スチルベン誘導体、その製造方法、および電子写真感光体
【課題】分子内の所定位置に特定の置換基を有することにより、所定溶剤に対して、十分な溶解性を示すことができるとともに、所定の光感度特性を有するスチルベン誘導体、その製造方法、およびそれを含有した電子写真感光体を提供する。
【解決手段】一般式（１）で表されるスチルベン誘導体。
【解決手段】一般式（１）で表されるスチルベン誘導体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スチルベン誘導体、その製造方法、および電子写真感光体に関し、特に、分
子内の所定位置に特定の置換基を有することにより、所定溶剤に対して、十分な溶解性を
示すことができるとともに、光感度が向上したスチルベン誘導体、その製造方法、および
そのスチルベン誘導体を含有した電子写真感光体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、画像形成装置等の電子写真感光体として、電荷輸送剤、電荷発生剤、および結着
樹脂（バインダー樹脂）等の有機感光体材料からなる有機感光体が使用されている。かか
る有機感光体は、従来の無機感光体に比べて、製造が容易であるとともに、感光体材料の
選択肢が多様であることから、構造設計の自由度が高いという利点がある。
このような有機感光体材料のうち、高い電荷移動度を有する電荷輸送剤として、下記一
般式（２８）で表されるスチルベン誘導体が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【化１】
【０００４】
（一般式（２８）中、Ａｒはメチレン基または置換されても良い炭素数６〜２０のアリー
レン基、Ａｒ1は、置換されても良い炭素数６〜２０のアリーレン基、Ｒ4は５員環の複素
環基、置換されても良い低級アルキル基、アラルキル基、または炭素数６〜１４のアリー
レン基、Ｒ5およびＲ6は、水素原子、低級アルキル基、または置換されても良い炭素数６
〜２０のアリール基である。）
【０００５】
また、同様に、電荷輸送剤として、下記一般式（２９）で表されるスチルベン誘導体も
知られており、そのうち、下記式（３０）で表されるテトラタイプのスチルベン誘導体が
開示されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００６】
【化２】
【０００７】
（一般式（２９）中、Ｒ7〜Ｒ22はそれぞれ水素原子，アルキル基，置換基Ｒを有しても
よいアリール基のうちのいずれかを表し、Ａ1〜Ａ4はそれぞれ置換基Ｒを有してもよいア
リール基，置換基Ｒを有してもよいジフェニルアミノフェニル基，置換基Ｒを有してもよ
いカルバゾリル基のうちのいずれかを表し、ｎ１は０または１を表す。置換基Ｒは水素原
子，アルキル基，アルコキシ基，アミノ基，シアノ基，ニトロ基，水酸基，ハロゲン原子
のうちのいずれかを表す。これらの置換基は、複数置換されてもよく、互いに異なっても
よい。）
【０００８】
【化３】
【特許文献１】特開平８−２８３７０８号（特許請求の範囲）
【特許文献２】特開平９−２９７４１２号（特許請求の範囲、段落００１３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１に記載されたスチルベン誘導体は、初期的には高い電荷移動
度を有するにもかかわらず、結着樹脂との相溶性が乏しく、均一に成膜することが困難で
あるばかりか、長期間使用した場合に、電荷移動が生じにくくなるという問題が見られた
。
また、特許文献２に記載されたスチルベン誘導体、特に、式（３０）で表されるテトラ
タイプのスチルベン誘導体は、平均分子量が大きく、有機溶剤、例えば、ほとんどの樹脂
を可溶することができるテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）に対しても溶解性に乏しくて、均
一な厚さに成膜することが困難であるという問題が見られた。
すなわち、いずれのスチルベン誘導体も、電子写真感光体における電荷輸送剤として使
用した場合に、製造が困難であって、感光特性が十分に発揮されないという問題が見られ
た。
そこで、本発明者らは、スチルベン誘導体において、分子内の所定位置に特定の置換基
を有することにより、平均分子量が比較的大きい場合であっても、所定溶剤に対して、十
分な溶解性を示すことができるとともに、光感度が向上するという事実を見出し、本発明
を完成するに至った。
すなわち、本発明の目的は、上述した技術的な問題を解決し、電子写真感光体等の電荷
輸送剤として好適に用いることのできるスチルベン誘導体、その製造方法、および、所定
感度を有する電子写真感光体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明によれば、下記一般式（１）で表されるスチルベン誘導体が提供され、上述した
問題点を解決することができる。
【００１１】
【化４】
【００１２】
（一般式（１）中、４つのＲ1およびＲ2は、それぞれ独立した炭素数１〜２０の置換また
は非置換のアルキル基、炭素数１〜２０の置換または非置換のアルコキシ基、炭素数６〜
２０の置換または非置換のアリール基、あるいは置換または非置換のアミノ基であり、４
つのＲ3は、それぞれ水素原子、炭素数１〜２０の置換または非置換のアルキル基、炭素
数１〜２０の置換または非置換のアルコキシ基、炭素数６〜２０の置換または非置換のア
リール基、あるいは置換または非置換のアミノ基である。）
【００１３】
また、本発明のスチルベン誘導体を構成するにあたり、一般式（１）中のＲ1およびＲ2
が、炭素数１〜６の置換または非置換のアルキル基であることが好ましい。
【００１４】
また、本発明のスチルベン誘導体を構成するにあたり、一般式（１）中のＲ3が、水素
原子であることが好ましい。
【００１５】
また、本発明の別の態様は、反応式（１）で表されるように、一般式（２）で表される
ホルミル化トリフェニルアミン誘導体と、式（３）で表されるテトラリン酸エステル誘導
体とを、塩基の存在下に反応させて、一般式（１）で表されるスチルベン誘導体を得るこ
とを特徴とするスチルベン誘導体の製造方法である。
【００１６】
【化５】
【００１７】
（反応式（１）中、複数のＲ1およびＲ2は、それぞれ独立した炭素数１〜２０の置換また
は非置換のアルキル基、炭素数１〜２０の置換または非置換のアルコキシ基、炭素数６〜
２０の置換または非置換のアリール基、あるいは置換または非置換のアミノ基であり、複
数のＲ3は、それぞれ水素原子、炭素数１〜２０の置換または非置換のアルキル基、炭素
数１〜２０の置換または非置換のアルコキシ基、炭素数６〜２０の置換または非置換のア
リール基、あるいは置換または非置換のアミノ基である。）
【００１８】
また、本発明のスチルベン誘導体の製造方法を実施するにあたり、一般式（２）で表さ
れるホルミル化トリフェニルアミン誘導体として、下記反応式（２）で表されるように、
一般式（４）で表されるアニリン誘導体と、無水酢酸と、を硫酸下に反応させて、一般式
（８）で表されるアセチル化アニリン誘導体を得た後、一般式（５）で表されるヨードベ
ンゼン誘導体とを反応させて、一般式（９）で表されるアセチル化ジフェニルアミン化合
物を得た後、当該一般式（９）で表されるアセチル化ジフェニルアミン化合物からアセチ
ル基を脱離させて一般式（１０）で表されるジフェニルアミン誘導体を得て、さらに式（
６）で表されるヨードベンゼンを反応させて、一般式（７）で表されるトリフェニルアミ
ン誘導体を得て、次いで、フィルスマイヤー(Vilsmeier)法によりホルミル化して得られ
るホルミル化トリフェニルアミン誘導体を使用することが好ましい。
【００１９】
【化６】
【００２０】
（反応式（２）中の複数のＲ1、Ｒ2およびＲ3は、それぞれ独立であって、置換基Ｒ3が水
素原子以外であることを除いて、反応式（１）中の内容と同様である。）
【００２１】
また、本発明のスチルベン誘導体の製造方法を実施するにあたり、一般式（２´）で表
されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体として、下記反応式（２´）で表されるよう
に、一般式（４）で表されるアニリン誘導体と、式（６）で表されるヨードベンゼンとを
反応させて、一般式（７´）で表されるトリフェニルアミン誘導体を得て、次いで、フィ
ルスマイヤー(Vilsmeier)法によりホルミル化して得られるホルミル化トリフェニルアミ
ン誘導体を使用することが好ましい。
【００２２】
【化７】
【００２３】
（反応式（２´）中の複数のＲ1およびＲ2は、それぞれ独立であって、反応式（１）中の
内容と同様である。）
【００２４】
また、本発明のさらに別の態様は、導電性基体上に感光層を設けた電子写真感光体であ
って、感光層が、下記一般式（１）で表されるスチルベン誘導体を含有することを特徴と
する電子写真感光体である。
【００２５】
【化８】
【００２６】
（一般式（１）中、４つのＲ1およびＲ2は、それぞれ独立した炭素数１〜２０の置換また
は非置換のアルキル基、炭素数１〜２０の置換または非置換のアルコキシ基、炭素数６〜
２０の置換または非置換のアリール基、あるいは置換または非置換のアミノ基であり、４
つのＲ3は、それぞれ水素原子、炭素数１〜２０の置換または非置換のアルキル基、炭素
数１〜２０の置換または非置換のアルコキシ基、炭素数６〜２０の置換または非置換のア
リール基、あるいは置換または非置換のアミノ基である。）
【００２７】
また、本発明の電子写真感光体を構成するにあたり、感光層が、電荷発生剤および電子
輸送剤をさらに含有した単層型であることが好ましい。
【発明の効果】
【００２８】
本発明の一般式（１）で表されるスチルベン誘導体は、分子内の所定位置に特定の置換
基（Ｒ1、Ｒ2およびＲ3）を有することにより、平均分子量が比較的大きい場合であって
も、所定溶剤に対して、十分な溶解性を示すことができるとともに、光感度を向上させる
ことができる。したがって、電子写真感光体における電荷輸送剤（正孔輸送剤）として使
用することにより、製造が容易であって、所定感度を有するとともに、耐久性に優れた電
子写真感光体を提供することができる。
【００２９】
また、本発明のスチルベン誘導体によれば、置換基Ｒ1およびＲ2が、所定のアルキル基
であることより、所定溶剤に対して、十分な溶解性を示すことができるとともに、感度特
性が優れた電子写真感光体を提供することができる。
【００３０】
また、本発明のスチルベン誘導体によれば、置換基Ｒ3が、水素原子であることより、
所定構造を有するスチルベン誘導体の製造が容易になり、かかる誘導体を安定して得るこ
とができる。
【００３１】
また、本発明のスチルベン誘導体の製造方法によれば、分子内の所定位置に特定の置換
基（Ｒ1、Ｒ2およびＲ3）を有するスチルベン誘導体を効率的に製造することができる。
したがって、電子写真感光体における電荷輸送剤（正孔輸送剤）として使用した場合に、
製造が容易であって、所定感度を有するとともに、耐久性に優れた電子写真感光体を効率
的に提供することができる。
【００３２】
また、本発明のスチルベン誘導体の製造方法によれば、反応式（２）に従って、所定構
造のトリフェニルアミン誘導体を得た後、フィルスマイヤー(Vilsmeier)法によりホルミ
ル化することにより、一般式（２）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体が効
率的に得ることができる。また、反応式（２´）に従って、所定構造のトリフェニルアミ
ン誘導体を得た後、フィルスマイヤー(Vilsmeier)法によりホルミル化することにより、
さらに少ない工程において、一般式（２´）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘
導体が効率的に得られ、結果として、一般式（１）で表されるスチルベン誘導体をさらに
効率的に得ることができる。
【００３３】
また、本発明の電子写真感光体によれば、分子内の所定位置に特定の置換基（Ｒ1、Ｒ2
およびＲ3）を有するスチルベン誘導体を電荷輸送剤（正孔輸送剤）として含むため、製
造が容易であって、所定感度を有するとともに、耐久性に優れた電子写真感光体を提供す
ることができる。
【００３４】
また、本発明の電子写真感光体によれば、感光層が、いわゆる単層型であることより、
構成や製造が容易になるばかりか、所定の光感度を有する単層型の電子写真感光体を効率
的に得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、本発明のスチルベン誘導体、その製造方法、および、電子写真感光体に関する実
施の形態を、適宜図面を参照しながら、具体的に説明する。
【００３６】
[第１の実施形態]
第１の実施形態は、下記一般式（１）で表されるスチルベン誘導体である。なお、一般
式（１）中のＲ1、Ｒ2、およびＲ3は、既に上述した内容であって、以下、特に断りが無
い限り同様である。
【００３７】
【化９】
【００３８】
ここで、一般式(１)で表されるスチルベン誘導体の一例として、下記式(１１)で表され
るスチルベン誘導体の赤外分光（ＩＲ）チャートを図１に、プロトン−ＮＭＲチャート（
全体図および二つの拡大図）を図２〜図４に、それぞれ示す。
【００３９】
【化１０】
【００４０】
[第２の実施形態]
第２の実施形態は、下記反応式（１）に示されるように、一般式（２）で表されるホル
ミル化トリフェニルアミン誘導体と、式（３）で表されるテトラリン酸エステル誘導体と
を、塩基の存在下に反応させることを特徴とする一般式（１）で表されるスチルベン誘導
体の製造方法である。なお、反応式（１）中のＲ1、Ｒ2、およびＲ3は、既に上述した内
容である。
【００４１】
【化１１】
【００４２】
１．ホルミル化トリフェニルアミン誘導体
一般式（２）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体（ただし、置換基Ｒ3が
水素原子以外の場合）は、下記反応式(２)に示すように、フィルスマイヤー法を基本的に
利用して合成することができる。
【００４３】
【化１２】
【００４４】
すなわち、反応式(２)は、以下に示す工程（１）〜（５）を含み、最終工程（５）にお
いて、フィルスマイヤー法を利用してホルミル化することを示している。
工程１：一般式（２）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体が、一般式（４）
で表されるアニリン誘導体と、無水酢酸と、を硫酸下に反応させて、一般式（８）で表さ
れるアセチル化アニリン誘導体を得る工程
工程２：一般式（５）で表されるヨードベンゼン誘導体を反応させて、一般式（９）で表
されるアセチル化ジフェニルアミン化合物を得る工程
工程３：一般式（９）で表されるアセチル化ジフェニルアミン化合物からアセチル基を脱
離させて、一般式（１０）で表されるジフェニルアミン誘導体を得る工程
工程４：式（６）で表されるヨードベンゼンを反応させて、一般式（７）で表されるトリ
フェニルアミン誘導体を得る工程
工程５：一般式（７）で表されるトリフェニルアミン誘導体をフィルスマイヤー(Vilsmei
er)法によりホルミル化して、一般式（２）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘
導体を得る工程
【００４５】
１−（１）工程１
工程１において、一般式（４）で表されるアニリン誘導体をアセチル化して、一般式（
８）で表されるアセチル化アニリン誘導体を得るにあたり、一般式（４）で表されるアニ
リン誘導体と、無水酢酸との反応割合を、モル比で１：１〜１：１．５の範囲内の値とす
ることが好ましい。
なお、反応温度を１００〜１５０℃とし、反応時間を１〜５時間とし、ｐＨ値を7以上
とすることが好ましい。
【００４６】
１−（２）工程２
次いで、工程２において、一般式（８）で表されるアセチル化アニリン誘導体と、一般
式（５）で表されるヨードベンゼン誘導体とを反応させるにあたり、その反応割合を、モ
ル比で１：１〜１：１．５の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかるアセチル化アニリン誘導体と、ヨードベンゼン誘導体との添加割合
が、１：１未満の値になると、一般式（９）で表されるアセチル化ジフェニルアミン化合
物の生成量が著しく低下する場合があるためである。一方、かかるアセチル化アニリン誘
導体と、ヨードベンゼン誘導体との添加割合が、１：１．５を超えると、未反応のヨード
ベンゼン誘導体が多く残留するため、過度の精製工程等が必要になる場合があるためであ
る。
さらに、一般式（８）で表されるアセチル化アニリン誘導体と、一般式（５）で表され
るヨードベンゼン誘導体とを反応させるにあたり、反応温度を、通常１６０〜２２０℃の
範囲内の値とするとともに、反応温度を４〜３０時間の範囲内の値とすることが好ましい
。
この理由は、このような反応条件であれば、比較的簡易な製造設備を用いて、所望の反
応を効率的に実施できるためである。
【００４７】
１−（３）工程３
次いで、工程３において、一般式（９）で表されるアセチル化ジフェニルアミン化合物
からアセチル基を脱離させて、一般式（１０）で表されるジフェニルアミン誘導体を得る
にあたり、その方法については特に制限されるものではないが、例えば、ブタノールと、
