サブフタロシアニン誘導体及びその製造方法
【課題】溶解性が高いサブフタロシアニン誘導体及びその製造方法の提供。
【解決手段】フタロニトリル誘導体とホウ素化合物を反応させて製造される下記一般式（１）で表されるサブフタロシアニン誘導体。
（式中，R1，R2，R3，R4，R5，R6，R7，R8，R9，R10，R11，及びR12はそれぞれ独立にフッ素原子は少なくとも１つ含むアルキル基；アルケニル基；又はアルキニル基を示し，R1乃至R12のうち隣接する２つの基は一緒になって置換基を有していてもよい５乃至７員環を形成してもよく;Ｘはハロゲン原子，水酸基，シリロキシ基，アルコキシ基，置換基を有していても良いアリールオキシ基，カルボキシ基を示す。）
【解決手段】フタロニトリル誘導体とホウ素化合物を反応させて製造される下記一般式（１）で表されるサブフタロシアニン誘導体。
（式中，R1，R2，R3，R4，R5，R6，R7，R8，R9，R10，R11，及びR12はそれぞれ独立にフッ素原子は少なくとも１つ含むアルキル基；アルケニル基；又はアルキニル基を示し，R1乃至R12のうち隣接する２つの基は一緒になって置換基を有していてもよい５乃至７員環を形成してもよく;Ｘはハロゲン原子，水酸基，シリロキシ基，アルコキシ基，置換基を有していても良いアリールオキシ基，カルボキシ基を示す。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、サブフタロシアニン誘導体及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
フタロシアニンは青・緑色の顔料として利用されてきた。その優れた物理学的な性質から，電荷発生材，光磁気ディスク用色素として利用されている機能性色素である。さらに光線力学的治療の光増感剤，非線型光学材料等，さまざまな分野での応用が期待されている。フタロシアニン誘導体は一般的に有機溶媒への溶解性が悪いとの問題を抱える。また，フタロシアニン誘導体として，サブフタロシアニンがある。サブフタロシアニンはホウ素が配位したフタロシアニンの合成を試みた際に，紫色の化合物が生成されているのに気付き，存在が確認された化合物である。フタロシアニンは様々な機能性材料，光線力学的治療剤として注目され，様々な研究が為されており，サブフタロシアニンにも同等の機能を有することが知られている（非特許文献１）。しかし，フタロシアニン同様，その溶解性は非常に悪く，材料としての加工，薬剤としての投与の面で問題が残っている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００３】
【非特許文献１】Claessens, C. G.; GOnzalez-Rodriguez, D.; Torres, T. Chem. Rev. 2002, 102, 835.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は上記点に鑑みて，溶解性が高いサブフタロシアニン誘導体及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するため、発明者らはサブフタロシアニンの置換基としてフルオロアルコキシ基を導入することで，その物理的性質を大きく向上させることに成功した。すなわち請求項１に記載の発明は，下記一般式（１）で表されるサブフタロシアニン誘導体である。
【０００６】
【化１】
【０００７】
（式中，R1，R2，R3，R4，R5，R6，R7，R8，R9，R10，R11，及びR12はそれぞれ独立にフッ素原子は少なくとも１つ含むアルキル基；アルケニル基；又はアルキニル基を示し，R1乃至R12のうち隣接する２つの基は一緒になって置換基を有していてもよい５乃至７員環を形成してもよく;Ｘはハロゲン原子，水酸基，シリロキシ基，アルコキシ基，置換基を有していても良いアリールオキシ基，カルボキシ基を示す。）
請求項２に記載の発明は，前記のサブフタロシアニン誘導体の製造方法であって，下記一般式（２）で表されるフタロニトリル誘導体と下記一般式（３）で表されるホウ素化合物を反応させる工程を備えることを特徴とする製造方法である。
【０００８】
【化２】
【０００９】
（式中，R1，R2，R3，及びR4は式（１）記載の通りである。）
【００１０】
【化３】
【００１１】
