ナノ構造製造用抵抗加熱デバイス
本開示は、抵抗加熱デバイスに関連する装置および技術に関係する。加熱デバイスは、基板と、基板上に配置された少なくとも１つの導電性の細長い構造であって、少なくとも１つの導電性の細長い構造の残りの部分より低い導電性を有する少なくとも１つの抵抗部分を含む、少なくとも１つの導電性の細長い構造と、少なくとも１つの導電性の細長い構造の少なくとも１つの抵抗部分上に配置された少なくとも１つの熱伝導性カラムとを含むことができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
ナノテクノロジーとは、ナノメートル（すなわち、メートルの１０億分の１）の尺度での材料およびデバイスの操作および製造に関連する分野のことを言う。数百ナノメートル以下のサイズの構造（すなわち、ナノ構造）は、光学、電子、および機械的応用例を含む、幅広い範囲の応用例で多くの新しいデバイスを作り出すその潜在性により注目を集めた。ナノ構造を、望ましい光学、電気、および／または機械的特性を備えたより小さく、より軽く、および／またはより強いデバイスを製造するのに使用することができることが考えられる。ナノスケールで材料の特性および構造を制御することに対する興味が現在ある。また、このような材料をナノ構造に操作し、このようなナノ構造をより複雑なデバイスに組み立てるために調査が行われた。
【発明の概要】
【０００２】
加熱デバイスに関連する技術が提供される。
【０００３】
一実施形態では、加熱デバイスは、基板と、基板上に配置された少なくとも１つの導電性の細長い構造であって、少なくとも１つの導電性の細長い構造の残りの部分より低い導電性を有する少なくとも１つの抵抗部分を含む、少なくとも１つの導電性の細長い構造と、少なくとも１つの導電性の細長い構造の少なくとも１つの抵抗部分上に配置された少なくとも１つの熱伝導性カラムとを備えることができる。
【０００４】
前述の要約は単に例示的なものであり、いかなる方法でも限定することを意図したものではない。上に記載した例示的な態様、実施形態、および特性に加えて、別の態様、実施形態および特徴は、図面および以下の詳細な説明を参照することによって明らかになるだろう。
【図面の簡単な説明】
【０００５】
【図１】図１Ａは、加熱デバイスの例示的な実施形態の斜視図である。図１Ｂは、線Ａ−Ａ’に沿った図１Ａに示す加熱デバイスの例示的な実施形態の断面図である。図１Ｃは、線Ｂ−Ｂ’に沿った図１Ａに示す加熱デバイスの例示的な実施形態の断面図である。
【図２】加熱デバイスを製造する方法の例示的な実施形態の例示的フロー図である。
【図３】図３Ａ−Ｆは、図２に示す方法のいくつかを示す一連の図である。
【図４】導電性の細長い構造を製造する方法の例示的な実施形態のフロー図である。
【図５】図５Ａ−Ｂは、図４に示す方法を示した一連の図である。
【図６】導電性の細長い構造を製造する方法の別の例示的な実施形態のフロー図である。
【図７】図７Ａ−Ｄは、図６に示す方法を示す一連の図である。
【図８】加熱デバイスを使用してナノドットアレイを製造する方法の例示的実施形態の例示的フロー図である。
【図９】図９Ａ−Ｃは、図８に示す方法のいくつかを示す一連の図である。
【図１０】加熱デバイスを使用してナノワイヤアレイを製造する方法の例示的実施形態の例示的フロー図である。
【図１１】図１１Ａ−Ｅは、図１０に示す方法のいくつかを示す一連の図である。
【発明を実施するための形態】
【０００６】
以下の詳細な説明では、その一部を形成する添付の図面に言及する。図面では、同様の符号は典型的には、内容でそうでないと示されていない限り、同様の構成要素を特定する。詳細な説明、図面および特許請求の範囲に記載された例示的な実施形態は、限定することを意図したものではない。本明細書に提示した主題の趣旨または範囲から逸脱することなく、他の実施形態を利用することができ、他の変更を行うことができる。本明細書に全体的に記載し、図面に示したように、本開示の態様は、幅広い範囲の異なる構成で配置、置換、組合せ、分離、および設計することができ、これらは全て本明細書で明示的に企図されていることは容易に理解されよう。
【０００７】
幅広い範囲の応用例で多くの新しいデバイスを作り出すのに適切である可能性があるナノ構造などの小型構造は、その小さなサイズにより製造するのが難しい。本開示に記載された技術は、（１つまたは複数の）個別のナノサイズ領域に熱を局所的に加えるために、新規の加熱デバイスを利用する。このような局所加熱動作は、ナノドットアレイおよびナノワイヤアレイなどの様々なタイプのナノ構造を製造するのに膨大な応用例を有する。
【０００８】
図１Ａは、加熱デバイスの例示的実施形態の斜視図を示している。図１Ｂは、線Ａ−Ａ’に沿った図１Ａの加熱デバイスの例示的実施形態の断面図を示している。図１Ｃは、線Ｂ−Ｂ’に沿った図１Ａの加熱デバイスの例示的実施形態の断面図を示している。図１Ａ〜１Ｃを参照すると、加熱デバイス１００は、基板１１０と、基板１１０上に配置された多数の導電性の細長い構造１２０ａ〜１２０ｃ（これ以下、集合的に導電性の細長い構造１２０と呼ぶ）と、導電性の細長い構造１２０ａ〜１２０ｃ上にそれぞれ配置された多数の熱伝導性カラム１３０ａ〜１３０ｃ（これ以下、集合的に熱伝導性カラム１３０と呼ぶ）とを備えることができる。
