エレクトロルミネッセンス装置、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器
【課題】 基板と電極との間の全反射を抑制し、光の取り出し効率を向上させることのできるＥＬ装置を提供する。
【解決手段】 本発明のＥＬ装置１００は、発光層５を保持する一対の電極８，９と、前記一対の電極のうちの一方の電極８が配置された基板２と、基板２において前記一方の電極８が配置された側の面に設けられた凹凸部２Ａと、前記一方の電極８と基板２との間に介在し、凹凸部２Ａを平坦化する平坦化絶縁膜４とを備え、平坦化絶縁膜４には、母材となる絶縁材料４Ａよりも大きな屈折率を有する微粒子３が含まれており、前記微粒子３を含む前記平坦化絶縁膜４の平均の屈折率が、基板２の屈折率よりも大きくなるように調整されていることを特徴とする。
【解決手段】 本発明のＥＬ装置１００は、発光層５を保持する一対の電極８，９と、前記一対の電極のうちの一方の電極８が配置された基板２と、基板２において前記一方の電極８が配置された側の面に設けられた凹凸部２Ａと、前記一方の電極８と基板２との間に介在し、凹凸部２Ａを平坦化する平坦化絶縁膜４とを備え、平坦化絶縁膜４には、母材となる絶縁材料４Ａよりも大きな屈折率を有する微粒子３が含まれており、前記微粒子３を含む前記平坦化絶縁膜４の平均の屈折率が、基板２の屈折率よりも大きくなるように調整されていることを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロルミネッセンス装置、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、自発光素子であるＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を画素として用いたＥＬ装置の開発が進められている。ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に発光層等の機能層を挟持した構成を備えており、最近では、有機物材料を溶解した液体材料をインクジェット法によって基板上パターン配置する方法を採用した有機ＥＬ装置の開発が行われている。このような有機ＥＬ装置では、画素毎を区画する隔壁部材を基板上に設け、この隔壁部材で囲まれた領域内に上記液体材料を吐出することで、基板上に正確に有機機能層を形成することができる（例えば特許文献１，２参照）。
【特許文献１】特開２００１−７６８６４号公報
【特許文献２】特開２００４−２２４３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
このようなＥＬ装置においては、発光層から透明基板を介して光が外部に取り出される際に、透明基板と電極との界面において光の全反射が生じて光が閉じ込められ、発光層から発光する光の一部しか表示に寄与しないという問題があった。一般に、ＥＬ装置の表示側の電極にはＩＴＯが用いられ、透明基板にはガラス基板が用いられる。これらの屈折率は、ＩＴＯが２．０程度、ガラス基板が１．５程度であり、両者の間には大きな屈折率差が生じている。発光層においては全方向にわたって発光が生じるが、広角（臨界角以上）に出射した光はＩＴＯ電極内で全反射を繰り返し、透明基板側に取り出すことができない。すなわち、光の取り出し効率が悪いために、発光層に所定の電流を供給してせっかく発光が生じても、そのうちの一部の光しか表示に寄与しないことになる。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、基板と電極との間の全反射を抑制し、光の取り出し効率を向上させることのできるエレクトロルミネッセンス装置を提供することを目的とする。また、このようなエレクトロルミネッセンス装置の製造方法と、係るエレクトロルミネッセンス装置を備えた高輝度発光が可能な電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記の課題を解決するため、本発明のエレクトロルミネッセンス装置は、発光層を保持する一対の電極と、前記一対の電極のうちの一方の電極が配置された基板と、前記基板において前記一方の電極が配置された側の面に設けられた凹凸部と、前記一方の電極と前記基板との間に介在し、前記凹凸部を平坦化する平坦化絶縁膜とを備え、前記平坦化絶縁膜には、母材となる絶縁材料よりも大きな屈折率を有する微粒子が含まれており、前記微粒子を含む前記平坦化絶縁膜の平均の屈折率が、前記基板の屈折率よりも大きくなるように調整されていることを特徴とする。
この構成によれば、平坦化絶縁膜が高屈折率の微粒子を含むことによって、平坦化絶縁膜の平均の屈折率が大きくなるため、従来のものに比べて、電極と平坦化絶縁膜との界面の全反射条件を緩和することができる。このため、従来、電極の内部に全反射によって閉じ込められていた光を取り出すことができるようになり、光取り出し効率の向上を図ることができる。この場合、平坦化絶縁膜と基板との屈折率は従来のものよりも大きくなるが、基板には凹凸部が設けられているため、基板と平坦化絶縁膜との界面の全反射を回避することができる。
【０００５】
本発明においては、前記微粒子は、前記一方の電極よりも大きな屈折率を有するものとすることができる。このような材料としては、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）や酸化チタン（ＴｉＯ２）等の無機材料を好適に用いることができる。
この構成によれば、平坦化絶縁膜の屈折率を前記一方の電極の屈折率に近づけ、或いはこれを超えるような屈折率にすることができる。このように平坦化絶縁膜の屈折率を大きくすることで、より全反射を起こりにくくすることができる。
【０００６】
本発明においては、前記微粒子が含まれた部分の前記平坦化絶縁膜の平均の屈折率は、前記一方の電極の屈折率と同等かそれ以上の屈折率となるように調整されているものとすることができる。
この構成によれば、平坦化絶縁膜と前記一方の電極との界面において全反射は生じなくなる。
【０００７】
本発明においては、前記一方の電極は、表示光が出射される側の電極であるものとすることができる。
この場合、前記一方の電極は、前記平坦化絶縁膜の表面に成膜されているものとすることができる。この構成は、いわゆるボトムエミッション型の構成となる。
また、前記平坦化絶縁膜には接着層が含まれており、前記接着層を介して前記一方の電極と前記基板とが接着されているものとすることができる。この構成は、いわゆるトップエミッション型の構成となる。この構成において、前記基板は封止基板として機能することになる。
【０００８】
本発明においては、前記微粒子は、前記接着層中に含まれているものとすることができる。また、前記平坦化絶縁膜にはカラーフィルタ層が含まれており、該カラーフィルタ層中に前記微粒子が含まれているものとすることができる。この場合、前記微粒子は、前記カラーフィルタ層の着色材料を兼ねるものとすることができる。
【０００９】
本発明においては、前記一方の電極は、表示光が出射される側とは反対側の電極であり、前記平坦化絶縁膜と前記基板との間には、前記基板側に向けて出射された光を前記発光層側に反射する反射面が設けられているものとすることができる。この構成は、いわゆるトップエミッション型の構成となる。
【００１０】
本発明のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、発光層を保持する一対の電極と、前記一対の電極のうちの一方の電極が配置された基板とを備えたエレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、前記基板上に凹凸部を形成する工程と、前記凹凸部の表面に、該凹凸部を平坦化する平坦化絶縁膜を形成する工程と、前記平坦化絶縁膜の表面に前記一方の電極を配置する工程とを備え、前記平坦化絶縁膜の形成工程は、母材となる絶縁材料に該絶縁材料よりも大きな屈折率を有する微粒子を含有させ、前記母材及び前記微粒子を含む前記平坦化絶縁膜の平均の屈折率が、前記基板の屈折率よりも大きな屈折率となるように調整する工程を含むことを特徴とする。
この方法によれば、平坦化絶縁膜が高屈折率の微粒子を含むことによって、平坦化絶縁膜の平均の屈折率が大きくなるため、従来のものに比べて、電極と平坦化絶縁膜との界面の全反射条件を緩和することができる。このため、従来、電極の内部に全反射によって閉じ込められていた光を取り出すことができるようになり、光取り出し効率の向上を図ることができる。この場合、平坦化絶縁膜と基板との屈折率は従来のものよりも大きくなるが、基板には凹凸部が設けられているため、基板と平坦化絶縁膜との界面の全反射を回避することができる。
【００１１】
本発明においては、前記微粒子は、前記一方の電極よりも屈折率の大きな材料からなるものとすることができる。
この方法によれば、平坦化絶縁膜の屈折率を前記一方の電極の屈折率に近づけ、或いはこれを超えるような屈折率にすることができる。このように平坦化絶縁膜の屈折率を大きくすることで、より全反射を起こりにくくすることができる。
【００１２】
本発明においては、前記界面部分の前記平坦化絶縁膜の平均の屈折率が、前記一方の電極の屈折率よりも大きな屈折率となるように調整するものとすることができる。
この方法によれば、平坦化絶縁膜と前記一方の電極との界面において全反射は生じなくなる。
【００１３】
本発明の電子機器は、前述した本発明のエレクトロルミネッセンス装置又は前述した本発明の製造方法により製造されたエレクトロルミネッセンス装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、光取り出し効率の高いエレクトロルミネッセンス装置を備えた電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。以下の実施の形態では、ＥＬ素子を画素として基体上に配列してなるＥＬ装置（エレクトロルミネッセンス装置）、特に、発光層を有機発光材料によって形成した有機ＥＬ装置を例示して説明する。この有機ＥＬ装置は、例えば電子機器等の表示手段として好適に用いることができるものである。
【００１５】
［第１の実施の形態］
［有機ＥＬ装置］
図１は、本発明の第１実施形態の有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図である。
本実施形態の有機ＥＬ装置１００は、発光層５から発光した光（表示光）を基板２側から取り出す、いわゆるボトムエミッション型の有機ＥＬ装置である。この有機ＥＬ装置１００は、基板２の上面に、発光素子である有機ＥＬ素子１０を配設してなる構成を備えている。有機ＥＬ素子１０は、基板２の一方面（図１の上面）側に、第１電極８と、正孔輸送層６と、発光層５と、電子輸送層７と、第２電極９とを順に積層した構成となっている。本実施形態においては、第１電極８を陽極、第２電極９を陰極とするが、これらを逆にすることもできる。この場合、基板２側から、陰極、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、陽極を順に積層する構造となる。なお、正孔輸送層６、発光層５および電子輸送層７は、有機機能材料からなる機能層（有機機能層）１１を形成している。
【００１６】
図示しないが、本実施の形態の有機ＥＬ装置はアクティブマトリクス型であり、実際には複数のデータ線と複数の走査線とが格子状に配置され、これらデータ線や走査線に区画されたマトリクス状に配置された各画素毎に、スイッチングトランジスタやドライビングトランジスタ等の駆動用ＴＦＴを介して上記の有機ＥＬ素子１０が接続されている。そして、データ線や走査線を介して駆動信号が供給されると電極間に電流が流れ、有機ＥＬ素子１０が発光して基板２の外面側に光が出射され、その画素が点灯する。
【００１７】
本実施形態の場合、表示光を基板２側から取り出す構造であるので、基板２には、ガラス等の透光性基板が用いられる。また、陽極８には、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透光性導電膜が用いられる。一方、陰極９には、良好な光反射性を具備した導電膜、例えばＡｌ（アルミニウム）等の高反射率の金属膜を好適に用いることができる。この場合、陰極９は、発光層５で生じた光を陽極８側へ反射する機能を有するものとなる。なお、Ａｌの他にも、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ｃｒ（クロム）、Ｃｕ（銅）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃａ、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｓｒ、Ｙｂ（イッテルビウム）、Ｅｒ（エルビウム）、Ｔｂ（テルビウム）、Ｓｍ（サマリウム）等の金属材料、およびこれらから選択される金属材料の薄膜を複数積層した構造とすることもできる。
