【課題】 入力光パワーの揺らぎの影響を抑制することができる位相評価装置および位相評価方法を提供する。
【解決手段】 位相評価装置は、９０°ハイブリッドのＩ成分およびＱ成分の正負各出力を取得する取得部と、前記Ｉ成分および前記Ｑ成分のそれぞれに対し、前記正負各出力の和が一定になるように前記正負各出力を補正する演算を行う演算部と、前記補正後の前記正負各出力を用いて、前記９０°ハイブリッドのＩ成分とＱ成分との位相差を評価する評価部と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 一様な外乱磁界の影響を除去しつつ、磁気アイソレータの小型化を図る。
【解決手段】 設置基板１上に設けられた第１の絶縁層２及び第２の絶縁層４と、第１の絶縁層２上に配置された第１の磁気抵抗効果素子３ａ、第２の磁気抵抗効果素子３ｂ、第３の磁気抵抗効果素子３ｃ及び第４の磁気抵抗効果素子３ｄと、第２の絶縁層２上に配置され、各磁気抵抗効果素子に対向して設けられた信号入力導体５ａと、信号入力折返し導体５ｂとを信号入力接続線５ｃを介してミアンダライン状に接続されるよう構成された信号入力線５とを備え、信号入力線５に信号電流が通電されることにより第１の磁気抵抗効果素子３ａ及び第２の磁気抵抗効果素子３ｂに印加される磁界の方向と、第３の磁気抵抗効果素子３ｃ及び第４の磁気抵抗効果素子３ｄに印加される磁界の方向とが、互いに逆方向となるように信号入力線５が構成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】より簡素な構成でありながら、動作信頼性に優れる信号伝達装置を提供する。
【解決手段】入力信号電流が流れることにより入力信号磁場を生ずるプライマリコイル１０と、バイアス電流が流れることによりバイアス磁場を生ずるバイアスコイル３０と、センシング電流が流れることによりセルフバイアス磁場を生ずると共に、入力信号磁場、バイアス磁場およびセルフバイアス磁場に応じて抵抗変化を生ずるＭＲ素子２１Ａ〜２１Ｄを含む検出回路２０とを備える。バイアス磁場およびセルフバイアス磁場は、ＭＲ素子２１Ａ〜２１Ｄにおける磁化自由層に対して同じ方向に印加される。よって、セルフバイアス磁場がバイアス磁場と同様の機能を発揮する。これらのバイアス磁場およびセルフバイアス磁場により、検出回路２０の動作安定性が向上する。 （もっと読む）

【課題】 特に、磁気検出素子と平面コイル間の絶縁性の低下を抑制でき、また、１次側回路と２次側回路間の静電容量Ｃを従来よりも小さくすることで、より高速伝送できる磁気結合型アイソレータを提供することを目的としている。
【解決手段】 入力信号により外部磁界を発生させるための巻回された平面コイル２と、前記外部磁界を検出して電気信号に変換するための磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４と、前記平面コイル２と前記磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４の間に介在する絶縁層３０と、を有する。前記磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４は、前記平面コイル２の側方に位置している。 （もっと読む）

【課題】消費電力の増大を招くことなく、特に回路素子の数を効果的に削減し、半導体チップ上の占有面積を小さくして低コスト化ができる増幅回路を提供する。
【解決手段】入力端子１１，１２及び１３からの入力信号を増幅して出力端子２１，２２及び２３へ出力する増幅ユニット（Ｍ１−Ｍ３，Ｒ１−Ｒ３）と、増幅ユニットの共通モード利得を差動モード入力に対して差動モード利得より小さく設定するための共通モード利得低減回路（ＣＳ）を有する。 （もっと読む）

容量性障壁を備えた分離インターフェースを通しての信号の伝送が行われると、インターフェースの入力回路において、適切な時定数の積分による容量性障壁を備えた基本分離インターフェースの入力回路によって、伝送された入力信号UiのレプリカであるU1o+とU1o-の端の傾斜変化率または、上昇と減少時間が調整され、そして上記の信号レプリカは適切な微分ユニットで微分されて、これらの微分ユニットの時定数は信号レプリカの上昇と減少時間、よりも短かく、有利には約1ナノセカンドか、またはそれ以下である。したがって、パルス幅を非常に正確に維持できるので、容量性障壁の出力側面の上の回路では、電圧比較器のアンプは全く必要ではない。入力と出力回路に関する電圧供給ソースの間の電位差の約10kV/μsの速い変化から、データ伝送が守られる。本発明によって、100MHzの周波数までのデジタルデータ伝送が可能になる。
（もっと読む）