（式中，X1,X2,及びX3はハロゲン原子，水酸基，シリロキシ基，アルコキシ基，置換基を有していても良いアリールオキシ基を示す。）
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本明細書において，R1，R2，R3，R4，R5，R6，R7，R8，R9，R10，R11，及びR12が示すフッ素原子は少なくとも１つ含むアルキル基としては，例えば，炭素数１乃至２０程度のアルキル基を用いることができる。具体的には，メチル基，エチル基，プロピル基，ブチル基，ブチル基，ブチル基，ブチル基，ブチル基，プロピル基，ｎ−ペンチル基，ｎ−ヘキシル基，シクロヘキシル基ヘプチル基，オクチル基，ノニル基，デシル基，ウンデシル基，ドデシル基，トリデシル基，テトラデシル基，ペンタデシル基，ヘキサデシル基，ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基，イコシル基，又はこれらの環状アルキル基，分鎖アルキル基などを用いることができる。
【００１３】
R1，R2，R3，R4，R5，R6，R7，R8，R9，R10，R11，及びR12が示すフッ素原子は少なくとも１つ含むアルケニル基又はアルキニル基に含まれる不飽和結合の数は特に限定されないが，好ましくは１乃至２個程度である。該アルケニル基又はアルキニル基は，直鎖状又は分枝鎖状のいずれでもよい。
【００１４】
請求項１のX，請求項２のX1,X2,及びX3が示すハロゲン原子はフッ素原子，塩素原子，臭素原子，又はヨウ素原子のいずれでもよい。
【００１５】
請求項１のX，請求項２のX1,X2,及びX3が示すシリロキシ基としては，例えばアルキル基，又はアリール基を有するシリロキシ基を用いることができる。具体的には，トリメチルシリロキシ基，トリエチルシリロキシ基，ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリロキシ基，トリイソプロピルシリロキシ基，ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリロキシ基などが挙げることができる。
【００１６】
請求項１のX，請求項２のX1,X2,及びX3が示すアルコキシ基としては，例えば，炭素数１乃至１０程度のアルコキシ基を用いることができる。より具体的には，メトキシ基，エトキシ基，ｎ−プロポキシ基，イソプロポキシ基，ｎ−ブトキシ基，ｓｅｃ−ブトキシ基，ｔｅｒｔ−ブトキシ基，シクロプロピルメチルオキシ基，ｎ−ペントキシ基，ｎ−ヘキソキシ基，トリエチレングリコシル基などを挙げることができる。
【００１７】
請求項１のX，請求項２のX1,X2,及びX3が示すアリールオキシ基としては，ヘテロアリールオキシ基も含有し，具体例としては，例えば炭素数2〜30のアリール基，具体的にはフェニルオキシ基，ナフチルオキシ基，アンスラニルオキシ基，ピレニルオキシ基，ビフェニルオキシ基，インデニルオキシ基，テトラヒドロナフチルオキシ基，ピリジルオキシ基，ピリミジニルオキシ基，ピラジニルオキシ基，ピリダニジルオキシ基，ピペラジニルオキシ基，ピラゾリルオキシ基，イミダゾリルオキシ基，キニリルオキシ基，ピロリルオキシ基，インドリルオキシ基，フリルオキシ基などが挙げることができる。
【００１８】
請求項１のX，請求項２のX1,X2,及びX3が示すカルボキシ基としては，例えば，アルキル基，アルケニル基，アルキニル基又はアリール基を有するカルボキシ基を用いることができる。具体的には，アセトキシ基，プロピオノキシ基，ブタノキシ基，ペンタノキシ基，ヘキサノキシ基などが挙げられる。
【００１９】
本発明の化合物の絶対配置は（Ｓ）又は（Ｒ）配置のいずれであってもよく，光学異性体又はジアステレオ異性体などの立体異性体はいずれも本発明の範囲に包含される。光学的に純粋な形態の異性体は本発明の好ましい態様である。また，立体異性体の任意の混合物，ラセミ体なども本発明の範囲に包含される。本発明のサブフタロシアニン誘導体は置換基の種類に応じて塩を形成する場合があり，また水和物又は溶媒和物として存在する場合もあるが，これらの物質はいずれも本発明の範囲に包含される。
【００２０】
本発明の化合物はXを架橋部位とし，二量体を形成することができる。具体的にはトリエチレングリコシル基によって架橋された二量体，酸素原子よって架橋された二量体などが挙げられる。
【００２１】
