【課題】使用周波数帯域を広く設定しても、特に高精度な抵抗器等を用いることなく、出力振幅を高精度にすることができる高周波回路モジュールを提供する。
【解決手段】高周波増幅器は、タンク回路１、ｎｐｎ型トランジスタＴｒ０、入力端子１０、および出力端子２０を備える。タンク回路１は、インダクタＬｓおよび第１抵抗器Ｒｓの直列回路と、キャパシタＣｓと、第２抵抗器Ｒｐとの並列回路からなる。第１抵抗器Ｒｓと第２抵抗器Ｒｐとは同一チップの同層に同じ素材で形成される。この構成により、タンク回路１のＱ値が低下するとともに、タンク回路１を構成する各回路素子の素子値バラツキに影響されることなく、タンク回路１のインピーダンスの変動が抑圧される。 （もっと読む）

【課題】立ち上がり時の遅延時間と立下り時の遅延時間との差を小さくすることができる差動増幅回路と、これを用いたレシーバ回路、発振回路及びドライバ回路を提供する。
【解決手段】差動入力信号の極性が正負の何れに変化する場合でも、ノードＮ３１及びＮ３２ｂに発生するバイアス電圧がほぼ一定になり、各カスコード部のＮチャンネル側の負荷トランジスタ（ＭＮ２１，ＭＮ２２，ＭＮ２１ｂ，ＭＮ２２ｂ）には常に電流が流れた状態になる。これにより、ノードＮ３１及びＮ３２ｂの充放電に要する時間が非常に短くなるため、非反転出力信号Ｏ（＋）及び反転出力信号Ｏ（−）の立ち上がり時の遅延時間と立下り時の遅延時間をほぼ等しくすることができる。これにより、入力信号のパルス幅と出力信号のパルス幅がほぼ同じになり、高速な回路への適用が可能になる。 （もっと読む）

【課題】線型性を改善し、広範囲な周波数帯域に用いることができる増幅回路を提供すること。
【解決手段】第１端子に印加される電圧によって第２端子から第３端子に流れる電流が変化する主トランジスタ、第４端子に印加される電圧によって第５端子から第６端子に流れる電流が変化する補助トランジスタ、主トランジスタが飽和領域で動作するようにバイアスを印加する主トランジスタバイアス部、補助トランジスタがサブスレッショルド領域で動作するようにバイアスを印加する補助トランジスタバイアス部を含み、前記第２端子と第５端子は互いに電気的に接続され、前記第１端子と第４端子は入力端に電気的に接続される増幅部と、第３端子と電気的に接続された第１フィードバック部と、前記第６端子と電気的に接続された第２フィードバック部とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】多段増幅器の出力電圧は演算増幅器の定格出力を越えた高電圧で、演算増幅器の高速、高精度特性を利用できるための偏向増幅器。
【解決手段】特性を劣化させるカレントミラー、電流増幅を使用せず、演算増幅器を多段構成とし、各段の入力と一定値を加算した±電源を各段の演算増幅器の±電源とし、±電源が定格以内になるようにし、演算増幅器の高速、高精度特性を利用した多段増幅器。 （もっと読む）

【課題】 ３端子デバイスを含む回路の性能を向上させる方法を提供する。
【解決手段】 ３端子デバイス１０を含む回路の動作における、例えばＦＥＴのような３端子デバイスに関係するアーリー効果の影響を低減する。この影響の低減のため、３端子デバイスに起因するアーリー効果成分を低減するための制御部３０を設け、これによって、デバイスの第１の端子（例えばゲート）に受ける入力信号に関係した第１の信号に応答して、デバイスの第２の端子（例えばドレイン）の電位を制御することによって、デバイスの第２端子（ドレイン）と第３端子（例えばソース）との間の電位差を実質上一定にする。 （もっと読む）