【００１８】
発光層５を構成し得る発光材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の高分子発光材料である、ポリフルオレン誘導体（ＰＦ）、ポリパラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリジアルキルフルオレン（ＰＤＡＦ）、ポリフルオレンベンゾチアジアゾール（ＰＦＢＴ）、ポリアルキルチオフェン（ＰＡＴ）や、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）等のポリシラン系などを好適に用いることができる。また、これらの発光材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。
【００１９】
正孔輸送層６は、陽極８から発光層５への電荷の注入効率を高めるとともに、発光層５内を移動する電子をブロッキングする機能を奏し、発光層内での電子と正孔との再結合確率を高める作用を奏する。この正孔輸送層６には、陽極８からの注入障壁が低く、正孔移動度の高い材料が好適に用いられる。このような材料としては、例えばポリチオフェン誘導体、ポリピロール誘導体など、またはそれらのドーピング体などが用いられる。具体的には、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）［商品名；バイトロン−ｐ（Bytron-p）：バイエル社製］の分散液、すなわち、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させた分散液などが用いられる。
なお、必要に応じて、陰極９から発光層５への電子注入効率を高めるとともに、正孔ブロッキング機能を有する電子輸送層７を形成してもよい。この電子輸送層７は、オキサジアゾール誘導体やＡｌｑ３などの有機材料で形成することが可能である。
【００２０】
ここで、本実施形態においては、基板２において陽極８が配置された側の面に凹凸部２Ａが設けられている。陽極８と基板２との間には、この凹凸部２Ａを平坦化する平坦化絶縁膜４が設けられており、陽極８はこの平坦化絶縁膜４の表面に配置されている。凹凸部２Ａは、平坦化絶縁膜４と基板２との界面での全反射を防止すべく設けられたものである。このように凹凸部２Ａが存在すると、基板２と平坦化絶縁膜４との界面での全反射条件が緩和されるため、平坦化絶縁膜４内に入射された光は、略全て基板２側から取り出されるようになる。また、平坦化絶縁膜４は、表示欠陥の原因となる電極表面の凹凸を平坦にする役割も兼ねている。すなわち、有機ＥＬ素子１０では、発光層５を含めた有機機能層１１の厚みが非常に薄いので、陽極８の表面に凹凸が存在すると、電極間のショートや発光むらが生じる虞がある。本実施形態では、平坦化絶縁膜４によって陽極８の表面が平坦化されるので、これらの問題は生じない。
【００２１】
この平坦化絶縁膜４には、少なくとも陽極８との界面の部分に、母材となる絶縁材料４Ａよりも大きな屈折率を有する微粒子３が含まれており、この微粒子３が含まれた前記界面部分の平坦化絶縁膜４の平均の屈折率ｎＢが、基板２の屈折率ｎＣよりも大きくなるように調整されている。
【００２２】
一般に、有機ＥＬ装置の表示側の電極（陽極）８にはＩＴＯが用いられ、基板２にはガラス基板が用いられる。これらの屈折率は、ＩＴＯが１．９５（屈折率ｎＡ；５５０ｎｍの波長を基準とする。以下同じ）、ガラス基板が１．５４（屈折率ｎＣ）であり、両者の間には大きな屈折率差が生じている。このような大きな屈折率差が存在すると、陽極８と基板２との界面で全反射が生じ易くなり、せっかく発光が生じても、そのうちの一部の光しか表示に寄与することができない。そこで、本実施形態では、陽極８と基板２との間に基板２よりも屈折率の大きな層４（屈折率ｎＢ；ｎＢ＞ｎＣ）を形成し、電極界面で生じる全反射の条件を緩和するようにしている。本実施形態の場合、平坦化絶縁膜４は、アクリル樹脂４Ａ（屈折率：１．４３）中にＺｒＯ２（酸化ジルコニウム）の無機微粒子３を５ｗｔ％程度含有させた構成となっており、アクリル樹脂４Ａと微粒子３とを含めた平均の屈折率ｎＢは１．８に調整されている。
【００２３】
なお、母材となる絶縁材料４Ａには、エポキシ樹脂（屈折率：１．４２）など、アクリル樹脂以外の樹脂材料を用いることもできる。また、良好な平坦性が得られる場合には、ＳｉＯ２（酸化シリコン）やＳｉＮ（窒化シリコン）等の無機絶縁材料を用いることも可能である。また、微粒子３としては、ＴｉＯ２（酸化チタン）等の他の高屈折率材料を用いることができる。屈折率比ｎＢ／ｎＡは、絶縁材料４Ａの含有させる微粒子３の量によって調節することができる。
【００２４】
この有機ＥＬ装置１００においては、発光層５から出射した光は、陽極８から直接的に、又は陰極９で反射されて間接的に、基板２側から取り出される。陽極８と平坦化絶縁膜４との屈折率比ｎＢ／ｎＡは９２％であるので、これらの界面では約８５％の光を平坦化絶縁膜４側に取り出すことができる。また、基板２の表面には凹凸部２Ａが形成されているので、平坦化絶縁膜４の内部で全反射して外部に取り出すことができない光は、凹凸で全反射条件を外すことによって、外部に取り出すことができるようになる。さらに、微粒子３によって光が散乱されるので、光が臨界角以上の角度で平坦化絶縁膜４に入射したとしても、基板２に入射する時点ではその多くが全反射条件から外れることになり、更に光量を増やすことができる。これらの作用により、光の取り出し効率が向上し、明るい表示が可能となる。
【００２５】
上記の構成を採用した場合の発光光率は１５ｃｄ／Ａであり、高屈折率微粒子３を混入しない従来の構成（発光光率：１０ｃｄ／Ａ）に比べて、高い発光光率が得られることが確認されている。
【００２６】
［有機ＥＬ装置の製造方法］
次に、有機ＥＬ装置１００の製造方法について説明する。
まず、ガラス基板等の透光性の基板２を用意し、フッ酸処理等により、基板２の表面に高さ０．０１μｍ〜０．５μｍのランダムな凹凸を多数形成する。凹凸は、フッ酸処理以外の処理により形成することもできる。これらの凹凸によって、基板２の表面に凹凸部２Ａが形成される。
【００２７】
次に、アクリル樹脂４Ａを主体とする絶縁材料を基板２の表面に塗布し、凹凸部２Ａを平坦化する平坦化絶縁膜４を形成する。アクリル樹脂４Ａには、予め高屈折率材料であるＺｒＯ２の微粒子３を５ｗｔ％程度混入し、平坦化絶縁膜４の平均の屈折率ｎＢが基板２の屈折率ｎＣよりも大きくなるように調整しておく。この際、陽極８との屈折率比ｎＢ／ｎＡが０．８以上、より好ましくは、１以上となるように調整することが望ましい。屈折率比ｎＢ／ｎＡは、微粒子３の混入量によって調整することができる。なお、微粒子３としては、ＴｉＯ２等の他の高屈折率材料を用いることも可能である。
【００２８】
次に、平坦化絶縁膜４の表面に、スパッタ等によりＩＴＯ等の透光性導電膜を成膜し、これをパターニングすることにより、陽極８を形成する。
次に、陽極８の表面に、正孔輸送層６、発光層５、電子輸送層７を順に形成する。これらの層は、蒸着法やインクジェット法等により形成することができる。インクジェット法を用いる場合には、インクの濡れ広がりを防ぐために、予めバンクと呼ばれる土手構造を陽極８の周囲に形成しておくことが望ましい。正孔輸送層６、発光層５、電子輸送層７により、有機機能層１１が形成される。
【００２９】
次に、この有機機能層１１の表面に、スパッタ等によりＡｌ等からなる陰極９を形成する。ＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型の有機ＥＬ装置においては、陰極９のパターニングは不要である。このような陰極９は、各陽極８に対して共通の共通電極となる。
陰極９の表面には、必要に応じて封止部材を設けることができる。封止部材で陰極全体を封止することによって、有機ＥＬ素子１０の内部に、水分や酸素等が浸入することを防止することができる。
以上により、有機ＥＬ装置１００が完成する。
【００３０】
［実施例］
本発明者は、本発明の効果を実証するために、従来構成の有機ＥＬ装置（比較例）と本発明の有機ＥＬ装置（実施例）とで表示の明るさを比較した。表１は、上記実施形態の構成と同じ構成の有機ＥＬ装置において、陽極８の屈折率ｎＡを一定として（屈折率ｎＡ：２．０）、平坦化絶縁膜４の屈折率ｎＢを変化させて光取り出し効率をシミュレーションした結果を示している。このシミュレーションにおいては、基板２をガラス基板（屈折率ｎＣ：１．５４）とし、平坦化絶縁膜の母材をアクリル樹脂（屈折率：１．４３）としている。また、実施例に係る有機ＥＬ装置には、高屈折率微粒子３としてＺｒＯ２を混入し、比較例に係る有機ＥＬ装置には、高屈折率微粒子３を混入させない構成としている。
【００３１】
【表１】
【００３２】
表１からわかるように、陽極８と平坦化絶縁膜４との屈折率比が０．８以上であれば、６０％以上の光を平坦化絶縁膜４側に取り出すことができる。この効率は、従来の構成と比較すると２倍以上高く、同じ光量を出力する場合には、寿命が３倍以上延びることを意味する。特に、平坦化絶縁膜の平均の屈折率ｎＢが陽極８の屈折率ｎＡと同等かそれ以上の屈折率となるように調整されている場合には（ｎＢ≧ｎＡ）、光は、低屈折率材料である陽極８から高屈折率材料である平坦化絶縁膜４に入射することになるため、平坦化絶縁膜４との界面では全反射は生じない。したがって、陽極８を透過した光は全て平坦化絶縁膜４に入射されることになり、光の取り出し効率は１となる。
【００３３】
このように、本実施形態の有機ＥＬ装置においては、平坦化絶縁膜４として、基板２よりも高い屈折率と光散乱性とを兼ね備えた絶縁膜を用いているので、光の取り出し効率が大きく向上し、明るい表示が得られるようになる。
【００３４】
［第２の実施の形態］
図２は、本発明の第２実施形態の有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図である。
本実施形態の有機ＥＬ装置２００は、発光層５から発光した光（表示光）を基板２とは反対側から取り出す、いわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ装置である。この有機ＥＬ装置２００の基本的な構成は、第１実施形態の有機ＥＬ装置１００と同じである。異なるのは、陰極９を透光性導電膜とした点と、平坦化絶縁膜４と基板２との間に、基板２側に向けて出射された光を発光層５側に反射する反射膜１２を設けた点のみである。このため、第１実施形態と同様の構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００３５】
本実施形態の場合、表示光を陰極９側から取り出す構成であるので、陰極９には、ＩＴＯ等の透光性導電膜が用いられる。陽極８に関しては、その基板２側に反射膜１２が設けられているので、第１実施形態と同様にＩＴＯ等の透光性導電膜が用いられる。基板２としては、ガラス等の透明基板のほか、不透明基板も用いることができる。不透明基板としては、例えばアルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、また熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、さらにはそのフィルム（プラスチックフィルム）などが挙げられる。
【００３６】
基板２の表面には、ランダムな凹凸が多数形成された凹凸部２Ａが設けられており、この凹凸部２Ａの表面には、平坦化絶縁膜４が設けられている。平坦化絶縁膜４は、第１実施形態のものと同様に、母材となる絶縁材料４Ａ中に、これよりも大きな屈折率を有する微粒子３が含まれた構成となっている。本実施形態の場合、平坦化絶縁膜４は、エポキシ樹脂４Ａ中にＴｉＯ２の無機微粒子３を３ｗｔ％含有させた構成となっており、樹脂４Ａと微粒子３とを含めた平均の屈折率ｎＢは１．８に調整されている。陽極８としては、屈折率ｎＡが２．０のＩＴＯ膜を用いており、陽極８と平坦化絶縁膜４との屈折率比ｎＢ／ｎＡは０．９となっている。なお、絶縁材料４Ａと微粒子３の材料は適宜変更することができる。
【００３７】
平坦化絶縁膜４と基板２との間には、Ａｌ（アルミニウム）やＡｇ（銀）等からなる反射膜１２が設けられている。この反射膜１２は、発光層５から基板２側に出射された光を陰極９側に反射する反射面を構成する。なお、基板２自体が光反射性を有する場合、例えば基板２がアルミニウム基板等からなる場合には、光反射膜１２を省略することもできる。この場合、基板２自体が反射面を構成することになる。
【００３８】
