型で低消費電力の光伝送モジュールを提供する。
【解決手段】発光素子と、該発光素子に電流を供給する駆動回路と、周囲の温度に応じた信号が自律的に出力される信号回路とを備え、上記電流は、上記信号によって、発光素子の温度特性に対応するように調整される。 (もっと読む)


【課題】ビーム品質が良好で、端面破壊といった問題が生じない面発光レーザ装置、これを複数集積したアレイ光源および位相同期光源を提供する。
【解決手段】基板10上に、P型半導体と光活性層16とN型半導体とを順次有し、基板10の積層面に対し平行方向、かつ、基板10の端面に対して傾斜方向に複数の2次回折格子24を有し、利得が基板10の垂直方向に十字状に通過する電流注入機構を有することを特徴とする面発光レーザ装置である。また、当該面発光レーザ装置を使用したアレイ光源、位相同期光源である。 (もっと読む)


【課題】基本モードによるレーザ発振を選択的に得ることができ、それにより単一波長のレーザ光を出射させることができる面発光レーザを提供する。
【解決手段】活性層及びその一方の側に設けた2次元フォトニック結晶を有する面発光レーザにおいて、2次元フォトニック結晶の周囲の少なくとも一部に、2次元フォトニック結晶内に形成される内部共振光の基本モードの振幅の包絡線が極大値を持つ位置において反射率が極大値を持つ反射率分布を有する反射部45又は46を設ける。これにより、基本モードをより強めることができると共に、2次モードを抑制することができるため、基本モードによるレーザ発振を選択的に得ることができ、それにより単一波長のレーザ光を出射させることができる。 (もっと読む)


【課題】断面形状が環状であって径方向に偏光したレーザビームを得ることができるレーザを提供する。
【解決手段】2個の電極571及び572の間に、活性層53と、円形の空孔552を正方格子状に配置した2次元フォトニック結晶55を含むレーザ発振部60を設ける。また、レーザ発振部60の上に、1/2波長板として機能する第1偏光制御層581と、高速軸592が第1偏光制御層581の高速軸591に対して45°の方向を向いた、1/2波長板として機能する第2偏光制御層582と、を設ける。電極間に電圧を印加すると、レーザ発振部60から、円周方向に偏光した環状のレーザビームが出射され、このレーザビームが第1偏光制御層581及び第2偏光制御層582を通過することにより偏光が径方向に変換される。得られたレーザビームは、集光レンズにより径を回折限界よりも小さくすることができ、光ピックアップ等に好適に用いることができる。 (もっと読む)


81 - 90 / 114