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国際特許分類[H02M3/155]の内容

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【課題】制御回路基板の誤動作を防止しやすく、かつ故障しにくい電力変換装置を提供する。
【解決手段】電力変換装置1は、複数の半導体モジュール2と、冷却器3と、制御回路基板4と、平滑コンデンサ5と、放電抵抗6とを備える。制御回路基板4は、半導体モジュール2の制御端子21に接続されている。放電抵抗5は、平滑コンデンサ5に並列接続され、制御回路基板4に取り付けられている。制御回路基板4は、タイミング制御部41と、ドライブ回路部42と、電源回路部40とを備える。タイミング制御部41および電源回路部40の少なくとも一方と、放電抵抗6との間にドライブ回路部42が配置されている。 (もっと読む)


【課題】スイッチング素子を制御する回路基板の温度上昇を抑制することのできる、電気自動車用の電力変換装置を提供する。
【解決手段】電力変換装置10は、リアクトル8、スイッチング素子SWを収めたパワーモジュール22と、冷却器25、スイッチング素子を制御する回路を実装した回路基板3を備える。冷却器25は、パワーモジュール22と一体化しており、PEユニット20を構成する。電力変換装置10は、第1ブラケット5と第2ブラケット6を備える。第1ブラケット5は、回路基板3を支持しているとともに、回路基板3の下方に位置するようにPEユニット20を支持する。第2ブラケット6は、一端が冷却器25に固定されており、回路基板3の下方に位置するようにリアクトル8を支持する。第1ブラケット5と第2ブラケット6は直接には接しておらず、リアクトル8の熱は回路基板3に伝わり難い。 (もっと読む)


【課題】フィードバック制御によるオーバーシュートの発生を抑制する。
【解決手段】直流電源回路110は、光源回路830(負荷回路)に供給する直流電力を生成する。負荷電流検出回路140は、光源回路830を流れる負荷電流を検出して、負荷電流検出電圧を生成する。目標電圧生成回路170は、光源回路830を流れる負荷電流の目標値に基づいて、目標電圧を生成する。帰還信号生成回路180は、負荷電流検出電圧と目標電圧とを比較して、帰還信号を生成する。目標電圧生成回路170は、負荷電流の目標値が低くなった場合に、目標電圧を所定の減少率よりも低い減少率で徐々に減少させる。 (もっと読む)


【課題】矩形波制御実行中にコンバータによる昇圧動作の開始を適時に行ってシステム損失の増加を抑制することができるモータ制御システムを提供する。
【解決手段】モータ制御システムは、電源、コンバータ、インバータおよび交流モータと、コンバータおよびインバータの作動を制御することにより、正弦波PWM制御、過変調制御および矩形波制御のいずれかの制御方式でモータを駆動させる制御部とを備える。制御部は、電源から供給される直流電圧をコンバータで昇圧せずにインバータに供給し、モータについて、モータ電流のd軸q軸平面上における電流ベクトルの電流位相が最適電流進角またはその近傍で矩形波制御が実行されるように制御する。この場合において、制御部は、電流ベクトルが昇圧開始前後でシステム損失が等しくなるモータトルクT2に相当する電流位相になったときにコンバータによる昇圧動作を開始させる。 (もっと読む)


【課題】スイッチング電源における電力損失を最小にするデッドタイムの設定に関して、信頼性をより高める。
【解決手段】DC−DCコンバータのスイッチング部18は、スイッチング駆動部5、温度検出部19、デッドタイム設定部21を有する。温度検出部19は、スイッチング駆動部5の温度Θを示す温度検出信号20をデッドタイム設定部21へ出力する。デッドタイム設定部21は、温度検出部19により出力された温度Θが示す温度検出信号に基づき、スイッチング駆動部5の温度Θがより低いデッドタイムdtを探索する。 (もっと読む)