本発明のサブフタロシアニン誘導体の製造方法は特に限定されないが，前記式（２）で表される公知又は市販のフタロニトリル誘導体に対して，前記式（３）で表される公知又は市販のホウ素化合物を反応させることによって前記式（１）のサブフタロシアニン誘導体を製造することができる。また式（１）のＸは前述の製造方法によって製造した後，求核置換反応によって種々のハロゲン原子，水酸基，シリロキシ基，アルコキシ基，置換基を有していても良いアリールオキシ基に変換できる。
【００２２】
前記式（３）で表されるホウ素化合物は特に限定されないが，三フッ化ホウ素，三塩化ホウ素，三臭化ホウ素，二塩化フェノキシホウ素などを用いることができるが，好ましくは三塩化ホウ素である。用いるホウ素化合物の形態はガス状，溶液状，塩状，どれでも使用可能であり，特に好ましくはｐ−キシレン溶液である。
【００２３】
溶媒の種類は特に限定されないが，ジエチルエーテル，ジイソプロピルエーテル，ｎ−ブチルメチルエーテル，ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル，テトラヒドロフラン，ジオキサン等のエーテル系溶媒；ヘプタン，ヘキサン，シクロペンタン，シクロヘキサン等の炭化水素系溶媒；クロロホルム，四塩化炭素，塩化メチレン，ジクロロエタン，トリクロロエタン等のハロゲン化炭化水素系溶媒；ベンゼン，トルエン，キシレン，クメン，シメン，メシチレン，ジイソプロピルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒；酢酸エチル等のエステル系溶媒；アセトン，メチルエチルケトン等のケトン系溶媒；ジメチルスルホキシド，ジメチルホルムアミド等の溶媒；超臨界二酸化炭素，イオン性液体が挙げられるが，ｐ−キシレンが最も好ましい。
【００２４】
式（１）の製造は加圧下に行うこともできるが，通常は常圧で行う。反応温度は０℃から溶媒の沸点までの間で行うことができるが，好ましくは５０℃乃至２００℃であり，特に好ましくは１４０℃である。
【００２５】
上記した製造方法により、溶解性が高く，凝集作用を抑えた製造されたサブフタロシアニン誘導体を製造することができる。
【００２６】
以下，本発明を実施例によりさらに具体的に説明するが，本発明は下記の実施例に限定されるものではない。
【００２７】
（第１実施例）
非特許文献２（Eberhardt, W.; Hanak, M. Synthesis 1997, 95.）によって合成した３，４，５，６−テトラキス（２，２，２−トリフルオロエトキシ）フタロニトリル５００ｍｇ（０．９６１ｍｍｏｌ）を２０ｍＬナスフラスコに取り，真空ポンプで減圧し，３０分間乾燥した。アルゴン置換した後に，三塩化ホウ素のｐ−キシレン溶液（１．０ｍｏｌ／Ｌ）３．４６ｍＬ（３．４６ｍｍｏｌ）をくわえ，還流した。３時間後，室温まで放冷し，アルゴンで系内を置換し，気化した三塩化ホウ素を除いた。溶媒を留去し，シリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝９０／１０→８８／１２）にて精製し，目的物であるボロン １，２，３，４，８，９，１０，１１，１５，１６，１７，１８−ドデカキス（２，２，２−トリフルオロエトキシ）サブフタロシアニン クロリドを収量１６３ｍｇ，収率３２％で得た（下記式（化４））。
【００２８】
【化４】
【００２９】
以下にボロン １，２，３，４，８，９，１０，１１，１５，１６，１７，１８−ドデカキス（２，２，２−トリフルオロエトキシ）サブフタロシアニン クロリドの化合物データを示す。
1H NMR (200MHz, CDCl3) d 4.67(q, J=8.0 Hz, 12H), 5.28(q, J=8.2 Hz, 12H)
19F NMR (188 MHz, CDCl3) d -74.13(t, J=7.0 Hz, 18F), -74.74(t, J=7.0 Hz, 18F)
MALDI-TOF calculated for C48H23BClF36N6O12[M-H+]-1605.1 found 1605.4
（第２実施例）
