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国際特許分類[H03H7/46]の内容

電気 (1,674,590) | 基本電子回路 (63,536) | インビーダンス回路網,例.共振回路;共振器 (15,336) | 回路網の部品として受動的電気素子のみを含む多端子対回路網 (1,834) | 相異った周波数または周波数帯域で動作する若干の電源または負荷を共通の負荷または電源に接続するための回路網 (143)

国際特許分類[H03H7/46]に分類される特許

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【課題】一対の同一パターンにおけるパターン間の距離と積層方向に隣接する各一対の同一パターン間の距離の相関を明らかにしてインダクタのQ値のさらなる向上、隣接する周波数帯での減衰の確保、低損失による低消費電力を実現させる。
【解決手段】受動部品のうち、第1インダクタL1を構成する一対の第1インダクタ形成用電極40A、一対の第11インダクタ形成用電極48A及び一対の第21インダクタ形成用電極52Aにおいて、各一対のインダクタ形成用電極を構成する2つの電極間の距離Daと、積層方向に隣接する各一対のインダクタ形成用電極間の距離Dbとの関係を0<Da≦Db、且つ、0<Da≦20μmとする。 (もっと読む)


【課題】小型で電気的特性に優れた高周波スイッチモジュールを提供する。
【解決手段】電極パターンを有する複数の誘電体層により構成された積層体に設けられ、通過帯域の異なる複数の送受信系の送信回路と受信回路とを切り替える高周波スイッチモジュールであって、前記積層体の底面の周縁部にアンテナと接続する端子電極、前記送信回路と接続する端子電極、及び前記受信回路と接続する端子電極が形成され、前記積層体の底面の中央部及び周縁部に複数のグランド電極GNDが形成され、前記グランド電極GNDは前記積層体の最下層のほぼ全面に形成された第1のグランド電極とビアホールを介して接続されている高周波スイッチモジュール。 (もっと読む)


特にダイプレクサまたはデュプレクサなどの、電気的構成要素のための本願発明によれば、さまざまな配置が基板底部上の端子面において提供される。それらは、ダイプレクサまたはデュプレクサの第1および第2のフィルタのための端子面が、互いから最大の距離では配置されていないことを特に特徴とする。第1のおよび第2のフィルタが、1つの、または2つの別々の構成要素として基板上に配置されてもよく、1つのフィルタは多層基板に一体化されるように実装されてもよい。 (もっと読む)


【課題】従来の高周波回路素子に比べてアイソレーション特性が改善された高周波回路素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る高周波回路素子においては、セラミック層の積層体34に配備された複数の高周波フィルター間の整合をとるための整合回路2が、前記積層体34を構成する第1セラミック層12の表面に渦巻き状に形成された第1ストリップライン21と、該セラミック層37と直接に重なる第2セラミック層13の表面に渦巻き状に形成された第2ストリップライン22と、第1ストリップライン21の一端部と第2ストリップライン22の一端部を互いに電気的に接続するVIAホール部28とを具えており、第1ストリップライン21の他端部からVIAホール部28に向かう巻き方向と、VIAホール部28から第2ストリップライン22の他端部に向かう巻き方向とが互いに逆向きとなっている。 (もっと読む)


【課題】例えば、GSM850/GSM900/DCS/PCSの通信信号を単一のアンテナで送受信するための高周波モジュールを比較的小型で、安価に構成する。
【解決手段】高周波モジュールには、アンテナに接続するアンテナ入出力端子ANTにRF1端子〜RF4端子のいずれかを選択して接続するGaAsSWが備えられている。GaAsSWのRF1端子にはローパスフィルタLPF1を介してGSM送信信号入力端子Tx12が接続され、RF2端子にはローパスフィルタLPF2を介してDCS/PCS送信信号入力端子Tx34が接続されている。RF3端子にはダイプレクサDiPX10を介してGSM850受信信号出力端子Rx1とPCS受信信号出力端子Rx4とが接続され、RF4端子にはダイプレクサDiPX20を介してGSM900受信信号出力端子Rx2とDCS受信信号出力端子Rx3が接続されている。 (もっと読む)