【０００９】
一実施形態では、基板１１０は、熱に対して耐性がある少なくとも１つの材料から製造することができる。非限定的な例として、基板１１０は、サファイア、ガラス、または半導体材料（例えば、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、およびガリウムヒ素（ＧａＡｓ））で作ることができる。別の実施形態では、基板１１０は、エラストマー材料などの可撓性材料から製造することができる。このようなエラストマー材料の例としては、これに限らないが、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）、ポリトリメチルシリルプロピン（ＰＴＭＳＰ）、ポリビニルトリメチルシラン（ＰＶＴＭＳ）、ポリウレタン／ポリエーテルウレタン、天然ゴム、エテンプロペン（ジエン）ゴム（ＥＰ（Ｄ）Ｍ）、およびニトリルブタジエンゴム（ＮＢＲ）が挙げられる。様々な形状のいずれかを有する基板１１０を形成することができる。一実施形態では、図１Ａ〜１Ｃに示すように、矩形の形状を有する基板１１０を形成することができる。別の実施形態では、その横表面に導電性の細長い基板１２０が配置された、円筒形の形状を有する基板１１０を形成することができる。例えば、基板１１０は、実質的に硬い材料（例えば、半導体材料）で作られた円筒形コア構造、および可撓性材料（例えば、エラストマー材料）から製造された少なくとも１つの外側構造を備えることができる。（１つまたは複数の）外側構造は、円筒形コア構造の外側表面を少なくとも部分的にまたは完全に覆うように、円筒形コア構造の周りで包むように構成することができる。本実施形態では、導電性の細長い構造１２０は、（１つまたは複数の）外側構造の（１つまたは複数の）上表面上に配置することができる。
【００１０】
一実施形態では、各導電性の細長い構造１２０は、対応する導電性の細長い構造の残りの部分（例えば、導電性の細長い構造１２０ａ〜１２０ｃ内のそれぞれ残りの部分１２２ａ〜１２２ｃ）より低い導電性を有する少なくとも１つの抵抗部分（例えば、導電性の細長い構造１２０ａ〜１２０ｃ内のそれぞれ抵抗部分１２１ａ〜１２１ｃ）を備えることができる。これ以下、抵抗部分１２１ａ〜１２１ｃおよび残りの部分１２２ａ〜１２２ｃは集合的にそれぞれ、抵抗部分１２１および残りの部分１２２と呼ばれる。導電性の細長い構造１２０のいずれか１つが外部電源（図示せず）（例えば、電圧源または電流源）に接続される場合、電流は対応する導電性の細長い構造を通して流れることができる。電流がそこを通して流れるので、対応する導電性の細長い構造内の抵抗部分は、対応する導電性の細長い構造の抵抗部分と残りの部分の間の導電性の差により熱を生成することができる。この現象は、「抵抗加熱」として知られている。
【００１１】
一実施形態では、抵抗部分１２１は、炭化チタンおよび炭化モリブデンなどの金属炭化物（metal carbide）で作ることができる。残りの部分１２２は、金属炭化物より高い導電性を有する少なくとも１つの材料で作ることができる。一実施形態では、残りの部分１２２は、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）材料で作ることができる。ＣＮＴは、約１ｎｍから約３ｎｍまでの範囲の直径を有し、約数ナノメートルから約数十マイクロメートルまでの範囲の高さを有する規則的に配置された炭素原子の円筒形材料であってもよい。別の実施形態では、残りの部分１２２はグラフェンで作ることができる。グラフェンは、ハニカム結晶格子で密集して詰められたｓｐ２−結合炭素原子の平面シートである。残りの部分１２２は、グラフェンの多数の積層を含むことができる。例えば、残りの部分１２２は、数個から数百個までの積層グラフェン層を含むことができる。
【００１２】
一実施形態では、熱伝導性カラム１３０はそれぞれ、導電性の細長い構造１２０の抵抗部分１２１上に配置することができる。この配置では、各熱伝導性カラム１３０は、対応する熱伝導性カラムの上部にその下で抵抗部分１２１によって生成された熱を伝導することができる。これにより、各熱伝導性カラム１３０が、それ自体に接触しているまたは隣接しているあらゆる材料または構造を局所的に加熱することが可能になる。一実施形態では、熱伝導性カラム１３０は、高い熱伝導を有する少なくとも１つの材料で作ることができ、抵抗部分１２１より低い導伝性を有することができる。例えば、熱伝導性カラム１３０は、金属（例えば、アルミナ）、金属炭化物、または金属酸化物（例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ））などの熱伝導材料で作ることができる。
【００１３】