この有機ＥＬ装置２００においては、発光層５から基板２側に出射された光は、陽極８、平坦化絶縁膜４を透過した後、反射膜１２に到達し、この反射膜１２で反射されて陰極９側から取り出される。陽極８と平坦化絶縁膜４の屈折率比ｎＢ／ｎＡは９０％であるので、これらの界面では、約８０％の光を平坦化絶縁膜４側に取り出すことができる。また、基板２の表面には凹凸部２Ａが形成されているので、平坦化絶縁膜４の内部で全反射して外部に取り出すことができない光は、凹凸で全反射条件を外すことによって、外部に取り出すことができるようになる。さらに、微粒子３によって光が散乱されるので、光が臨界角以上の角度で平坦化絶縁膜４に入射したとしても、基板２に入射する時点ではその多くが全反射条件から外れることになり、更に光量を増やすことができる。これらの作用により、光の取り出し効率が向上し、明るい表示が可能となる。
【００３９】
上記の構成を採用した場合の発光光率は１３ｃｄ／Ａであり、高屈折率微粒子３を混入しない従来の構成（発光光率：８ｃｄ／Ａ）に比べて、高い発光光率が得られることが確認されている。
なお、本実施形態では、ｎＢ＜ｎＡであったが、より取り出し効率を上げるには、ｎＢ≧ｎＡであることが好ましい。
【００４０】
［第３の実施の形態］
図３は、本発明の第３実施形態の有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図である。
本実施形態の有機ＥＬ装置３００は、発光層５から発光した光（表示光）を基板２とは反対側から取り出す、いわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ装置である。この有機ＥＬ装置３００において、第１実施形態と同様の構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００４１】
有機ＥＬ装置３００は、基板２の上面に、有機ＥＬ素子１０を配設してなる構成を備えている。有機ＥＬ素子１０は、基板２の一方面（図１の上面）側に、第１電極８と、正孔輸送層６と、発光層５と、電子輸送層７と、第２電極９とを順に積層した構成となっている。本実施形態においては、第１電極８を陽極、第２電極９を陰極とするが、これらを逆にすることもできる。この場合、基板２側から、陰極、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、陽極を順に積層する構造となる。なお、正孔輸送層６、発光層５および電子輸送層７は、有機機能材料からなる有機機能層１１を形成している。
【００４２】
本実施形態の場合、表示光を陰極９側から取り出す構造であるので、陰極９には、ＩＴＯ等の透光性導電膜が用いられる。一方、陽極８には、良好な光反射性を具備した導電膜、例えばＡｌ等の高反射率の金属膜を好適に用いることができる。この場合、陽極８は、発光層５で生じた光を陰極９側へ反射する機能を有するものとなる。なお、Ａｌの他にも、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ｃｒ（クロム）、Ｃｕ（銅）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃａ、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｓｒ、Ｙｂ（イッテルビウム）、Ｅｒ（エルビウム）、Ｔｂ（テルビウム）、Ｓｍ（サマリウム）等の金属材料、およびこれらから選択される金属材料の薄膜を複数積層した構造とすることもできる。
【００４３】
基板２としては、ガラス等の透明基板のほか、不透明基板も用いることができる。不透明基板としては、例えばアルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、また熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、さらにはそのフィルム（プラスチックフィルム）などが挙げられる
発光層５、正孔輸送層６、電子輸送層７については、第１実施形態と同様である。
【００４４】
陰極９の表面には、接着層４０を介して基板１３が接着されている。接着層４０は表示領域全体にベタで形成されており、この接着層４０及び基板１３によって有機ＥＬ素子１０が封止されている。
【００４５】
基板１３において陰極９が配置された側の面には、凹凸部１３Ａが設けられている。凹凸部１３Ａは、接着層４０と基板１３との界面での全反射を防止すべく設けられたものである。このように凹凸部１３Ａが存在すると、基板１３と接着層４０との界面での全反射条件が緩和されるため、接着層４０内に入射された光は、略全て基板１３側から取り出されるようになる。接着層４０は、凹凸部１３Ａを埋めて基板１３の表面を平坦化しており、本発明の平坦化絶縁膜として機能する。
【００４６】
接着層４０には、少なくとも陰極９との界面の部分に、母材となる絶縁材料４０Ａよりも大きな屈折率を有する微粒子３０が含まれており、この微粒子３０が含まれた前記界面部分の接着層４０の平均の屈折率ｎＢが、基板１３の屈折率ｎＣよりも大きくなるように調整されている。本実施形態の場合、接着層４０は、アクリル樹脂４０Ａ中にＺｒＯ２の微粒子３０を５ｗｔ％程度含有させた構成となっており、アクリル樹脂４０Ａと微粒子３０とを含めた平均の屈折率ｎＢは１．８に調整されている。陰極９としては、屈折率ｎＡが２．０のＩＴＯ膜を用いており、陰極９と接着層４０との屈折率比ｎＢ／ｎＡは０．９となっている。
【００４７】
なお、母材となる絶縁材料４０Ａには、エポキシ樹脂など、アクリル樹脂以外の樹脂材料を用いることもできる。また、良好な平坦性が得られる場合には、ＳｉＯ２やＳｉＮ等の無機絶縁材料を用いることも可能である。また、微粒子３０としては、ＴｉＯ２等の他の高屈折率材料を用いることができる。屈折率比ｎＢ／ｎＡは、絶縁材料４０Ａの含有させる微粒子３０の量によって調節することができる。
【００４８】
この有機ＥＬ装置３００においては、発光層５から出射した光は、陰極９から直接的に、又は陽極８で反射されて間接的に、基板１３側から取り出される。陰極９と接着層４０との屈折率比ｎＢ／ｎＡは９０％であるので、これらの界面では約８０％の光を接着層４０側に取り出すことができる。また、基板１３の表面には凹凸部１３Ａが形成されているので、接着層４０の内部で全反射して外部に取り出すことができない光は、凹凸で全反射条件を外すことによって、外部に取り出すことができるようになる。さらに、微粒子３０によって光が散乱されるので、光が臨界角以上の角度で接着層４０に入射したとしても、基板１３に入射する時点ではその多くが全反射条件から外れることになり、更に光量を増やすことができる。これらの作用により、光の取り出し効率が向上し、明るい表示が可能となる。
【００４９】
上記の構成を採用した場合の発光光率は１４．５ｃｄ／Ａであり、高屈折率微粒子３０を混入しない従来の構成（発光光率：９ｃｄ／Ａ）に比べて、高い発光光率が得られることが確認されている。
【００５０】
［有機ＥＬ装置の製造方法］
次に、有機ＥＬ装置３００の製造方法について説明する。
まず、ガラス基板等の透光性の基板１３を用意し、フッ酸処理等により、基板１３の表面に高さ０．０１μｍ〜０．５μｍのランダムな凹凸を多数形成する。凹凸は、フッ酸処理以外の処理により形成することもできる。これらの凹凸によって、基板１３の表面に凹凸部１３Ａが形成される。
【００５１】
次に、アクリル樹脂４０Ａを主体とする絶縁材料を基板２の表面に塗布し、有機ＥＬ素子１０が形成された基板２と接着する。有機ＥＬ素子１０は、第１実施形態と同様の手順によって形成することができる。ただし、陰極９は、光透過性を有していなければならないので、ＩＴＯ等の透光性導電材料によって形成される。
【００５２】
接着層４０は、少なくとも有機ＥＬ素子１０が配置される表示領域の全面に塗布されるようにする。アクリル樹脂４０Ａには、予め高屈折率材料であるＺｒＯ２の微粒子３０を５ｗｔ％程度混入し、接着層４０の平均の屈折率ｎＢが基板１３の屈折率ｎＣよりも大きくなるように調整しておく。この際、陰極９との屈折率比ｎＢ／ｎＡが０．８以上、より好ましくは、１以上となるように調整することが望ましい。屈折率比ｎＢ／ｎＡは、微粒子３０の混入量によって調整することができる。なお、微粒子３０としては、ＴｉＯ２等の他の高屈折率材料を用いることも可能である。
【００５３】
接着層４０は、流動性が高いため、基板１３の凹凸部１３Ａを埋めるように凹凸内に隙間なく配置される。また、接着の過程で、陰極９の表面全体に広がり、陰極９側の面が平坦化される。接着層４０及び基板１２が陰極９上に配置されたら、接着層４０を熱硬化或いは紫外線硬化等により硬化する。
以上により、有機ＥＬ素子１０が基板１３によって封止され、有機ＥＬ装置３００が完成する。
【００５４】
［第４の実施の形態］
図４は、本発明の第４実施形態の有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図である。
本実施形態の有機ＥＬ装置４００は、発光層５から発光した光（表示光）を基板２とは反対側から取り出す、いわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ装置である。この有機ＥＬ装置５００の基本的な構成は第３実施形態の有機ＥＬ装置３００と同じである。異なるのは、基板１３と接着層４０との間にカラーフィルタ層１４を設けた点のみである。このため、第３実施形態と同様の構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００５５】
本実施形態の場合、基板１３と陰極９との間には、カラーフィルタ層１４と接着層４０とが介在されており、これらが一体となって本発明の平坦化絶縁膜を構成する。図４では、基板１３の凹凸部１３Ａがカラーフィルタ層１４のみによって平坦化されているが、凹凸部１３Ａは、カラーフィルタ層１４と接着層４０の双方で平坦化されるようにしてもよい。
接着層４０は表示領域全体にベタで形成されており、この接着層４０と、カラーフィルタ層１４を含む基板１３とによって有機ＥＬ素子１０が封止されている。
【００５６】
接着層４０には、少なくとも陰極９との界面の部分に、母材となる絶縁材料４０Ａよりも大きな屈折率を有する微粒子３０が含まれており、この微粒子３０を含む平坦化絶縁膜の平均の屈折率が、基板１３の屈折率（屈折率ｎＣ：１．５４）よりも大きくなるように調整されている。本実施形態の場合、接着層４０は、アクリル樹脂４０Ａ中にＺｒＯ２の微粒子３０を７ｗｔ％程度含有させた構成となっており、アクリル樹脂４０Ａと微粒子３０とを含めた平均の屈折率ｎＢは１．８５に調整されている。陰極９としては、屈折率ｎＡが２．０のＩＴＯ膜を用いており、陰極９と接着層４０との屈折率比ｎＢ／ｎＡは０．９２となっている。また、カラーフィルタ層１４の平均の屈折率ｎＤは１．８１であり、接着層４０との屈折率比ｎＤ／ｎＢは９７％となっている。なお、絶縁材料４０Ａと微粒子３０の材料は適宜変更することができる。
【００５７】
なお、カラーフィルタ層１４は、母材となるアクリル樹脂等の絶縁材料中に着色材料である顔料分子等が分散された構造を有しており、基本的な構造は接着層４０と同じである。このため、カラーフィルタ層１４の着色材料と接着層４０の微粒子３０の材料とを共通化し、且つカラーフィルタ層１４の絶縁材料と接着層４０の絶縁材料４０Ａとを共通化することで、これらを一体的に形成することができる。この場合、カラーフィルタ層は、着色機能と接着機能とをそれぞれ機能負担した複数の層によって形成されることになる。
【００５８】
この有機ＥＬ装置４００においては、発光層５から出射した光は、陰極９から直接的に、又は陽極８で反射されて間接的に、基板１３側から取り出される。陰極９と接着層４０との屈折率比ｎＢ／ｎＡは９２％であるので、これらの界面では約８５％の光を接着層４０側に取り出すことができる。また、接着層４０とカラーフィルタ層１４との屈折率比ｎＤ／ｎＢは９７％であるので、これらの界面では９０％以上の光をカラーフィルタ層１４側に取り出すことができる。また、基板１３の表面には凹凸部１３Ａが形成されているので、カラーフィルタ層１４の内部で全反射して外部に取り出すことができない光は、凹凸で全反射条件を外すことによって、外部に取り出すことができるようになる。さらに、微粒子３０によって光が散乱されるので、光が臨界角以上の角度で接着層４０に入射したとしても、カラーフィルタ層１４に入射する時点ではその多くが全反射条件から外れることになり、更に光量を増やすことができる。これらの作用により、光の取り出し効率が向上し、明るい表示が可能となる。
【００５９】
上記の構成を採用した場合の発光光率は８．１ｃｄ／Ａであり、高屈折率微粒子３０を混入しない従来の構成（発光光率：５ｃｄ／Ａ）に比べて、高い発光光率が得られることが確認されている。