ターシャリーブチルカリウムとの存在下に、一般式（９）で表されるアセチル化ジフェニ
ルアミン化合物をアルカリ条件下において処理することにより、効率的に実施することが
できる。
【００４８】
１−（４）工程４
次いで、工程４において、一般式（１０）で表されるジフェニルアミン誘導体と、式（
６）で表されるヨードベンゼンとを反応させるにあたり、その反応割合を、モル比で１：
１〜１：１．５の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかるジフェニルアミン誘導体と、ヨードベンゼンとの添加割合が、１：
１未満の値になると、一般式（７）で表されるトリフェニルアミン化合物の生成量が著し
く低下する場合があるためである。一方、かかるジフェニルアミン誘導体と、ヨードベン
ゼンとの添加割合が、１：１．５を超えると、未反応のヨードベンゼンが多く残留するた
め、過度の精製工程等が必要になる場合があるためである。
さらに、一般式（１０）で表されるジフェニルアミン誘導体と、式（６）で表されるヨ
ードベンゼンとを反応させるにあたり、反応温度を、通常１６０〜２２０℃の範囲内の値
とするとともに、反応温度を４〜３０時間の範囲内の値とすることが好ましい。
【００４９】
１−（５）工程５
次いで、工程５において、一般式（７）で表されるトリフェニルアミン誘導体をフィル
スマイヤー(Vilsmeier)法によりホルミル化するにあたり、当該フィルスマイヤー法に使
用するフィルスマイヤー試薬（Vilsmeier試薬）としては、以下の化合物(i)および(ii)の
組合せであることが好ましい。
(i)オキシ塩化リン、ホスゲン、塩化オキサリル、塩化チオニル、トリフェニルホスフィ
ン−臭素、ヘキサクロロトリホスファザトリエン等のハロゲン化剤
(ii)Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ−メチルホルムアニリド（ＭＦＡ）、
Ｎ−ホルミルモルホリン、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホルムアミド
特に、本発明では、フィルスマイヤー試薬として、オキシ塩化リンと、溶媒としても使
用できるＤＭＦとの組み合わせが好適に用いられる。
【００５０】
また、フィルスマイヤー試薬の調製において、化合物(i)と(ii)との使用割合は、通常
モル比で、１：１〜１：２０の範囲内の値とすることが好ましく、１：１〜１：５の範囲
内の値とすることがより好ましい。
さらに、フィルスマイヤー試薬の使用量に関して、一般式（７）で表されるトリフェニ
ルアミン化合物１モルに対して、０．９〜２倍モル量の範囲内の値とすることが好ましく
、１〜１．１倍モル量の範囲内の値とすることがより好ましい。
なお、フィルスマイヤー法における、ジフェニルアミン誘導体のホルミル化の反応条件
に関して、通常１３０℃以下の温度で行い、反応時間を２〜５時間の範囲内の値とするこ
とが好ましい。
【００５１】
また、一般式（２）における置換基Ｒ3が水素原子である場合には、下記反応式(２´)
に示すように、より簡単にフィルスマイヤー法を利用して合成することができる。
【００５２】
【化１３】
【００５３】
すなわち、上述した工程（１）〜（３）を省略し、工程（４）および（５）を実施して
、一般式（４）で表されるアニリン誘導体と、式（６）で表されるヨードベンゼンとを反
応させて、一般式（７´）で表されるトリフェニルアミン誘導体を得て、次いで、フィル
スマイヤー(Vilsmeier)法によりホルミル化して得ることができる。
ただし、一般式（２）における置換基Ｒ3が水素原子である場合であっても、上述した
工程（１）〜（５）に準じて、二段階でヨードベンゼンを反応させて、一般式（２）で表
されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体（ただし、置換基Ｒ3が水素原子の場合）を
作成することもできる。
【００５４】
２．テトラリン酸エステル誘導体
式（３）で表されるテトラリン酸エステル誘導体は、例えば、下記反応式(３)に示す方
法により合成することが好ましい。
【００５５】
【化１４】
【００５６】
ここで、かかるテトラリン酸エステル誘導体の合成反応を実施するにあたり、例えば、
１，２，４，５−テトラキス（クロロメチル）ベンゼンに対して、亜リン酸トリエチルを
無溶媒または適当な溶媒中に添加して、反応させることが好ましい。この理由は、このよ
うに反応させることにより、反応式(１)の出発原料の一つであるテトラリン酸エステル誘
導体（３）を高い収率で得ることができるためである。
ここで、合成反応を生じさせるに際して、１，２，４，５−テトラキス（クロロメチル
）ベンゼン１モルに対して、亜リン酸トリエチルの使用割合を、少なくとも４倍モル当量
とすることが好ましく、４．１〜６倍モル量の範囲内の値とすることがより好ましい。
また、かかる反応温度を、通常８０〜１５０℃の範囲内の値とし、反応時間を２〜１０
時間の範囲内の値とすることが好ましい。
【００５７】
また、テトラリン酸エステル誘導体を作成する際に用いる溶媒としては、かかる反応に
影響を及ぼさないものであれば良いが、例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン
、ジオキサン等のエーテル類；塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエタン等のハロゲ
ン化炭化水素；ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素、ジメチルホルムアミド等が、好
適例として挙げられる。
また、テトラリン酸エステル誘導体を作成する際に、所定量の第三級アミンを添加する
ことも好ましい。この理由は、第三級アミンによって、反応系からハロゲン化アルキルが
除去されるため、テトラリン酸エステル誘導体の合成反応を促進できるためである。好適
な第三級アミンとしては、例えばトリエチルアミン、トリブチルアミン、ピリジン、４−
（ジメチルアミノ）ピリジン等の一種単独または二種以上の組み合わせが挙げられる。
【００５８】
３．反応条件
（１） 反応温度と反応時間
また、一般式（２）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体と、式（３）で表
されるテトラリン酸エステル誘導体との反応は、通常−１０〜３０℃で行うことが好まし
く、その反応時間を１〜１２時間の範囲内の値とすることが好ましい。
【００５９】
（２） 溶媒
一般式（２）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体と、式（３）で表される
テトラリン酸エステル誘導体との反応に使用する好適な溶媒としては、当該反応に影響を
及ぼさないものであればよいが、例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオ
キサン等のエーテル類；塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエタン等のハロゲン化炭
化水素；ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素が挙げられる。
【００６０】
（３） 塩基
また、かかる反応に使用する塩基としては、ナトリウムメトキシドやナトリウムエトキ
シド等のナトリウムアルコキシド、水素化ナトリウムや水素化カリウム等の金属水素化物
が好適なものとして挙げられる。
ここで、かかる塩基の添加量を、ホルミル化トリフェニルアミン誘導体１モルに対して
、１．１〜２モルの範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかる塩基の添加量が１．１モル未満の値となると、一般式（２）で表さ
れるホルミル化トリフェニルアミン誘導体と、式（３）で表されるテトラリン酸エステル
誘導体と、の間の反応性が著しく低下する場合があるためである。
一方、かかる塩基の添加量が２モルを超えると、一般式（２）で表されるホルミル化ト
リフェニルアミン誘導体と、式（３）で表されるテトラリン酸エステル誘導体と、の間の
反応を制御することが著しく困難になる場合があるためである。
【００６１】
（４） 添加割合
一般式（２）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体と、式（３）で表される
テトラリン酸エステル誘導体と、の間の反応を実施するにあたり、添加割合を、モル比で
４：１〜６：１の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかるホルミル化トリフェニルアミン誘導体と、テトラリン酸エステル誘
導体との添加割合が、４：１未満の値になると、ホルミル化トリフェニルアミン誘導体と
、テトラリン酸エステル誘導体とが、適切に対応して反応することが困難になる場合があ
るためである。また、かかる添加割合が、６：１を超えると、未反応のホルミル化トリフ
ェニルアミン誘導体が多く残留し、精製を困難にする場合があるためである。
したがって、一般式（２）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体と、式（３
）で表されるテトラリン酸エステル誘導体と、の添加割合を、モル比で４．２：１〜５．
５：１の範囲内の値とすることが好ましい。
【００６２】
［第３の実施形態］
第３の実施形態は、導電性基体上に感光層を設けた電子写真感光体であって、感光層に
、一般式（１）で表されるスチルベン誘導体を含有することを特徴とする電子写真感光体
である。
なお、電子写真感光体には、主として単層型感光体と積層型感光体とがあるが、本発明
のスチルベン誘導体は、いずれのタイプにも適用可能である。
ただし、特に正負いずれの帯電型感光体に使用できること、構造が簡単であって、製造
が容易であること、感光層を形成する際の被膜欠陥を効果的に抑制できること、層間の界
面が少なく、光学的特性を向上させやすい等の理由から、単層型感光体に適用することが
好ましい。
【００６３】
１．単層型感光体
（１） 基本的構成
図５（ａ）に示すように、単層型感光体１０は、導電性基体１２上に単一の感光層１４
を設けたものである。
この感光層は、例えば、一般式（１）で表されるスチルベン誘導体（正孔輸送剤）と、
電荷発生剤と、結着樹脂と、さらに必要に応じて電子輸送剤を適当な溶媒に溶解または分
散させ、得られた塗布液を導電性基体上に塗布し、乾燥させることで形成することができ
る。かかる単層型感光体は、単独の構成で正負いずれの帯電型にも適用可能であるととも
に、層構成が簡単であって、生産性に優れているという特徴がある。
また、得られた単層型感光体は、一般式（１）で表されるスチルベン誘導体を含んでい
ることから、残留電位が低下しているとともに、所定感度を有しているという特徴がある
。
さらに、単層型感光体の感光層に、電子輸送剤を含有させる場合には、電荷発生剤と正
孔輸送剤との電子の授受が効率よく行われるようになり、感度等がより安定する傾向が見
られる。
【００６４】
（２） 電荷発生剤
本発明に用いられる電荷発生剤としては、例えば、無金属フタロシアニン、オキソチタ
ニルフタロシアニン、ペリレン顔料、ビスアゾ顔料、ジチオケトピロロピロール顔料、無
金属ナフタロシアニン顔料、金属ナフタロシアニン顔料、スクアライン顔料、トリスアゾ
顔料、インジゴ顔料、アズレニウム顔料、シアニン顔料等の一種単独または二種以上の組
み合わせが挙げられる。
特に、半導体レーザー等の光源を使用したレーザービームプリンタやファクシミリ等の
デジタル光学系の画像形成装置には、７００ｎｍ以上の波長領域に感度を有する感光体が
必要となるため、例えば、無金属フタロシアニンやオキソチタニルフタロシアニン等のフ
タロシアニン系顔料が好適に用いられる。
一方、ハロゲンランプ等の白色の光源を使用した静電式複写機等のアナログ光学系の画
像形成装置には、可視領域に感度を有する感光体が必要となるため、例えば、ペリレン顔
料やビスアゾ顔料等が好適に用いられる。
【００６５】
（３） 正孔輸送剤
本発明の電子写真感光体においては、正孔輸送剤である本発明のスチルベン誘導体とと
もに、従来公知の他の正孔輸送剤を感光層に含有させることも好ましい。
このような正孔輸送剤としては、高い正孔輸送能を有する種々の化合物、例えば下記の
一般式(ＨＴ−１〜ＨＴ−１３)で表される化合物等があげられる。
【００６６】
【化１５】
【００６７】
（式中、Ｒh1、Ｒh2、Ｒh3、Ｒh4、Ｒh5およびＲh6は互いに独立しており、ハロゲン原
子、置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基、置換または非
置換の炭素数６〜４０のアリール基を示す。ａおよびｂは、同一または異なっていても良
い０〜４の整数を示し、ｃ、ｄ、ｅおよびｆは同一または異なっていても良い０〜５の整
数を示す。ただし、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅまたはｆが２以上のとき、各Ｒh1、Ｒh2、Ｒh3、
Ｒh4、Ｒh5およびＲh6は異なっていても良い。）
【００６８】
【化１６】
【００６９】
（式中、Ｒh7、Ｒh8、Ｒh9、Ｒh10 およびＲh11は互いに独立しており、ハロゲン原子、
置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基、置換または非置換
の炭素数６〜４０のアリール基を示す。ｇ、ｈ、ｉおよびｊは、同一または異なっていて
も良い０〜５の整数を示し、ｋは０〜４の整数を示す。ただし、ｇ、ｈ、ｉ、ｊまたはｋ
が２以上のとき、各Ｒh7、Ｒh8、Ｒh9、Ｒh10およびＲh11は異なっていても良い。）
【００７０】
【化１７】
【００７１】
（式中、Ｒh12、Ｒh13、Ｒh14およびＲh15は互いに独立しており、置換または非置換の
炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基、置換または非置換の炭素数６〜４０の
アリール基を示し、Ｒh16はハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換または非置換の炭
素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基、または置換または非置換の炭素数６〜４
０のアリール基を示す。ｍ、ｎ、ｏおよびｐは、同一または異なっていても良い０〜５の
整数を示し、ｑは、０〜６の整数を示す。ただし、ｍ、ｎ、ｏ、ｐまたはｑが２以上のと
き、各Ｒh12、Ｒh13、Ｒh14、Ｒh15およびＲh16は異なっていても良い。）
【００７２】
【化１８】
【００７３】
（式中、Ｒh17、Ｒh18、Ｒh19およびＲh20は互いに独立しており、ハロゲン原子、置換ま
たは非置換の炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基、置換または非置換の炭素
数６〜４０のアリール基を示。ｒ、ｓ、ｔおよびｕは、同一または異なっていても良い、
０〜５の整数を示す。ただし、ｒ、ｓ、ｔまたはｕが２以上のとき、各Ｒh17、Ｒh18、Ｒ
h19およびＲh20は異なっていても良い。）
【００７４】
【化１９】
【００７５】
（式中、Ｒh21およびＲh22は互いに独立しており、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜
２０のアルキル基またはアルコキシ基を示す。Ｒh23、Ｒh24、Ｒh25およびＲh26は互いに
独立しており、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数６〜４０のアリール
基を示す。）
【００７６】
【化２０】
【００７７】
（式中、Ｒh27、Ｒh28およびＲh29は互いに独立しており、水素原子、ハロゲン原子、炭
素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基を示す。）
【００７８】
【化２１】
【００７９】
（式中、Ｒh30、Ｒh31、Ｒh32およびＲh33は互いに独立しており、水素原子、ハロゲン
原子、炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基を示す。）
【００８０】
【化２２】
【００８１】
（式中、Ｒh34、Ｒh35、Ｒh36、Ｒh37およびＲh38は互いに独立しており、水素原子、
ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基を示す。）
【００８２】
【化２３】
【００８３】
（式中、Ｒh39は水素原子または炭素数１〜２０のアルキル基を示し、Ｒh40、Ｒh41およ
びＲh42は互いに独立しており、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基
またはアルコキシ基を示す。）
【００８４】
【化２４】
【００８５】
（式中、Ｒh43、Ｒh44およびＲh45は互いに独立しており、水素原子、ハロゲン原子、炭
素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基を示す。）
【００８６】
【化２５】
【００８７】
