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国際特許分類[H03H9/17]の内容

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【課題】 ペロブスカイト型の材料に基づく、整合可能なインピーダンスを有するフィルターを備えた、構成要素のインピーダンス整合用装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、入力において第一の出力インピーダンス(Z)を有する第一の構成要素(PA)を備え、出力において第二の入力インピーダンス(Z)を有する第二の構成要素(ANT)を備え、そしてインピーダンス整合回路を前記第一と第二の構成要素間に備える装置であって、第一及び/又は第二のインピーダンスが変化するため、前記インピーダンス整合回路が、前記第一と第二の構成要素間に位置し、少なくとも2つの音響波用の結合された共振器を含む、第一と第二のインピーダンスに整合可能なインピーダンスを有するフィルター(Fadp)を備え、共振器の少なくとも1つが、ペロブスカイト型の材料と、その誘電率及びインピーダンスを変えることを可能にする、前記共振器に電圧を加える手段とを備えることを特徴とする装置に関する。 (もっと読む)


【課題】簡単な構造で圧電振動子を配線することができる発振装置を提供する。
【解決手段】電気音響変換器100は、導電性高分子材料からなる第一導電体141により弾性振動板120の表面の第一配線層131が圧電振動子110の表面電極層112と導通しており、導電性高分子材料からなる第二導電体142により弾性振動板120の表面の第二配線層132が圧電振動子110の裏面電極層113と導通している。このため、簡単な構造で圧電振動子110を配線することができる。 (もっと読む)


【課題】小型化を図りつつ、高い音圧レベルを実現することができる発振装置を提供することができる。
【解決手段】発振装置100は、圧電振動子10と、圧電振動子15と、圧電振動子10を一面において拘束する振動部材20と、圧電振動子15を一面において拘束する振動部材25と、振動部材20の縁を支持し、かつ振動部材25の縁を支持する樹脂部材30と、樹脂部材30の周囲に位置し、樹脂部材30を支持する支持部材35と、を備える。 (もっと読む)


【課題】共振子同士が互いに結合して共振可能である共振子構造だけを用いて構成しても、急峻性を改善できる弾性波素子を提供する。
【解決手段】隣接して配置された複数の共振子11a,11b;21a,21bを含み、共振子11a,11b;21a,21b同士が互いに結合して共振することにより少なくとも2つ以上の振動モードで励振できる、複数の共振子構造10,20を備える。共振子構造10,20のうち少なくとも一つ10は、フィルタ帯域内において一つの振動モードの共振特性が他の振動モードの共振特性よりも強く表れるように電気的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】支持基板の構成材料の選択性を高めて圧電デバイスを製造する。
【解決手段】圧電基板1にイオンを注入してイオン注入部分2を形成する。次に、圧電基板1のイオン注入側の面に、被エッチング層3および仮基板4からなる仮支持基板を形成する。次に、仮支持基板を形成した圧電基板1を加熱し、イオン注入部分2を分離面として圧電基板1から圧電薄膜11を分離する。次に、圧電基板1から分離した圧電薄膜11に、誘電体膜12およびベース基板13からなる支持基板を形成する。ここで、仮支持基板は、圧電薄膜11との界面に作用する熱応力が支持基板よりも小さい構成材料で構成している。 (もっと読む)


【課題】 薄い寸法構成の圧電アクチュエータを用いた振動装置を提供する。
【解決手段】 一端部を台座4に固定した板状の圧電アクチュエータ1と圧電アクチュエータ1の他端部にダンパ3を介して接続した錘2を有する。 (もっと読む)


【課題】音響トランスデューサを含む合成器を提供する。
【解決手段】第1の入力ポートPと第2の入力ポートPにそれぞれ接続された少なくとも1つの第1と第2の素子と、出力ポートPsに接続された第3の素子を含み、電気信号は入出力ポート間で伝播される。合成器は媒体を含み、第1、第2、第3の素子は音響波トランスデューサである。第1と第3のトランスデューサは、一方では出力ポートにおける建設的干渉を生成し、他方ではポートにおける音響波の相殺的干渉により第1と第2の入力ポートを絶縁し(2k+1)λ/4の音響距離だけ離され(kは0以上の整数、λは音響伝播波長)、第2と第3のトランスデューサは(2k’+1)λ/4の音響距離だけ離され(k’は0以上の整数)、第1と第2のトランスデューサは(2k’’+2)λ/4の音響距離だけ分離される(k’’は0以上の整数)。 (もっと読む)


【課題】低電界のみならず高電界印加時にも高い歪率を呈する非鉛系の圧電/電歪焼結体を提供する。
【解決手段】一般式(1){Liy(Na1-xKx)1-y}a(Nb1-z-wTazSbw)O3で表される第1ペロブスカイト型酸化物、Ba、Sr、Ca、La、Ce、Nd、Sm、Dy、Ho及びYbからなる群より選択される一種以上の選択元素の化合物、並びにMnの化合物を含む第1成分、一般式(2){Bat(KpNa1-p)1-t}(ZrtNb1-t)O3で表される第2ペロブスカイト型酸化物である第2成分、並びにZnを主成分として含む第3成分、を含む組成物を焼成して得られる圧電/電歪焼結体であって、前記焼結体における前記第3成分の含有量がZn由来の異相を生じない範囲にあり、かつ前記焼結体において前記a、x、y、z、w、p、及びtが所定の条件を満たす、圧電/電歪焼結体1。 (もっと読む)


【課題】
低背化が可能であり、非常に小型で、且つ、気密封止が可能な圧電デバイスを提供する。
【解決手段】
第1の半導体基板と、第1の半導体基板上に形成される下部電極と、第1の半導体基板と下部電極との間に形成される空隙部または音響反射層と、下部電極上に形成される圧電薄膜と、圧電薄膜上に形成される上部電極とを有する薄膜圧電共振器が、梯子型または格子型に接続されてなる薄膜圧電フィルタを含む第1の基板と、第2の半導体基板上に電気要素が形成されている第2の基板とが接合され、接合部分は気密封止されている圧電デバイス。 (もっと読む)


【課題】比較的低い温度での焼成でも安定して焼成可能な大きな結晶粒子を含む圧電磁器およびそれを用いた圧電素子を提供する。
【解決手段】組成式を(1−α){(K1−xNa1−yLi}NbO+αBi(Mg2/3Nb1/3)Oと表したとき、0.46≦x≦0.56、0.03≦y≦0.06、0.0045≦α≦0.0055である成分100質量部に対して、MnをMnO換算で0.0〜0.5質量部含有することを特徴とする圧電磁器1を用いる。 (もっと読む)


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