なお、本実施形態では、ｎＤ＜ｎＢ＜ｎＡであったが、より取り出し効率を上げるには、ｎＤ≧ｎＢ≧ｎＡであることが好ましい。
【００６０】
［第５の実施の形態］
図５は、本発明の第５実施形態の有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図である。
本実施形態の有機ＥＬ装置５００は、発光層５から発光した光（表示光）を基板２とは反対側から取り出す、いわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ装置である。この有機ＥＬ装置５００の基本的な構成は第４実施形態の有機ＥＬ装置４００と同じである。異なるのは、カラーフィルタ層１４と接着層４０との間にオーバーコート層１５を設けた点のみである。このため、第４実施形態と同様の構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００６１】
本実施形態の場合、基板１３と陰極９との間には、カラーフィルタ層１４とオーバーコート層１５と接着層４０とが介在されており、これらが一体となって本発明の平坦化絶縁膜を構成する。図５では、基板１３の凹凸部１３Ａがカラーフィルタ層１４のみによって平坦化されているが、凹凸部１３Ａは、カラーフィルタ層１４とオーバーコート層１５の２層、或いはカラーフィルタ層１４から接着層４０までの３層で平坦化されるようにしてもよい。
接着層４０は表示領域全体にベタで形成されており、この接着層４０と、オーバーコート層１５及びカラーフィルタ層１４を含む基板１３とによって有機ＥＬ素子１０が封止されている。
【００６２】
接着層４０には、少なくとも陰極９との界面の部分に、母材となる絶縁材料４０Ａよりも大きな屈折率を有する微粒子３０が含まれており、この微粒子３０を含む平坦化絶縁膜の平均の屈折率が、基板１３の屈折率（屈折率ｎＣ：１．５４）よりも大きくなるように調整されている。本実施形態の場合、接着層４０は、アクリル樹脂４０Ａ中にＺｒＯ２の微粒子３０を７ｗｔ％程度含有させた構成となっており、アクリル樹脂４０Ａと微粒子３０とを含めた平均の屈折率ｎＢは１．８５に調整されている。陰極９としては、屈折率ｎＡが２．０のＩＴＯ膜を用いており、陰極９と接着層４０との屈折率比ｎＢ／ｎＡは０．９２となっている。オーバーコート層１５の屈折率ｎＥは接着層４０の屈折率ｎＢと同じであり、屈折率比ｎＥ／ｎＢは１となっている。また、カラーフィルタ層１４の平均の屈折率ｎＤは１．８１であり、オーバーコート層１５との屈折率比ｎＤ／ｎＥは９７％となっている。なお、絶縁材料４０Ａと微粒子３０の材料は適宜変更することができる。
【００６３】
なお、カラーフィルタ層１４は、母材となるアクリル樹脂等の絶縁材料中に着色材料である顔料分子等が分散された構造を有しており、基本的な構造は接着層４０と同じである。このため、カラーフィルタ層１４の着色材料と接着層４０の微粒子３０の材料とを共通化し、且つカラーフィルタ層１４の絶縁材料と接着層４０の絶縁材料４０Ａとを共通化することで、これらを一体的に形成することができる。また、オーバーコート層１５をカラーフィルタ層１４と同じ母材材料で形成すれば、カラーフィルタ層１４から接着層４０までの３層を一体的に形成することも可能である。これらの場合、カラーフィルタ層は、着色機能、オーバーコートとしての機能、及び接着機能をそれぞれ機能負担した複数の層によって形成されることになる。
【００６４】
この有機ＥＬ装置５００においては、発光層５から出射した光は、陰極９から直接的に、又は陽極８で反射されて間接的に、基板１３側から取り出される。陰極９と接着層４０との屈折率比ｎＢ／ｎＡは９２％であるので、これらの界面では約８５％の光を接着層４０側に取り出すことができる。また、接着層４０とオーバーコート層１５の屈折率は同じいであり、カラーフィルタ層１４との屈折率比ｎＤ／ｎＥは９７％であるので、これらの界面では９０％以上の光をカラーフィルタ層１４側に取り出すことができる。また、基板１３の表面には凹凸部１３Ａが形成されているので、カラーフィルタ層１４の内部で全反射して外部に取り出すことができない光は、凹凸で全反射条件を外すことによって、外部に取り出すことができるようになる。さらに、微粒子３０によって光が散乱されるので、光が臨界角以上の角度で接着層４０に入射したとしても、カラーフィルタ層１４に入射する時点ではその多くが全反射条件から外れることになり、更に光量を増やすことができる。これらの作用により、光の取り出し効率が向上し、明るい表示が可能となる。
【００６５】
上記の構成を採用した場合の発光光率は８．１ｃｄ／Ａであり、高屈折率微粒子３０を混入しない従来の構成（発光光率：５ｃｄ／Ａ）に比べて、高い発光光率が得られることが確認されている。
なお、本実施形態では、ｎＤ＜ｎＥ＝ｎＢ＜ｎＡであったが、より取り出し効率を上げるには、ｎＤ≧ｎＥ≧ｎＢ≧ｎＡであることが好ましい。
【００６６】
［電子機器］
上記実施の形態の有機ＥＬ装置を備えた電子機器の例について説明する。
図６は、携帯電話の一例を示した斜視図である。同図に示す携帯電話機１３００は、複数の操作ボタン１３０２と、受話口１３０３と、送話口１３０４と、先の実施形態の有機ＥＬ装置からなる表示部１３０１とを備えている。この携帯電話機１３００によれば、上記実施の形態の有機ＥＬ装置を備えているので、表示品位に優れ、明るい画面の有機ＥＬ表示部を備えた電子機器を実現することができる。
なお、本発明における有機ＥＬ装置を備えた電子機器としては、上記のものに限らず、他に例えば、デジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、テレビ、携帯用テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ＰＤＡ、携帯用ゲーム機、ページャ、電子手帳、電卓、時計、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器などを挙げることができる。また、本発明における有機ＥＬ装置を備えた電子機器として、車載用オーディオ機器や自動車用計器、カーナビゲーション装置等の車載用ディスプレイを挙げることもできる。さらに、前記有機ＥＬ装置は、ラインプリンタの露光手段等、表示装置以外の電子機器にも広く適用可能である。
【００６７】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。また、上記の実施形態の構成は一例であり、これらの構成を必要に応じて組み合わせることも可能である。例えば、第２実施形態の構成と、第３実施形態〜第５実施形態の構成とを組み合わせることで、陽極８と陰極９の双方からの光取り出し効率が向上し、より明るい表示を実現可能となる。また、上記実施形態では、発光層に有機発光材料を用いた有機ＥＬ装置を例に挙げて説明したが、発光層を無機材料を用いた無機ＥＬ装置に本発明を適用することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図である。
【図２】第２実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図である。
【図３】第３実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図である。
【図４】第４実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図である。
【図５】第５実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図である。
【図６】上記有機ＥＬ装置を備えた電子機器の一例を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００６９】
２…基板、２Ａ…凹凸部、３…微粒子、４…平坦化絶縁膜、４Ａ…絶縁材料、５…発光層、８…陽極（第１電極）、９…陰極（第２電極）、１２…反射膜、１３…基板、１３Ａ…凹凸部、１４…カラーフィルタ層、３０…微粒子、４０…接着層、４０Ａ…絶縁材料、１３００…携帯電話機（電子機器）
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロルミネッセンス装置、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、自発光素子であるＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を画素として用いたＥＬ装置の開発が進められている。ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に発光層等の機能層を挟持した構成を備えており、最近では、有機物材料を溶解した液体材料をインクジェット法によって基板上パターン配置する方法を採用した有機ＥＬ装置の開発が行われている。このような有機ＥＬ装置では、画素毎を区画する隔壁部材を基板上に設け、この隔壁部材で囲まれた領域内に上記液体材料を吐出することで、基板上に正確に有機機能層を形成することができる（例えば特許文献１，２参照）。
【特許文献１】特開２００１−７６８６４号公報
【特許文献２】特開２００４−２２４３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
このようなＥＬ装置においては、発光層から透明基板を介して光が外部に取り出される際に、透明基板と電極との界面において光の全反射が生じて光が閉じ込められ、発光層から発光する光の一部しか表示に寄与しないという問題があった。一般に、ＥＬ装置の表示側の電極にはＩＴＯが用いられ、透明基板にはガラス基板が用いられる。これらの屈折率は、ＩＴＯが２．０程度、ガラス基板が１．５程度であり、両者の間には大きな屈折率差が生じている。発光層においては全方向にわたって発光が生じるが、広角（臨界角以上）に出射した光はＩＴＯ電極内で全反射を繰り返し、透明基板側に取り出すことができない。すなわち、光の取り出し効率が悪いために、発光層に所定の電流を供給してせっかく発光が生じても、そのうちの一部の光しか表示に寄与しないことになる。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、基板と電極との間の全反射を抑制し、光の取り出し効率を向上させることのできるエレクトロルミネッセンス装置を提供することを目的とする。また、このようなエレクトロルミネッセンス装置の製造方法と、係るエレクトロルミネッセンス装置を備えた高輝度発光が可能な電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記の課題を解決するため、本発明のエレクトロルミネッセンス装置は、発光層を保持する一対の電極と、前記一対の電極のうちの一方の電極が配置された基板と、前記基板において前記一方の電極が配置された側の面に設けられた凹凸部と、前記一方の電極と前記基板との間に介在し、前記凹凸部を平坦化する平坦化絶縁膜とを備え、前記平坦化絶縁膜には、母材となる絶縁材料よりも大きな屈折率を有する微粒子が含まれており、前記微粒子を含む前記平坦化絶縁膜の平均の屈折率が、前記基板の屈折率よりも大きくなるように調整されていることを特徴とする。
この構成によれば、平坦化絶縁膜が高屈折率の微粒子を含むことによって、平坦化絶縁膜の平均の屈折率が大きくなるため、従来のものに比べて、電極と平坦化絶縁膜との界面の全反射条件を緩和することができる。このため、従来、電極の内部に全反射によって閉じ込められていた光を取り出すことができるようになり、光取り出し効率の向上を図ることができる。この場合、平坦化絶縁膜と基板との屈折率は従来のものよりも大きくなるが、基板には凹凸部が設けられているため、基板と平坦化絶縁膜との界面の全反射を回避することができる。
【０００５】
本発明においては、前記微粒子は、前記一方の電極よりも大きな屈折率を有するものとすることができる。このような材料としては、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）や酸化チタン（ＴｉＯ２）等の無機材料を好適に用いることができる。
この構成によれば、平坦化絶縁膜の屈折率を前記一方の電極の屈折率に近づけ、或いはこれを超えるような屈折率にすることができる。このように平坦化絶縁膜の屈折率を大きくすることで、より全反射を起こりにくくすることができる。
【０００６】
本発明においては、前記微粒子が含まれた部分の前記平坦化絶縁膜の平均の屈折率は、前記一方の電極の屈折率と同等かそれ以上の屈折率となるように調整されているものとすることができる。
この構成によれば、平坦化絶縁膜と前記一方の電極との界面において全反射は生じなくなる。