【課題】バックグラウンドノイズやEMIの効率的な低減が可能な電力供給回路を提供する。
【解決手段】実装基板1と、実装基板1上に配置された半導体スイッチング素子10と、実装基板1上に配置され、半導体スイッチング素子10の主電極間に接続される受動部品(20、30)と、半導体スイッチング素子10と受動部品(20、30)によって構成される電流導通ループ18内に配置され、実装基板1に開口された実装基板開口部8と、半導体スイッチング素子10のスイッチングによって電流導通ループ内に発生する磁束Φの変化を抑制する局所シールド手段とを備える電力供給回路。 (もっと読む)


【課題】出力電流の変動を抑圧するようにDC/DCコンバータを制御する。
【解決手段】帰還電流生成回路14及び合成回路16は、インダクタ電流ILの直流成分を表す第1の帰還電圧VFB1を生成する。リップル信号生成回路15は、入力及び出力電圧に基づいて、インダクタ電流ILの交流成分を表す第2の帰還電圧VFB2を生成する。合成回路15は、第1及び第2の帰還電圧を合成して第3の帰還電圧VFB3を生成する。オン時間調整回路17は、基準電圧VREFと第3の帰還電圧VFB3の比較結果に応じてハイレベル又はローレベルの制御信号HYSOを出力する。ドライバ回路13は、スイッチング素子M1,M2を制御する。リップル信号生成回路15は、制御信号HYSOがローレベルであるとき、入力電圧と出力電圧との差に基づいて第2の帰還電圧を生成し、制御信号HYSOがハイレベルであるとき、出力電圧に基づいて第2の帰還電圧を生成する。 (もっと読む)


【課題】瞬停から復電したときの不具合の発生を抑制する。
【解決手段】平滑コンデンサ11の蓄積電荷が残っている状態で交流電源100が復電すると、交流直流変換部1の出力電圧VDCが上昇する。このとき、制御部4の信号出力部40は強制オフ制御部6から与えられる停止信号によってスイッチング素子30をオフしているので、直流直流変換部2の出力電圧Voは上昇しない。よって、交流直流変換部1の出力電圧VDCが低電圧でクランプされることなく上昇を続ける。その結果、瞬停から復電したときの不具合の発生を抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】出力電圧の変動を抑圧するようにDC/DCコンバータを制御する。
【解決手段】帰還電圧生成回路14及び合成回路16は、インダクタ電流ILの直流成分を表す第1の帰還電圧VFB1を生成する。リップル信号生成回路15は、入力及び出力電圧に基づいて、インダクタ電流ILの交流成分を表す第2の帰還電圧VFB2を生成する。合成回路15は、第1及び第2の帰還電圧を合成して第3の帰還電圧VFB3を生成する。オン時間調整回路17は、基準電圧VREFと第3の帰還電圧VFB3の比較結果に応じてハイレベル又はローレベルの制御信号HYSOを出力する。ドライバ回路13は、スイッチング素子M1,M2を制御する。リップル信号生成回路15は、制御信号HYSOがローレベルであるとき、入力電圧と出力電圧との差に基づいて第2の帰還電圧を生成し、制御信号HYSOがハイレベルであるとき、出力電圧に基づいて第2の帰還電圧を生成する。 (もっと読む)


【課題】ノイズ耐性が高く、且つ、製造プロセス、電源、及び電源電圧が変動するような場合においても精度が高い、出力トランジスタに対する電流制限回路を提供する。
【解決手段】電流制限回路が、基準トランジスタと、基準トランジスタに所定の電流を流す電流源と、出力トランジスタがオンした時の両端の第1の電位差と基準トランジスタの両端の第2の電位差を比較する比較器であって、第1の電位差が第2の電位差よりも大きくなった場合に、出力トランジスタをオフするように制御する電流制限信号を出力する、比較器とを備える。基準トランジスタは、出力トランジスタとは素子サイズの異なる同型のトランジスタであり、基準トランジスタがオンした時のオン抵抗は、出力トランジスタがオンした時のオン抵抗の1/Nの大きさ(Nは1より大きい数)であり、更に、基準トランジスタがオンするように基準トランジスタのゲートにバイアスがかけられている。 (もっと読む)


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