第１実施例で合成したボロン １，２，３，４，８，９，１０，１１，１５，１６，１７，１８−ドデカキス（２，２，２−トリフルオロエトキシ）サブフタロシアニン クロリド４３ｍｇ（０．０２６８ｍｍｏｌ）とフェノール１３ｍｇ（０．１３４ｍｍｏｌ）を１０mＬナスフラスコに取り，真空ポンプで減圧し，３０分間乾燥した。窒素置換した後，トルエン１．０ｍＬとトリエチルアミン１３μＬ（０．０９３７ｍｍｏｌ）を加え，還流した。２４時間後，室温まで放冷し，溶媒を留去した。シリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝９０／１０→８８／１２）で精製し，目的物であるボロン １，２，３，４，８，９，１０，１１，１５，１６，１７，１８−ドデカキス（２，２，２−トリフルオロエトキシ）サブフタロシアニン フェノキシドを収量３６ｍｇ，収率８１％で得た（下記式（化５））。
【００３０】
【化５】
【００３１】
以下にボロン １，２，３，４，８，９，１０，１１，１５，１６，１７，１８−ドデカキス（２，２，２−トリフルオロエトキシ）サブフタロシアニン フェノキシドの化合物データを示す。
1H NMR (200MHz, CDCl3) d 4.66(q, J=8.0 Hz, 12H), 5.22(q, J=8.2 Hz, 12H), 6.73-6.82(m, 5H)
19F NMR (188 MHz, CDCl3) d -74.10(t, J=7.9 Hz, 18F), -74.77(t, J=8.6 Hz, 18F)
【技術分野】
【０００１】
本発明は、サブフタロシアニン誘導体及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
フタロシアニンは青・緑色の顔料として利用されてきた。その優れた物理学的な性質から，電荷発生材，光磁気ディスク用色素として利用されている機能性色素である。さらに光線力学的治療の光増感剤，非線型光学材料等，さまざまな分野での応用が期待されている。フタロシアニン誘導体は一般的に有機溶媒への溶解性が悪いとの問題を抱える。また，フタロシアニン誘導体として，サブフタロシアニンがある。サブフタロシアニンはホウ素が配位したフタロシアニンの合成を試みた際に，紫色の化合物が生成されているのに気付き，存在が確認された化合物である。フタロシアニンは様々な機能性材料，光線力学的治療剤として注目され，様々な研究が為されており，サブフタロシアニンにも同等の機能を有することが知られている（非特許文献１）。しかし，フタロシアニン同様，その溶解性は非常に悪く，材料としての加工，薬剤としての投与の面で問題が残っている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００３】
【非特許文献１】Claessens, C. G.; GOnzalez-Rodriguez, D.; Torres, T. Chem. Rev. 2002, 102, 835.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は上記点に鑑みて，溶解性が高いサブフタロシアニン誘導体及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するため、発明者らはサブフタロシアニンの置換基としてフルオロアルコキシ基を導入することで，その物理的性質を大きく向上させることに成功した。すなわち請求項１に記載の発明は，下記一般式（１）で表されるサブフタロシアニン誘導体である。
【０００６】
【化１】
【０００７】
（式中，R1，R2，R3，R4，R5，R6，R7，R8，R9，R10，R11，及びR12はそれぞれ独立にフッ素原子は少なくとも１つ含むアルキル基；アルケニル基；又はアルキニル基を示し，R1乃至R12のうち隣接する２つの基は一緒になって置換基を有していてもよい５乃至７員環を形成してもよく;Ｘはハロゲン原子，水酸基，シリロキシ基，アルコキシ基，置換基を有していても良いアリールオキシ基，カルボキシ基を示す。）
請求項２に記載の発明は，前記のサブフタロシアニン誘導体の製造方法であって，下記一般式（２）で表されるフタロニトリル誘導体と下記一般式（３）で表されるホウ素化合物を反応させる工程を備えることを特徴とする製造方法である。
【０００８】
【化２】
【０００９】
（式中，R1，R2，R3，及びR4は式（１）記載の通りである。）
【００１０】
【化３】
【００１１】
（式中，X1,X2,及びX3はハロゲン原子，水酸基，シリロキシ基，アルコキシ基，置換基を有していても良いアリールオキシ基を示す。）