一実施形態では、加熱デバイス１００はさらに任意選択で、基板１１０上に少なくとも１つの絶縁層（図示せず）を含むことができる。一実施形態では、（１つまたは複数の）絶縁層は、導電性の細長い構造１２０の間に配置することができる。別の実施形態では、（１つまたは複数の）絶縁層は、導電性の細長い構造１２０を部分的にまたは完全に覆うことができる。（１つまたは複数の）絶縁層は、各導電性の細長い構造１２０を電気的に分離することができ、それによって、各導電性の細長い構造１２０の加熱を、少なくとも１つの外部電源によって個別に制御することができる。
【００１４】
一実施形態では、基板１１０は、数センチメートルから数百センチメートルまでの範囲の辺長を有することができる。一実施形態では、各導電性の細長い構造１２０は、数十ナノメートルから数百ナノメートルまでの範囲の幅、および数マイクロメートルから数百センチメートルまでの範囲の長さを有することができる。導電性の細長い構造１２０は、約５０ｎｍから約５００ｎｍまでの範囲の距離だけ、互いに間隔を置いて配置することができる。単純にする目的で、図１Ａ〜１Ｃは、３つの導電性の細長い構造の例示的な実施形態を示していることを理解すべきである。約５０ｎｍから約５００ｎｍまでの測長の辺長を有する矩形の形状を有する、導電性の細長い構造１２０の各抵抗部分１２１を形成することができる。一実施形態では、熱伝導性カラム１３０は、約５０ｎｍから約５００ｎｍまでの測長の幅、および数十ナノメートルから数百マイクロメートルまでの測長の高さを有することができる。
【００１５】
図１Ａ〜１Ｃに関して記載された加熱デバイス１００およびその構成部品の構造および材料構成は、加熱デバイス１００を実施することができるいくつかの様々な態様を示していることを理解すべきである。例えば、加熱デバイス１００は図１Ａ〜１Ｃに示すように、多数の導電性の細長い構造１２０を含むことができ、いくつかの他の実施形態では、加熱デバイス１００は１つの導電性の細長い構造を有することができる。さらに、図１Ａ〜１Ｃに示すように、多数の熱伝導性カラム１３０が各導電性の細長い構造１２０上に配置されているが、単一の熱伝導性カラムを導電性の細長い構造の全てまたはいくつかに配置することができる。図１Ａ〜１Ｃに示すように、導電性の細長い構造１２０は、同じ長さを有することができ、互いにほぼ平行に配置することができる。しかし、各導電性の細長い構造１２０は（１つまたは複数の）異なる長さを有することができ、あらゆる様々な方法で配置することができることを理解すべきである。上に記載したように、各導電性の細長い構造１２０の加熱は、各導電性の細長い構造１２０を少なくとも１つの外部電源に接続することによって個別に制御することができる。（１つまたは複数の）外部電源は、導電性の細長い構造１２０の中から選択したものに電気信号（例えば、電圧信号）を選択的に供給することができ、それによって（１つまたは複数の）選択した導電性の細長い材料１２０上に配置された（１つまたは複数の）熱伝導性カラム１３０が加熱され、残りの（１つまたは複数の）熱伝導性カラム１３０は加熱されないままである。いくつかの実施形態では、加熱デバイス１００は、加熱デバイス１００のユーザが加熱される（１つまたは複数の）選択した熱伝導性カラム１３０を細かく制御することを可能にするように、より短い長さを備えた（１つまたは複数の）導電性の細長い構造１２０（および、したがって、上に配置されたより少ない数の（１つまたは複数の）熱伝導性カラム１３０）を備えることができる。加熱デバイス１００を使用して、個別のナノサイズ領域のアレイに熱を局所的に加えることができる。このようなアレイの全パターンは、基板１１０上に導電性の細長い構造１２０および（１つまたは複数の）熱伝導性カラム１３０を配置する方法に左右される可能性がある。導電性の細長い構造１２０および（１つまたは複数の）熱伝導性カラム１３０は、加熱デバイス１００によって加熱される個別のナノサイズ領域の所望の全パターンに実質的に対応する方法で配置することができる。
【００１６】
図２および図３Ａ〜３Ｆを参照して、加熱デバイスを製造する方法の例示的な実施形態をこれ以下に説明する。図２は、加熱デバイスを製造する方法の例示的な実施形態の例示的フロー図を示している。図３Ａ〜３Ｆは、図２に示した方法のいくつかを示す一連の図である。特に、図３Ａは、基板上に形成された多数の導電性の細長い構造の例示的な実施形態の断面図である。図３Ｂは、基板上に形成された絶縁層および多数の導電性の細長い構造の例示的な実施形態の断面図である。図３Ｃは、取除きプロセス後に露出される導電性の細長い構造の部分の例示的実施形態の断面図である。図３Ｄは、導電性の細長い構造の露出部分に化学反応体を与えることによって形成された抵抗部分の例示的な実施形態の断面図である。図３Ｅは、蒸着プロセスによって抵抗部分上にそれぞれ形成された熱伝導性カラムの例示的な実施形態の断面図である。図３Ｆは、絶縁層の取除き後にさらに露出される熱伝導性カラムの例示的な実施形態の断面図である。
【００１７】