（式中、Ｒh46およびＲh47は互いに独立しており、水素原子、ハロゲン原子、置換または
非置換の炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基、あるいは、置換または非置換
の炭素数６〜４０のアリール基を示す。）
【００８８】
【化２６】
【００８９】
（式中、Ｒh50、Ｒh51、Ｒh52、Ｒh53、Ｒh54およびＲh55は互いに独立しており、水素原
子、ハロゲン原子、置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基
、あるいは、置換または非置換の炭素数６〜４０のアリール基を示す。また、αは１〜１
０の整数を示し、ｖ、ｗ、ｘ、ｙ、ｚおよびβは同一または異なっていても良い０〜２の
整数を示す。ただし、ｖ、ｗ、ｘ、ｙ、ｚまたはβが２のとき、各Ｒh50、Ｒh51、Ｒh52
、Ｒh53、Ｒh54およびＲh55は異なっていても良い。）
【００９０】
【化２７】
【００９１】
（式中、Ｒh56、Ｒh57、Ｒh58およびＲh59は互いに独立しており、水素原子、ハロゲン原
子、置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基を示し、Φは次
式のいずれかで表される基である。）
【００９２】
【化２８】
【００９３】
また、本発明においては、上記例示の正孔輸送剤ＨＴ−１〜ＨＴ−１３等とともに、従
来公知の正孔輸送物質、２，５−ジ（４−メチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサ
ジアゾール等のオキサジアゾール系化合物、９−（４−ジエチルアミノスチリル）アント
ラセン等のスチリル系化合物、ポリビニルカルバゾール等のカルバゾール系化合物、有機
ポリシラン化合物、１−フェニル−３−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）ピラゾリン等の
ピラゾリン系化合物、ヒドラゾン系化合物、トリフェニルアミン系化合物、インドール系
化合物、オキサゾール系化合物、イソオキサゾール系化合物、チアゾール系化合物、チア
ジアゾール系化合物、イミダゾール系化合物、ピラゾール系化合物、トリアゾール系化合
物等の含窒素環式化合物、縮合多環式化合物等の１種単独または２種以上の組み合わせが
挙げられる。
【００９４】
（４） 電子輸送剤
本発明に用いられる電子輸送剤としては、高い電子輸送能を有する種々の化合物、例え
ば下記の一般式(ＥＴ−１〜ＥＴ−１７)で表される化合物等があげられる。
【００９５】
【化２９】
【００９６】
（式中、Ｒe1、Ｒe2、Ｒe3、Ｒe4およびＲe5は互いに独立しており、水素原子、ハロゲン
原子、置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基、置換または
非置換の炭素数６〜４０のアリール基またはアラルキル基、置換または非置換のフェノキ
シ基を示す。）
【００９７】
【化３０】
【００９８】
（式中、Ｒe6は置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキル基、Ｒe7は置換または非置
換の炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基、置換または非置換の炭素数６〜４
０のアリール基またはアラルキル基、ハロゲン原子、またはハロゲン化アルキル基を示す
。γは０〜５の整数を示す。ただし、γが２以上のとき、各Ｒe7は互いに異なっていても
よ良い。）
【００９９】
【化３１】
【０１００】
（式中、Ｒe8およびＲe9は互いに独立しており、置換または非置換の炭素数１〜２０のア
ルキル基を示す。δは１〜４の整数を示し、εは０〜４の整数を示す。ただし、δおよび
εが２以上のとき、各Ｒe8およびＲe9は異なっていても良い。）
【０１０１】
【化３２】
【０１０２】
（式中、Ｒe10は置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基、
置換または非置換の炭素数６〜４０のアリール基またはアラルキル基、ハロゲン化アルキ
ル基、またはハロゲン原子を示す。ζは０〜４、ηは０〜５の整数を示す。ただし、ηが
２以上のとき、各Ｒe10は異なっていても良い。）
【０１０３】
【化３３】
【０１０４】
（式中、Ｒe11は置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキル基を示し、σは１〜４の
整数を示す。ただし、σが２以上のとき、各Ｒe11は異なっていても良い。）
【０１０５】
【化３４】
【０１０６】
（式中、Ｒe12およびＲe13は互いに独立しており、水素原子、ハロゲン原子、置換または
非置換の炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基、置換または非置換の炭素数６
〜４０のアリール基、アラルキルオキシカルボニル基、水酸基、ニトロ基、またはシアノ
基を示す。Ｘは酸素原子、＝Ｎ−ＣＮ基または＝Ｃ（ＣＮ）2 基を示す。）
【０１０７】
【化３５】
【０１０８】
（式中、Ｒe14は水素原子、ハロゲン原子、置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキ
ル基またはアルコキシ基、置換または非置換の炭素数６〜４０のアリール基を示し、Ｒe1
5はハロゲン原子、置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換または非置換
の炭素数６〜４０のアリール基、アルコキシカルボニル基、Ｎ−アルキルカルバモイル基
、シアノ基、またはニトロ基を示す。λは０〜３の整数を示す。ただし、λが２以上のと
き、各Ｒe15は互いに異なっていても良い。）
【０１０９】
【化３６】
【０１１０】
（式中、θは１〜２の整数を示す。）
【０１１１】
【化３７】
【０１１２】
（式中、Ｒe16およびＲe17は互いに独立しており、ハロゲン原子、置換または非置換の炭
素数１〜２０のアルキル基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシカルボニル基を示す。νお
よびξは０〜３の整数を示す。ただし、νまたはξが２以上のとき、各Ｒe16およびＲe17
は互いに異なっていても良い。）
【０１１３】
【化３８】
【０１１４】
（式中、Ｒe18およびＲe19は互いに独立しており、置換または非置換の炭素数６〜４０の
アリール基、縮合多環式基または複素環式基を示し、これらの基は置換基を有していても
良い。）
【０１１５】
【化３９】
【０１１６】
（式中、Ｒe20はアミノ基、ジアルキルアミノ基、置換または非置換の炭素数１〜２０の
アルキル基またはアルコシキ基、または置換または非置換の炭素数６〜４０のアリール基
を示し、πは１〜２の整数を示す。ただし、πが２のとき、各Ｒe20は互いに異なってい
ても良い。）
【０１１７】
【化４０】
【０１１８】
（式中、Ｒe21は水素原子、置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキル基またはアル
コキシ基、置換または非置換の炭素数６〜４０のアリール基またはアラルキル基を示す。
）
【０１１９】
【化４１】
【０１２０】
（式中、Ｒe22は、ハロゲン原子、置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキル基また
はアルコキシ基、置換または非置換の炭素数６〜４０のアリール基またはアラルキル基、
アルコキシカルボニル基、Ｎ−アルキルカルバモイル基、シアノ基、またはニトロ基を示
す。μは０〜３の整数を示す。ただし、μが２以上のとき、各Ｒe22は互いに異なってい
ても良い。）
【０１２１】
【化４２】
【０１２２】
（式中、Ｒe23は、置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキル基または置換または非
置換の炭素数６〜４０のアリール基を示し、Ｒe24は、置換または非置換の炭素数１〜２
０のアルキル基または置換または非置換の炭素数６〜４０のアリール基、または−Ｏ−Ｒ
e24で表される基を示す。上記基中のＲe24は、上述した置換または非置換の炭素数１〜２
０のアルキル基または置換または非置換の炭素数６〜４０のアリール基を示す。）
【０１２３】
【化４３】
【０１２４】
（式中、Ｒe25、Ｒe26、Ｒe27、Ｒe28、Ｒe29、Ｒe30およびＲe31は互いに独立しており
、置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基、置換または非置
換の炭素数６〜４０のアリール基またはアラルキル基、ハロゲン原子、またはハロゲン化
アルキル基を示す。χおよびφは同一または異なっていても良い０〜４の整数を示す。）
【０１２５】
【化４４】
【０１２６】
（式中、Ｒe32およびＲe33は互いに独立しており、置換または非置換の炭素数１〜２０の
アルキル基またはアルコキシ基、置換または非置換の炭素数６〜４０のアリール基、ハロ
ゲン原子、またはハロゲン化アルキル基を示す。τおよびψは同一または異なっていても
良い０〜４の整数を示す。）
【０１２７】
【化４５】
【０１２８】
（式中、Ｒe34、Ｒe35、Ｒe36およびＲe37は互いに独立しており、水素原子、置換または
非置換の炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基、置換または非置換の炭素数６
〜４０のアリール基またはアラルキル基、シクロアルキル基またはアミノ基を示す。ただ
し、Ｒe34 、Ｒe35 、Ｒe36 およびＲe37 のうち少なくとも２つは、水素原子でない同一
の基である。）
【０１２９】
また、本発明においては、上記例示のほかに従来公知の電子輸送物質、すなわち例えば
ベンゾキノン系化合物、マロノニトリル、チオピラン系化合物、テトラシアノエチレン、
２，４，８−トリニトロチオキサントン、ジニトロベンゼン、ジニトロアントラセン、ジ
ニトロアクリジン、ニトロアントラキノン、ジニトロアントラキノン、無水コハク酸、無
水マレイン酸、ジブロモ無水マレイン酸等の１種単独または２種以上の組み合わせが挙げ
られる。
【０１３０】
（５） 結着樹脂
各成分を分散させるための結着樹脂は、従来より感光層に使用されている種々の樹脂を
使用することができる。例えばスチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−アクリロニト
リル共重合体、スチレン−マレイン酸共重合体、アクリル共重合体、スチレン−アクリル
酸共重合体、ポリエチレン樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、塩素化ポリエチレン樹
脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリプロピレン樹脂、アイオノマー樹脂、塩化ビニル−酢酸ビ
ニル共重合体、ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリウレタン樹脂、
ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリスルホン樹脂、ジアリルフタレート樹
脂、ケトン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリエステル樹脂等の
熱可塑性樹脂；シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹
脂、その他架橋性の熱硬化性樹脂；エポキシアクリレート、ウレタン−アクリレート等の
光硬化型樹脂等の樹脂が使用可能である。
特に、ポリカーボネート樹脂は、透明性や耐熱性に優れているばかりか、機械的特性や
正孔輸送剤との相溶性にも優れていることから好ましい結着樹脂である。
【０１３１】
（６） 添加剤
また、感光層には、上記各成分のほかに、電子写真特性に悪影響を与えない範囲で、従
来公知の種々の添加剤、例えば酸化防止剤、ラジカル捕捉剤、一重項クエンチャー、紫外
線吸収剤等の劣化防止剤、軟化剤、可塑剤、表面改質剤、増量剤、増粘剤、分散安定剤、
ワックス、アクセプター、ドナー等を配合することができる。また、感光層の感度を向上
させるために、例えばテルフェニル、ハロナフトキノン類、アセナフチレン等の公知の増
感剤を電荷発生剤と併用してもよい。
【０１３２】
（７） 配合割合および厚さ
本発明の電子写真感光体が単層型の感光体である場合、電荷発生剤は、結着樹脂１００
重量部に対して０．１〜５０重量部、好ましくは０．５〜３０重量部の割合で配合すれば
よい。本発明のスチルベン誘導体(1) （正孔輸送剤）は、結着樹脂１００重量部に対して
２０〜５００重量部、好ましくは３０〜２００重量部の割合で配合すればよい。電子輸送
剤を含有させる場合、電子輸送剤の割合を結着樹脂１００重量部に対して５〜１００重量
部、好ましくは１０〜８０重量部とするのが適当である。
また、本発明の電子写真感光体が積層型の感光体である場合、電荷発生層を構成する電
荷発生剤と結着樹脂とは、種々の割合で使用することができるが、結着樹脂１００重量部
に対して電荷発生剤を５〜１０００重量部、好ましくは３０〜５００重量部の割合で配合
するのが適当である。電荷発生層に正孔輸送剤を含有させる場合は、正孔輸送剤の割合を
結着樹脂１００重量部に対して１０〜５００重量部、好ましくは５０〜２００重量部とす
るのが適当である。
【０１３３】
電荷輸送層を構成する正孔輸送剤と、結着樹脂とは、電荷の輸送を阻害しない範囲およ
び結晶化しない範囲で種々の割合で使用することができるが、光照射により電荷発生層で
生じた電荷が容易に輸送できるように、結着樹脂１００重量部に対して、本発明のスチル
ベン誘導体(1) （正孔輸送剤）を１０〜５００重量部、好ましくは２５〜２００樹脂の割
合で配合するのが適当である。電荷輸送層に電子輸送剤を含有させる場合は、電子輸送剤
の割合を結着樹脂１００重量部に対して５〜２００重量部、好ましくは１０〜１００重量
部とするのが適当である。
【０１３４】
（８） 構造
また、単層型感光体における感光層の厚さは５〜１００μｍ、好ましくは１０〜５０μ
ｍである。
そして、このような感光層が形成される導電性基体としては、導電性を有する種々の材
料を使用することができ、例えば鉄、アルミニウム、銅、スズ、白金、銀、バナジウム、
モリブデン、クロム、カドミウム、チタン、ニッケル、パラジウム、インジウム、ステン
レス鋼、真鍮等の金属や、上記金属が蒸着またはラミネートされたプラスチック材料、ヨ
ウ化アルミニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で被覆されたガラス等があげられる。
また、導電性基体の形状は、使用する画像形成装置の構造に合わせて、シート状、ドラ
ム状等のいずれであってもよく、基体自体が導電性を有するか、あるいは基体の表面が導
電性を有していればよい。また、導電性基体は、使用に際して十分な機械的強度を有する
ものが好ましい。前記感光層を塗布の方法により形成する場合には、前記例示の電荷発生
剤、電荷輸送剤、結着樹脂等を適当な溶剤とともに、公知の方法、例えばロールミル、ボ
ールミル、アトライタ、ペイントシェーカー、超音波分散機等を用いて分散混合して分散
液を調整し、これを公知の手段により塗布して乾燥させればよい。
さらに、単層型感光体１０の構成に関して、図５（ｂ）に示すように、導電性基体１２
と感光層１４との間に、感光体の特性を阻害しない範囲でバリア層１６が形成されていて
もよい。また、図５（ｃ）に示すように、感光層１４の表面には、保護層１８が形成され
ていてもよい。
【０１３５】
（９） 製造方法
分散液を作るための溶剤としては、種々の有機溶剤が使用可能であり、例えばメタノー
ル、エタノール、イソプロパノール、ブタノール等のアルコール類；ｎ−ヘキサン、オク
タン、シクロヘキサン等の脂肪族系炭化水素；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族
系炭化水素、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素、クロロベン
ゼン等のハロゲン化炭化水素；ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラ
ン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等の
エーテル類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；酢酸エチ
ル、酢酸メチル等のエステル類；ジメチルホルムアルデヒド、ジメチルホルムアミド、ジ
メチルスルホキシド等があげられる。これらの溶剤は単独でまたは２種以上を混合して用
いられる。
さらに、電荷輸送剤や電荷発生剤の分散性、感光層表面の平滑性を良くするために界面
活性剤、レベリング剤等を使用してもよい。
【０１３６】
２．積層型感光体
図６（ａ）に示すように、積層型感光体２０は、導電性基体１２上に、蒸着または塗布
等の手段によって、電荷発生剤を含有する電荷発生層２４を形成し、次いでこの電荷発生