【０００７】
本発明においては、前記一方の電極は、表示光が出射される側の電極であるものとすることができる。
この場合、前記一方の電極は、前記平坦化絶縁膜の表面に成膜されているものとすることができる。この構成は、いわゆるボトムエミッション型の構成となる。
また、前記平坦化絶縁膜には接着層が含まれており、前記接着層を介して前記一方の電極と前記基板とが接着されているものとすることができる。この構成は、いわゆるトップエミッション型の構成となる。この構成において、前記基板は封止基板として機能することになる。
【０００８】
本発明においては、前記微粒子は、前記接着層中に含まれているものとすることができる。また、前記平坦化絶縁膜にはカラーフィルタ層が含まれており、該カラーフィルタ層中に前記微粒子が含まれているものとすることができる。この場合、前記微粒子は、前記カラーフィルタ層の着色材料を兼ねるものとすることができる。
【０００９】
本発明においては、前記一方の電極は、表示光が出射される側とは反対側の電極であり、前記平坦化絶縁膜と前記基板との間には、前記基板側に向けて出射された光を前記発光層側に反射する反射面が設けられているものとすることができる。この構成は、いわゆるトップエミッション型の構成となる。
【００１０】
本発明のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、発光層を保持する一対の電極と、前記一対の電極のうちの一方の電極が配置された基板とを備えたエレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、前記基板上に凹凸部を形成する工程と、前記凹凸部の表面に、該凹凸部を平坦化する平坦化絶縁膜を形成する工程と、前記平坦化絶縁膜の表面に前記一方の電極を配置する工程とを備え、前記平坦化絶縁膜の形成工程は、母材となる絶縁材料に該絶縁材料よりも大きな屈折率を有する微粒子を含有させ、前記母材及び前記微粒子を含む前記平坦化絶縁膜の平均の屈折率が、前記基板の屈折率よりも大きな屈折率となるように調整する工程を含むことを特徴とする。
この方法によれば、平坦化絶縁膜が高屈折率の微粒子を含むことによって、平坦化絶縁膜の平均の屈折率が大きくなるため、従来のものに比べて、電極と平坦化絶縁膜との界面の全反射条件を緩和することができる。このため、従来、電極の内部に全反射によって閉じ込められていた光を取り出すことができるようになり、光取り出し効率の向上を図ることができる。この場合、平坦化絶縁膜と基板との屈折率は従来のものよりも大きくなるが、基板には凹凸部が設けられているため、基板と平坦化絶縁膜との界面の全反射を回避することができる。
【００１１】
本発明においては、前記微粒子は、前記一方の電極よりも屈折率の大きな材料からなるものとすることができる。
この方法によれば、平坦化絶縁膜の屈折率を前記一方の電極の屈折率に近づけ、或いはこれを超えるような屈折率にすることができる。このように平坦化絶縁膜の屈折率を大きくすることで、より全反射を起こりにくくすることができる。
【００１２】
本発明においては、前記界面部分の前記平坦化絶縁膜の平均の屈折率が、前記一方の電極の屈折率よりも大きな屈折率となるように調整するものとすることができる。
この方法によれば、平坦化絶縁膜と前記一方の電極との界面において全反射は生じなくなる。
【００１３】
本発明の電子機器は、前述した本発明のエレクトロルミネッセンス装置又は前述した本発明の製造方法により製造されたエレクトロルミネッセンス装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、光取り出し効率の高いエレクトロルミネッセンス装置を備えた電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。以下の実施の形態では、ＥＬ素子を画素として基体上に配列してなるＥＬ装置（エレクトロルミネッセンス装置）、特に、発光層を有機発光材料によって形成した有機ＥＬ装置を例示して説明する。この有機ＥＬ装置は、例えば電子機器等の表示手段として好適に用いることができるものである。
【００１５】
［第１の実施の形態］
［有機ＥＬ装置］
図１は、本発明の第１実施形態の有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図である。
本実施形態の有機ＥＬ装置１００は、発光層５から発光した光（表示光）を基板２側から取り出す、いわゆるボトムエミッション型の有機ＥＬ装置である。この有機ＥＬ装置１００は、基板２の上面に、発光素子である有機ＥＬ素子１０を配設してなる構成を備えている。有機ＥＬ素子１０は、基板２の一方面（図１の上面）側に、第１電極８と、正孔輸送層６と、発光層５と、電子輸送層７と、第２電極９とを順に積層した構成となっている。本実施形態においては、第１電極８を陽極、第２電極９を陰極とするが、これらを逆にすることもできる。この場合、基板２側から、陰極、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、陽極を順に積層する構造となる。なお、正孔輸送層６、発光層５および電子輸送層７は、有機機能材料からなる機能層（有機機能層）１１を形成している。
【００１６】
図示しないが、本実施の形態の有機ＥＬ装置はアクティブマトリクス型であり、実際には複数のデータ線と複数の走査線とが格子状に配置され、これらデータ線や走査線に区画されたマトリクス状に配置された各画素毎に、スイッチングトランジスタやドライビングトランジスタ等の駆動用ＴＦＴを介して上記の有機ＥＬ素子１０が接続されている。そして、データ線や走査線を介して駆動信号が供給されると電極間に電流が流れ、有機ＥＬ素子１０が発光して基板２の外面側に光が出射され、その画素が点灯する。
【００１７】
本実施形態の場合、表示光を基板２側から取り出す構造であるので、基板２には、ガラス等の透光性基板が用いられる。また、陽極８には、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透光性導電膜が用いられる。一方、陰極９には、良好な光反射性を具備した導電膜、例えばＡｌ（アルミニウム）等の高反射率の金属膜を好適に用いることができる。この場合、陰極９は、発光層５で生じた光を陽極８側へ反射する機能を有するものとなる。なお、Ａｌの他にも、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ｃｒ（クロム）、Ｃｕ（銅）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃａ、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｓｒ、Ｙｂ（イッテルビウム）、Ｅｒ（エルビウム）、Ｔｂ（テルビウム）、Ｓｍ（サマリウム）等の金属材料、およびこれらから選択される金属材料の薄膜を複数積層した構造とすることもできる。
【００１８】
発光層５を構成し得る発光材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の高分子発光材料である、ポリフルオレン誘導体（ＰＦ）、ポリパラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリジアルキルフルオレン（ＰＤＡＦ）、ポリフルオレンベンゾチアジアゾール（ＰＦＢＴ）、ポリアルキルチオフェン（ＰＡＴ）や、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）等のポリシラン系などを好適に用いることができる。また、これらの発光材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。
【００１９】
正孔輸送層６は、陽極８から発光層５への電荷の注入効率を高めるとともに、発光層５内を移動する電子をブロッキングする機能を奏し、発光層内での電子と正孔との再結合確率を高める作用を奏する。この正孔輸送層６には、陽極８からの注入障壁が低く、正孔移動度の高い材料が好適に用いられる。このような材料としては、例えばポリチオフェン誘導体、ポリピロール誘導体など、またはそれらのドーピング体などが用いられる。具体的には、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）［商品名；バイトロン−ｐ（Bytron-p）：バイエル社製］の分散液、すなわち、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させた分散液などが用いられる。
なお、必要に応じて、陰極９から発光層５への電子注入効率を高めるとともに、正孔ブロッキング機能を有する電子輸送層７を形成してもよい。この電子輸送層７は、オキサジアゾール誘導体やＡｌｑ３などの有機材料で形成することが可能である。
【００２０】
ここで、本実施形態においては、基板２において陽極８が配置された側の面に凹凸部２Ａが設けられている。陽極８と基板２との間には、この凹凸部２Ａを平坦化する平坦化絶縁膜４が設けられており、陽極８はこの平坦化絶縁膜４の表面に配置されている。凹凸部２Ａは、平坦化絶縁膜４と基板２との界面での全反射を防止すべく設けられたものである。このように凹凸部２Ａが存在すると、基板２と平坦化絶縁膜４との界面での全反射条件が緩和されるため、平坦化絶縁膜４内に入射された光は、略全て基板２側から取り出されるようになる。また、平坦化絶縁膜４は、表示欠陥の原因となる電極表面の凹凸を平坦にする役割も兼ねている。すなわち、有機ＥＬ素子１０では、発光層５を含めた有機機能層１１の厚みが非常に薄いので、陽極８の表面に凹凸が存在すると、電極間のショートや発光むらが生じる虞がある。本実施形態では、平坦化絶縁膜４によって陽極８の表面が平坦化されるので、これらの問題は生じない。
【００２１】
この平坦化絶縁膜４には、少なくとも陽極８との界面の部分に、母材となる絶縁材料４Ａよりも大きな屈折率を有する微粒子３が含まれており、この微粒子３が含まれた前記界面部分の平坦化絶縁膜４の平均の屈折率ｎＢが、基板２の屈折率ｎＣよりも大きくなるように調整されている。
【００２２】
一般に、有機ＥＬ装置の表示側の電極（陽極）８にはＩＴＯが用いられ、基板２にはガラス基板が用いられる。これらの屈折率は、ＩＴＯが１．９５（屈折率ｎＡ；５５０ｎｍの波長を基準とする。以下同じ）、ガラス基板が１．５４（屈折率ｎＣ）であり、両者の間には大きな屈折率差が生じている。このような大きな屈折率差が存在すると、陽極８と基板２との界面で全反射が生じ易くなり、せっかく発光が生じても、そのうちの一部の光しか表示に寄与することができない。そこで、本実施形態では、陽極８と基板２との間に基板２よりも屈折率の大きな層４（屈折率ｎＢ；ｎＢ＞ｎＣ）を形成し、電極界面で生じる全反射の条件を緩和するようにしている。本実施形態の場合、平坦化絶縁膜４は、アクリル樹脂４Ａ（屈折率：１．４３）中にＺｒＯ２（酸化ジルコニウム）の無機微粒子３を５ｗｔ％程度含有させた構成となっており、アクリル樹脂４Ａと微粒子３とを含めた平均の屈折率ｎＢは１．８に調整されている。
【００２３】
なお、母材となる絶縁材料４Ａには、エポキシ樹脂（屈折率：１．４２）など、アクリル樹脂以外の樹脂材料を用いることもできる。また、良好な平坦性が得られる場合には、ＳｉＯ２（酸化シリコン）やＳｉＮ（窒化シリコン）等の無機絶縁材料を用いることも可能である。また、微粒子３としては、ＴｉＯ２（酸化チタン）等の他の高屈折率材料を用いることができる。屈折率比ｎＢ／ｎＡは、絶縁材料４Ａの含有させる微粒子３の量によって調節することができる。
【００２４】
この有機ＥＬ装置１００においては、発光層５から出射した光は、陽極８から直接的に、又は陰極９で反射されて間接的に、基板２側から取り出される。陽極８と平坦化絶縁膜４との屈折率比ｎＢ／ｎＡは９２％であるので、これらの界面では約８５％の光を平坦化絶縁膜４側に取り出すことができる。また、基板２の表面には凹凸部２Ａが形成されているので、平坦化絶縁膜４の内部で全反射して外部に取り出すことができない光は、凹凸で全反射条件を外すことによって、外部に取り出すことができるようになる。さらに、微粒子３によって光が散乱されるので、光が臨界角以上の角度で平坦化絶縁膜４に入射したとしても、基板２に入射する時点ではその多くが全反射条件から外れることになり、更に光量を増やすことができる。これらの作用により、光の取り出し効率が向上し、明るい表示が可能となる。
【００２５】
上記の構成を採用した場合の発光光率は１５ｃｄ／Ａであり、高屈折率微粒子３を混入しない従来の構成（発光光率：１０ｃｄ／Ａ）に比べて、高い発光光率が得られることが確認されている。
【００２６】
［有機ＥＬ装置の製造方法］
