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国際特許分類[H03F3/24]の内容

国際特許分類[H03F3/24]に分類される特許

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【課題】平均電力効率(APE)が改良されることができるセルラ電話における電力増幅器を提供する。
【解決手段】RF出力電力増幅器(PA)は、第1および第2のAB級増幅回路を含んでいる。高電力オペレーティングモードにおいて動作する場合、第1の増幅器はPA出力端子を駆動する。第1の増幅器のパワートランジスタ(単数または複数)は、高い出力電力での効率性および線形性を最適化するように、バイアスをかけられる。低電力オペレーティングモードにおいて動作する場合、第2の増幅器は出力端子を駆動する。第2の増幅器のパワートランジスタは、低い出力電力での効率性および線形性を最適化するように、バイアスをかけられる。増幅器のパワートランジスタを適切にサイジングすることによって、エミッタ電流密度は、実質的に等しく維持されるので、PA電力利得は、2つのオペレーティングモードにおいて同じである。 (もっと読む)


【課題】バイアス電流の制御電圧の設定範囲を拡大させつつ、バイアス回路の構成の自由度を向上させ、簡単かつ小規模な構成で複数の通信方式への対応を実現する高周波増幅回路を提供する。
【解決手段】バイアス回路32を、入力されるベース電流に応じたバイアス電流を増幅器11に供給するトランジスタQ5、基準電圧Vrefに応じた電流を流すトランジスタQ3、トランジスタQ3に流れる電流に応じてトランジスタQ5のベース電流を補正することによりトランジスタQ5の温度特性を補償するトランジスタQ2、及びトランジスタQ5のベースに接続され制御電圧Vccの切り替えに応じてトランジスタQ5のベース電流量を切り替えるバイアス切り替え部(トランジスタQ4、Q6、及び抵抗R5〜R7、R9、R10)で構成する。増幅器11は、バイアス回路32から供給されるバイアス電流を用いて、入力される高周波信号を増幅する。 (もっと読む)


【課題】フィードバック制御を行っても、出力電力の低下を抑制できる電力増幅回路を実現する。
【解決手段】電力増幅回路を備える高周波モジュール10は、高周波電力増幅素子20、整合回路30、および駆動電源回路40を備える。高周波電力増幅素子20は、高周波増幅回路210、方向性結合器230を備える。方向性結合器230の主線路231の第1端は、高周波増幅回路210の後段増幅回路212の出力端子に接続されている。主線路231の第2端は、出力整合回路240を介して、高周波電力増幅素子20の高周波信号出力端子Poutに接続されている。後段増幅回路212の出力端子は、高周波電力増幅素子20
子20の第2駆動電源印加端子PV2にも接続されている。高周波信号出力端子Poutと高周波信号出力端子Poutとは、接続導体50で接続されている。 (もっと読む)


【課題】電力増幅回路の利得の温度依存性を抑制し、温度補償回路を有するバイアス回路を備えた電力増幅回路を提供する。
【解決手段】ドレインが高電位に接続され、ソースが接地された増幅用トランジスタを備え、ソースが接地され増幅用トランジスタGTrのゲートにゲートが接続されたカレントミラートランジスタCMTrによって増幅用トランジスタのバイアス電流を制御する電力増幅回路であって、アノードが制御電源端子に接続された第1のダイオードD1と、アノードが第1のダイオードD1のカソードに結合され、カソードがカレントミラートランジスタCMTrのドレインに接続された第2のダイオードD2と、一方の端子が第2のダイオードD2のカソードに接続され他方の端子が接地された第1の抵抗素子R1と、第2のダイオードD2と並列接続された第2の抵抗素子R2とを備える。 (もっと読む)


【課題】ディジタル・プリディストーション方式に関し、低次から高次まで高精度の歪補償を効果的に行うことが可能な技術を提案する。
【解決手段】
ダウンコンバータ6が、電力増幅部4からの信号の一部を分岐させた帰還信号をダウンコンバートし、A/D変換部7が、ダウンコンバータ6からの信号を入力信号のサンプリングレートより低いサンプリングレートでアナログからディジタルの信号に変換し、レート変換部8が、A/D変換部7からの信号のサンプリングレートを入力信号のサンプリングレートに変換し、低次歪算出部11が、レート変換部8からの信号に含まれる低次歪を算出し、高次歪生成部12が、低次歪算出部11により算出された低次歪から推定される高次歪をレート変換部8からの信号に付加し、歪補償制御部9が、高次歪生成部12からの信号と入力信号とを比較して、歪補償係数テーブル10を更新する。 (もっと読む)