基板３１０を準備することができる（ブロック２１０）。基板３１０は、段落［０００６］に記載された材料のいずれかを使用することによって準備することができる。少なくとも１つの導電性の細長い構造を基板３１０上に形成することができる。図３Ａに示すように、多数の導電性の細長い構造３２０ａ〜３２０ｃを基板３１０上に形成することができる。（１つまたは複数の）導電性の細長い構造３２０ａ〜３２０ｃは、様々なナノ製造技術の１つを使用することによって形成することができる。このようなナノ製造技術の例としては、これに限らないが、（ａ）層形成／エッチング技術、または（ｂ）液化技術（liquefaction techniques）が挙げられる。ブロック２２０のナノ製造技術に関する技術的詳細を、図４、５Ａ、５Ｂ、６および７Ａ〜７Ｄを参照して、以下により詳細に説明する。
【００１８】
少なくとも１つの抵抗部分を、導電性の細長い構造３２０ａ〜３２０ｃ内に形成することができる（ブロック２３０）。一実施形態では、図３Ｂに示すように、絶縁層３２５を基板３１０上に形成して、それで導電性の細長い構造３２０ａ〜３２０ｃを覆うことができる。絶縁層３２５は、シリカ、アルミナ、および二酸化ケイ素などの絶縁材料で作ることができ、当技術分野で知られている公知の蒸着技術（例えば、化学蒸着（ＣＶＤ）技術）を利用することによって、基板３１０上に蒸着させることができる。さらに、絶縁層３２５は、当技術分野で知られている公知のマスキングおよびドライエッチング技術（例えば、フォトリソグラフィおよびプラズマエッチング）を利用することによってエッチングすることができる。約５０ｎｍから約５００ｎｍまでの測長の辺長を備えた矩形の形状を有する、エッチング部分の断面を形成することができる。
【００１９】
図３Ｃに示すように、絶縁層３２５の少なくとも１つの部分を取り除いて、その下で導電性の細長い構造３２０ａ〜３２０ｃの少なくとも一部を露出させることができる。
【００２０】
少なくとも１つの化学反応体３０を、導電性の細長い構造３２０ａ〜３２０ｃの露出部分に提供することができる。化学反応体３０は、導電性の細長い構造３２０ａ〜３２０ｃの露出部分と化学反応し、これらをより低い導電性を有する抵抗材料に変換することができる。化学反応３０は、化学反応体３０と導電性の細長い構造３２０ａ〜３２０ｃの露出部分の間の反応を容易にするように、所定の温度（例えば、約１１００℃から約１５００℃までの範囲の温度）で提供することができる。したがって、図３Ｄに示すように、抵抗部分３２１ａ〜３２１ｃを、導電性の細長い構造３２０ａ〜３２０ｃの露出部分に形成することができる。各抵抗部分３２１ａ〜３２１ｃは、少なくとも１つの導電性の細長い構造３２０ａ〜３２０ｃの残りの部分より低い導電性を有することができる。
【００２１】
化学反応体３０は、揮発性金属または非金属ハロゲン化物、金属塩化物、または揮発性金属または非金属酸化物などの材料で作ることができる。導電性の細長い構造３２０ａ〜３２０ｃがＣＮＴまたはグラフェンで作られている実施形態では、化学反応体３０はＣＮＴまたはグラフェン内の炭素と化学反応し、炭素を炭化物に変換することができる。上記材料内の金属または非金属要素のタイプは、そこから得られる抵抗材料のタイプによって変化する可能性がある。例えば、塩化チタニウムおよび酸化モリブデンを使用して、それぞれ炭化チタニウムおよび炭化モリブデンで作られた抵抗部分３２１ａ〜３２１ｃを形成することができる。
【００２２】
少なくとも１つの熱伝導性カラムを、少なくとも導電性の細長い構造３２０ａ〜３２０ｃの抵抗部分３２１ａ〜３２１ｃ上に形成することができる（ブロック２３０）。一実施形態では、図３Ｅに示すように、熱伝導材料を導電性の細長い構造３２０ａ〜３２０ｃの露出部分に蒸着させることができる（導電性の細長い構造３２０ａ〜３２０ｃの露出部分の上に、熱伝導性カラム３３０ａ〜３３０ｃを形成するために抵抗部分３２１ａ〜３２１ｃが形成される）。さらに、別の実施形態では、図３Ｆに示すように、絶縁層３２５の少なくとも一部分を任意選択で取り除いて、熱伝導性カラム３３０ａ〜３３０ｃの少なくとも一部分をさらに露出させることができる。熱伝導性材料は、当技術分野で知られている蒸着技術（例えば、ＣＶＤ）を使用することによって蒸着させることができる。さらに、絶縁層３２５は当技術分野で知られているマスキングおよびエッチング技術（例えば、フォトリソグラフィおよびプラズマエッチング）によって取り除くことができる。
【００２３】
図４は、導電性の細長い構造を製造する例示的な実施形態の方法のフロー図を示している。図５Ａおよび５Ｂは、図４に示した方法を示す一連の図である。特に、図５Ａは基板上に蒸着された導伝性の材料で作られた層の例示的な実施形態の断面図であり、図５Ｂは基板上に形成された導電性の細長い構造を示す略図である。図４および５Ａを参照して、導電性材料で作られた層５１５を基板５１０に形成することができる（ブロック４１０）。
【００２４】