層２４上に、一般式（１）で表されるスチルベン誘導体（正孔輸送剤）の少なくとも１種
と結着樹脂とを含む塗布液を塗布し、乾燥させて電荷輸送層２２を形成することによって
作製される。
また、上記構造とは逆に、図６（ｂ）に示すように、導電性基体１２上に電荷輸送層２
２を形成し、その上に電荷発生層２４を形成してもよい。
ただし、電荷発生層２４は、電荷輸送層２２に比べて膜厚がごく薄いため、その保護の
ためには、図６（ａ）に示すように、電荷発生層２４の上に電荷輸送層２２を形成するこ
とがより好ましい。
なお、電荷発生剤、正孔輸送剤、電子輸送剤、結着剤等については、単層型感光体と同
様の内容とすることができる。
【０１３７】
また、積層型感光体は、上記電荷発生層および電荷輸送層の形成順序と、電荷輸送層に
使用する電荷輸送剤の種類によって、正負いずれの帯電型となるかが選択される。例えば
、上記のように、導電性基体上に電荷発生層を形成し、その上に電荷輸送層を形成した場
合において、電荷輸送層における電荷輸送剤として、本発明のスチルベン誘導体のような
正孔輸送剤を使用した場合には、感光体は負帯電型となる。この場合、電荷発生層には電
子輸送剤を含有させてもよい。
そして、本発明の積層型電子写真感光体は、感光体の残留電位が低下するとともに、所
定感度を有しているという特徴がある。
なお、積層型感光体における感光層の厚さは、電荷発生層が０．０１〜５μｍ程度、好
ましくは０．１〜３μｍ程度であり、電荷輸送層が２〜１００μｍ、好ましくは５〜５０
μｍ程度である。
【実施例】
【０１３８】
［実施例１］
（１）スチルベン誘導体の合成
（１）−１ テトラリン酸エステル誘導体の合成
上述した反応式（３）にしたがって、上述した式（３）で表されるテトラリン酸エステ
ル誘導体を合成した。
すなわち、１５ｇ（０．０５５ｍｏｌ）の１，３，４，６−テトラキス（クロロメチル
）ベンゼンに対して、４３．５ｇ（０．２８ｍｏｌ）の亜リン酸トリエチルエステルを加
え、１７０℃で、８時間以上還流した。次いで、室温まで冷却した後、溶媒を減圧留去し
、得られた残渣につき、ヘキサンを用いて、再結晶させた。次いで、得られた再結晶物を
減圧乾燥させて、３３ｇのテトラリン酸エステル誘導体を得た（収率８８．３％）。
【０１３９】
（１）−２ トリフェニルアミン化合物の合成
下記反応式（４）にしたがって、式（１７´）で表されるトリフェニルアミン化合物を
合成した。
すなわち、容量５００ｍｌの二口フラスコ内に、無水炭酸カリウム４６．６ｇ（０．３
４ｍｏｌ）および粉末銅２．５ｇ（０．０４ｍｏｌ）を加え、温度２００℃、２時間の条
件で加熱して、均一になるまで十分に攪拌した。
次いで、室温まで冷却した後、式（１２）で表されるアニリン誘導体１７．６ｇ（０．
１３ｍｏｌ）と、ヨードベンゼン６８．９ｇ（０．３４ｍｏｌ）と、を添加した後、２２
０℃に再加熱し、２．５時間反応させた。その後、室温まで冷却した後、１００ｍｌのト
ルエンを添加し、ろ過処理を実施するとともに、ろ液からトルエンおよび未反応物を減圧
留去した。得られた残渣をトルエンに溶解させ、さらに活性白土処理を実施した後、トル
エンを減圧留去した。
次いで、得られた残渣をトルエンに再び溶解させるととに、メタノールを用いて結晶化
させ、かかる操作を２回繰り返して、２３．２ｇの薄紫色の固体物として、式（１７´）
で表されるトリフェニルアミン化合物を得た（収率６２％）。
【０１４０】
【化４６】
【０１４１】
（１）−３ ホルミル化トリフェニルアミン誘導体の合成
下記反応式（５）にしたがって、下記式（１８）で表されるホルミル化トリフェニルア
ミン化合物を合成した。すなわち、５００ｍｌのフラスコ内に、式（１７´）で表される
トリフェニルアミン化合物２３．０ｇ（０．０８ｍｏｌ）と、ＤＭＦ２００ｍｌと、オキ
シ塩化リン酸（ＰＯＣｌ3）１５．２ｇ（０．１ｍｏｌ）と、を収容し、それをオイル浴
内に浸漬して、９５℃、１時間の条件で反応させた。反応後、フラスコ内の反応液に対し
て、イオン交換水４００ｍｌと、トルエン２００ｍｌとを滴下し、さらに分離させて得ら
れたトルエン層をイオン交換水にて洗浄した。得られた有機層に、無水硫酸ナトリウムを
添加して乾燥させるとともに、活性白土処理による吸着処理を実施した。次いで、トルエ
ンを減圧留去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロ
ロホルム溶媒）で精製して、式（１８）で表されるホルミル化トリフェニルアミン化合物
１９．６ｇ（収率７７．５％）を得た。
【０１４２】
【化４７】
【０１４３】
（１）−４ スチルベン誘導体の合成
下記反応式（６）にしたがって、式（１１）で表されるスチルベン誘導体を合成した。
すなわち、５００ｍｌの二口フラスコ内に、（１）−１で得られた式（３）で表されるテ
トラリン酸エステル誘導体４．３ｇ（６．３ｍｍｏｌ）を収容した後、十分にアルゴン置
換を実施した。次いで、ＴＨＦ３０ｍｌと、２８％ＮａＯＭｅ５．８ｇ（０．０３ｍｏｌ
）／ＴＨＦ３０ｍｌと、を収容した後、均一になるまで約３０分攪拌した。次いで、二口
フラスコ内内に、上述した（１）−２〜３で得られた式（１８）で表されるホルミル化ト
リフェニルアミン誘導体８ｇ（０．０２５ｍｏｌ）をＴＨＦ１００ｍｌに溶解させた後、
ロート滴下し、室温で約１２時間反応させた。次いで、得られた反応液をイオン交換水に
注ぎ、トルエンにて抽出を行い、得られた有機層をイオン交換水にて洗浄した後、無水硫
酸ナトリウムにより乾燥させた。次いで、トルエンを減圧留去し、得られた残渣をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム溶媒）で精製して、式（１１）
で表されるスチルベン誘導体６．５ｇ（収率７７．９％）を得た。
【０１４４】
得られた式（１１）で表されるスチルベン誘導体の赤外吸収スペクトルを図１に示し、
プロトン−ＮＭＲチャート（全体図および二つの部分拡大図を）をそれぞれ図２〜図４に示す。
【０１４５】
【化４８】
【０１４６】
（２）評価
（２）−１ 初期表面電位、半減露光量および残留電位の測定
得られた式（１１）で表されるスチルベン誘導体を正孔輸送剤として、単層型の電子写
真感光体を作成して、初期表面電位、半減露光量および残留電位を測定した。すなわち、
正孔輸送剤として、得られたスチルベン誘導体を１００重量部と、電荷発生剤として、下
記式（１９）で表されるＸ型無金属フタロシアニン（ＣＧＭ−１）を５重量部と、結着樹
脂として、下記式（２０）で表されるポリカーボネート樹脂１００重量部と、を溶媒とし
てのテトラヒドロフラン８００重量部に対して添加した。次いで、ボールミルを用いて５
０時間混合分散して、単層型感光層用の塗布液を作成した。得られた塗布液を、導電性基
材（アルミニウム素管）上に、ディップコート法にて塗布し、１００℃、３０分間の条件
で熱風乾燥して、膜厚２５μｍの単層型感光層を有する電子写真感光体を得た。
次いで、得られた電子写真感光体における初期電気特性、すなわち、半減露光量（Ｅ１
／２）および残留電位（ＶＲ）を、ドラム感度試験機（ＧＥＮＴＥＣ社製）を用いて、表
面電位が７１０Ｖになるように帯電させて測定した。なお、半減露光量（Ｅ１／２）につ
いては、ハロゲンランプの光からバンドパスフィルターを用いて取り出した波長７８０ｎ
ｍの単色光（半値幅：２０ｎｍ、光強度：１．５μＪ／ｃｍ2）を露光して、表面電位が
１／２になるまでに要した時間を測定した。さらに、残留電位については、露光開始から
０．５秒経過した時点での表面電位を測定し、それを残留電位とした。
それぞれ得られた結果を、表１に示す。結果から明らかなように、得られた電子写真感
光体は、残留電位の値が低く、半減露光量も０．９秒以内であって、所定感度を有するこ
とを確認した。なお、表１中、電荷発生剤としてのＸ型無金属フタロシアニンをＣＧＭ−
１と表記し、スチルベン誘導体をＨＴ−Ａと表記する（以下、同様である。）。
【０１４７】
【化４９】
【０１４８】
【化５０】
【０１４９】
［実施例２］
実施例１の塗布液中に、電子輸送剤として、下記式（２１）で表されるキノン誘導体Ｅ
Ｔ−Ａ）をさらに３０重量部添加したほかは、実施例１と同様に単層型感光層を作成して
、評価した。なお、表１中、式（２１）で表されるキノン誘導体をＥＴ−Ａと表記する。
【０１５０】
【化５１】
【０１５１】
［実施例３］
実施例１における塗布液中に、電子輸送剤として、下記式（２２）で表される別のキノ
ン誘導体（ＥＴ−Ｂ）をさらに３０重量部添加したほかは、実施例１と同様に単層型感光
層を作成して、評価した。なお、表１中、式（２２）で表されるキノン誘導体をＥＴ−Ｂ
と表記する。
【０１５２】
【化５２】
【０１５３】
［実施例４］
実施例１における塗布液中に、電子輸送剤として、下記式（２３）で表される別のキノ
ン誘導体（ＥＴ−Ｃ）をさらに３０重量部添加したほかは、実施例１と同様に単層型感光
層を作成して、評価した。なお、表１中、式（２３）で表されるキノン誘導体をＥＴ−Ｃ
と表記する。
【０１５４】
【化５３】
【０１５５】
［実施例５〜８］
実施例５〜８においては、実施例１〜４でそれぞれ使用したスチルベン誘導体（ＨＴ−
Ａ）のかわりに、下記式（２４）で表されるスチルベン誘導体（ＨＴ−Ｂ）を用いたほか
は、実施例１〜４と同様に単層型感光層を作成して、評価した。
【０１５６】
【化５４】
【０１５７】
［実施例９〜１２］
実施例９〜１２においては、実施例１〜４でそれぞれ使用したスチルベン誘導体（ＨＴ
−Ａ）のかわりに、下記式（２５）で表されるスチルベン誘導体（ＨＴ−Ｃ）を用いたほ
かは、実施例１〜４と同様に単層型感光層を作成して、評価した。
【０１５８】
【化５５】
【０１５９】
［比較例１〜４］
比較例１〜４においては、実施例１〜４でそれぞれ使用したスチルベン誘導体（ＨＴ−
Ａ）のかわりに、下記式（２６）で表されるスチルベン誘導体（ＨＴ−Ｄ）を用いたほか
は、実施例１〜４と同様に単層型感光層を作成して、評価した。なお、表１中、式（２６
）で表されるスチルベン誘導体をＨＴ−Ｄと表記する。
【０１６０】
【化５６】
【０１６１】
［比較例５〜８］
比較例５〜８においては、実施例１〜４でそれぞれ使用したスチルベン誘導体（ＨＴ−
Ａ）のかわりに、下記式（２７）で表されるスチルベン誘導体（ＨＴ−Ｅ）を用いたほか
は、実施例１〜４と同様に単層型感光層を作成して、評価した。なお、表１中、式（２７
）で表されるスチルベン誘導体をＨＴ−Ｅと表記する。
【０１６２】
【化５７】
【０１６３】
【表１】
【産業上の利用可能性】
【０１６４】
以上詳述したように、本発明のスチルベン誘導体は、分子内の所定位置に特定の置換基
を有することにより、平均分子量が比較的大きい場合であっても、所定溶剤に対して、十
分な溶解性を示すことができるとともに、光感度が向上していることから、静電式複写機
やレーザービームプリンタ等の電子写真感光体に使用することにより、高速化、高性能化
等に寄与することが期待される。
また、本発明のスチルベン誘導体は、高い正孔輸送能を有することから、電子写真感光
体における正孔輸送剤として好適に使用されるほか、太陽電池、エレクトロルミネッセン
ス素子等での種々の分野での利用が可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１６５】
【図１】式（１１）で表されるスチルベン誘導体の赤外分光（ＩＲ）チャートを説明するために供する図である。
【図２】式（１１）で表されるスチルベン誘導体のプロトン−ＮＭＲチャートを説明するために供する図である。
【図３】式（１１）で表されるスチルベン誘導体のプロトン−ＮＭＲチャートを部分的に拡大して説明するために供する図である（その１）。
【図４】式（１１）で表されるスチルベン誘導体のプロトン−ＮＭＲチャートを部分的に拡大して説明するために供する図である（その２）。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、単層型感光体の基本構造および変形構造を説明するために供する図である。
【図６】（ａ）〜（ｂ）は、積層型感光体の基本構造および変形構造を説明するために供する図である。
【符号の説明】
【０１６６】
１０：単層型感光体
１２：導電性基体
１４：感光層
１６：バリア層
１８：保護層
２０：積層型感光体
２２：電荷輸送層
２４：電荷発生層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スチルベン誘導体、その製造方法、および電子写真感光体に関し、特に、分
子内の所定位置に特定の置換基を有することにより、所定溶剤に対して、十分な溶解性を
示すことができるとともに、光感度が向上したスチルベン誘導体、その製造方法、および
そのスチルベン誘導体を含有した電子写真感光体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、画像形成装置等の電子写真感光体として、電荷輸送剤、電荷発生剤、および結着
樹脂（バインダー樹脂）等の有機感光体材料からなる有機感光体が使用されている。かか
る有機感光体は、従来の無機感光体に比べて、製造が容易であるとともに、感光体材料の
選択肢が多様であることから、構造設計の自由度が高いという利点がある。
このような有機感光体材料のうち、高い電荷移動度を有する電荷輸送剤として、下記一
般式（２８）で表されるスチルベン誘導体が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【化１】
【０００４】
（一般式（２８）中、Ａｒはメチレン基または置換されても良い炭素数６〜２０のアリー
レン基、Ａｒ1は、置換されても良い炭素数６〜２０のアリーレン基、Ｒ4は５員環の複素
環基、置換されても良い低級アルキル基、アラルキル基、または炭素数６〜１４のアリー
レン基、Ｒ5およびＲ6は、水素原子、低級アルキル基、または置換されても良い炭素数６
〜２０のアリール基である。）
【０００５】
また、同様に、電荷輸送剤として、下記一般式（２９）で表されるスチルベン誘導体も
知られており、そのうち、下記式（３０）で表されるテトラタイプのスチルベン誘導体が
開示されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００６】
【化２】
【０００７】
（一般式（２９）中、Ｒ7〜Ｒ22はそれぞれ水素原子，アルキル基，置換基Ｒを有しても
よいアリール基のうちのいずれかを表し、Ａ1〜Ａ4はそれぞれ置換基Ｒを有してもよいア
リール基，置換基Ｒを有してもよいジフェニルアミノフェニル基，置換基Ｒを有してもよ
いカルバゾリル基のうちのいずれかを表し、ｎ１は０または１を表す。置換基Ｒは水素原
子，アルキル基，アルコキシ基，アミノ基，シアノ基，ニトロ基，水酸基，ハロゲン原子
のうちのいずれかを表す。これらの置換基は、複数置換されてもよく、互いに異なっても
よい。）
【０００８】
【化３】
【特許文献１】特開平８−２８３７０８号（特許請求の範囲）
【特許文献２】特開平９−２９７４１２号（特許請求の範囲、段落００１３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１に記載されたスチルベン誘導体は、初期的には高い電荷移動
度を有するにもかかわらず、結着樹脂との相溶性が乏しく、均一に成膜することが困難で
あるばかりか、長期間使用した場合に、電荷移動が生じにくくなるという問題が見られた
。
また、特許文献２に記載されたスチルベン誘導体、特に、式（３０）で表されるテトラ
タイプのスチルベン誘導体は、平均分子量が大きく、有機溶剤、例えば、ほとんどの樹脂
を可溶することができるテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）に対しても溶解性に乏しくて、均
一な厚さに成膜することが困難であるという問題が見られた。
すなわち、いずれのスチルベン誘導体も、電子写真感光体における電荷輸送剤として使
用した場合に、製造が困難であって、感光特性が十分に発揮されないという問題が見られ
た。
そこで、本発明者らは、スチルベン誘導体において、分子内の所定位置に特定の置換基
を有することにより、平均分子量が比較的大きい場合であっても、所定溶剤に対して、十
分な溶解性を示すことができるとともに、光感度が向上するという事実を見出し、本発明
を完成するに至った。
すなわち、本発明の目的は、上述した技術的な問題を解決し、電子写真感光体等の電荷
輸送剤として好適に用いることのできるスチルベン誘導体、その製造方法、および、所定
感度を有する電子写真感光体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明によれば、下記一般式（１）で表されるスチルベン誘導体が提供され、上述した
問題点を解決することができる。
【００１１】
【化４】
【００１２】
（一般式（１）中、４つのＲ1およびＲ2は、それぞれ独立した炭素数１〜２０の置換また
は非置換のアルキル基、炭素数１〜２０の置換または非置換のアルコキシ基、炭素数６〜
２０の置換または非置換のアリール基、あるいは置換または非置換のアミノ基であり、４
つのＲ3は、それぞれ水素原子、炭素数１〜２０の置換または非置換のアルキル基、炭素
数１〜２０の置換または非置換のアルコキシ基、炭素数６〜２０の置換または非置換のア
リール基、あるいは置換または非置換のアミノ基である。）
【００１３】
また、本発明のスチルベン誘導体を構成するにあたり、一般式（１）中のＲ1およびＲ2