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本明細書において，R1，R2，R3，R4，R5，R6，R7，R8，R9，R10，R11，及びR12が示すフッ素原子は少なくとも１つ含むアルキル基としては，例えば，炭素数１乃至２０程度のアルキル基を用いることができる。具体的には，メチル基，エチル基，プロピル基，ブチル基，ブチル基，ブチル基，ブチル基，ブチル基，プロピル基，ｎ−ペンチル基，ｎ−ヘキシル基，シクロヘキシル基ヘプチル基，オクチル基，ノニル基，デシル基，ウンデシル基，ドデシル基，トリデシル基，テトラデシル基，ペンタデシル基，ヘキサデシル基，ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基，イコシル基，又はこれらの環状アルキル基，分鎖アルキル基などを用いることができる。
【００１３】
R1，R2，R3，R4，R5，R6，R7，R8，R9，R10，R11，及びR12が示すフッ素原子は少なくとも１つ含むアルケニル基又はアルキニル基に含まれる不飽和結合の数は特に限定されないが，好ましくは１乃至２個程度である。該アルケニル基又はアルキニル基は，直鎖状又は分枝鎖状のいずれでもよい。
【００１４】
請求項１のX，請求項２のX1,X2,及びX3が示すハロゲン原子はフッ素原子，塩素原子，臭素原子，又はヨウ素原子のいずれでもよい。
【００１５】
請求項１のX，請求項２のX1,X2,及びX3が示すシリロキシ基としては，例えばアルキル基，又はアリール基を有するシリロキシ基を用いることができる。具体的には，トリメチルシリロキシ基，トリエチルシリロキシ基，ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリロキシ基，トリイソプロピルシリロキシ基，ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリロキシ基などが挙げることができる。
【００１６】
請求項１のX，請求項２のX1,X2,及びX3が示すアルコキシ基としては，例えば，炭素数１乃至１０程度のアルコキシ基を用いることができる。より具体的には，メトキシ基，エトキシ基，ｎ−プロポキシ基，イソプロポキシ基，ｎ−ブトキシ基，ｓｅｃ−ブトキシ基，ｔｅｒｔ−ブトキシ基，シクロプロピルメチルオキシ基，ｎ−ペントキシ基，ｎ−ヘキソキシ基，トリエチレングリコシル基などを挙げることができる。
【００１７】
請求項１のX，請求項２のX1,X2,及びX3が示すアリールオキシ基としては，ヘテロアリールオキシ基も含有し，具体例としては，例えば炭素数2〜30のアリール基，具体的にはフェニルオキシ基，ナフチルオキシ基，アンスラニルオキシ基，ピレニルオキシ基，ビフェニルオキシ基，インデニルオキシ基，テトラヒドロナフチルオキシ基，ピリジルオキシ基，ピリミジニルオキシ基，ピラジニルオキシ基，ピリダニジルオキシ基，ピペラジニルオキシ基，ピラゾリルオキシ基，イミダゾリルオキシ基，キニリルオキシ基，ピロリルオキシ基，インドリルオキシ基，フリルオキシ基などが挙げることができる。
【００１８】
請求項１のX，請求項２のX1,X2,及びX3が示すカルボキシ基としては，例えば，アルキル基，アルケニル基，アルキニル基又はアリール基を有するカルボキシ基を用いることができる。具体的には，アセトキシ基，プロピオノキシ基，ブタノキシ基，ペンタノキシ基，ヘキサノキシ基などが挙げられる。
【００１９】
本発明の化合物の絶対配置は（Ｓ）又は（Ｒ）配置のいずれであってもよく，光学異性体又はジアステレオ異性体などの立体異性体はいずれも本発明の範囲に包含される。光学的に純粋な形態の異性体は本発明の好ましい態様である。また，立体異性体の任意の混合物，ラセミ体なども本発明の範囲に包含される。本発明のサブフタロシアニン誘導体は置換基の種類に応じて塩を形成する場合があり，また水和物又は溶媒和物として存在する場合もあるが，これらの物質はいずれも本発明の範囲に包含される。
【００２０】
本発明の化合物はXを架橋部位とし，二量体を形成することができる。具体的にはトリエチレングリコシル基によって架橋された二量体，酸素原子よって架橋された二量体などが挙げられる。
【００２１】