一実施形態では、導電性材料はＣＮＴ材料であってもよい。ＣＮＴ材料は、様々な技術を使用することによって基板５１０上に蒸着させることができ、その２つを以下に説明する。第１の例では、ＣＮＴ溶液（すなわち、脱イオン化水、アルカン、またはヘキサンなどの溶液中にＣＮＴを分散させることによって調製される溶液）を基板５１０に付与し、その後、基板５１０を乾燥させることによって、ＣＮＴ材料を基板５１０上に蒸着させることができる。当技術分野で知られている様々な技術を使用することによって、ＣＮＴ溶液を基板５１０に付与することができる。このような技術の例としては、これに限らないが、スピンコーティングおよび浸漬コーティングが挙げられる。一実施形態では、ＣＮＴは、溶液中への効果的な分散のために界面活性剤または配位子で包むことができる。このような適用可能な表面活性剤の例としては、これに限らないが、１−オクタデシルアミンが挙げられる。界面活性剤で包まれたＣＮＴで分散された溶液が使用される場合、このような溶液が付与された基板５１０を酸化環境で加熱して、ＣＮＴに付着した界面活性剤を取り除くことができる。
【００２５】
第１の例では、基板５１０の上にＣＮＴ溶液を付与する前に、基板５１０の表面上にＣＮＴ溶液中の金属ＣＮＴを選択的に結合させるのを助けることができる少なくとも１つの化学材料で、基板５１０の表面を機能化することができる。このような化学材料の例としては、これに限らないが、フェニル末端シランが挙げられる。例えば、基板５１０を酸化物層（例えば、ＳｉＯ２層）で被覆し、その後、酸化物層を上記化学材料で機能化することができる。
【００２６】
第２の例では、最初に、（ａ）数百マイクロメートルの高さの垂直に位置合わせされたＣＮＴフォレストフィルムのアレイが、水アシスト型化学蒸着（ＣＶＤ）技術（いわゆる、「超成長」プロセス）を使用することによって基板５１０上に形成される。その後、（ｂ）その上にＣＮＴフォレストフィルムが形成された基板５１０は、溶液（例えば、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）溶液）を通して引かれて、垂直に位置合わせされたＣＮＴを水平に向け直し、その後、窒素ガスを導入することによって乾燥される。上記プロセスは、密集して詰められたＣＮＴ層を作り出し、これはその上で行われるその後のフォトリソグラフィおよびエッチングプロセスに使用して、そこから（１つまたは複数の）導電性の細長い構造を形成することができる。
【００２７】
別の実施形態では、導電性材料はグラフェンであってもよい。グラフェン材料は、当技術分野で知られている様々な技術を使用することによって、基板５１０上に蒸着させることができる。例えば、数個から数百個の層のグラフェンを、金属層（ベース構造上に形成することができる）上で成長させることができ、成長させたグラフェン層は基板５１０上に転写させることができる。
【００２８】
図４および５Ｂを参照すると、基板５１０上の層５１５の（１つまたは複数の）部分を取り除いて、基板５１０上に（１つまたは複数の）導電性の細長い構造５２０ａ〜５２０ｃ（これ以下、集合的に導電性の細長い構造５２０と呼ぶ）を形成することができる（ブロック５２０）。層５１５の部分は、当技術分野で知られているマスキングおよびエッチング技術（例えば、フォトリソグラフィおよびプラズマエッチング）を利用することによって取り除くことができる。
【００２９】
図６は、導電性の細長い構造を製造する方法の別の例示的な実施形態のフロー図を示している。図７Ａ〜７Ｄは、図６に示した方法を示す一連の図である。特に、図７Ａは、基板上に配置された開始構造の例示的な実施形態の断面図である。図７Ｂは、基板上に配置されたスペーサ、およびスペーサ上に配置されたガイド構造の例示的な実施形態の断面図である。図７Ｃは、開始構造から形成された導電性の細長い構造の例示的な実施形態の断面図である。図７Ｄは、スペーサおよびガイド構造を取り除いた後の、基板および導電性の細長い構造の例示的な実施形態の断面図である。本実施形態では、液化（ガイドＳＰＥＬ）技術によってガイド・セルフ・パーフェクション（guided self-perfection）を使用して、導電性の細長い構造を形成することができる。
【００３０】
図６を参照すると、図７Ａに示すように、開始構造７１５ａ〜７１５ｃ（これ以下、集合的に開始構造７１５と呼ぶ）を基板７１０上に準備することができる（ブロック６１０）。図７Ｂに示すように、スペーサ７１６ａおよび７１６ｂ（これ以下、集合的にスペーサ７１６と呼ぶ）を基板７１０の両端部に形成することができる（ブロック６２０）。図７Ｂに示すように、プレート７１７などの（１つまたは複数の）ガイド構造をスペーサ７１６上に形成することができる（ブロック６３０）。図７Ｃに示すように、開始構造７１５を加熱して、そこから導電性の細長い構造７２０ａ〜７２０ｃ（これ以下、集合的に導電性の細長い構造７２０と呼ぶ）を形成することができる（ブロック６４０）。一実施形態では、開始構造７１５の下および近くの材料を低温および固相に保持しながら、所望の材料を溶融させるためにエネルギーを選択的に与える、フラッドまたはマスクビームのいずれかで、特定の波長（例えば、約２９０ｎｍから３２０ｎｍまでの波長）のパルスレーザを使用することによって、開始構造７１５を加熱することができる。開始構造７１５が加熱されると、溶融される。溶融した開始構造７１５とガイド構造７１７の間の相互作用により、溶融した開始構造７１５を液体表面張力に対抗して上昇させ、ガイド構造７１７に到達させることができ、それによりほぼ垂直に形成された導電性の細長い構造７２０を形成することができる。図７Ｄに示すように、スペーサ７１６およびガイド構造７１７を取り除くことができる（ブロック６５０）。
