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国際特許分類[H03F1/02]の内容

電気 (1,674,590) | 基本電子回路 (63,536) | 増幅器 (10,074) | 増幅素子として電子管のみ,半導体装置のみまたは汎用素子のみを用いた増幅器の細部 (3,631) | 能率を上げるための増幅器の変形,例.A級段で用いるもの,補助振動を用いるもの (912)

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【課題】無駄な電力消費を抑えて、低消費電力化を図ることができる衛星管制システムを得ることを目的とする。
【解決手段】衛星1,2の軌道を示す軌道予測情報を参照して、アンテナ装置13から衛星1,2までの距離dを特定し、その距離dに対応する電波伝搬損失Lairからコマンド信号の送信電力Phpaを算出する送信電力算出部16と、電力増幅器12の飽和電力を制御して、電力増幅器12による増幅後のコマンド信号の電力を送信電力算出部16により算出された送信電力Phpaに近づける電力制御部17とを設ける。 (もっと読む)


【課題】増幅器の歪み特性を緩和しつつ、低レベル高周波信号に対する利得低下を抑制する。
【解決手段】高周波信号を増幅する増幅器(20)のバイアスを制御するためのバイアス制御回路(10)は、高周波信号の包絡線を検波する検波器(11)と、増幅器(20)に一定のバイアス電流を供給する第一のバイアス回路(12)と、高周波信号の包絡線のレベル変動に追従して変動するバイアス電流を増幅器に供給する第二のバイアス回路(14)とを備える。 (もっと読む)


【課題】全周波数帯域に渡ってドライブ段増幅器のドライブ量を最適化して、終段増幅器のオーバードライブを防止できるようにすると共に、電力増幅器全体の効率を向上させる。
【解決手段】バックオフ検出器22の検出出力からドライブ段増幅器12のバックオフ量を検出し、このバックオフ量が所定値となるように、ドレイン電圧制御回路30により、ドライブ段増幅器12のドレイン電圧を制御することで、ドライブ段増幅器12のドライブ量を全周波数帯域に渡って最適化する。そして、電力増幅器1の総合利得が所望の利得となるように、可変アッテネータ制御回路33で可変アッテネータ11の減衰量を制御する。ドライブ段増幅器12のドライブ量が最適化されることから、オーバードライブによる終段増幅器13の破損を防止でき、また、効率の向上が図れる。 (もっと読む)


【課題】 効率を高めた高周波送信機用のスイッチング電源を提供すること。
【解決手段】 実施形態によれば、入力信号の波形に基づき送信増幅器をエンベロープトラッキング駆動するスイッチング電源は、入力信号が一時側に入力されるトランスと、このトランスの二次側に接続されるスイッチング部とを具備する。スイッチング部は、ゲートおよびソースが上記トランスの二次側に接続されるFETと、カソードが上記ゲートに接続されるショットキーダイオードと、ショットキーダイオードに逆極性で直列接続されカソードが上記ソースに接続されるツェナーダイオードと、このツェナーダイオードに並列接続されるコンデンサとを備える。 (もっと読む)


【課題】高効率でかつ広帯域化されたC級増幅器を提供する。
【解決手段】本実施の形態に係るC級増幅器は、電源電圧がVdc、最大電流がImaxの増幅素子の流通角θoがπ(rad)未満において、前記増幅素子の等価回路の従属電流源から見た基本波の負荷インピーダンスをZ1=R1+j・X1、2倍波の負荷インピーダンスをZ2=R2+j・X2とし、X1とR1の関係を−R1≦X1≦R1、R1をR1=Vdc/Imax・π・{1−cos(θo/2)}/{θo/2−sin(θo)/2}、X2/X1をX2/X1=−{θo/2−sin(θo)/2}/{sin(θo/2)−sin(1.5・θo)/3}に、あるいはそれぞれの近傍にする。 (もっと読む)