次に、有機ＥＬ装置１００の製造方法について説明する。
まず、ガラス基板等の透光性の基板２を用意し、フッ酸処理等により、基板２の表面に高さ０．０１μｍ〜０．５μｍのランダムな凹凸を多数形成する。凹凸は、フッ酸処理以外の処理により形成することもできる。これらの凹凸によって、基板２の表面に凹凸部２Ａが形成される。
【００２７】
次に、アクリル樹脂４Ａを主体とする絶縁材料を基板２の表面に塗布し、凹凸部２Ａを平坦化する平坦化絶縁膜４を形成する。アクリル樹脂４Ａには、予め高屈折率材料であるＺｒＯ２の微粒子３を５ｗｔ％程度混入し、平坦化絶縁膜４の平均の屈折率ｎＢが基板２の屈折率ｎＣよりも大きくなるように調整しておく。この際、陽極８との屈折率比ｎＢ／ｎＡが０．８以上、より好ましくは、１以上となるように調整することが望ましい。屈折率比ｎＢ／ｎＡは、微粒子３の混入量によって調整することができる。なお、微粒子３としては、ＴｉＯ２等の他の高屈折率材料を用いることも可能である。
【００２８】
次に、平坦化絶縁膜４の表面に、スパッタ等によりＩＴＯ等の透光性導電膜を成膜し、これをパターニングすることにより、陽極８を形成する。
次に、陽極８の表面に、正孔輸送層６、発光層５、電子輸送層７を順に形成する。これらの層は、蒸着法やインクジェット法等により形成することができる。インクジェット法を用いる場合には、インクの濡れ広がりを防ぐために、予めバンクと呼ばれる土手構造を陽極８の周囲に形成しておくことが望ましい。正孔輸送層６、発光層５、電子輸送層７により、有機機能層１１が形成される。
【００２９】
次に、この有機機能層１１の表面に、スパッタ等によりＡｌ等からなる陰極９を形成する。ＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型の有機ＥＬ装置においては、陰極９のパターニングは不要である。このような陰極９は、各陽極８に対して共通の共通電極となる。
陰極９の表面には、必要に応じて封止部材を設けることができる。封止部材で陰極全体を封止することによって、有機ＥＬ素子１０の内部に、水分や酸素等が浸入することを防止することができる。
以上により、有機ＥＬ装置１００が完成する。
【００３０】
［実施例］
本発明者は、本発明の効果を実証するために、従来構成の有機ＥＬ装置（比較例）と本発明の有機ＥＬ装置（実施例）とで表示の明るさを比較した。表１は、上記実施形態の構成と同じ構成の有機ＥＬ装置において、陽極８の屈折率ｎＡを一定として（屈折率ｎＡ：２．０）、平坦化絶縁膜４の屈折率ｎＢを変化させて光取り出し効率をシミュレーションした結果を示している。このシミュレーションにおいては、基板２をガラス基板（屈折率ｎＣ：１．５４）とし、平坦化絶縁膜の母材をアクリル樹脂（屈折率：１．４３）としている。また、実施例に係る有機ＥＬ装置には、高屈折率微粒子３としてＺｒＯ２を混入し、比較例に係る有機ＥＬ装置には、高屈折率微粒子３を混入させない構成としている。
【００３１】
【表１】
【００３２】
表１からわかるように、陽極８と平坦化絶縁膜４との屈折率比が０．８以上であれば、６０％以上の光を平坦化絶縁膜４側に取り出すことができる。この効率は、従来の構成と比較すると２倍以上高く、同じ光量を出力する場合には、寿命が３倍以上延びることを意味する。特に、平坦化絶縁膜の平均の屈折率ｎＢが陽極８の屈折率ｎＡと同等かそれ以上の屈折率となるように調整されている場合には（ｎＢ≧ｎＡ）、光は、低屈折率材料である陽極８から高屈折率材料である平坦化絶縁膜４に入射することになるため、平坦化絶縁膜４との界面では全反射は生じない。したがって、陽極８を透過した光は全て平坦化絶縁膜４に入射されることになり、光の取り出し効率は１となる。
【００３３】
このように、本実施形態の有機ＥＬ装置においては、平坦化絶縁膜４として、基板２よりも高い屈折率と光散乱性とを兼ね備えた絶縁膜を用いているので、光の取り出し効率が大きく向上し、明るい表示が得られるようになる。
【００３４】
［第２の実施の形態］
図２は、本発明の第２実施形態の有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図である。
本実施形態の有機ＥＬ装置２００は、発光層５から発光した光（表示光）を基板２とは反対側から取り出す、いわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ装置である。この有機ＥＬ装置２００の基本的な構成は、第１実施形態の有機ＥＬ装置１００と同じである。異なるのは、陰極９を透光性導電膜とした点と、平坦化絶縁膜４と基板２との間に、基板２側に向けて出射された光を発光層５側に反射する反射膜１２を設けた点のみである。このため、第１実施形態と同様の構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００３５】
本実施形態の場合、表示光を陰極９側から取り出す構成であるので、陰極９には、ＩＴＯ等の透光性導電膜が用いられる。陽極８に関しては、その基板２側に反射膜１２が設けられているので、第１実施形態と同様にＩＴＯ等の透光性導電膜が用いられる。基板２としては、ガラス等の透明基板のほか、不透明基板も用いることができる。不透明基板としては、例えばアルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、また熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、さらにはそのフィルム（プラスチックフィルム）などが挙げられる。
【００３６】
基板２の表面には、ランダムな凹凸が多数形成された凹凸部２Ａが設けられており、この凹凸部２Ａの表面には、平坦化絶縁膜４が設けられている。平坦化絶縁膜４は、第１実施形態のものと同様に、母材となる絶縁材料４Ａ中に、これよりも大きな屈折率を有する微粒子３が含まれた構成となっている。本実施形態の場合、平坦化絶縁膜４は、エポキシ樹脂４Ａ中にＴｉＯ２の無機微粒子３を３ｗｔ％含有させた構成となっており、樹脂４Ａと微粒子３とを含めた平均の屈折率ｎＢは１．８に調整されている。陽極８としては、屈折率ｎＡが２．０のＩＴＯ膜を用いており、陽極８と平坦化絶縁膜４との屈折率比ｎＢ／ｎＡは０．９となっている。なお、絶縁材料４Ａと微粒子３の材料は適宜変更することができる。
【００３７】
平坦化絶縁膜４と基板２との間には、Ａｌ（アルミニウム）やＡｇ（銀）等からなる反射膜１２が設けられている。この反射膜１２は、発光層５から基板２側に出射された光を陰極９側に反射する反射面を構成する。なお、基板２自体が光反射性を有する場合、例えば基板２がアルミニウム基板等からなる場合には、光反射膜１２を省略することもできる。この場合、基板２自体が反射面を構成することになる。
【００３８】
この有機ＥＬ装置２００においては、発光層５から基板２側に出射された光は、陽極８、平坦化絶縁膜４を透過した後、反射膜１２に到達し、この反射膜１２で反射されて陰極９側から取り出される。陽極８と平坦化絶縁膜４の屈折率比ｎＢ／ｎＡは９０％であるので、これらの界面では、約８０％の光を平坦化絶縁膜４側に取り出すことができる。また、基板２の表面には凹凸部２Ａが形成されているので、平坦化絶縁膜４の内部で全反射して外部に取り出すことができない光は、凹凸で全反射条件を外すことによって、外部に取り出すことができるようになる。さらに、微粒子３によって光が散乱されるので、光が臨界角以上の角度で平坦化絶縁膜４に入射したとしても、基板２に入射する時点ではその多くが全反射条件から外れることになり、更に光量を増やすことができる。これらの作用により、光の取り出し効率が向上し、明るい表示が可能となる。
【００３９】
上記の構成を採用した場合の発光光率は１３ｃｄ／Ａであり、高屈折率微粒子３を混入しない従来の構成（発光光率：８ｃｄ／Ａ）に比べて、高い発光光率が得られることが確認されている。
なお、本実施形態では、ｎＢ＜ｎＡであったが、より取り出し効率を上げるには、ｎＢ≧ｎＡであることが好ましい。
【００４０】
［第３の実施の形態］
図３は、本発明の第３実施形態の有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図である。
本実施形態の有機ＥＬ装置３００は、発光層５から発光した光（表示光）を基板２とは反対側から取り出す、いわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ装置である。この有機ＥＬ装置３００において、第１実施形態と同様の構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００４１】
有機ＥＬ装置３００は、基板２の上面に、有機ＥＬ素子１０を配設してなる構成を備えている。有機ＥＬ素子１０は、基板２の一方面（図１の上面）側に、第１電極８と、正孔輸送層６と、発光層５と、電子輸送層７と、第２電極９とを順に積層した構成となっている。本実施形態においては、第１電極８を陽極、第２電極９を陰極とするが、これらを逆にすることもできる。この場合、基板２側から、陰極、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、陽極を順に積層する構造となる。なお、正孔輸送層６、発光層５および電子輸送層７は、有機機能材料からなる有機機能層１１を形成している。
【００４２】
本実施形態の場合、表示光を陰極９側から取り出す構造であるので、陰極９には、ＩＴＯ等の透光性導電膜が用いられる。一方、陽極８には、良好な光反射性を具備した導電膜、例えばＡｌ等の高反射率の金属膜を好適に用いることができる。この場合、陽極８は、発光層５で生じた光を陰極９側へ反射する機能を有するものとなる。なお、Ａｌの他にも、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ｃｒ（クロム）、Ｃｕ（銅）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃａ、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｓｒ、Ｙｂ（イッテルビウム）、Ｅｒ（エルビウム）、Ｔｂ（テルビウム）、Ｓｍ（サマリウム）等の金属材料、およびこれらから選択される金属材料の薄膜を複数積層した構造とすることもできる。
【００４３】
基板２としては、ガラス等の透明基板のほか、不透明基板も用いることができる。不透明基板としては、例えばアルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、また熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、さらにはそのフィルム（プラスチックフィルム）などが挙げられる
発光層５、正孔輸送層６、電子輸送層７については、第１実施形態と同様である。
【００４４】
陰極９の表面には、接着層４０を介して基板１３が接着されている。接着層４０は表示領域全体にベタで形成されており、この接着層４０及び基板１３によって有機ＥＬ素子１０が封止されている。
【００４５】
基板１３において陰極９が配置された側の面には、凹凸部１３Ａが設けられている。凹凸部１３Ａは、接着層４０と基板１３との界面での全反射を防止すべく設けられたものである。このように凹凸部１３Ａが存在すると、基板１３と接着層４０との界面での全反射条件が緩和されるため、接着層４０内に入射された光は、略全て基板１３側から取り出されるようになる。接着層４０は、凹凸部１３Ａを埋めて基板１３の表面を平坦化しており、本発明の平坦化絶縁膜として機能する。
【００４６】
接着層４０には、少なくとも陰極９との界面の部分に、母材となる絶縁材料４０Ａよりも大きな屈折率を有する微粒子３０が含まれており、この微粒子３０が含まれた前記界面部分の接着層４０の平均の屈折率ｎＢが、基板１３の屈折率ｎＣよりも大きくなるように調整されている。本実施形態の場合、接着層４０は、アクリル樹脂４０Ａ中にＺｒＯ２の微粒子３０を５ｗｔ％程度含有させた構成となっており、アクリル樹脂４０Ａと微粒子３０とを含めた平均の屈折率ｎＢは１．８に調整されている。陰極９としては、屈折率ｎＡが２．０のＩＴＯ膜を用いており、陰極９と接着層４０との屈折率比ｎＢ／ｎＡは０．９となっている。
【００４７】
なお、母材となる絶縁材料４０Ａには、エポキシ樹脂など、アクリル樹脂以外の樹脂材料を用いることもできる。また、良好な平坦性が得られる場合には、ＳｉＯ２やＳｉＮ等の無機絶縁材料を用いることも可能である。また、微粒子３０としては、ＴｉＯ２等の他の高屈折率材料を用いることができる。屈折率比ｎＢ／ｎＡは、絶縁材料４０Ａの含有させる微粒子３０の量によって調節することができる。
【００４８】