が、炭素数１〜６の置換または非置換のアルキル基であることが好ましい。
【００１４】
また、本発明のスチルベン誘導体を構成するにあたり、一般式（１）中のＲ3が、水素
原子であることが好ましい。
【００１５】
また、本発明の別の態様は、反応式（１）で表されるように、一般式（２）で表される
ホルミル化トリフェニルアミン誘導体と、式（３）で表されるテトラリン酸エステル誘導
体とを、塩基の存在下に反応させて、一般式（１）で表されるスチルベン誘導体を得るこ
とを特徴とするスチルベン誘導体の製造方法である。
【００１６】
【化５】
【００１７】
（反応式（１）中、複数のＲ1およびＲ2は、それぞれ独立した炭素数１〜２０の置換また
は非置換のアルキル基、炭素数１〜２０の置換または非置換のアルコキシ基、炭素数６〜
２０の置換または非置換のアリール基、あるいは置換または非置換のアミノ基であり、複
数のＲ3は、それぞれ水素原子、炭素数１〜２０の置換または非置換のアルキル基、炭素
数１〜２０の置換または非置換のアルコキシ基、炭素数６〜２０の置換または非置換のア
リール基、あるいは置換または非置換のアミノ基である。）
【００１８】
また、本発明のスチルベン誘導体の製造方法を実施するにあたり、一般式（２）で表さ
れるホルミル化トリフェニルアミン誘導体として、下記反応式（２）で表されるように、
一般式（４）で表されるアニリン誘導体と、無水酢酸と、を硫酸下に反応させて、一般式
（８）で表されるアセチル化アニリン誘導体を得た後、一般式（５）で表されるヨードベ
ンゼン誘導体とを反応させて、一般式（９）で表されるアセチル化ジフェニルアミン化合
物を得た後、当該一般式（９）で表されるアセチル化ジフェニルアミン化合物からアセチ
ル基を脱離させて一般式（１０）で表されるジフェニルアミン誘導体を得て、さらに式（
６）で表されるヨードベンゼンを反応させて、一般式（７）で表されるトリフェニルアミ
ン誘導体を得て、次いで、フィルスマイヤー(Vilsmeier)法によりホルミル化して得られ
るホルミル化トリフェニルアミン誘導体を使用することが好ましい。
【００１９】
【化６】
【００２０】
（反応式（２）中の複数のＲ1、Ｒ2およびＲ3は、それぞれ独立であって、置換基Ｒ3が水
素原子以外であることを除いて、反応式（１）中の内容と同様である。）
【００２１】
また、本発明のスチルベン誘導体の製造方法を実施するにあたり、一般式（２´）で表
されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体として、下記反応式（２´）で表されるよう
に、一般式（４）で表されるアニリン誘導体と、式（６）で表されるヨードベンゼンとを
反応させて、一般式（７´）で表されるトリフェニルアミン誘導体を得て、次いで、フィ
ルスマイヤー(Vilsmeier)法によりホルミル化して得られるホルミル化トリフェニルアミ
ン誘導体を使用することが好ましい。
【００２２】
【化７】
【００２３】
（反応式（２´）中の複数のＲ1およびＲ2は、それぞれ独立であって、反応式（１）中の
内容と同様である。）
【００２４】
また、本発明のさらに別の態様は、導電性基体上に感光層を設けた電子写真感光体であ
って、感光層が、下記一般式（１）で表されるスチルベン誘導体を含有することを特徴と
する電子写真感光体である。
【００２５】
【化８】
【００２６】
（一般式（１）中、４つのＲ1およびＲ2は、それぞれ独立した炭素数１〜２０の置換また
は非置換のアルキル基、炭素数１〜２０の置換または非置換のアルコキシ基、炭素数６〜
２０の置換または非置換のアリール基、あるいは置換または非置換のアミノ基であり、４
つのＲ3は、それぞれ水素原子、炭素数１〜２０の置換または非置換のアルキル基、炭素
数１〜２０の置換または非置換のアルコキシ基、炭素数６〜２０の置換または非置換のア
リール基、あるいは置換または非置換のアミノ基である。）
【００２７】
また、本発明の電子写真感光体を構成するにあたり、感光層が、電荷発生剤および電子
輸送剤をさらに含有した単層型であることが好ましい。
【発明の効果】
【００２８】
本発明の一般式（１）で表されるスチルベン誘導体は、分子内の所定位置に特定の置換
基（Ｒ1、Ｒ2およびＲ3）を有することにより、平均分子量が比較的大きい場合であって
も、所定溶剤に対して、十分な溶解性を示すことができるとともに、光感度を向上させる
ことができる。したがって、電子写真感光体における電荷輸送剤（正孔輸送剤）として使
用することにより、製造が容易であって、所定感度を有するとともに、耐久性に優れた電
子写真感光体を提供することができる。
【００２９】
また、本発明のスチルベン誘導体によれば、置換基Ｒ1およびＲ2が、所定のアルキル基
であることより、所定溶剤に対して、十分な溶解性を示すことができるとともに、感度特
性が優れた電子写真感光体を提供することができる。
【００３０】
また、本発明のスチルベン誘導体によれば、置換基Ｒ3が、水素原子であることより、
所定構造を有するスチルベン誘導体の製造が容易になり、かかる誘導体を安定して得るこ
とができる。
【００３１】
また、本発明のスチルベン誘導体の製造方法によれば、分子内の所定位置に特定の置換
基（Ｒ1、Ｒ2およびＲ3）を有するスチルベン誘導体を効率的に製造することができる。
したがって、電子写真感光体における電荷輸送剤（正孔輸送剤）として使用した場合に、
製造が容易であって、所定感度を有するとともに、耐久性に優れた電子写真感光体を効率
的に提供することができる。
【００３２】
また、本発明のスチルベン誘導体の製造方法によれば、反応式（２）に従って、所定構
造のトリフェニルアミン誘導体を得た後、フィルスマイヤー(Vilsmeier)法によりホルミ
ル化することにより、一般式（２）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体が効
率的に得ることができる。また、反応式（２´）に従って、所定構造のトリフェニルアミ
ン誘導体を得た後、フィルスマイヤー(Vilsmeier)法によりホルミル化することにより、
さらに少ない工程において、一般式（２´）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘
導体が効率的に得られ、結果として、一般式（１）で表されるスチルベン誘導体をさらに
効率的に得ることができる。
【００３３】
また、本発明の電子写真感光体によれば、分子内の所定位置に特定の置換基（Ｒ1、Ｒ2
およびＲ3）を有するスチルベン誘導体を電荷輸送剤（正孔輸送剤）として含むため、製
造が容易であって、所定感度を有するとともに、耐久性に優れた電子写真感光体を提供す
ることができる。
【００３４】
また、本発明の電子写真感光体によれば、感光層が、いわゆる単層型であることより、
構成や製造が容易になるばかりか、所定の光感度を有する単層型の電子写真感光体を効率
的に得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、本発明のスチルベン誘導体、その製造方法、および、電子写真感光体に関する実
施の形態を、適宜図面を参照しながら、具体的に説明する。
【００３６】
[第１の実施形態]
第１の実施形態は、下記一般式（１）で表されるスチルベン誘導体である。なお、一般
式（１）中のＲ1、Ｒ2、およびＲ3は、既に上述した内容であって、以下、特に断りが無
い限り同様である。
【００３７】
【化９】
【００３８】
ここで、一般式(１)で表されるスチルベン誘導体の一例として、下記式(１１)で表され
るスチルベン誘導体の赤外分光（ＩＲ）チャートを図１に、プロトン−ＮＭＲチャート（
全体図および二つの拡大図）を図２〜図４に、それぞれ示す。
【００３９】
【化１０】
【００４０】
[第２の実施形態]
第２の実施形態は、下記反応式（１）に示されるように、一般式（２）で表されるホル
ミル化トリフェニルアミン誘導体と、式（３）で表されるテトラリン酸エステル誘導体と
を、塩基の存在下に反応させることを特徴とする一般式（１）で表されるスチルベン誘導
体の製造方法である。なお、反応式（１）中のＲ1、Ｒ2、およびＲ3は、既に上述した内
容である。
【００４１】
【化１１】
【００４２】
１．ホルミル化トリフェニルアミン誘導体
一般式（２）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体（ただし、置換基Ｒ3が
水素原子以外の場合）は、下記反応式(２)に示すように、フィルスマイヤー法を基本的に
利用して合成することができる。
【００４３】
【化１２】
【００４４】
すなわち、反応式(２)は、以下に示す工程（１）〜（５）を含み、最終工程（５）にお
いて、フィルスマイヤー法を利用してホルミル化することを示している。
工程１：一般式（２）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体が、一般式（４）
で表されるアニリン誘導体と、無水酢酸と、を硫酸下に反応させて、一般式（８）で表さ
れるアセチル化アニリン誘導体を得る工程
工程２：一般式（５）で表されるヨードベンゼン誘導体を反応させて、一般式（９）で表
されるアセチル化ジフェニルアミン化合物を得る工程
工程３：一般式（９）で表されるアセチル化ジフェニルアミン化合物からアセチル基を脱
離させて、一般式（１０）で表されるジフェニルアミン誘導体を得る工程
工程４：式（６）で表されるヨードベンゼンを反応させて、一般式（７）で表されるトリ
フェニルアミン誘導体を得る工程
工程５：一般式（７）で表されるトリフェニルアミン誘導体をフィルスマイヤー(Vilsmei
er)法によりホルミル化して、一般式（２）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘
導体を得る工程
【００４５】
１−（１）工程１
工程１において、一般式（４）で表されるアニリン誘導体をアセチル化して、一般式（
８）で表されるアセチル化アニリン誘導体を得るにあたり、一般式（４）で表されるアニ
リン誘導体と、無水酢酸との反応割合を、モル比で１：１〜１：１．５の範囲内の値とす
ることが好ましい。
なお、反応温度を１００〜１５０℃とし、反応時間を１〜５時間とし、ｐＨ値を7以上
とすることが好ましい。
【００４６】
１−（２）工程２
次いで、工程２において、一般式（８）で表されるアセチル化アニリン誘導体と、一般
式（５）で表されるヨードベンゼン誘導体とを反応させるにあたり、その反応割合を、モ
ル比で１：１〜１：１．５の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかるアセチル化アニリン誘導体と、ヨードベンゼン誘導体との添加割合
が、１：１未満の値になると、一般式（９）で表されるアセチル化ジフェニルアミン化合
物の生成量が著しく低下する場合があるためである。一方、かかるアセチル化アニリン誘
導体と、ヨードベンゼン誘導体との添加割合が、１：１．５を超えると、未反応のヨード
ベンゼン誘導体が多く残留するため、過度の精製工程等が必要になる場合があるためであ
る。
さらに、一般式（８）で表されるアセチル化アニリン誘導体と、一般式（５）で表され
るヨードベンゼン誘導体とを反応させるにあたり、反応温度を、通常１６０〜２２０℃の
範囲内の値とするとともに、反応温度を４〜３０時間の範囲内の値とすることが好ましい
。
この理由は、このような反応条件であれば、比較的簡易な製造設備を用いて、所望の反
応を効率的に実施できるためである。
【００４７】
１−（３）工程３
次いで、工程３において、一般式（９）で表されるアセチル化ジフェニルアミン化合物
からアセチル基を脱離させて、一般式（１０）で表されるジフェニルアミン誘導体を得る
にあたり、その方法については特に制限されるものではないが、例えば、ブタノールと、
ターシャリーブチルカリウムとの存在下に、一般式（９）で表されるアセチル化ジフェニ
ルアミン化合物をアルカリ条件下において処理することにより、効率的に実施することが
できる。
【００４８】
１−（４）工程４
次いで、工程４において、一般式（１０）で表されるジフェニルアミン誘導体と、式（
６）で表されるヨードベンゼンとを反応させるにあたり、その反応割合を、モル比で１：
１〜１：１．５の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかるジフェニルアミン誘導体と、ヨードベンゼンとの添加割合が、１：
１未満の値になると、一般式（７）で表されるトリフェニルアミン化合物の生成量が著し
く低下する場合があるためである。一方、かかるジフェニルアミン誘導体と、ヨードベン
ゼンとの添加割合が、１：１．５を超えると、未反応のヨードベンゼンが多く残留するた
め、過度の精製工程等が必要になる場合があるためである。
さらに、一般式（１０）で表されるジフェニルアミン誘導体と、式（６）で表されるヨ
ードベンゼンとを反応させるにあたり、反応温度を、通常１６０〜２２０℃の範囲内の値
とするとともに、反応温度を４〜３０時間の範囲内の値とすることが好ましい。
【００４９】
１−（５）工程５
次いで、工程５において、一般式（７）で表されるトリフェニルアミン誘導体をフィル
スマイヤー(Vilsmeier)法によりホルミル化するにあたり、当該フィルスマイヤー法に使
用するフィルスマイヤー試薬（Vilsmeier試薬）としては、以下の化合物(i)および(ii)の
組合せであることが好ましい。
(i)オキシ塩化リン、ホスゲン、塩化オキサリル、塩化チオニル、トリフェニルホスフィ
ン−臭素、ヘキサクロロトリホスファザトリエン等のハロゲン化剤
(ii)Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ−メチルホルムアニリド（ＭＦＡ）、
Ｎ−ホルミルモルホリン、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホルムアミド
特に、本発明では、フィルスマイヤー試薬として、オキシ塩化リンと、溶媒としても使
用できるＤＭＦとの組み合わせが好適に用いられる。
【００５０】
また、フィルスマイヤー試薬の調製において、化合物(i)と(ii)との使用割合は、通常
モル比で、１：１〜１：２０の範囲内の値とすることが好ましく、１：１〜１：５の範囲
内の値とすることがより好ましい。
さらに、フィルスマイヤー試薬の使用量に関して、一般式（７）で表されるトリフェニ
ルアミン化合物１モルに対して、０．９〜２倍モル量の範囲内の値とすることが好ましく
、１〜１．１倍モル量の範囲内の値とすることがより好ましい。
なお、フィルスマイヤー法における、ジフェニルアミン誘導体のホルミル化の反応条件
に関して、通常１３０℃以下の温度で行い、反応時間を２〜５時間の範囲内の値とするこ
とが好ましい。
【００５１】
また、一般式（２）における置換基Ｒ3が水素原子である場合には、下記反応式(２´)
に示すように、より簡単にフィルスマイヤー法を利用して合成することができる。
【００５２】
【化１３】
【００５３】
すなわち、上述した工程（１）〜（３）を省略し、工程（４）および（５）を実施して
、一般式（４）で表されるアニリン誘導体と、式（６）で表されるヨードベンゼンとを反
応させて、一般式（７´）で表されるトリフェニルアミン誘導体を得て、次いで、フィル
スマイヤー(Vilsmeier)法によりホルミル化して得ることができる。
ただし、一般式（２）における置換基Ｒ3が水素原子である場合であっても、上述した
工程（１）〜（５）に準じて、二段階でヨードベンゼンを反応させて、一般式（２）で表
されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体（ただし、置換基Ｒ3が水素原子の場合）を
作成することもできる。
【００５４】
２．テトラリン酸エステル誘導体
式（３）で表されるテトラリン酸エステル誘導体は、例えば、下記反応式(３)に示す方
法により合成することが好ましい。
【００５５】
【化１４】
【００５６】
ここで、かかるテトラリン酸エステル誘導体の合成反応を実施するにあたり、例えば、
１，２，４，５−テトラキス（クロロメチル）ベンゼンに対して、亜リン酸トリエチルを
無溶媒または適当な溶媒中に添加して、反応させることが好ましい。この理由は、このよ
うに反応させることにより、反応式(１)の出発原料の一つであるテトラリン酸エステル誘
導体（３）を高い収率で得ることができるためである。
ここで、合成反応を生じさせるに際して、１，２，４，５−テトラキス（クロロメチル
）ベンゼン１モルに対して、亜リン酸トリエチルの使用割合を、少なくとも４倍モル当量
とすることが好ましく、４．１〜６倍モル量の範囲内の値とすることがより好ましい。
また、かかる反応温度を、通常８０〜１５０℃の範囲内の値とし、反応時間を２〜１０
時間の範囲内の値とすることが好ましい。
【００５７】
また、テトラリン酸エステル誘導体を作成する際に用いる溶媒としては、かかる反応に
影響を及ぼさないものであれば良いが、例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン
、ジオキサン等のエーテル類；塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエタン等のハロゲ