【００３１】
本開示により準備された加熱デバイスは、様々なタイプのナノ構造（例えば、ナノドット、ナノワイヤ、ナノチューブ、ナノロッド、ナノリボン、ナノテトラポッドなど）およびそのアレイを製造する際に使用することができる。図８は、加熱デバイスを使用してナノドットアレイを製造する方法の例示的な実施形態の例示的フロー図を示している。図９Ａ〜９Ｃは、図８に示した方法のいくつかを示す一連の図である。特に、図９Ａは、電源に接続された加熱デバイスの例示的な実施形態の断面図である。図９Ｂは、基板上に配置されたポリマーフィルム上に下向きに押された加熱デバイスの熱伝導性カラムの例示的な実施形態の断面図である。図９Ｃは、フィルムの未硬化部分が取り除かれた後に、基板上に残っている熱硬化部分またはナノドットのアレイの例示的な実施形態の断面図である。
【００３２】
図８を参照すると、加熱デバイス９００を電源９に電気接続して、加熱デバイス９００の抵抗部分の少なくともいくつか、したがって、抵抗部分上の少なくとも１つの熱伝導性カラムを加熱することができる（ブロック８１０）。図９Ａに示すように、加熱デバイス９００は、基板９１０と、（抵抗部分９２１ａおよび残りの部分９２２ａを有する導電性の細長い構造９２０ａを含む）少なくとも１つの導電性の細長い構造と、（抵抗部分９２１ａ上にそれぞれ配置された熱伝導性カラム９３０ａを含む）少なくとも１つの熱伝導性カラムとを備えている。
【００３３】
一実施形態では、電源９を（１つまたは複数の）導電性の細長い構造（例えば、導電性の細長い構造９２０ａ）に電気接続させることができ、その上に、加熱される熱伝導性カラム（例えば、熱伝導性カラム９３０ａ）が配置される。１つの電源９だけが図９Ａに示されているが、２つ以上の電源を使用することもできる。様々な切換機構の少なくとも１つを追加で利用して、（１つまたは複数の）電源に加熱デバイスの導電性の細長い構造のいくつかを選択的に電気接続させることができる。これにより、加熱デバイス内で（１つまたは複数の）所望の熱伝導性カラムだけを選択的に加熱することが可能になる。このような切換機構は、当技術分野でよく知られており、本明細書ではさらなる説明の必要なく達成することができる。
【００３４】
加熱した熱伝導性カラムをフィルムと接触させるように配置して、フィルム内に少なくとも１つの熱硬化部分を作り出すことができる（図８のブロック８２０）。図９Ｂに示すように、加熱デバイス９００の（熱伝導性カラム９３０ａを含む）熱伝導性カラムは、基板９７０上に配置されたポリマーフィルム９６０の上に下向きに押し付けることができる。（熱伝導性カラム９３０ａを含む）熱伝導性カラムは、所定の温度（例えば、約２００℃から約３００℃までの範囲の温度）までポリマーフィルム９６０の部分を局所的に加熱して、（熱硬化部分９６１を含む）熱硬化部分を形成する。熱伝導性カラム９３０ａは本実施形態ではポリマーフィルム９６０と接触して配置されていると記載されているが、他の実施形態では、熱伝導性カラム９３０ａをポリマーフィルム９６０に隣接させて、または近接させて配置することができることを理解すべきである。
【００３５】
さらに、加熱デバイスの形状によって、加熱デバイスを様々な方法のいずれかを使用してフィルムの上に押し付けることができる。図９Ｂに示された加熱デバイス９００は矩形の形状であるが、他の実施形態では、加熱デバイスは、加熱デバイスの横部分上に形成された熱伝導性カラムを備えた円筒形の形状（すなわち、加熱ローラ）を有することができる。このような実施形態では、加熱デバイスを大きな平面フィルム上に連続して転動させて、その後、そこに一連の熱硬化部分を形成することができる。
【００３６】
フィルムの残りの部分を取り除いて、ナノドットのアレイ（それぞれフィルム内の熱硬化部分に対応するナノドット）を形成することができる（図８のブロック８３０）。フィルムの残りの部分（すなわち、未硬化部分）を、当技術分野で従来から知られている方法で取り除くことができる。例えば、溶液をフィルムに付与することができ、それによって溶液は、フィルムの未硬化部分を溶解または分散させることができる。例えば、図９Ｃに示すように、熱硬化部分またはナノドット９６１のアレイは、このような取り除き操作が行われた後に、基板９７０の上に残っているままである。
【００３７】
図１０は、加熱デバイスを使用してナノワイヤアレイを製造する方法の例示的な実施形態の例示的フロー図を示している。図１１Ａ〜１１Ｅは、図１０に示された方法のいくつかを示す一連の図である。図１１Ａは、電源に接続された加熱デバイスの例示的な実施形態の断面図である。図１１Ｂは、基板、およびその上に準備されたナノ構造触媒のアレイの例示的な実施形態の断面図である。図１１Ｃは、基板上に配置されたナノ構造触媒に隣接して配置された加熱デバイスの熱伝導性カラムの例示的な実施形態の断面図である。図１１Ｄは、基板上に形成された液体ナノ構造触媒クラスタのアレイの例示的な実施形態の断面図である。図１１Ｅは、液体ナノ構造触媒クラスタの下でそれぞれ成長されたナノワイヤのアレイの例示的な実施形態の断面図である。