この有機ＥＬ装置３００においては、発光層５から出射した光は、陰極９から直接的に、又は陽極８で反射されて間接的に、基板１３側から取り出される。陰極９と接着層４０との屈折率比ｎＢ／ｎＡは９０％であるので、これらの界面では約８０％の光を接着層４０側に取り出すことができる。また、基板１３の表面には凹凸部１３Ａが形成されているので、接着層４０の内部で全反射して外部に取り出すことができない光は、凹凸で全反射条件を外すことによって、外部に取り出すことができるようになる。さらに、微粒子３０によって光が散乱されるので、光が臨界角以上の角度で接着層４０に入射したとしても、基板１３に入射する時点ではその多くが全反射条件から外れることになり、更に光量を増やすことができる。これらの作用により、光の取り出し効率が向上し、明るい表示が可能となる。
【００４９】
上記の構成を採用した場合の発光光率は１４．５ｃｄ／Ａであり、高屈折率微粒子３０を混入しない従来の構成（発光光率：９ｃｄ／Ａ）に比べて、高い発光光率が得られることが確認されている。
【００５０】
［有機ＥＬ装置の製造方法］
次に、有機ＥＬ装置３００の製造方法について説明する。
まず、ガラス基板等の透光性の基板１３を用意し、フッ酸処理等により、基板１３の表面に高さ０．０１μｍ〜０．５μｍのランダムな凹凸を多数形成する。凹凸は、フッ酸処理以外の処理により形成することもできる。これらの凹凸によって、基板１３の表面に凹凸部１３Ａが形成される。
【００５１】
次に、アクリル樹脂４０Ａを主体とする絶縁材料を基板２の表面に塗布し、有機ＥＬ素子１０が形成された基板２と接着する。有機ＥＬ素子１０は、第１実施形態と同様の手順によって形成することができる。ただし、陰極９は、光透過性を有していなければならないので、ＩＴＯ等の透光性導電材料によって形成される。
【００５２】
接着層４０は、少なくとも有機ＥＬ素子１０が配置される表示領域の全面に塗布されるようにする。アクリル樹脂４０Ａには、予め高屈折率材料であるＺｒＯ２の微粒子３０を５ｗｔ％程度混入し、接着層４０の平均の屈折率ｎＢが基板１３の屈折率ｎＣよりも大きくなるように調整しておく。この際、陰極９との屈折率比ｎＢ／ｎＡが０．８以上、より好ましくは、１以上となるように調整することが望ましい。屈折率比ｎＢ／ｎＡは、微粒子３０の混入量によって調整することができる。なお、微粒子３０としては、ＴｉＯ２等の他の高屈折率材料を用いることも可能である。
【００５３】
接着層４０は、流動性が高いため、基板１３の凹凸部１３Ａを埋めるように凹凸内に隙間なく配置される。また、接着の過程で、陰極９の表面全体に広がり、陰極９側の面が平坦化される。接着層４０及び基板１２が陰極９上に配置されたら、接着層４０を熱硬化或いは紫外線硬化等により硬化する。
以上により、有機ＥＬ素子１０が基板１３によって封止され、有機ＥＬ装置３００が完成する。
【００５４】
［第４の実施の形態］
図４は、本発明の第４実施形態の有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図である。
本実施形態の有機ＥＬ装置４００は、発光層５から発光した光（表示光）を基板２とは反対側から取り出す、いわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ装置である。この有機ＥＬ装置５００の基本的な構成は第３実施形態の有機ＥＬ装置３００と同じである。異なるのは、基板１３と接着層４０との間にカラーフィルタ層１４を設けた点のみである。このため、第３実施形態と同様の構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００５５】
本実施形態の場合、基板１３と陰極９との間には、カラーフィルタ層１４と接着層４０とが介在されており、これらが一体となって本発明の平坦化絶縁膜を構成する。図４では、基板１３の凹凸部１３Ａがカラーフィルタ層１４のみによって平坦化されているが、凹凸部１３Ａは、カラーフィルタ層１４と接着層４０の双方で平坦化されるようにしてもよい。
接着層４０は表示領域全体にベタで形成されており、この接着層４０と、カラーフィルタ層１４を含む基板１３とによって有機ＥＬ素子１０が封止されている。
【００５６】
接着層４０には、少なくとも陰極９との界面の部分に、母材となる絶縁材料４０Ａよりも大きな屈折率を有する微粒子３０が含まれており、この微粒子３０を含む平坦化絶縁膜の平均の屈折率が、基板１３の屈折率（屈折率ｎＣ：１．５４）よりも大きくなるように調整されている。本実施形態の場合、接着層４０は、アクリル樹脂４０Ａ中にＺｒＯ２の微粒子３０を７ｗｔ％程度含有させた構成となっており、アクリル樹脂４０Ａと微粒子３０とを含めた平均の屈折率ｎＢは１．８５に調整されている。陰極９としては、屈折率ｎＡが２．０のＩＴＯ膜を用いており、陰極９と接着層４０との屈折率比ｎＢ／ｎＡは０．９２となっている。また、カラーフィルタ層１４の平均の屈折率ｎＤは１．８１であり、接着層４０との屈折率比ｎＤ／ｎＢは９７％となっている。なお、絶縁材料４０Ａと微粒子３０の材料は適宜変更することができる。
【００５７】
なお、カラーフィルタ層１４は、母材となるアクリル樹脂等の絶縁材料中に着色材料である顔料分子等が分散された構造を有しており、基本的な構造は接着層４０と同じである。このため、カラーフィルタ層１４の着色材料と接着層４０の微粒子３０の材料とを共通化し、且つカラーフィルタ層１４の絶縁材料と接着層４０の絶縁材料４０Ａとを共通化することで、これらを一体的に形成することができる。この場合、カラーフィルタ層は、着色機能と接着機能とをそれぞれ機能負担した複数の層によって形成されることになる。
【００５８】
この有機ＥＬ装置４００においては、発光層５から出射した光は、陰極９から直接的に、又は陽極８で反射されて間接的に、基板１３側から取り出される。陰極９と接着層４０との屈折率比ｎＢ／ｎＡは９２％であるので、これらの界面では約８５％の光を接着層４０側に取り出すことができる。また、接着層４０とカラーフィルタ層１４との屈折率比ｎＤ／ｎＢは９７％であるので、これらの界面では９０％以上の光をカラーフィルタ層１４側に取り出すことができる。また、基板１３の表面には凹凸部１３Ａが形成されているので、カラーフィルタ層１４の内部で全反射して外部に取り出すことができない光は、凹凸で全反射条件を外すことによって、外部に取り出すことができるようになる。さらに、微粒子３０によって光が散乱されるので、光が臨界角以上の角度で接着層４０に入射したとしても、カラーフィルタ層１４に入射する時点ではその多くが全反射条件から外れることになり、更に光量を増やすことができる。これらの作用により、光の取り出し効率が向上し、明るい表示が可能となる。
【００５９】
上記の構成を採用した場合の発光光率は８．１ｃｄ／Ａであり、高屈折率微粒子３０を混入しない従来の構成（発光光率：５ｃｄ／Ａ）に比べて、高い発光光率が得られることが確認されている。
なお、本実施形態では、ｎＤ＜ｎＢ＜ｎＡであったが、より取り出し効率を上げるには、ｎＤ≧ｎＢ≧ｎＡであることが好ましい。
【００６０】
［第５の実施の形態］
図５は、本発明の第５実施形態の有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図である。
本実施形態の有機ＥＬ装置５００は、発光層５から発光した光（表示光）を基板２とは反対側から取り出す、いわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ装置である。この有機ＥＬ装置５００の基本的な構成は第４実施形態の有機ＥＬ装置４００と同じである。異なるのは、カラーフィルタ層１４と接着層４０との間にオーバーコート層１５を設けた点のみである。このため、第４実施形態と同様の構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００６１】
本実施形態の場合、基板１３と陰極９との間には、カラーフィルタ層１４とオーバーコート層１５と接着層４０とが介在されており、これらが一体となって本発明の平坦化絶縁膜を構成する。図５では、基板１３の凹凸部１３Ａがカラーフィルタ層１４のみによって平坦化されているが、凹凸部１３Ａは、カラーフィルタ層１４とオーバーコート層１５の２層、或いはカラーフィルタ層１４から接着層４０までの３層で平坦化されるようにしてもよい。
接着層４０は表示領域全体にベタで形成されており、この接着層４０と、オーバーコート層１５及びカラーフィルタ層１４を含む基板１３とによって有機ＥＬ素子１０が封止されている。
【００６２】
接着層４０には、少なくとも陰極９との界面の部分に、母材となる絶縁材料４０Ａよりも大きな屈折率を有する微粒子３０が含まれており、この微粒子３０を含む平坦化絶縁膜の平均の屈折率が、基板１３の屈折率（屈折率ｎＣ：１．５４）よりも大きくなるように調整されている。本実施形態の場合、接着層４０は、アクリル樹脂４０Ａ中にＺｒＯ２の微粒子３０を７ｗｔ％程度含有させた構成となっており、アクリル樹脂４０Ａと微粒子３０とを含めた平均の屈折率ｎＢは１．８５に調整されている。陰極９としては、屈折率ｎＡが２．０のＩＴＯ膜を用いており、陰極９と接着層４０との屈折率比ｎＢ／ｎＡは０．９２となっている。オーバーコート層１５の屈折率ｎＥは接着層４０の屈折率ｎＢと同じであり、屈折率比ｎＥ／ｎＢは１となっている。また、カラーフィルタ層１４の平均の屈折率ｎＤは１．８１であり、オーバーコート層１５との屈折率比ｎＤ／ｎＥは９７％となっている。なお、絶縁材料４０Ａと微粒子３０の材料は適宜変更することができる。
【００６３】
なお、カラーフィルタ層１４は、母材となるアクリル樹脂等の絶縁材料中に着色材料である顔料分子等が分散された構造を有しており、基本的な構造は接着層４０と同じである。このため、カラーフィルタ層１４の着色材料と接着層４０の微粒子３０の材料とを共通化し、且つカラーフィルタ層１４の絶縁材料と接着層４０の絶縁材料４０Ａとを共通化することで、これらを一体的に形成することができる。また、オーバーコート層１５をカラーフィルタ層１４と同じ母材材料で形成すれば、カラーフィルタ層１４から接着層４０までの３層を一体的に形成することも可能である。これらの場合、カラーフィルタ層は、着色機能、オーバーコートとしての機能、及び接着機能をそれぞれ機能負担した複数の層によって形成されることになる。
【００６４】
この有機ＥＬ装置５００においては、発光層５から出射した光は、陰極９から直接的に、又は陽極８で反射されて間接的に、基板１３側から取り出される。陰極９と接着層４０との屈折率比ｎＢ／ｎＡは９２％であるので、これらの界面では約８５％の光を接着層４０側に取り出すことができる。また、接着層４０とオーバーコート層１５の屈折率は同じいであり、カラーフィルタ層１４との屈折率比ｎＤ／ｎＥは９７％であるので、これらの界面では９０％以上の光をカラーフィルタ層１４側に取り出すことができる。また、基板１３の表面には凹凸部１３Ａが形成されているので、カラーフィルタ層１４の内部で全反射して外部に取り出すことができない光は、凹凸で全反射条件を外すことによって、外部に取り出すことができるようになる。さらに、微粒子３０によって光が散乱されるので、光が臨界角以上の角度で接着層４０に入射したとしても、カラーフィルタ層１４に入射する時点ではその多くが全反射条件から外れることになり、更に光量を増やすことができる。これらの作用により、光の取り出し効率が向上し、明るい表示が可能となる。
【００６５】
上記の構成を採用した場合の発光光率は８．１ｃｄ／Ａであり、高屈折率微粒子３０を混入しない従来の構成（発光光率：５ｃｄ／Ａ）に比べて、高い発光光率が得られることが確認されている。
なお、本実施形態では、ｎＤ＜ｎＥ＝ｎＢ＜ｎＡであったが、より取り出し効率を上げるには、ｎＤ≧ｎＥ≧ｎＢ≧ｎＡであることが好ましい。
【００６６】
［電子機器］
上記実施の形態の有機ＥＬ装置を備えた電子機器の例について説明する。
図６は、携帯電話の一例を示した斜視図である。同図に示す携帯電話機１３００は、複数の操作ボタン１３０２と、受話口１３０３と、送話口１３０４と、先の実施形態の有機ＥＬ装置からなる表示部１３０１とを備えている。この携帯電話機１３００によれば、上記実施の形態の有機ＥＬ装置を備えているので、表示品位に優れ、明るい画面の有機ＥＬ表示部を備えた電子機器を実現することができる。
なお、本発明における有機ＥＬ装置を備えた電子機器としては、上記のものに限らず、他に例えば、デジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、テレビ、携帯用テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ＰＤＡ、携帯用ゲーム機、ページャ、電子手帳、電卓、時計、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器などを挙げることができる。また、本発明における有機ＥＬ装置を備えた電子機器として、車載用オーディオ機器や自動車用計器、カーナビゲーション装置等の車載用ディスプレイを挙げることもできる。さらに、前記有機ＥＬ装置は、ラインプリンタの露光手段等、表示装置以外の電子機器にも広く適用可能である。