本発明のサブフタロシアニン誘導体の製造方法は特に限定されないが，前記式（２）で表される公知又は市販のフタロニトリル誘導体に対して，前記式（３）で表される公知又は市販のホウ素化合物を反応させることによって前記式（１）のサブフタロシアニン誘導体を製造することができる。また式（１）のＸは前述の製造方法によって製造した後，求核置換反応によって種々のハロゲン原子，水酸基，シリロキシ基，アルコキシ基，置換基を有していても良いアリールオキシ基に変換できる。
【００２２】
前記式（３）で表されるホウ素化合物は特に限定されないが，三フッ化ホウ素，三塩化ホウ素，三臭化ホウ素，二塩化フェノキシホウ素などを用いることができるが，好ましくは三塩化ホウ素である。用いるホウ素化合物の形態はガス状，溶液状，塩状，どれでも使用可能であり，特に好ましくはｐ−キシレン溶液である。
【００２３】
溶媒の種類は特に限定されないが，ジエチルエーテル，ジイソプロピルエーテル，ｎ−ブチルメチルエーテル，ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル，テトラヒドロフラン，ジオキサン等のエーテル系溶媒；ヘプタン，ヘキサン，シクロペンタン，シクロヘキサン等の炭化水素系溶媒；クロロホルム，四塩化炭素，塩化メチレン，ジクロロエタン，トリクロロエタン等のハロゲン化炭化水素系溶媒；ベンゼン，トルエン，キシレン，クメン，シメン，メシチレン，ジイソプロピルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒；酢酸エチル等のエステル系溶媒；アセトン，メチルエチルケトン等のケトン系溶媒；ジメチルスルホキシド，ジメチルホルムアミド等の溶媒；超臨界二酸化炭素，イオン性液体が挙げられるが，ｐ−キシレンが最も好ましい。
【００２４】
式（１）の製造は加圧下に行うこともできるが，通常は常圧で行う。反応温度は０℃から溶媒の沸点までの間で行うことができるが，好ましくは５０℃乃至２００℃であり，特に好ましくは１４０℃である。
【００２５】
上記した製造方法により、溶解性が高く，凝集作用を抑えた製造されたサブフタロシアニン誘導体を製造することができる。
【００２６】
以下，本発明を実施例によりさらに具体的に説明するが，本発明は下記の実施例に限定されるものではない。
【００２７】
（第１実施例）
非特許文献２（Eberhardt, W.; Hanak, M. Synthesis 1997, 95.）によって合成した３，４，５，６−テトラキス（２，２，２−トリフルオロエトキシ）フタロニトリル５００ｍｇ（０．９６１ｍｍｏｌ）を２０ｍＬナスフラスコに取り，真空ポンプで減圧し，３０分間乾燥した。アルゴン置換した後に，三塩化ホウ素のｐ−キシレン溶液（１．０ｍｏｌ／Ｌ）３．４６ｍＬ（３．４６ｍｍｏｌ）をくわえ，還流した。３時間後，室温まで放冷し，アルゴンで系内を置換し，気化した三塩化ホウ素を除いた。溶媒を留去し，シリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝９０／１０→８８／１２）にて精製し，目的物であるボロン １，２，３，４，８，９，１０，１１，１５，１６，１７，１８−ドデカキス（２，２，２−トリフルオロエトキシ）サブフタロシアニン クロリドを収量１６３ｍｇ，収率３２％で得た（下記式（化４））。
【００２８】
【化４】
【００２９】
以下にボロン １，２，３，４，８，９，１０，１１，１５，１６，１７，１８−ドデカキス（２，２，２−トリフルオロエトキシ）サブフタロシアニン クロリドの化合物データを示す。
1H NMR (200MHz, CDCl3) d 4.67(q, J=8.0 Hz, 12H), 5.28(q, J=8.2 Hz, 12H)
19F NMR (188 MHz, CDCl3) d -74.13(t, J=7.0 Hz, 18F), -74.74(t, J=7.0 Hz, 18F)
MALDI-TOF calculated for C48H23BClF36N6O12[M-H+]-1605.1 found 1605.4
（第２実施例）