【課題】例えば、GSM850/GSM900/DCS/PCSの通信信号を単一のアンテナで送受信するための高周波モジュールを比較的小型で、安価に構成する。
【解決手段】高周波モジュールには、アンテナに接続するアンテナ入出力端子ANTにRF1端子〜RF4端子のいずれかを選択して接続するGaAsSWが備えられている。GaAsSWのRF1端子にはローパスフィルタLPF1を介してGSM送信信号入力端子Tx12が接続され、RF2端子にはローパスフィルタLPF2を介してDCS/PCS送信信号入力端子Tx34が接続されている。RF3端子にはダイプレクサDiPX10を介してGSM850受信信号出力端子Rx1とPCS受信信号出力端子Rx4とが接続され、RF4端子にはダイプレクサDiPX20を介してGSM900受信信号出力端子Rx2とDCS受信信号出力端子Rx3が接続されている。 (もっと読む)


【課題】挿入損失を低く抑えつつ、小型化が可能な分波器を提供する。
【解決手段】アンテナに接続される送受信共通端子と、受信機に接続される第1の端子と、送信機に接続される第2の端子と、前記第1の端子と前記送受信共通端子との間で第1の通過周波数帯域の信号を伝送する第1のフィルタと、前記第2の端子と前記送受信共通端子との間で前記第1の通過周波数帯域とは異なる第2の通過周波数帯域の信号を伝送する第2のフィルタと、を備え、前記第2のフィルタは、前記送受信共通端子と前記第2の端子との間に接続された少なくとも1つの直列共振器と、前記直列共振器の両側の端子と接地との間に電気的に接続されている少なくとも2つの並列共振器と、前記送受信共通端子に最も近く配置された並列共振器に直列接続された伸長コイルとキャパシタとの並列回路と、を含むことを特徴とする分波器が提供される。 (もっと読む)


【課題】低域信号及び高域信号相互間の分離特性及び生産性を共に増進させる同軸線路上の低高域周波数分離器を提供する。
【解決手段】高域信号を転送する高域端子10と,低域信号を転送する低域端子20と,高域信号及び低域信号のミキシング信号を転送するミキシング端子30を含む同軸線路上の低高域周波数分離器に関し,ミキシング端子及び低域端子の間に設けられ高域信号を遮断すると共に,低域信号のみを通過させるローパスフィルタ40と,ミキシング端子及び高域端子の間に順次設けられ,低域信号を遮断すると共に,高域信号のみを通過させるハイパスフィルタ50及び1.7〜2.2GHz帯域の高域信号を通過させるバンドパスフィルタ60を含むことを特徴とする。良質の信号転送ができると共に、バンドパスフィルタによる低域信号と高域信号の分離特性を確保し、インピーダンス不整合による線路上の特性の低下及び他部品素子に及ぼす影響を最小化できる。 (もっと読む)


【課題】
減衰回路を追加することなく新たに減衰極を発生させることができ、かつ、減衰極の周波数を独立に制御することにより、フィルタの減衰特性を改善することができる積層型バンドパスフィルタ及びそれを用いたダイプレクサを提供すること。
【解決手段】
本発明による積層型バンドパスフィルタは、積層体の内部に、所望の通過帯域で共振する第一の共振器を複数個配置し、それらの第一の共振器が互いに電磁界結合してなるバンドパスフィルタにおいて、各第一の共振器が、第一のインダクタ導体と、第二のインダクタ導体と、接地導体と容量結合する導体とから成り、各第一の共振器において、前記第二のインダクタ導体と、前記接地導体と容量結合する導体とで第二の直列共振器を形成し、前記第一の共振器の共振周波数帯域より高域側の周波数帯域に、前記第二の直列共振器によるノッチの周波数を設定して成る。
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【課題】減衰回路の追加無く、減衰極周波数を独立に制御する事で、フィルタの減衰特性を改善できる積層型バンドパスフィルタ及びそれを用いたダイプレクサの提供。
【解決手段】積層体内部に、所望の通過帯域で共振する第一の共振器を複数個配置し、各第一の共振器が互いに電磁界結合してなる積層型バンドパスフィルタにおいて、各第一の共振器は、インダクタ導体と、接地導体と容量結合の導体とから成り、前記第一の共振器の一方と入力端子又は出力端子とが少なくとも一つのコンデンサを含む回路で接続され、前記各コンデンサを構成する二つの電極における入力端子又は出力端子と接続する側の電極を各々接地導体と対向させ、前記各電極自身が持つ微小なインダクタ成分と、各電極と接地導体との容量結合とによって第二の共振器を構成し、前記第二の共振器の共振周波数を、前記第一の共振器の共振周波数より高域側に設定してなる構成。 (もっと読む)


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