【課題】 入力された信号の位相差が大きいときの出力電力の低下を抑制した信号変換回路を提供する。
【解決手段】 第1信号S1,第2信号S2,第1信号S1をφ1だけ遅延させた第3信号S3,第2信号S2をφ2(φ2=φ1+φ3)だけ遅延させた第4信号S4を出力する第1回路4と、第1信号S1,第2信号S2がソース端子,ゲート端子に入力されて第5信号S5を出力するトランジスタ7と、第3信号S3,第4信号S4がソース端子,ゲート端子に入力されて第6信号S6を出力するトランジスタ8と、第6信号S6をφ4(φ4≧0)だけ遅延させた第7信号S7をスイッチ回路57を介して出力し、第5信号S5をφ5(φ5=180°+φ1+φ4)だけ遅延させた第8信号S8を出力する第2回路5と、スイッチ回路57を制御する第3回路6と、第7信号S7,第8信号S8を加算する第4回路9とを有する信号変換回路とする。 (もっと読む)


【課題】簡単な回路構成によりアンテナに供給する高周波信号の電力を一定に保つことができる高周波信号増幅器を得る。
【解決手段】主増幅器4は高周波信号を増幅する。主増幅器4の出力端子とアンテナ2との間に信号線路5が接続されている。長さ又は終端が異なる結合線路6,7がそれぞれ信号線路5に平行に配置されている。移相器8,10は、結合された信号線路5及び結合線路6,7を介してそれぞれ印加された高周波信号を位相変化させて主増幅器4の入力端子に供給し、移相器8,10はそれぞれ異なる位相変化量を持つ。 (もっと読む)


【課題】プッシュプル電力増幅器に適用できるバランであって、バランを介してプッシュプル電力増幅器に、2次高調波を注入もしくは抽出し得る、または直流バイアスを印加し得るバランを提供する。
【解決手段】基本波f0に対して1/4波長の長さを有し、性能が同等の2つの結合伝送線路11,12を用いて構成され、2次高調波を注入もしくは抽出し、または直流バイアスを印加できるように、入力される周波数により短絡および開放を切り換える周波数選択性インピーダンス回路23を設け、これによりバラン103を介してプッシュプル電力増幅器に、2次高調波を注入もしくは抽出することを可能にするとともに、直流バイアスの印可を可能にする。 (もっと読む)


【課題】高周波電力増幅器で発生する歪を補償する収束時間を短時間にする。
【解決手段】高周波電力増幅器の各次数の振幅の奇対称歪補償信号の係数と各次数の位相の奇対称歪補償信号の係数とを独立に生成する前置歪補償回路において、入力信号の振幅の1サンプル前との差分をとり、入力信号の1サンプル前との差分をとり、入力信号の振幅の遅延との差分と入力信号の遅延との差分とから、偶対称の振幅の歪補償信号と偶対称の位相の歪補償信号とそれぞれ独立にかつ奇対称歪補償信号と独立に生成する偶対称歪補償信号生成回路と、生成した偶対称歪補償信号を入力信号に重畳する偶対称歪補償信号重畳回路とを有し、奇対称歪と偶対称歪とを独立に前置歪補償する。 (もっと読む)


【課題】安定動作させながら、RFパルス信号の波形を高速に立ち下げることができるRFパルス信号生成用スイッチング回路を提供することにある。
【解決手段】ドレインスイッチング回路21は、n型からなる第1、第2、第3のFET211,212,213を備える。第1、第3のFET211,213のゲートには、制御パルスが印加され、ソースは接地されている。第1のFET211のドレインは、第2のFET212のゲートに接続し、第2のFET212のドレインには、駆動電圧Vdsが印加される。第2のFET212のソースと第3のFET213のドレインは接続され、接続点がパワーFET31のドレインに接続されている。第2のFET212のゲートソース間には、第2のFET212がオフ状態からオン状態へ遷移する際のゲート電圧を補償するための電荷を供給するコンデンサ215が接続されている。 (もっと読む)


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