第１実施例で合成したボロン １，２，３，４，８，９，１０，１１，１５，１６，１７，１８−ドデカキス（２，２，２−トリフルオロエトキシ）サブフタロシアニン クロリド４３ｍｇ（０．０２６８ｍｍｏｌ）とフェノール１３ｍｇ（０．１３４ｍｍｏｌ）を１０mＬナスフラスコに取り，真空ポンプで減圧し，３０分間乾燥した。窒素置換した後，トルエン１．０ｍＬとトリエチルアミン１３μＬ（０．０９３７ｍｍｏｌ）を加え，還流した。２４時間後，室温まで放冷し，溶媒を留去した。シリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝９０／１０→８８／１２）で精製し，目的物であるボロン １，２，３，４，８，９，１０，１１，１５，１６，１７，１８−ドデカキス（２，２，２−トリフルオロエトキシ）サブフタロシアニン フェノキシドを収量３６ｍｇ，収率８１％で得た（下記式（化５））。
【００３０】
【化５】
【００３１】
以下にボロン １，２，３，４，８，９，１０，１１，１５，１６，１７，１８−ドデカキス（２，２，２−トリフルオロエトキシ）サブフタロシアニン フェノキシドの化合物データを示す。
1H NMR (200MHz, CDCl3) d 4.66(q, J=8.0 Hz, 12H), 5.22(q, J=8.2 Hz, 12H), 6.73-6.82(m, 5H)
19F NMR (188 MHz, CDCl3) d -74.10(t, J=7.9 Hz, 18F), -74.77(t, J=8.6 Hz, 18F)
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表されるサブフタロシアニン誘導体。
【化１】
（式中，R1，R2，R3，R4，R5，R6，R7，R8，R9，R10，R11，及びR12はそれぞれ独立にフッ素原子は少なくとも１つ含むアルキル基；アルケニル基；又はアルキニル基を示し，R1乃至R12のうち隣接する２つの基は一緒になって置換基を有していてもよい５乃至７員環を形成してもよく;Ｘはハロゲン原子，水酸基，シリロキシ基，アルコキシ基，置換基を有していても良いアリールオキシ基，カルボキシ基を示す。）
【請求項２】
請求項１に記載のサブフタロシアニン誘導体を製造する方法であって，下記一般式（２）で表されるフタロニトリル誘導体と下記一般式（３）で表されるホウ素化合物を反応させる工程を備えることを特徴とするサブフタロシアニン誘導体の製造方法。
【化２】
（式中，R1，R2，R3，及びR4は式（１）記載の通りである。）
【化３】
（式中，X1,X2,及びX3はハロゲン原子，水酸基，シリロキシ基，アルコキシ基，置換基を有していても良いアリールオキシ基を示す。）
【請求項１】
下記一般式（１）で表されるサブフタロシアニン誘導体。
【化１】
（式中，R1，R2，R3，R4，R5，R6，R7，R8，R9，R10，R11，及びR12はそれぞれ独立にフッ素原子は少なくとも１つ含むアルキル基；アルケニル基；又はアルキニル基を示し，R1乃至R12のうち隣接する２つの基は一緒になって置換基を有していてもよい５乃至７員環を形成してもよく;Ｘはハロゲン原子，水酸基，シリロキシ基，アルコキシ基，置換基を有していても良いアリールオキシ基，カルボキシ基を示す。）
【請求項２】
請求項１に記載のサブフタロシアニン誘導体を製造する方法であって，下記一般式（２）で表されるフタロニトリル誘導体と下記一般式（３）で表されるホウ素化合物を反応させる工程を備えることを特徴とするサブフタロシアニン誘導体の製造方法。
【化２】
（式中，R1，R2，R3，及びR4は式（１）記載の通りである。）
【化３】
（式中，X1,X2,及びX3はハロゲン原子，水酸基，シリロキシ基，アルコキシ基，置換基を有していても良いアリールオキシ基を示す。）
【公開番号】特開２０１１−３２４４３（Ｐ２０１１−３２４４３Ａ）
【公開日】平成２３年２月１７日（２０１１．２．１７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１８３０２２（Ｐ２００９−１８３０２２）
【出願日】平成２１年８月６日（２００９．８．６）
【出願人】（３０４０２１２７７）国立大学法人 名古屋工業大学 (784)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年２月１７日（２０１１．２．１７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年８月６日（２００９．８．６）
【出願人】（３０４０２１２７７）国立大学法人 名古屋工業大学 (784)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]