【００６７】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。また、上記の実施形態の構成は一例であり、これらの構成を必要に応じて組み合わせることも可能である。例えば、第２実施形態の構成と、第３実施形態〜第５実施形態の構成とを組み合わせることで、陽極８と陰極９の双方からの光取り出し効率が向上し、より明るい表示を実現可能となる。また、上記実施形態では、発光層に有機発光材料を用いた有機ＥＬ装置を例に挙げて説明したが、発光層を無機材料を用いた無機ＥＬ装置に本発明を適用することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図である。
【図２】第２実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図である。
【図３】第３実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図である。
【図４】第４実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図である。
【図５】第５実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図である。
【図６】上記有機ＥＬ装置を備えた電子機器の一例を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００６９】
２…基板、２Ａ…凹凸部、３…微粒子、４…平坦化絶縁膜、４Ａ…絶縁材料、５…発光層、８…陽極（第１電極）、９…陰極（第２電極）、１２…反射膜、１３…基板、１３Ａ…凹凸部、１４…カラーフィルタ層、３０…微粒子、４０…接着層、４０Ａ…絶縁材料、１３００…携帯電話機（電子機器）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光層を保持する一対の電極と、
前記一対の電極のうちの一方の電極が配置された基板と、
前記基板において前記一方の電極が配置された側の面に設けられた凹凸部と、
前記一方の電極と前記基板との間に介在し、前記凹凸部を平坦化する平坦化絶縁膜とを備え、
前記平坦化絶縁膜には、母材となる絶縁材料よりも大きな屈折率を有する微粒子が含まれており、前記微粒子を含む前記平坦化絶縁膜の平均の屈折率が、前記基板の屈折率よりも大きくなるように調整されていることを特徴とする、エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項２】
前記微粒子は、前記一方の電極よりも大きな屈折率を有することを特徴とする、請求項１記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項３】
前記微粒子が含まれた部分の前記平坦化絶縁膜の平均の屈折率は、前記一方の電極の屈折率と同等かそれ以上の屈折率となるように調整されていることを特徴とする、請求項２記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項４】
前記一方の電極は、表示光が出射される側の電極であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかの項に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項５】
前記一方の電極は、前記平坦化絶縁膜の表面に成膜されていることを特徴とする、請求項４記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項６】
前記平坦化絶縁膜には接着層が含まれており、前記接着層を介して前記一方の電極と前記基板とが接着されていることを特徴とする、請求項４記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項７】
前記微粒子は、前記接着層中に含まれていることを特徴とする、請求項６記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項８】
前記平坦化絶縁膜にはカラーフィルタ層が含まれており、該カラーフィルタ層中に前記微粒子が含まれていることを特徴とする、請求項５又は６記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項９】
前記微粒子は、前記カラーフィルタ層の着色材料を兼ねることを特徴とする、請求項８記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項１０】
前記一方の電極は、表示光が出射される側とは反対側の電極であり、前記平坦化絶縁膜と前記基板との間には、前記基板側に向けて出射された光を前記発光層側に反射する反射面が設けられていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかの項に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項１１】
発光層を保持する一対の電極と、前記一対の電極のうちの一方の電極が配置された基板とを備えたエレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
前記基板上に凹凸部を形成する工程と、
前記凹凸部の表面に、該凹凸部を平坦化する平坦化絶縁膜を形成する工程と、
前記平坦化絶縁膜の表面に前記一方の電極を配置する工程とを備え、
前記平坦化絶縁膜の形成工程は、母材となる絶縁材料に該絶縁材料よりも大きな屈折率を有する微粒子を含有させ、前記母材及び前記微粒子を含む前記平坦化絶縁膜の平均の屈折率が、前記基板の屈折率よりも大きな屈折率となるように調整する工程を含むことを特徴とする、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項１２】
前記微粒子は、前記一方の電極よりも屈折率の大きな材料からなることを特徴とする、請求項１１記載のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項１３】
前記平坦化絶縁膜の平均の屈折率が、前記一方の電極の屈折率よりも大きな屈折率となるように調整することを特徴とする、請求項１２記載のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１〜１０のいずれかの項に記載のエレクトロルミネッセンス装置又は請求項１１〜１３のいずれかの項に記載の製造方法により製造されたエレクトロルミネッセンス装置を備えたことを特徴とする、電子機器。
【請求項１】
発光層を保持する一対の電極と、
前記一対の電極のうちの一方の電極が配置された基板と、
前記基板において前記一方の電極が配置された側の面に設けられた凹凸部と、
前記一方の電極と前記基板との間に介在し、前記凹凸部を平坦化する平坦化絶縁膜とを備え、
前記平坦化絶縁膜には、母材となる絶縁材料よりも大きな屈折率を有する微粒子が含まれており、前記微粒子を含む前記平坦化絶縁膜の平均の屈折率が、前記基板の屈折率よりも大きくなるように調整されていることを特徴とする、エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項２】
前記微粒子は、前記一方の電極よりも大きな屈折率を有することを特徴とする、請求項１記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項３】
前記微粒子が含まれた部分の前記平坦化絶縁膜の平均の屈折率は、前記一方の電極の屈折率と同等かそれ以上の屈折率となるように調整されていることを特徴とする、請求項２記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項４】
前記一方の電極は、表示光が出射される側の電極であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかの項に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項５】
前記一方の電極は、前記平坦化絶縁膜の表面に成膜されていることを特徴とする、請求項４記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項６】
前記平坦化絶縁膜には接着層が含まれており、前記接着層を介して前記一方の電極と前記基板とが接着されていることを特徴とする、請求項４記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項７】
前記微粒子は、前記接着層中に含まれていることを特徴とする、請求項６記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項８】
前記平坦化絶縁膜にはカラーフィルタ層が含まれており、該カラーフィルタ層中に前記微粒子が含まれていることを特徴とする、請求項５又は６記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項９】
前記微粒子は、前記カラーフィルタ層の着色材料を兼ねることを特徴とする、請求項８記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項１０】
前記一方の電極は、表示光が出射される側とは反対側の電極であり、前記平坦化絶縁膜と前記基板との間には、前記基板側に向けて出射された光を前記発光層側に反射する反射面が設けられていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかの項に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項１１】
発光層を保持する一対の電極と、前記一対の電極のうちの一方の電極が配置された基板とを備えたエレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
前記基板上に凹凸部を形成する工程と、
前記凹凸部の表面に、該凹凸部を平坦化する平坦化絶縁膜を形成する工程と、
前記平坦化絶縁膜の表面に前記一方の電極を配置する工程とを備え、
前記平坦化絶縁膜の形成工程は、母材となる絶縁材料に該絶縁材料よりも大きな屈折率を有する微粒子を含有させ、前記母材及び前記微粒子を含む前記平坦化絶縁膜の平均の屈折率が、前記基板の屈折率よりも大きな屈折率となるように調整する工程を含むことを特徴とする、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項１２】
前記微粒子は、前記一方の電極よりも屈折率の大きな材料からなることを特徴とする、請求項１１記載のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項１３】
前記平坦化絶縁膜の平均の屈折率が、前記一方の電極の屈折率よりも大きな屈折率となるように調整することを特徴とする、請求項１２記載のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１〜１０のいずれかの項に記載のエレクトロルミネッセンス装置又は請求項１１〜１３のいずれかの項に記載の製造方法により製造されたエレクトロルミネッセンス装置を備えたことを特徴とする、電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２００６−２９４４９１（Ｐ２００６−２９４４９１Ａ）
【公開日】平成１８年１０月２６日（２００６．１０．２６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−１１５５０９（Ｐ２００５−１１５５０９）
【出願日】平成１７年４月１３日（２００５．４．１３）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１０月２６日（２００６．１０．２６）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年４月１３日（２００５．４．１３）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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