ン化炭化水素；ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素、ジメチルホルムアミド等が、好
適例として挙げられる。
また、テトラリン酸エステル誘導体を作成する際に、所定量の第三級アミンを添加する
ことも好ましい。この理由は、第三級アミンによって、反応系からハロゲン化アルキルが
除去されるため、テトラリン酸エステル誘導体の合成反応を促進できるためである。好適
な第三級アミンとしては、例えばトリエチルアミン、トリブチルアミン、ピリジン、４−
（ジメチルアミノ）ピリジン等の一種単独または二種以上の組み合わせが挙げられる。
【００５８】
３．反応条件
（１） 反応温度と反応時間
また、一般式（２）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体と、式（３）で表
されるテトラリン酸エステル誘導体との反応は、通常−１０〜３０℃で行うことが好まし
く、その反応時間を１〜１２時間の範囲内の値とすることが好ましい。
【００５９】
（２） 溶媒
一般式（２）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体と、式（３）で表される
テトラリン酸エステル誘導体との反応に使用する好適な溶媒としては、当該反応に影響を
及ぼさないものであればよいが、例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオ
キサン等のエーテル類；塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエタン等のハロゲン化炭
化水素；ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素が挙げられる。
【００６０】
（３） 塩基
また、かかる反応に使用する塩基としては、ナトリウムメトキシドやナトリウムエトキ
シド等のナトリウムアルコキシド、水素化ナトリウムや水素化カリウム等の金属水素化物
が好適なものとして挙げられる。
ここで、かかる塩基の添加量を、ホルミル化トリフェニルアミン誘導体１モルに対して
、１．１〜２モルの範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかる塩基の添加量が１．１モル未満の値となると、一般式（２）で表さ
れるホルミル化トリフェニルアミン誘導体と、式（３）で表されるテトラリン酸エステル
誘導体と、の間の反応性が著しく低下する場合があるためである。
一方、かかる塩基の添加量が２モルを超えると、一般式（２）で表されるホルミル化ト
リフェニルアミン誘導体と、式（３）で表されるテトラリン酸エステル誘導体と、の間の
反応を制御することが著しく困難になる場合があるためである。
【００６１】
（４） 添加割合
一般式（２）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体と、式（３）で表される
テトラリン酸エステル誘導体と、の間の反応を実施するにあたり、添加割合を、モル比で
４：１〜６：１の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかるホルミル化トリフェニルアミン誘導体と、テトラリン酸エステル誘
導体との添加割合が、４：１未満の値になると、ホルミル化トリフェニルアミン誘導体と
、テトラリン酸エステル誘導体とが、適切に対応して反応することが困難になる場合があ
るためである。また、かかる添加割合が、６：１を超えると、未反応のホルミル化トリフ
ェニルアミン誘導体が多く残留し、精製を困難にする場合があるためである。
したがって、一般式（２）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体と、式（３
）で表されるテトラリン酸エステル誘導体と、の添加割合を、モル比で４．２：１〜５．
５：１の範囲内の値とすることが好ましい。
【００６２】
［第３の実施形態］
第３の実施形態は、導電性基体上に感光層を設けた電子写真感光体であって、感光層に
、一般式（１）で表されるスチルベン誘導体を含有することを特徴とする電子写真感光体
である。
なお、電子写真感光体には、主として単層型感光体と積層型感光体とがあるが、本発明
のスチルベン誘導体は、いずれのタイプにも適用可能である。
ただし、特に正負いずれの帯電型感光体に使用できること、構造が簡単であって、製造
が容易であること、感光層を形成する際の被膜欠陥を効果的に抑制できること、層間の界
面が少なく、光学的特性を向上させやすい等の理由から、単層型感光体に適用することが
好ましい。
【００６３】
１．単層型感光体
（１） 基本的構成
図５（ａ）に示すように、単層型感光体１０は、導電性基体１２上に単一の感光層１４
を設けたものである。
この感光層は、例えば、一般式（１）で表されるスチルベン誘導体（正孔輸送剤）と、
電荷発生剤と、結着樹脂と、さらに必要に応じて電子輸送剤を適当な溶媒に溶解または分
散させ、得られた塗布液を導電性基体上に塗布し、乾燥させることで形成することができ
る。かかる単層型感光体は、単独の構成で正負いずれの帯電型にも適用可能であるととも
に、層構成が簡単であって、生産性に優れているという特徴がある。
また、得られた単層型感光体は、一般式（１）で表されるスチルベン誘導体を含んでい
ることから、残留電位が低下しているとともに、所定感度を有しているという特徴がある
。
さらに、単層型感光体の感光層に、電子輸送剤を含有させる場合には、電荷発生剤と正
孔輸送剤との電子の授受が効率よく行われるようになり、感度等がより安定する傾向が見
られる。
【００６４】
（２） 電荷発生剤
本発明に用いられる電荷発生剤としては、例えば、無金属フタロシアニン、オキソチタ
ニルフタロシアニン、ペリレン顔料、ビスアゾ顔料、ジチオケトピロロピロール顔料、無
金属ナフタロシアニン顔料、金属ナフタロシアニン顔料、スクアライン顔料、トリスアゾ
顔料、インジゴ顔料、アズレニウム顔料、シアニン顔料等の一種単独または二種以上の組
み合わせが挙げられる。
特に、半導体レーザー等の光源を使用したレーザービームプリンタやファクシミリ等の
デジタル光学系の画像形成装置には、７００ｎｍ以上の波長領域に感度を有する感光体が
必要となるため、例えば、無金属フタロシアニンやオキソチタニルフタロシアニン等のフ
タロシアニン系顔料が好適に用いられる。
一方、ハロゲンランプ等の白色の光源を使用した静電式複写機等のアナログ光学系の画
像形成装置には、可視領域に感度を有する感光体が必要となるため、例えば、ペリレン顔
料やビスアゾ顔料等が好適に用いられる。
【００６５】
（３） 正孔輸送剤
本発明の電子写真感光体においては、正孔輸送剤である本発明のスチルベン誘導体とと
もに、従来公知の他の正孔輸送剤を感光層に含有させることも好ましい。
このような正孔輸送剤としては、高い正孔輸送能を有する種々の化合物、例えば下記の
一般式(ＨＴ−１〜ＨＴ−１３)で表される化合物等があげられる。
【００６６】
【化１５】
【００６７】
（式中、Ｒh1、Ｒh2、Ｒh3、Ｒh4、Ｒh5およびＲh6は互いに独立しており、ハロゲン原
子、置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基、置換または非
置換の炭素数６〜４０のアリール基を示す。ａおよびｂは、同一または異なっていても良
い０〜４の整数を示し、ｃ、ｄ、ｅおよびｆは同一または異なっていても良い０〜５の整
数を示す。ただし、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅまたはｆが２以上のとき、各Ｒh1、Ｒh2、Ｒh3、
Ｒh4、Ｒh5およびＲh6は異なっていても良い。）
【００６８】
【化１６】
【００６９】
（式中、Ｒh7、Ｒh8、Ｒh9、Ｒh10 およびＲh11は互いに独立しており、ハロゲン原子、
置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基、置換または非置換
の炭素数６〜４０のアリール基を示す。ｇ、ｈ、ｉおよびｊは、同一または異なっていて
も良い０〜５の整数を示し、ｋは０〜４の整数を示す。ただし、ｇ、ｈ、ｉ、ｊまたはｋ
が２以上のとき、各Ｒh7、Ｒh8、Ｒh9、Ｒh10およびＲh11は異なっていても良い。）
【００７０】
【化１７】
【００７１】
（式中、Ｒh12、Ｒh13、Ｒh14およびＲh15は互いに独立しており、置換または非置換の
炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基、置換または非置換の炭素数６〜４０の
アリール基を示し、Ｒh16はハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換または非置換の炭
素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基、または置換または非置換の炭素数６〜４
０のアリール基を示す。ｍ、ｎ、ｏおよびｐは、同一または異なっていても良い０〜５の
整数を示し、ｑは、０〜６の整数を示す。ただし、ｍ、ｎ、ｏ、ｐまたはｑが２以上のと
き、各Ｒh12、Ｒh13、Ｒh14、Ｒh15およびＲh16は異なっていても良い。）
【００７２】
【化１８】
【００７３】
（式中、Ｒh17、Ｒh18、Ｒh19およびＲh20は互いに独立しており、ハロゲン原子、置換ま
たは非置換の炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基、置換または非置換の炭素
数６〜４０のアリール基を示。ｒ、ｓ、ｔおよびｕは、同一または異なっていても良い、
０〜５の整数を示す。ただし、ｒ、ｓ、ｔまたはｕが２以上のとき、各Ｒh17、Ｒh18、Ｒ
h19およびＲh20は異なっていても良い。）
【００７４】
【化１９】
【００７５】
（式中、Ｒh21およびＲh22は互いに独立しており、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜
２０のアルキル基またはアルコキシ基を示す。Ｒh23、Ｒh24、Ｒh25およびＲh26は互いに
独立しており、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数６〜４０のアリール
基を示す。）
【００７６】
【化２０】
【００７７】
（式中、Ｒh27、Ｒh28およびＲh29は互いに独立しており、水素原子、ハロゲン原子、炭
素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基を示す。）
【００７８】
【化２１】
【００７９】
（式中、Ｒh30、Ｒh31、Ｒh32およびＲh33は互いに独立しており、水素原子、ハロゲン
原子、炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基を示す。）
【００８０】
【化２２】
【００８１】
（式中、Ｒh34、Ｒh35、Ｒh36、Ｒh37およびＲh38は互いに独立しており、水素原子、
ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基を示す。）
【００８２】
【化２３】
【００８３】
（式中、Ｒh39は水素原子または炭素数１〜２０のアルキル基を示し、Ｒh40、Ｒh41およ
びＲh42は互いに独立しており、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基
またはアルコキシ基を示す。）
【００８４】
【化２４】
【００８５】
（式中、Ｒh43、Ｒh44およびＲh45は互いに独立しており、水素原子、ハロゲン原子、炭
素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基を示す。）
【００８６】
【化２５】
【００８７】
（式中、Ｒh46およびＲh47は互いに独立しており、水素原子、ハロゲン原子、置換または
非置換の炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基、あるいは、置換または非置換
の炭素数６〜４０のアリール基を示す。）
【００８８】
【化２６】
【００８９】
（式中、Ｒh50、Ｒh51、Ｒh52、Ｒh53、Ｒh54およびＲh55は互いに独立しており、水素原
子、ハロゲン原子、置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基
、あるいは、置換または非置換の炭素数６〜４０のアリール基を示す。また、αは１〜１
０の整数を示し、ｖ、ｗ、ｘ、ｙ、ｚおよびβは同一または異なっていても良い０〜２の
整数を示す。ただし、ｖ、ｗ、ｘ、ｙ、ｚまたはβが２のとき、各Ｒh50、Ｒh51、Ｒh52
、Ｒh53、Ｒh54およびＲh55は異なっていても良い。）
【００９０】
【化２７】
【００９１】
（式中、Ｒh56、Ｒh57、Ｒh58およびＲh59は互いに独立しており、水素原子、ハロゲン原
子、置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基を示し、Φは次
式のいずれかで表される基である。）
【００９２】
【化２８】
【００９３】
また、本発明においては、上記例示の正孔輸送剤ＨＴ−１〜ＨＴ−１３等とともに、従
来公知の正孔輸送物質、２，５−ジ（４−メチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサ
ジアゾール等のオキサジアゾール系化合物、９−（４−ジエチルアミノスチリル）アント
ラセン等のスチリル系化合物、ポリビニルカルバゾール等のカルバゾール系化合物、有機
ポリシラン化合物、１−フェニル−３−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）ピラゾリン等の
ピラゾリン系化合物、ヒドラゾン系化合物、トリフェニルアミン系化合物、インドール系
化合物、オキサゾール系化合物、イソオキサゾール系化合物、チアゾール系化合物、チア
ジアゾール系化合物、イミダゾール系化合物、ピラゾール系化合物、トリアゾール系化合
物等の含窒素環式化合物、縮合多環式化合物等の１種単独または２種以上の組み合わせが
挙げられる。
【００９４】
（４） 電子輸送剤
本発明に用いられる電子輸送剤としては、高い電子輸送能を有する種々の化合物、例え
ば下記の一般式(ＥＴ−１〜ＥＴ−１７)で表される化合物等があげられる。
【００９５】
【化２９】
【００９６】
（式中、Ｒe1、Ｒe2、Ｒe3、Ｒe4およびＲe5は互いに独立しており、水素原子、ハロゲン
原子、置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基、置換または
非置換の炭素数６〜４０のアリール基またはアラルキル基、置換または非置換のフェノキ
シ基を示す。）
【００９７】
【化３０】
【００９８】
（式中、Ｒe6は置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキル基、Ｒe7は置換または非置
換の炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基、置換または非置換の炭素数６〜４
０のアリール基またはアラルキル基、ハロゲン原子、またはハロゲン化アルキル基を示す
。γは０〜５の整数を示す。ただし、γが２以上のとき、各Ｒe7は互いに異なっていても
よ良い。）
【００９９】
【化３１】
【０１００】
（式中、Ｒe8およびＲe9は互いに独立しており、置換または非置換の炭素数１〜２０のア
ルキル基を示す。δは１〜４の整数を示し、εは０〜４の整数を示す。ただし、δおよび
εが２以上のとき、各Ｒe8およびＲe9は異なっていても良い。）
【０１０１】
【化３２】
【０１０２】
（式中、Ｒe10は置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基、
置換または非置換の炭素数６〜４０のアリール基またはアラルキル基、ハロゲン化アルキ
ル基、またはハロゲン原子を示す。ζは０〜４、ηは０〜５の整数を示す。ただし、ηが
２以上のとき、各Ｒe10は異なっていても良い。）
【０１０３】
【化３３】
【０１０４】
（式中、Ｒe11は置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキル基を示し、σは１〜４の
整数を示す。ただし、σが２以上のとき、各Ｒe11は異なっていても良い。）
【０１０５】
【化３４】
【０１０６】
（式中、Ｒe12およびＲe13は互いに独立しており、水素原子、ハロゲン原子、置換または
非置換の炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基、置換または非置換の炭素数６
〜４０のアリール基、アラルキルオキシカルボニル基、水酸基、ニトロ基、またはシアノ
基を示す。Ｘは酸素原子、＝Ｎ−ＣＮ基または＝Ｃ（ＣＮ）2 基を示す。）
【０１０７】
【化３５】
【０１０８】
（式中、Ｒe14は水素原子、ハロゲン原子、置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキ
ル基またはアルコキシ基、置換または非置換の炭素数６〜４０のアリール基を示し、Ｒe1
5はハロゲン原子、置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換または非置換
