【課題】リセット信号の生成に関連する手段が故障したり誤動作したりしてもスイッチング素子の過熱による故障を抑えられ、入力電圧が急激に上昇しても出力電圧の上昇を抑えられる電力変換装置を提供する。
【解決手段】リセット信号の生成に関連する、マイクロコンピュータ１７０内のブロック等が故障したり誤動作したりしても、制限信号生成部１７０ｌと信号選択回路１７３が駆動信号のパルス幅を制限する。そのため、ＩＧＢＴ１０をオフできる。従って、過電流に伴って発生するＩＧＢＴ１０の過熱による故障を抑えられる。また、制限信号生成部１７０ｌと信号選択回路１７３は駆動信号のパルス幅を入力電圧に基づいて制限する。そのため、入力電圧が上昇しても、マイクロコンピュータ１７０内のブロック等やコンパレータ１７１の応答遅れの影響を受けることなく駆動信号を即座に調整できる。従って、入力電圧が急激に上昇しても出力電圧の上昇を抑えられる。 （もっと読む）

【課題】グランド端子からグランド電位の供給を受けることなく、スイッチ素子をオン状態に維持することを可能とするスイッチ素子駆動回路を提供する。
【解決手段】本発明によるスイッチ素子駆動回路（１００）は、電源と負荷との間に接続されたスイッチ素子を駆動するためのスイッチ素子駆動回路であって、前記電源と前記負荷との間に設けられた電圧降下素子（１０）と、前記電圧降下素子の端子間に発生する電圧を動作電源として該電圧を昇圧し、該昇圧により得られた電圧から前記スイッチ素子を制御するための制御信号を生成する信号生成部（２０）とを備える。 （もっと読む）

【課題】第１の極性を有する第１の化合物半導体層と共にこれと逆極性（第２の極性）の第２の化合物半導体層を用い、化合物半導体層の再成長をすることなく、第２の極性に対応した導電型の含有量が実効的に、容易且つ確実に所期に制御された、複雑な動作を可能とする信頼性の高い高耐圧の化合物半導体装置を得る。
【解決手段】第１の極性を有する電子走行層２ｂと、電子走行層２ｂの上方に形成された第２の極性を有するｐ型キャップ層２ｅと、ｐ型キャップ層２ｅ上に形成された第１の極性を有するｎ型キャップ層２ｆとを有しており、ｎ型キャップ層２ｆは、厚みの異なる部位２ｆａ，２ｆｂを有する。 （もっと読む）

【課題】入力電源からの直流電圧を昇圧または降圧した直流電圧に変換する電力変換装置において、ＤＣ／ＤＣ電力変換部のスイッチングにより充放電動作を行う中間コンデンサの電圧を正常に検出できない場合がある。
【解決手段】中間コンデンサＣｆに蓄電される電圧の不足電圧を検出するための検出開始電圧値Ｖ１を設定する電圧設定手段４４１と所定の判定時間Ｔ１を設定する時間設定手段４４３とを有した設定部４４、電力変換部の運転開始後に中間コンデンサの充電が可能となった時点から時間計測するタイマ４６１を有し、タイマで計測された時間が時間設定手段で設定された所定の判定時間以上経過しても、中間コンデンサに蓄電される電圧が電圧設定手段で設定された検出開始電圧値以上に上昇しない場合に、中間コンデンサの不足電圧として検出する異常検出部４６を備えた。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れるリアクトルを提供する。
【解決手段】リアクトル1は、巻線2wを螺旋状に巻回してなる一つのコイル2と、筒状のコイル2の内外に配置されて閉磁路を形成する磁性コア3とを具える。磁性コア3のうち、コイル2の外周側に設けられた外側コア部32は、磁性体粉末と樹脂とを含む複合材料から構成されている。非磁性材料から構成され、螺旋状の冷却管5がコイル2の周方向に沿って配置されている。冷却管5は、外側コア部32を構成する複合材料に覆われている。リアクトル1は、コイル2の外周面に冷却管5が配置されることで、冷却管5を流通する冷媒によって、コイル2をその外周面側から効率よく冷却することができ、放熱性に優れる。 （もっと読む）