【００３８】
図１０を参照すると、加熱デバイス１１００を電源１１に接続して、加熱デバイスの抵抗部分および少なくとも１つの熱伝導性カラムの少なくともいくつかを加熱することができる（ブロック１０１０）。図１１Ａに示すように、加熱デバイス１１００は、基板１１１０と、（抵抗部分１１２１ａおよび残りの部分１１２２ａを有する導電性の細長い構造１１２０ａを含む）少なくとも１つの導電性の細長い構造と、（抵抗部分１１２１ａ上にそれぞれ配置された熱伝導性カラム１１３０ａを含む）少なくとも１つの熱伝導性カラムとを備えている。
【００３９】
図１１Ｂに示すように、少なくとも１つのナノ構造触媒（ナノ構造触媒１１８５を含むナノ構造触媒のアレイ）を、基板１１８０の上に準備することができる（図１０のブロック１０２０）。ナノ構造触媒１１８５は、当技術分野で知られている様々な技術のいずれかを使用して準備することができる。例えば、（ａ）レジストパターンを基板１１８０の部分の上に形成して、基板１１８０の他の部分を覆わないままにし、（ｂ）ナノ構造触媒材料を基板１１８０のレジスト部分および覆われていない部分上に蒸着させることができ、（ｃ）基板１１８０からレジスト部分およびその上に蒸着されたナノ構造触媒材料を選択的に取り除く（例えば、持ち上げる）。
【００４０】
図１１Ｂに関する実施形態は、基板１１８０上にナノ構造触媒（例えば、ナノ構造触媒１１８５）のアレイを準備するが、いくつかの他の実施形態では、基板１１８０の全てまたはいくつかを覆うナノ構造触媒材料の層だけを使用することもできる。一実施形態では、液相の場合に異なる材料の蒸気を吸着することができ、そこから吸着した材料の結晶成長が起こる可能性がある材料を、ナノ構造触媒材料として使用することができる。このようなナノ構造触媒材料の例としては、これに限らないが、金属（例えば、金、鉄、コバルト、銀、マンガン、モリブデン、ガリウム、アルミニウム、チタニウム、およびニッケル）、塩化物、または金属酸化物が挙げられる。
【００４１】
図１１Ｃおよび１１Ｄに示すように、（熱伝導性カラム１１３０ａを含む）加熱した熱伝導性カラムを、少なくとも１つのナノ構造触媒（例えば図１１Ｃのナノ構造触媒１１８５を含むナノ構造触媒のアレイ）の近くに配置して、そこから少なくとも１つの液体ナノ構造触媒クラスタ（例えば、図１１Ｄの液体ナノ構造触媒クラスタ１１８５を含む液体ナノ触媒クラスタのアレイ）を形成することができる（図１０のブロック１１３０）。いくつかの実施形態では、ナノ構造前駆体物質を加えて、上記加熱プロセスが行われる前に、その間に、またはその後に、ナノ構造触媒１１８５の融点を下げることができる。一実施形態では、ケイ素含有材料をナノ構造前駆体物質として使用することができる。
【００４２】
図１１Ｅに示すように、ナノ構造（例えば、ナノワイヤ１１９５）を、少なくとも１つの液体ナノ構造触媒クラスタ（例えば、液体ナノ構造触媒クラスタ１１８５）から成長させることができる（図１０のブロック１１４０）。一実施形態では、様々な触媒技術を使用することによって、ナノワイヤ１１９５を成長させることができ、異なる材料のナノワイヤを形成する際に、１つの材料の（１つまたは複数の）触媒を使用する。このような技術の例としてはこれに限らないが、気相−固相（ＶＳ）技術および気相−液相−固相（ＶＬＳ）技術が挙げられる。例えば、気体混合物（例えば、ＳｉＨ４およびＨ２を含む気体混合物）を含むケイ素（Ｓｉ）を導入して、ナノ構造触媒クラスタ１１８５の下にナノワイヤ１１９５を成長させることができる。Ｓｉが気体混合物から供給されると、ナノ構造触媒クラスタ１１８５は、Ｓｉで過飽和させることができ、余分なＳｉはナノ構造触媒クラスタ１１８５から沈殿して、ナノ構造触媒クラスタ１１８５の下にＳｉナノワイヤ１１９５を形成することができる。成長が完了した後に、ナノワイヤ１１９５上のナノ構造触媒クラスタ１１８５を取り除くことができる。
【００４３】
本開示による加熱デバイスを、図８、９Ａ〜９Ｃ、１０、および１１Ａ〜１１Ｅに関連して記載したもの以外のナノ構造製造プロセスで使用することができることを理解すべきである。他の応用例としてはこれに限らないが、重合およびナノはんだ付けプロセスが挙げられる。重合の例では、加熱デバイスを使用して、ポリマーフィルムの部分を選択的に加熱して、加熱された部分内の熱活性開始剤を活性化させることができ、加熱した部分の重合を開始させる。ナノはんだ付けの例では、加熱デバイスを使用して、多数のナノ材料の間に置かれた金属粒子を加熱して、金属粒子で多数のナノ材料をはんだ付けすることができる。
【００４４】
