【課題】電源回路を備える装置の低消費電力化と、電源回路が発生させる出力電圧の安定化とを両立させる。
【解決手段】負荷へ供給するための出力電圧を入力電圧に基づいて発生させる一対のＭＯＳトランジスタで構成された電圧発生部と、入力電圧および出力電圧の電圧値を検出する検出部と、検出された電圧値に応じて電圧発生部の駆動を制御する駆動部とを有する電源回路において、負荷の動作状態に応じて駆動部を制御することにより、一対のＭＯＳトランジスタの不感帯の幅を変化させる制御部を有する。 （もっと読む）

【課題】落雷などの故障過渡電流が流れる間はスイッチング装置を開いて過電流が流れるのを防止する一方、その間、負荷電流が中断されない電力制御器システムを提供する。
【解決手段】電力制御器システム１０は、電気経路３１内に設けられた、負荷２０に電流を供給するスイッチング装置３０を備える。スイッチング装置３０の両端間の電圧または電流が所定のレベルを超えたとき、制御器５０がスイッチング装置１０を開くように構成する。スイッチング装置３０が開いているときも、並列電気経路６０を負荷に接続する回路１１内の誘導素子３２に蓄積された誘導エネルギーの放散により、負荷電流６１が並列電気経路６０および負荷２０に流れ続ける。 （もっと読む）

【課題】ハイサイドスイッチの過電流が検出された場合に、ハイサイドスイッチだけでなくハイサイドスイッチに接続される回路を保護することが可能なハイサイドスイッチ回路、および、そのハイサイドスイッチ回路を含む装置を提供する。
【解決手段】ゲート電圧降圧部３１は、過電流検出部２０からの電流制限信号に応じて、ＭＯＳトランジスタ１５のゲート電圧を第１の電圧から、第１の電圧と第２の電圧との間の第３の電圧まで、第１の時間変化率で低下させる。これによりＭＯＳトランジスタ１５のオン抵抗がＭＯＳトランジスタ１５の完全オン時のオン抵抗より高くなる。ゲート電圧降圧部３２は、ゲート電圧が第３の電圧に達した後に、ゲート電圧を第３の電圧から第２の電圧まで第２の時間変化率で低下させる。第１の時間変化率は、第２の時間変化率よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】回生電流がモータ等の負荷から駆動回路を構成するプリドライバ回路側に流れても、駆動回路の制御に影響を与えないようにすること。
【解決手段】第１の電源電圧（ＶＭ）に接続された第１の駆動トランジスタと、接地に接続された第２の駆動トランジスタとの間の負荷に接続される接続ノード（Ｎ１）を出力端子とするブリッジ回路に接続されたプリドライバ回路において、接続ノード（Ｎ１）である出力端子に接続された出力モニタ回路を有し、該出力モニタ回路を用いて、出力端子に現れる電圧（Ｖｏｕｔ）に基づいて電圧のみをフィードバックさせる第１のフィードバック信号（Ｓ１）を生成し、第１のフィードバック信号（Ｓ１）に基づいて第２のフィードバック信号（Ｓ２）を生成して、出力端子に現れる電圧（Ｖｏｕｔ）が第１の電源電圧（ＶＭ）に近づくように、第１の駆動トランジスタを駆動制御する。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチがオフ状態からオン状態へ、或いはオン状態からオフ状態へ切換えられるときに半導体スイッチの損失を低減する新規な半導体スイッチの多段ドライブ回路を実施するための方法及び装置を提供する。
【解決手段】損失の低減は、半導体スイッチが切換える第１の時間期間中に半導体スイッチ両端のｄｖ／ｄｔに影響を与えることなく達成される。この損失の低減は、従って半導体スイッチが切換えるときの第１の時間期間中の急速なｄｖ／ｄｔによって発生する雑音をごくわずかしか増大させずに達成される。スイッチングロスのこの低減を達成するための回路の構成は、同様の結果を達成するための他の半導体スイッチドライブ方式よりも製造中の許容誤差及び温度の影響を受けにくい利点を有する。 （もっと読む）