【課題】多出力電源装置１のコンデンサ１０を接続するための端子の増加を抑える。
【解決手段】多出力電源装置１では、コンデンサ１０の両端子間電圧に基づいて電源電圧Ｖｏｕｔ１、Ｖｏｕｔ２をそれぞれ出力する電源制御回路２０Ａ、２０Ｂを備える。このため、１つのコンデンサ１０を用いることにより、電源制御回路２０Ａの電源電圧Ｖｏｕｔ１が電源制御回路２０Ｂの電源電圧Ｖｏｕｔ２よりも大きな状態を維持しつつ、電源制御回路２０Ａ、２０Ｂの電源電圧Ｖｏｕｔ１、Ｖｏｕｔ２がそれぞれの目標値に向かって上昇させることができる。 （もっと読む）

【課題】複数のＤＣ−ＤＣ変換部を均等に動作させて直流出力電圧を生成可能なＤＣ−ＤＣコンバータを提供する。
【解決手段】ＤＣ−ＤＣコンバータは、直流入力電圧を矩形波電圧に変換する複数のＤＣ−ＤＣ変換部と、複数のＤＣ−ＤＣ変換部の出力端子に一端が接続され、他端が共通の外部出力端子に接続される複数のインダクタ素子と、複数のＤＣ−ＤＣ変換部の出力端子にそれぞれ接続され、対応するＤＣ−ＤＣ変換部から出力される矩形波電圧のデューティ比を検出する複数のデューティ検出回路と、複数のデューティ検出回路の出力信号を、２つずつ組にした各組ごとに比較した結果に基づいて、各組の矩形波電圧のデューティ比が等しくなるように、各組内の一方のデューティ検出回路に接続されたＤＣ−ＤＣ変換部のデューティ比を調整するデューティ調整回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】薄いキャップ層を用いるも、応答速度が速く、ピンチオフ不良等のデバイス特性の劣化を抑止して安定なノーマリオフ動作を実現する信頼性の高い高耐圧の化合物半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１上に化合物半導体積層構造２が形成され、化合物半導体積層構造２は、電子走行層２ａと、電子走行層２ａの上方に形成された電子供給層２ｃと、電子供給層２ｃの上方に形成されたキャップ層２ｄとを有しており、キャップ層２ｄは、電子走行層２ａ及び電子供給層２ｃと分極が同方向である第１の結晶２ｄ₁と、電子走行層２ａ及び電子供給層２ｃと分極が逆方向である第２の結晶２ｄ₂とが混在する。 （もっと読む）

【課題】アイドルストップ車に搭載されるバッテリの電圧を負荷に出力する電源回路において、負荷への必要な電圧の供給を維持しつつ、アイドルストップ後のエンジン再始動時、バイパスリレーの切り替え音の発生を防止する。
【解決手段】整流用ダイオードの代わりに整流用スイッチング素子１１を備え、アイドルストップ後のエンジン再始動時、バイパスリレー４６を常時オフさせるとともに、バッテリ４９の電圧が昇圧されて負荷５０に出力されるように、昇圧用スイッチング素子４１及び整流用スイッチング素子１１のそれぞれの駆動を制御し、昇圧用スイッチング素子４１又は整流用スイッチング素子１１の異常時、バイパスリレー４６を常時オフから常時オンに切り替える。 （もっと読む）

【課題】高耐圧の能動素子を含む回路と低電圧で動作するロジック回路とが同一基板上に混載された半導体装置を低コストで実現する。
【解決手段】半導体装置が、ロジック回路５０と、能動素子回路とを具備している。ロジック回路５０は、半導体基板１に形成された半導体素子２を備えている。該能動素子回路は、半導体基板１の上方に形成された拡散絶縁膜７−１の上に形成された半導体層８−１、８−２を用いて形成されたトランジスタ２１−１、２１−２を備えている。この能動素子回路がロジック回路５０により制御される。 （もっと読む）