の炭素数６〜４０のアリール基、アルコキシカルボニル基、Ｎ−アルキルカルバモイル基
、シアノ基、またはニトロ基を示す。λは０〜３の整数を示す。ただし、λが２以上のと
き、各Ｒe15は互いに異なっていても良い。）
【０１０９】
【化３６】
【０１１０】
（式中、θは１〜２の整数を示す。）
【０１１１】
【化３７】
【０１１２】
（式中、Ｒe16およびＲe17は互いに独立しており、ハロゲン原子、置換または非置換の炭
素数１〜２０のアルキル基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシカルボニル基を示す。νお
よびξは０〜３の整数を示す。ただし、νまたはξが２以上のとき、各Ｒe16およびＲe17
は互いに異なっていても良い。）
【０１１３】
【化３８】
【０１１４】
（式中、Ｒe18およびＲe19は互いに独立しており、置換または非置換の炭素数６〜４０の
アリール基、縮合多環式基または複素環式基を示し、これらの基は置換基を有していても
良い。）
【０１１５】
【化３９】
【０１１６】
（式中、Ｒe20はアミノ基、ジアルキルアミノ基、置換または非置換の炭素数１〜２０の
アルキル基またはアルコシキ基、または置換または非置換の炭素数６〜４０のアリール基
を示し、πは１〜２の整数を示す。ただし、πが２のとき、各Ｒe20は互いに異なってい
ても良い。）
【０１１７】
【化４０】
【０１１８】
（式中、Ｒe21は水素原子、置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキル基またはアル
コキシ基、置換または非置換の炭素数６〜４０のアリール基またはアラルキル基を示す。
）
【０１１９】
【化４１】
【０１２０】
（式中、Ｒe22は、ハロゲン原子、置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキル基また
はアルコキシ基、置換または非置換の炭素数６〜４０のアリール基またはアラルキル基、
アルコキシカルボニル基、Ｎ−アルキルカルバモイル基、シアノ基、またはニトロ基を示
す。μは０〜３の整数を示す。ただし、μが２以上のとき、各Ｒe22は互いに異なってい
ても良い。）
【０１２１】
【化４２】
【０１２２】
（式中、Ｒe23は、置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキル基または置換または非
置換の炭素数６〜４０のアリール基を示し、Ｒe24は、置換または非置換の炭素数１〜２
０のアルキル基または置換または非置換の炭素数６〜４０のアリール基、または−Ｏ−Ｒ
e24で表される基を示す。上記基中のＲe24は、上述した置換または非置換の炭素数１〜２
０のアルキル基または置換または非置換の炭素数６〜４０のアリール基を示す。）
【０１２３】
【化４３】
【０１２４】
（式中、Ｒe25、Ｒe26、Ｒe27、Ｒe28、Ｒe29、Ｒe30およびＲe31は互いに独立しており
、置換または非置換の炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基、置換または非置
換の炭素数６〜４０のアリール基またはアラルキル基、ハロゲン原子、またはハロゲン化
アルキル基を示す。χおよびφは同一または異なっていても良い０〜４の整数を示す。）
【０１２５】
【化４４】
【０１２６】
（式中、Ｒe32およびＲe33は互いに独立しており、置換または非置換の炭素数１〜２０の
アルキル基またはアルコキシ基、置換または非置換の炭素数６〜４０のアリール基、ハロ
ゲン原子、またはハロゲン化アルキル基を示す。τおよびψは同一または異なっていても
良い０〜４の整数を示す。）
【０１２７】
【化４５】
【０１２８】
（式中、Ｒe34、Ｒe35、Ｒe36およびＲe37は互いに独立しており、水素原子、置換または
非置換の炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基、置換または非置換の炭素数６
〜４０のアリール基またはアラルキル基、シクロアルキル基またはアミノ基を示す。ただ
し、Ｒe34 、Ｒe35 、Ｒe36 およびＲe37 のうち少なくとも２つは、水素原子でない同一
の基である。）
【０１２９】
また、本発明においては、上記例示のほかに従来公知の電子輸送物質、すなわち例えば
ベンゾキノン系化合物、マロノニトリル、チオピラン系化合物、テトラシアノエチレン、
２，４，８−トリニトロチオキサントン、ジニトロベンゼン、ジニトロアントラセン、ジ
ニトロアクリジン、ニトロアントラキノン、ジニトロアントラキノン、無水コハク酸、無
水マレイン酸、ジブロモ無水マレイン酸等の１種単独または２種以上の組み合わせが挙げ
られる。
【０１３０】
（５） 結着樹脂
各成分を分散させるための結着樹脂は、従来より感光層に使用されている種々の樹脂を
使用することができる。例えばスチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−アクリロニト
リル共重合体、スチレン−マレイン酸共重合体、アクリル共重合体、スチレン−アクリル
酸共重合体、ポリエチレン樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、塩素化ポリエチレン樹
脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリプロピレン樹脂、アイオノマー樹脂、塩化ビニル−酢酸ビ
ニル共重合体、ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリウレタン樹脂、
ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリスルホン樹脂、ジアリルフタレート樹
脂、ケトン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリエステル樹脂等の
熱可塑性樹脂；シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹
脂、その他架橋性の熱硬化性樹脂；エポキシアクリレート、ウレタン−アクリレート等の
光硬化型樹脂等の樹脂が使用可能である。
特に、ポリカーボネート樹脂は、透明性や耐熱性に優れているばかりか、機械的特性や
正孔輸送剤との相溶性にも優れていることから好ましい結着樹脂である。
【０１３１】
（６） 添加剤
また、感光層には、上記各成分のほかに、電子写真特性に悪影響を与えない範囲で、従
来公知の種々の添加剤、例えば酸化防止剤、ラジカル捕捉剤、一重項クエンチャー、紫外
線吸収剤等の劣化防止剤、軟化剤、可塑剤、表面改質剤、増量剤、増粘剤、分散安定剤、
ワックス、アクセプター、ドナー等を配合することができる。また、感光層の感度を向上
させるために、例えばテルフェニル、ハロナフトキノン類、アセナフチレン等の公知の増
感剤を電荷発生剤と併用してもよい。
【０１３２】
（７） 配合割合および厚さ
本発明の電子写真感光体が単層型の感光体である場合、電荷発生剤は、結着樹脂１００
重量部に対して０．１〜５０重量部、好ましくは０．５〜３０重量部の割合で配合すれば
よい。本発明のスチルベン誘導体(1) （正孔輸送剤）は、結着樹脂１００重量部に対して
２０〜５００重量部、好ましくは３０〜２００重量部の割合で配合すればよい。電子輸送
剤を含有させる場合、電子輸送剤の割合を結着樹脂１００重量部に対して５〜１００重量
部、好ましくは１０〜８０重量部とするのが適当である。
また、本発明の電子写真感光体が積層型の感光体である場合、電荷発生層を構成する電
荷発生剤と結着樹脂とは、種々の割合で使用することができるが、結着樹脂１００重量部
に対して電荷発生剤を５〜１０００重量部、好ましくは３０〜５００重量部の割合で配合
するのが適当である。電荷発生層に正孔輸送剤を含有させる場合は、正孔輸送剤の割合を
結着樹脂１００重量部に対して１０〜５００重量部、好ましくは５０〜２００重量部とす
るのが適当である。
【０１３３】
電荷輸送層を構成する正孔輸送剤と、結着樹脂とは、電荷の輸送を阻害しない範囲およ
び結晶化しない範囲で種々の割合で使用することができるが、光照射により電荷発生層で
生じた電荷が容易に輸送できるように、結着樹脂１００重量部に対して、本発明のスチル
ベン誘導体(1) （正孔輸送剤）を１０〜５００重量部、好ましくは２５〜２００樹脂の割
合で配合するのが適当である。電荷輸送層に電子輸送剤を含有させる場合は、電子輸送剤
の割合を結着樹脂１００重量部に対して５〜２００重量部、好ましくは１０〜１００重量
部とするのが適当である。
【０１３４】
（８） 構造
また、単層型感光体における感光層の厚さは５〜１００μｍ、好ましくは１０〜５０μ
ｍである。
そして、このような感光層が形成される導電性基体としては、導電性を有する種々の材
料を使用することができ、例えば鉄、アルミニウム、銅、スズ、白金、銀、バナジウム、
モリブデン、クロム、カドミウム、チタン、ニッケル、パラジウム、インジウム、ステン
レス鋼、真鍮等の金属や、上記金属が蒸着またはラミネートされたプラスチック材料、ヨ
ウ化アルミニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で被覆されたガラス等があげられる。
また、導電性基体の形状は、使用する画像形成装置の構造に合わせて、シート状、ドラ
ム状等のいずれであってもよく、基体自体が導電性を有するか、あるいは基体の表面が導
電性を有していればよい。また、導電性基体は、使用に際して十分な機械的強度を有する
ものが好ましい。前記感光層を塗布の方法により形成する場合には、前記例示の電荷発生
剤、電荷輸送剤、結着樹脂等を適当な溶剤とともに、公知の方法、例えばロールミル、ボ
ールミル、アトライタ、ペイントシェーカー、超音波分散機等を用いて分散混合して分散
液を調整し、これを公知の手段により塗布して乾燥させればよい。
さらに、単層型感光体１０の構成に関して、図５（ｂ）に示すように、導電性基体１２
と感光層１４との間に、感光体の特性を阻害しない範囲でバリア層１６が形成されていて
もよい。また、図５（ｃ）に示すように、感光層１４の表面には、保護層１８が形成され
ていてもよい。
【０１３５】
（９） 製造方法
分散液を作るための溶剤としては、種々の有機溶剤が使用可能であり、例えばメタノー
ル、エタノール、イソプロパノール、ブタノール等のアルコール類；ｎ−ヘキサン、オク
タン、シクロヘキサン等の脂肪族系炭化水素；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族
系炭化水素、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素、クロロベン
ゼン等のハロゲン化炭化水素；ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラ
ン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等の
エーテル類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；酢酸エチ
ル、酢酸メチル等のエステル類；ジメチルホルムアルデヒド、ジメチルホルムアミド、ジ
メチルスルホキシド等があげられる。これらの溶剤は単独でまたは２種以上を混合して用
いられる。
さらに、電荷輸送剤や電荷発生剤の分散性、感光層表面の平滑性を良くするために界面
活性剤、レベリング剤等を使用してもよい。
【０１３６】
２．積層型感光体
図６（ａ）に示すように、積層型感光体２０は、導電性基体１２上に、蒸着または塗布
等の手段によって、電荷発生剤を含有する電荷発生層２４を形成し、次いでこの電荷発生
層２４上に、一般式（１）で表されるスチルベン誘導体（正孔輸送剤）の少なくとも１種
と結着樹脂とを含む塗布液を塗布し、乾燥させて電荷輸送層２２を形成することによって
作製される。
また、上記構造とは逆に、図６（ｂ）に示すように、導電性基体１２上に電荷輸送層２
２を形成し、その上に電荷発生層２４を形成してもよい。
ただし、電荷発生層２４は、電荷輸送層２２に比べて膜厚がごく薄いため、その保護の
ためには、図６（ａ）に示すように、電荷発生層２４の上に電荷輸送層２２を形成するこ
とがより好ましい。
なお、電荷発生剤、正孔輸送剤、電子輸送剤、結着剤等については、単層型感光体と同
様の内容とすることができる。
【０１３７】
また、積層型感光体は、上記電荷発生層および電荷輸送層の形成順序と、電荷輸送層に
使用する電荷輸送剤の種類によって、正負いずれの帯電型となるかが選択される。例えば
、上記のように、導電性基体上に電荷発生層を形成し、その上に電荷輸送層を形成した場
合において、電荷輸送層における電荷輸送剤として、本発明のスチルベン誘導体のような
正孔輸送剤を使用した場合には、感光体は負帯電型となる。この場合、電荷発生層には電
子輸送剤を含有させてもよい。
そして、本発明の積層型電子写真感光体は、感光体の残留電位が低下するとともに、所
定感度を有しているという特徴がある。
なお、積層型感光体における感光層の厚さは、電荷発生層が０．０１〜５μｍ程度、好
ましくは０．１〜３μｍ程度であり、電荷輸送層が２〜１００μｍ、好ましくは５〜５０
μｍ程度である。
【実施例】
【０１３８】
［実施例１］
（１）スチルベン誘導体の合成
（１）−１ テトラリン酸エステル誘導体の合成
上述した反応式（３）にしたがって、上述した式（３）で表されるテトラリン酸エステ
ル誘導体を合成した。
すなわち、１５ｇ（０．０５５ｍｏｌ）の１，３，４，６−テトラキス（クロロメチル
）ベンゼンに対して、４３．５ｇ（０．２８ｍｏｌ）の亜リン酸トリエチルエステルを加
え、１７０℃で、８時間以上還流した。次いで、室温まで冷却した後、溶媒を減圧留去し
、得られた残渣につき、ヘキサンを用いて、再結晶させた。次いで、得られた再結晶物を
減圧乾燥させて、３３ｇのテトラリン酸エステル誘導体を得た（収率８８．３％）。
【０１３９】
（１）−２ トリフェニルアミン化合物の合成
下記反応式（４）にしたがって、式（１７´）で表されるトリフェニルアミン化合物を
合成した。
すなわち、容量５００ｍｌの二口フラスコ内に、無水炭酸カリウム４６．６ｇ（０．３
４ｍｏｌ）および粉末銅２．５ｇ（０．０４ｍｏｌ）を加え、温度２００℃、２時間の条
件で加熱して、均一になるまで十分に攪拌した。
次いで、室温まで冷却した後、式（１２）で表されるアニリン誘導体１７．６ｇ（０．
１３ｍｏｌ）と、ヨードベンゼン６８．９ｇ（０．３４ｍｏｌ）と、を添加した後、２２
０℃に再加熱し、２．５時間反応させた。その後、室温まで冷却した後、１００ｍｌのト
ルエンを添加し、ろ過処理を実施するとともに、ろ液からトルエンおよび未反応物を減圧
留去した。得られた残渣をトルエンに溶解させ、さらに活性白土処理を実施した後、トル
エンを減圧留去した。
次いで、得られた残渣をトルエンに再び溶解させるととに、メタノールを用いて結晶化
させ、かかる操作を２回繰り返して、２３．２ｇの薄紫色の固体物として、式（１７´）
で表されるトリフェニルアミン化合物を得た（収率６２％）。
【０１４０】
【化４６】
【０１４１】
（１）−３ ホルミル化トリフェニルアミン誘導体の合成
下記反応式（５）にしたがって、下記式（１８）で表されるホルミル化トリフェニルア
ミン化合物を合成した。すなわち、５００ｍｌのフラスコ内に、式（１７´）で表される
トリフェニルアミン化合物２３．０ｇ（０．０８ｍｏｌ）と、ＤＭＦ２００ｍｌと、オキ
シ塩化リン酸（ＰＯＣｌ3）１５．２ｇ（０．１ｍｏｌ）と、を収容し、それをオイル浴
内に浸漬して、９５℃、１時間の条件で反応させた。反応後、フラスコ内の反応液に対し
て、イオン交換水４００ｍｌと、トルエン２００ｍｌとを滴下し、さらに分離させて得ら
れたトルエン層をイオン交換水にて洗浄した。得られた有機層に、無水硫酸ナトリウムを
添加して乾燥させるとともに、活性白土処理による吸着処理を実施した。次いで、トルエ
ンを減圧留去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロ
ロホルム溶媒）で精製して、式（１８）で表されるホルミル化トリフェニルアミン化合物
１９．６ｇ（収率７７．５％）を得た。
【０１４２】
【化４７】
【０１４３】
（１）−４ スチルベン誘導体の合成
下記反応式（６）にしたがって、式（１１）で表されるスチルベン誘導体を合成した。
すなわち、５００ｍｌの二口フラスコ内に、（１）−１で得られた式（３）で表されるテ
トラリン酸エステル誘導体４．３ｇ（６．３ｍｍｏｌ）を収容した後、十分にアルゴン置
換を実施した。次いで、ＴＨＦ３０ｍｌと、２８％ＮａＯＭｅ５．８ｇ（０．０３ｍｏｌ
）／ＴＨＦ３０ｍｌと、を収容した後、均一になるまで約３０分攪拌した。次いで、二口
フラスコ内内に、上述した（１）−２〜３で得られた式（１８）で表されるホルミル化ト
リフェニルアミン誘導体８ｇ（０．０２５ｍｏｌ）をＴＨＦ１００ｍｌに溶解させた後、
ロート滴下し、室温で約１２時間反応させた。次いで、得られた反応液をイオン交換水に
注ぎ、トルエンにて抽出を行い、得られた有機層をイオン交換水にて洗浄した後、無水硫
酸ナトリウムにより乾燥させた。次いで、トルエンを減圧留去し、得られた残渣をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム溶媒）で精製して、式（１１）