【課題】広帯域で十分にゲインの高い増幅動作と、低い電源電圧での増幅動作の両立を図った増幅回路用バイアス回路を提供する。
【解決手段】増幅回路10では、接地と、MOSトランジスタNN10と、MOSトランジスタNN11と、抵抗性負荷RA10と、電源電圧VDDがこの順に直列接続され、バイアス回路12はMOSトランジスタNN10のゲートにバイアス電圧VR1が供給し、MOSトランジスタNN11のゲートに第２のバイアス電圧VR2が供給する。バイアス回路12は、ゲートとドレインがダイオード接続されたMOSトランジスタNB10を含み、そのドレインから増幅回路10の第１のバイアス電圧VR1を供給する。バイアス回路12は、MOSトランジスタNB11と、MOSトランジスタNB12と、抵抗性負荷RB10をこの順に直列接続して含む。MOSトランジスタNB12のゲートとドレインはダイオード接続され、ゲートから第２のバイアス電圧VR2が供給される。 （もっと読む）

【課題】 １個の増幅器により複数の帯域の信号を増幅する増幅装置を提供する。
【解決手段】 所定の帯域で動作可能な増幅器１０と、増幅器１０の入力及び出力に複数設けられ、増幅器１０と所定の外部装置との間のインピーダンス整合をとるとともに、増幅器１０のもつ帯域内で特定の帯域の信号を通過させるフィルタ型整合回路２１〜２３、３１〜３３と、を備えて構成される増幅装置１ａである。特定の帯域は、フィルタ型整合回路２１〜２３、３１〜３３毎に異なっており、各フィルタ型整合回路２１〜２３、３１〜３３は、自身の特定の帯域でのみ増幅器に対して負荷として働くようになっている。 （もっと読む）

【課題】 更なる広帯域化を図った差動増幅回路を提供する。
【解決手段】 各々のゲート端子が差動入力端子ＤＴ，ＤＣに接続され、各々のソース端子が共通の電流源（トランジスタＴ１３）にダイオードＤ１２を介して接続された差動接続のトランジスタＴ１１，Ｔ１２と、トランジスタＴ１１のドレイン端子に接続された負荷抵抗Ｒ１１と、トランジスタＴ１２のドレイン端子に接続された負荷抵抗Ｒ１２とから成る差動増幅回路において、トランジスタＴ１１のドレイン端子からトランジスタＴ１２のゲート端子へ信号を帰還する容量Ｃ１２と、トランジスタＴ１２のドレイン端子からトランジスＴ１１のゲート端子へ信号を帰還する容量Ｃ１１を付加する。 （もっと読む）

【課題】従来の電力増幅器によって示される１つまたは複数の問題に悩まされない、従来の電力増幅器と比較して動作周波数範囲の広がった電力増幅器を提供すること。
【解決手段】増幅器は、入力信号を受信し少なくとも第１および第２分割信号を生成するように動作可能な信号スプリッタと、第１受信信号を受信し第１増幅信号を生成するようになされた第１増幅器と、第２分割信号を受信し第２増幅信号を生成するようになされた第２増幅器とを含む。結合回路は、第１増幅信号および第２増幅信号の和である出力信号を生成するようになされる。増幅器はさらに、第１および第２増幅器の１つの信号路に配置された位相制御回路を含み、この位相制御回路は、少なくとも１つの薄膜強誘電性素子を備える。位相制御回路により提供される位相シフトの量は、それに印加される制御信号の関数として選択的に可変である。 （もっと読む）

【課題】線形性及び周波数帯域が向上したＭＧＴＲ（Ｍｕｌｔｉｐｌｅ ｇａｔｅｄ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を利用した増幅回路を提供する。
【解決手段】線形性及び周波数帯域が向上したＭＧＴＲを利用した増幅回路として、主トランジスタと補助トランジスタをと含む増幅部と、前記主トランジスタ及び前記補助トランジスタのそれぞれのソースに繋がれたインダクタを含む減衰部と、前記主トランジスタ及び前記補助トランジスタのそれぞれのソースに一端が繋がれ、前記主トランジスタ及び前記補助トランジスタのそれぞれのゲートに他端が繋がれたキャパシタと、前記主トランジスタ及び前記補助トランジスタのそれぞれのドレインに繋がれた出力部とを含んでいる。 （もっと読む）