【課題】発振器の発振周波数、又は負荷の大小によるバッファー回路の出力レベル変動を抑制して、バッファー回路の消費電力を低減する発振器を提供する。
【解決手段】この発振器100は、発振回路18と、発振回路18の発振信号を増幅するプリバッファー回路19と、最終段のバッファー回路11と、バッファー回路11の出力電圧レベルを検出するレベル検出回路8と、レベル設定2に応じてレベル検出回路8のレベルを増幅する増幅回路1と、増幅回路1から出力したレベル検出回路8の検出レベルに基づいて出力信号(OUT)の電圧、又は電流を制御してバッファー回路11の出力レベルを調整するレベル調整回路5と、を備えて構成されている。 (もっと読む)


【課題】広い帯域に亘って高線形性でかつ高効率なAB級増幅器を提供することにある。
【解決手段】本実施の形態に係るAB級増幅器は、電源電圧がVdc、最大電流がImaxの増幅素子の流通角θoがπ(rad)を超えて2・π(rad)未満のAB増幅器において、増幅素子の等価回路の従属電流源から見た基本波の負荷インピーダンスをZ1=R1+j・X1、2倍波の負荷インピーダンスをZ2=R2+j・X2、3倍波の負荷インピーダンスをZ3=R3+j・X3とし、X1とR1の関係を−0.5・R1≦X1≦0.5・R1、R1をR1=Vdc/Imax・{1−cos(θo/2)}・π/{θo/2−sin(θo)/2}、X2/X1をX2/X1=−2・{θo−sin(θo)}/{sin(θo/2)−sin(1.5・θo)/3}に、X3/X1をX3/X1={θo−sin(θo)}/{sin(θo)/3−sin(2・θo)/6}に、あるいはそれぞれの近傍にする。 (もっと読む)


【課題】広い帯域に亘って高線形性でかつ高効率なAB級増幅器を提供することにある。
【解決手段】本実施の形態に係るAB級増幅器は、電源電圧がVdc、最大電流がImaxの増幅素子の流通角θoがπ(rad)を超えて2・π(rad)未満のAB増幅器において、前記増幅素子の等価回路の従属電流源から見た基本波の負荷インピーダンスをZ1=R1+j・X1、2倍波の負荷インピーダンスをZ2=R2+j・X2とし、X1とR1の関係を−R1≦X1≦R1、R1をR1=Vdc/Imax・π・{1−cos(θo/2)}/{θo/2−sin(θo)/2}、X2/X1をX2/X1=−{θo/2−sin(θo)/2}/{sin(θo/2)−sin(1.5・θo)/3}に、あるいはそれぞれの近傍にする。 (もっと読む)


【課題】窒化ガリウム系高電子移動度トランジスタ(GaN HEMT)電力素子を用いて広い範囲で高い効率を持つようにした高周波用3ステージ(Three−Stage)GaN HEMTドハティ電力増幅器を提供する。
【解決手段】そのための本発明は、キャリア増幅器及び第1及び第2のピーク増幅器を含む高周波用3ステージ窒化ガリウム系高電子移動度トランジスタドハティ電力増幅器において、前記キャリア増幅器と第1及び第2のピーク増幅器に入力信号を分配するための10dB電力分配器;前記キャリア増幅器の入力電力を調整するための第1の経路部;及び広い出力電力範囲で高い効率を維持させるための第2の経路部を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】小型低消費電力の歪補償機能付のマイクロ波送信装置を提供する。
【解決手段】送信データ変調処理部1からの送信データをDPD処理部20に入力して予歪処理したデジタル信号をDAC2でアナログ信号に変換してVGA9を介して電力増幅器8へ入力する。入力信号を増幅した電力増幅器8が出力する信号を検波した信号を利得制御用の信号としてVGA9に入力し、VGA9は、入力された検波信号が一定の値になるように自動利得制御を行うことにより利得歪み補償を行いマイクロ波無線装置の装置規模を小さく押さえ、かつ低消費電力のマイクロ波送信装置を提供する。 (もっと読む)


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