で表されるスチルベン誘導体６．５ｇ（収率７７．９％）を得た。
【０１４４】
得られた式（１１）で表されるスチルベン誘導体の赤外吸収スペクトルを図１に示し、
プロトン−ＮＭＲチャート（全体図および二つの部分拡大図を）をそれぞれ図２〜図４に示す。
【０１４５】
【化４８】
【０１４６】
（２）評価
（２）−１ 初期表面電位、半減露光量および残留電位の測定
得られた式（１１）で表されるスチルベン誘導体を正孔輸送剤として、単層型の電子写
真感光体を作成して、初期表面電位、半減露光量および残留電位を測定した。すなわち、
正孔輸送剤として、得られたスチルベン誘導体を１００重量部と、電荷発生剤として、下
記式（１９）で表されるＸ型無金属フタロシアニン（ＣＧＭ−１）を５重量部と、結着樹
脂として、下記式（２０）で表されるポリカーボネート樹脂１００重量部と、を溶媒とし
てのテトラヒドロフラン８００重量部に対して添加した。次いで、ボールミルを用いて５
０時間混合分散して、単層型感光層用の塗布液を作成した。得られた塗布液を、導電性基
材（アルミニウム素管）上に、ディップコート法にて塗布し、１００℃、３０分間の条件
で熱風乾燥して、膜厚２５μｍの単層型感光層を有する電子写真感光体を得た。
次いで、得られた電子写真感光体における初期電気特性、すなわち、半減露光量（Ｅ１
／２）および残留電位（ＶＲ）を、ドラム感度試験機（ＧＥＮＴＥＣ社製）を用いて、表
面電位が７１０Ｖになるように帯電させて測定した。なお、半減露光量（Ｅ１／２）につ
いては、ハロゲンランプの光からバンドパスフィルターを用いて取り出した波長７８０ｎ
ｍの単色光（半値幅：２０ｎｍ、光強度：１．５μＪ／ｃｍ2）を露光して、表面電位が
１／２になるまでに要した時間を測定した。さらに、残留電位については、露光開始から
０．５秒経過した時点での表面電位を測定し、それを残留電位とした。
それぞれ得られた結果を、表１に示す。結果から明らかなように、得られた電子写真感
光体は、残留電位の値が低く、半減露光量も０．９秒以内であって、所定感度を有するこ
とを確認した。なお、表１中、電荷発生剤としてのＸ型無金属フタロシアニンをＣＧＭ−
１と表記し、スチルベン誘導体をＨＴ−Ａと表記する（以下、同様である。）。
【０１４７】
【化４９】
【０１４８】
【化５０】
【０１４９】
［実施例２］
実施例１の塗布液中に、電子輸送剤として、下記式（２１）で表されるキノン誘導体Ｅ
Ｔ−Ａ）をさらに３０重量部添加したほかは、実施例１と同様に単層型感光層を作成して
、評価した。なお、表１中、式（２１）で表されるキノン誘導体をＥＴ−Ａと表記する。
【０１５０】
【化５１】
【０１５１】
［実施例３］
実施例１における塗布液中に、電子輸送剤として、下記式（２２）で表される別のキノ
ン誘導体（ＥＴ−Ｂ）をさらに３０重量部添加したほかは、実施例１と同様に単層型感光
層を作成して、評価した。なお、表１中、式（２２）で表されるキノン誘導体をＥＴ−Ｂ
と表記する。
【０１５２】
【化５２】
【０１５３】
［実施例４］
実施例１における塗布液中に、電子輸送剤として、下記式（２３）で表される別のキノ
ン誘導体（ＥＴ−Ｃ）をさらに３０重量部添加したほかは、実施例１と同様に単層型感光
層を作成して、評価した。なお、表１中、式（２３）で表されるキノン誘導体をＥＴ−Ｃ
と表記する。
【０１５４】
【化５３】
【０１５５】
［実施例５〜８］
実施例５〜８においては、実施例１〜４でそれぞれ使用したスチルベン誘導体（ＨＴ−
Ａ）のかわりに、下記式（２４）で表されるスチルベン誘導体（ＨＴ−Ｂ）を用いたほか
は、実施例１〜４と同様に単層型感光層を作成して、評価した。
【０１５６】
【化５４】
【０１５７】
［実施例９〜１２］
実施例９〜１２においては、実施例１〜４でそれぞれ使用したスチルベン誘導体（ＨＴ
−Ａ）のかわりに、下記式（２５）で表されるスチルベン誘導体（ＨＴ−Ｃ）を用いたほ
かは、実施例１〜４と同様に単層型感光層を作成して、評価した。
【０１５８】
【化５５】
【０１５９】
［比較例１〜４］
比較例１〜４においては、実施例１〜４でそれぞれ使用したスチルベン誘導体（ＨＴ−
Ａ）のかわりに、下記式（２６）で表されるスチルベン誘導体（ＨＴ−Ｄ）を用いたほか
は、実施例１〜４と同様に単層型感光層を作成して、評価した。なお、表１中、式（２６
）で表されるスチルベン誘導体をＨＴ−Ｄと表記する。
【０１６０】
【化５６】
【０１６１】
［比較例５〜８］
比較例５〜８においては、実施例１〜４でそれぞれ使用したスチルベン誘導体（ＨＴ−
Ａ）のかわりに、下記式（２７）で表されるスチルベン誘導体（ＨＴ−Ｅ）を用いたほか
は、実施例１〜４と同様に単層型感光層を作成して、評価した。なお、表１中、式（２７
）で表されるスチルベン誘導体をＨＴ−Ｅと表記する。
【０１６２】
【化５７】
【０１６３】
【表１】
【産業上の利用可能性】
【０１６４】
以上詳述したように、本発明のスチルベン誘導体は、分子内の所定位置に特定の置換基
を有することにより、平均分子量が比較的大きい場合であっても、所定溶剤に対して、十
分な溶解性を示すことができるとともに、光感度が向上していることから、静電式複写機
やレーザービームプリンタ等の電子写真感光体に使用することにより、高速化、高性能化
等に寄与することが期待される。
また、本発明のスチルベン誘導体は、高い正孔輸送能を有することから、電子写真感光
体における正孔輸送剤として好適に使用されるほか、太陽電池、エレクトロルミネッセン
ス素子等での種々の分野での利用が可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１６５】
【図１】式（１１）で表されるスチルベン誘導体の赤外分光（ＩＲ）チャートを説明するために供する図である。
【図２】式（１１）で表されるスチルベン誘導体のプロトン−ＮＭＲチャートを説明するために供する図である。
【図３】式（１１）で表されるスチルベン誘導体のプロトン−ＮＭＲチャートを部分的に拡大して説明するために供する図である（その１）。
【図４】式（１１）で表されるスチルベン誘導体のプロトン−ＮＭＲチャートを部分的に拡大して説明するために供する図である（その２）。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、単層型感光体の基本構造および変形構造を説明するために供する図である。
【図６】（ａ）〜（ｂ）は、積層型感光体の基本構造および変形構造を説明するために供する図である。
【符号の説明】
【０１６６】
１０：単層型感光体
１２：導電性基体
１４：感光層
１６：バリア層
１８：保護層
２０：積層型感光体
２２：電荷輸送層
２４：電荷発生層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表されることを特徴とするスチルベン誘導体。
【化１】
（一般式（１）中、４つのＲ1およびＲ2は、それぞれ独立した炭素数１〜２０の置換また
は非置換のアルキル基、炭素数１〜２０の置換または非置換のアルコキシ基、炭素数６〜
２０の置換または非置換のアリール基、あるいは置換または非置換のアミノ基であり、４
つのＲ3は、それぞれ水素原子、炭素数１〜２０の置換または非置換のアルキル基、炭素
数１〜２０の置換または非置換のアルコキシ基、炭素数６〜２０の置換または非置換のア
リール基、あるいは置換または非置換のアミノ基である。）
【請求項２】
前記一般式（１）中のＲ1およびＲ2が、炭素数１〜６の置換または非置換のアルキル基
であることを特徴とする請求項１に記載のスチルベン誘導体。
【請求項３】
前記一般式（１）中のＲ3が、水素原子であることを特徴とする請求項１または２に記
載のスチルベン誘導体。
【請求項４】
下記反応式（１）で表されるように、一般式（２）で表されるホルミル化トリフェニル
アミン誘導体と、式（３）で表されるテトラリン酸エステル誘導体とを、塩基の存在下に
反応させて、一般式（１）で表されるスチルベン誘導体を得ることを特徴とするスチルベ
ン誘導体の製造方法。
【化２】
（反応式（１）中、複数のＲ1およびＲ2は、それぞれ独立した炭素数１〜２０の置換また
は非置換のアルキル基、炭素数１〜２０の置換または非置換のアルコキシ基、炭素数６〜
２０の置換または非置換のアリール基、あるいは置換または非置換のアミノ基であり、複
数のＲ3は、それぞれ水素原子、炭素数１〜２０の置換または非置換のアルキル基、炭素
数１〜２０の置換または非置換のアルコキシ基、炭素数６〜２０の置換または非置換のア
リール基、あるいは置換または非置換のアミノ基である。）
【請求項５】
前記一般式（２）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体として、下記反応式
（２）で表されるように、一般式（４）で表されるアニリン誘導体と、無水酢酸と、を硫
酸下に反応させて、一般式（８）で表されるアセチル化アニリン誘導体を得た後、一般式
（５）で表されるヨードベンゼン誘導体とを反応させて、一般式（９）で表されるアセチ
ル化ジフェニルアミン化合物を得た後、当該一般式（９）で表されるアセチル化ジフェニ
ルアミン化合物からアセチル基を脱離させて一般式（１０）で表されるジフェニルアミン
誘導体を得て、さらに式（６）で表されるヨードベンゼンを反応させて、一般式（７）で
表されるトリフェニルアミン誘導体を得て、次いで、フィルスマイヤー(Vilsmeier)法に
よりホルミル化して得られるホルミル化トリフェニルアミン誘導体を使用することを特徴
とする請求項４に記載のスチルベン誘導体の製造方法。
【化３】
（反応式（２）中の複数のＲ1、Ｒ2およびＲ3は、それぞれ独立であって、置換基Ｒ3が水
素原子以外であることを除いて、反応式（１）中の内容と同様である。）
【請求項６】
前記一般式（２）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体の置換基Ｒ3が水素
原子である下記一般式（２´）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体として、
下記反応式（２´）で表されるように、一般式（４）で表されるアニリン誘導体と、式（
６）で表されるヨードベンゼンとを反応させて、一般式（７´）で表されるトリフェニル
アミン誘導体を得て、次いで、フィルスマイヤー(Vilsmeier)法によりホルミル化して得
られるホルミル化トリフェニルアミン誘導体を使用することを特徴とする請求項４に記載
のスチルベン誘導体の製造方法。
【化４】
（反応式（２´）中の複数のＲ1およびＲ2は、それぞれ独立であって、反応式（１）中の
内容と同様である。）
【請求項７】
導電性基体上に感光層を設けた電子写真感光体であって、前記感光層が、一般式（１）
で表されるスチルベン誘導体を含有することを特徴とする電子写真感光体。
【化５】
（一般式（１）中、４つのＲ1およびＲ2は、それぞれ独立した炭素数１〜２０の置換また
は非置換のアルキル基、炭素数１〜２０の置換または非置換のアルコキシ基、炭素数６〜
２０の置換または非置換のアリール基、あるいは置換または非置換のアミノ基であり、４
つのＲ3は、それぞれ水素原子、炭素数１〜２０の置換または非置換のアルキル基、炭素
数１〜２０の置換または非置換のアルコキシ基、炭素数６〜２０の置換または非置換のア
リール基、あるいは置換または非置換のアミノ基である。）
【請求項８】
前記感光層が、電荷発生剤および電子輸送剤をさらに含有した単層型であることを特徴とする請求項７に記載の電子写真感光体。
【請求項１】
下記一般式（１）で表されることを特徴とするスチルベン誘導体。
【化１】
（一般式（１）中、４つのＲ1およびＲ2は、それぞれ独立した炭素数１〜２０の置換また
は非置換のアルキル基、炭素数１〜２０の置換または非置換のアルコキシ基、炭素数６〜
２０の置換または非置換のアリール基、あるいは置換または非置換のアミノ基であり、４
つのＲ3は、それぞれ水素原子、炭素数１〜２０の置換または非置換のアルキル基、炭素
数１〜２０の置換または非置換のアルコキシ基、炭素数６〜２０の置換または非置換のア
リール基、あるいは置換または非置換のアミノ基である。）
【請求項２】
前記一般式（１）中のＲ1およびＲ2が、炭素数１〜６の置換または非置換のアルキル基
であることを特徴とする請求項１に記載のスチルベン誘導体。
【請求項３】
前記一般式（１）中のＲ3が、水素原子であることを特徴とする請求項１または２に記
載のスチルベン誘導体。
【請求項４】
下記反応式（１）で表されるように、一般式（２）で表されるホルミル化トリフェニル
アミン誘導体と、式（３）で表されるテトラリン酸エステル誘導体とを、塩基の存在下に
反応させて、一般式（１）で表されるスチルベン誘導体を得ることを特徴とするスチルベ
ン誘導体の製造方法。
【化２】
（反応式（１）中、複数のＲ1およびＲ2は、それぞれ独立した炭素数１〜２０の置換また
は非置換のアルキル基、炭素数１〜２０の置換または非置換のアルコキシ基、炭素数６〜
２０の置換または非置換のアリール基、あるいは置換または非置換のアミノ基であり、複
数のＲ3は、それぞれ水素原子、炭素数１〜２０の置換または非置換のアルキル基、炭素
数１〜２０の置換または非置換のアルコキシ基、炭素数６〜２０の置換または非置換のア
リール基、あるいは置換または非置換のアミノ基である。）
【請求項５】
前記一般式（２）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体として、下記反応式
（２）で表されるように、一般式（４）で表されるアニリン誘導体と、無水酢酸と、を硫
酸下に反応させて、一般式（８）で表されるアセチル化アニリン誘導体を得た後、一般式
（５）で表されるヨードベンゼン誘導体とを反応させて、一般式（９）で表されるアセチ
ル化ジフェニルアミン化合物を得た後、当該一般式（９）で表されるアセチル化ジフェニ
ルアミン化合物からアセチル基を脱離させて一般式（１０）で表されるジフェニルアミン
誘導体を得て、さらに式（６）で表されるヨードベンゼンを反応させて、一般式（７）で
表されるトリフェニルアミン誘導体を得て、次いで、フィルスマイヤー(Vilsmeier)法に
よりホルミル化して得られるホルミル化トリフェニルアミン誘導体を使用することを特徴
とする請求項４に記載のスチルベン誘導体の製造方法。
【化３】
（反応式（２）中の複数のＲ1、Ｒ2およびＲ3は、それぞれ独立であって、置換基Ｒ3が水
素原子以外であることを除いて、反応式（１）中の内容と同様である。）
【請求項６】
前記一般式（２）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体の置換基Ｒ3が水素
原子である下記一般式（２´）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体として、
下記反応式（２´）で表されるように、一般式（４）で表されるアニリン誘導体と、式（
６）で表されるヨードベンゼンとを反応させて、一般式（７´）で表されるトリフェニル
アミン誘導体を得て、次いで、フィルスマイヤー(Vilsmeier)法によりホルミル化して得
られるホルミル化トリフェニルアミン誘導体を使用することを特徴とする請求項４に記載
のスチルベン誘導体の製造方法。
【化４】
（反応式（２´）中の複数のＲ1およびＲ2は、それぞれ独立であって、反応式（１）中の
内容と同様である。）
【請求項７】
導電性基体上に感光層を設けた電子写真感光体であって、前記感光層が、一般式（１）
で表されるスチルベン誘導体を含有することを特徴とする電子写真感光体。
【化５】
（一般式（１）中、４つのＲ1およびＲ2は、それぞれ独立した炭素数１〜２０の置換また
は非置換のアルキル基、炭素数１〜２０の置換または非置換のアルコキシ基、炭素数６〜
２０の置換または非置換のアリール基、あるいは置換または非置換のアミノ基であり、４
つのＲ3は、それぞれ水素原子、炭素数１〜２０の置換または非置換のアルキル基、炭素
数１〜２０の置換または非置換のアルコキシ基、炭素数６〜２０の置換または非置換のア
リール基、あるいは置換または非置換のアミノ基である。）
【請求項８】
前記感光層が、電荷発生剤および電子輸送剤をさらに含有した単層型であることを特徴とする請求項７に記載の電子写真感光体。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２００８−８１４０５（Ｐ２００８−８１４０５Ａ）
【公開日】平成２０年４月１０日（２００８．４．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−２５９９３１（Ｐ２００６−２５９９３１）
【出願日】平成１８年９月２６日（２００６．９．２６）
【出願人】（０００００６１５０）京セラミタ株式会社 (13,173)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年４月１０日（２００８．４．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年９月２６日（２００６．９．２６）
【出願人】（０００００６１５０）京セラミタ株式会社 (13,173)
【Ｆターム（参考）】
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