【課題】スイッチングノイズの少ない電圧出力回路を提供する。
【解決手段】電圧出力回路１０では、出力トランジスタ１１は、入力電圧Ｖｉｎが印加される第１端子１６と負荷ＲＬが接続される第２端子１７の間に接続され、ゲート電極が第１ノードＮ１に接続される。第１プルアップ回路１２は、制御信号ＶｃがＬｏｗのときに、第１ノード電圧Ｖｎ１を引き上げる。プルダウン回路１３は、制御信号ＶｃがＨｉｇｈのときに導通して第１ノード電圧Ｖｎ１を引き下げる。ゲート電圧監視回路１４は、第１端子１６と第１ノードＮ１の間に接続され、差電圧ΔＶ＝Ｖｉｎ−Ｖｎ１が基準電圧Ｖｒｅｆより大きいときに導通して第２ノード電圧Ｖｎ２をＨｉｇｈにする。第２プルアップ回路１５は、第１端子１６と第１ノードＮ１の間に接続され、制御信号ＶｃがＬｏｗで且つ第２ノード電圧Ｖｎ２がＨｉｇｈのときに導通して第１ノード電圧Ｖｎ１を引き上げる。 （もっと読む）

【課題】スイッチング応答性を維持しながら、雑音が低減された出力特性をもつ半導体スイッチ回路を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態の半導体スイッチ回路は、スイッチ部１、デコーダ部３、ドライバ部２、ＤＣ−ＤＣコンバータ５、第１のフィルタ回路９ｎ、第１のフィルタバイパス回路１０、及び第１のバイパス制御回路１１ａを備える。ＤＣ−ＤＣコンバータ５は、第１のフィルタ回路９ｎを介して第１の電位をドライバ部２に出力する。第１のフィルタバイパス回路１０が、第１のフィルタ回路９ｎと並列に電気的に接続される。スイッチ部１の入出力端子Ｐと複数の高周波信号端子Ｔ１〜Ｔｎのうちのいずれかの高周波信号端子との間の導通状態及び非導通状態が切り替えられたときに、第１のフィルタバイパス回路１０が導通状態になるように、第１のバイパス制御回路１１ａが、第１のフィルタバイパス回路１０に第１のモード信号Ｖ_{ｍｏｄｅ１}を供給する。 （もっと読む）

【課題】イネーブル信号をＨＩＧＨにしてから急速にスイッチングトランジスタをオンし、かつ突入電流を防止することが可能なスイッチングトランジスタの制御回路を提供すること。
【解決手段】イネーブル信号によりトランジスタＭ２はオフする。トランジスタＭ８はオフし、ノードＣ_Tの電位はグラウンドと等電位になり、反転器の出力ＡＣＴはＨＩＧＨとなり、トランジスタＭ９はオンする。イネーブル信号の反転信号によりトランジスタＭ５はオフし、トランジスタＭ３、Ｍ４、Ｍ６のゲート電位はＭ４とＩ_BIASで決まる電位Ｖ_BIASと等電位となってトランジスタＭ３、Ｍ４、Ｍ６はオンとなり、並列接続されたトランジスタＭ３、Ｍ６の能力に応じたＩ_GD（大）が流れる。トランジスタＭ１、Ｍ７は、電流Ｉ_GD（大）によって急速にゲート容量へ電荷が蓄えられて急速にオンになり、電流Ｉ_OUT、Ｉ_DETが流れる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、パワーオンした瞬間に生じる雑音を除去することができる静音制御回路及び該静音制御回路を有する電子装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る電子装置は、処理ユニット、静音制御回路、オーディオアンプ及びオーディオ出力インターフェースユニットを備え、前記オーディオアンプは、前記電子装置が生成するオーディオ信号を増幅し、且つ増幅されたオーディオ信号を前記オーディオ出力インターフェースユニットに出力し、前記処理ユニットは、静音制御信号を出力し、前記静音制御回路は、前記静音制御信号によって前記オーディオアンプを制御して静音状態と再生状態との間で切替させるメイン回路と、前記電子装置にパワーオンした瞬間、前記オーディオアンプの出力を接地により釈放させて、前記オーディオアンプと前記オーディオ出力インターフェースユニットとの間の通信を切る補助回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体素子のスイッチング時において、スイッチング損失の増加を抑制しつつ、サージ電圧を低減すること。
【解決手段】電子回路１は、ＩＧＢＴ１１と、ＦＷＤ１２と、半導体素子駆動回路１３と、を備えている。半導体素子駆動回路１３は、ＩＧＢＴ１１のゲート−エミッタ間の電圧Ｖｇｅを可変することによって、ＩＧＢＴ１１のターンオン及びターンオフを制御する。半導体素子駆動回路１３のｄｉ／ｄｔ帰還部２３は、電子回路１の主電流であるＩＧＢＴ１１のコレクタ電流Ｉｃの時間的変化、即ち時間微分値ｄＩｃ／ｄｔに基づき帰還電圧ＶＦＢを生成し、ＩＧＢＴ１１のゲート−エミッタ間の電圧Ｖｇｅの一部として加算する。 （もっと読む）