当業者は、本明細書に開示したこのようなおよび他のプロセスおよび方法で、プロセスおよび方法で行われる機能を異なる順序で実施することができることが分かるだろう。さらに、概略を示したステップおよび操作は、例として与えられただけであり、ステップおよび操作のいくつかは、開示した実施形態の本質から逸脱することなく、任意選択であり、より少ないステップおよび操作に組み合わせる、または追加のステップおよび操作に拡張させることができる。
【００４５】
本開示は、様々な態様の例示を意図した、本応用例で記載された特定の実施形態の点で限定されるものではない。当業者には明らかなように、その趣旨および範囲から逸脱することなく多くの変更および変形を行うことができる。開示の範囲内の機能的に等価の方法および装置は、本明細書で挙げたものに加えて、前述の説明から当業者には明らかだろう。このような変更および変形は、添付の特許請求の範囲内に含まれることを意図している。本開示は、このような特許請求の範囲が権利を与えられた等価物の完全な範囲と共に、添付の特許請求の範囲の用語でのみ限定されるものである。本開示は、もちろん変更可能である、特定の方法、試薬、化合物組成または生物学系に限るものではないことを理解されたい。また、本明細書で使用される用語は、特定の実施形態を説明する目的のみであり、限定することを意図したものではないことを理解されたい。
【００４６】
本明細書における実質的に全ての複数形および／または単数形の用語の使用に対して、当業者は、状況および／または用途に適切なように、複数形から単数形に、および／または単数形から複数形に変換することができる。様々な単数形／複数形の置き換えは、理解しやすいように、本明細書で明確に説明することができる。
【００４７】
通常、本明細書において、特に添付の特許請求の範囲（例えば、添付の特許請求の範囲の本体部）において使用される用語は、全体を通じて「オープンな（ｏｐｅｎ）」用語として意図されていることが、当業者には理解されよう（例えば、用語「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」は、「含むがそれに限定されない（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ ｂｕｔ ｎｏｔ ｌｉｍｉｔｅｄ ｔｏ）」と解釈されるべきであり、用語「有する（ｈａｖｉｎｇ）」は、「少なくとも有する（ｈａｖｉｎｇ ａｔ ｌｅａｓｔ）」と解釈されるべきであり、用語「含む（ｉｎｃｌｕｄｅｓ）」は、「含むがそれに限定されない（ｉｎｃｌｕｄｅｓ ｂｕｔ ｉｓ ｎｏｔ ｌｉｍｉｔｅｄ ｔｏ）」と解釈されるべきである、など）。導入される請求項で具体的な数の記載が意図される場合、そのような意図は、当該請求項において明示的に記載されることになり、そのような記載がない場合、そのような意図は存在しないことが、当業者にはさらに理解されよう。例えば、理解の一助として、添付の特許請求の範囲は、導入句「少なくとも１つの（ａｔ ｌｅａｓｔ ｏｎｅ）」および「１つまたは複数の（ｏｎｅ ｏｒ ｍｏｒｅ）」を使用して請求項の記載を導くことを含む場合がある。しかし、そのような句の使用は、同一の請求項が、導入句「１つまたは複数の」または「少なくとも１つの」および「ａ」または「ａｎ」などの不定冠詞を含む場合であっても、不定冠詞「ａ」または「ａｎ」による請求項の記載の導入が、そのように導入される請求項の記載を含む任意の特定の請求項を、単に１つのそのような記載を含む実施形態に限定する、ということを示唆していると解釈されるべきではない（例えば、「ａ」および／または「ａｎ」は、「少なくとも１つの」または「１つまたは複数の」を意味すると解釈されるべきである）。同じことが、請求項の記載を導入するのに使用される定冠詞の使用にも当てはまる。また、導入される請求項の記載で具体的な数が明示的に記載されている場合でも、そのような記載は、少なくとも記載された数を意味すると解釈されるべきであることが、当業者には理解されよう（例えば、他の修飾語なしでの「２つの記載（ｔｗｏ ｒｅｃｉｔａｔｉｏｎｓ）」の単なる記載は、少なくとも２つの記載、または２つ以上の記載を意味する）。さらに、「Ａ、ＢおよびＣ、などの少なくとも１つ」に類似の慣例表現が使用されている事例では、通常、そのような構文は、当業者がその慣例表現を理解するであろう意味で意図されている（例えば、「Ａ、Ｂ、およびＣの少なくとも１つを有するシステム」は、Ａのみ、Ｂのみ、Ｃのみ、ＡおよびＢを共に、ＡおよびＣを共に、ＢおよびＣを共に、ならびに／またはＡ、Ｂ、およびＣを共に、などを有するシステムを含むが、それに限定されない）。「Ａ、Ｂ、またはＣ、などの少なくとも１つ」に類似の慣例表現が使用されている事例では、通常、そのような構文は、当業者がその慣例表現を理解するであろう意味で意図されている（例えば、「Ａ、Ｂ、またはＣの少なくとも１つを有するシステム」は、Ａのみ、Ｂのみ、Ｃのみ、ＡおよびＢを共に、ＡおよびＣを共に、ＢおよびＣを共に、ならびに／またはＡ、Ｂ、およびＣを共に、などを有するシステムを含むが、それに限定されない）。２つ以上の代替用語を提示する事実上いかなる離接する語および／または句も、明細書、特許請求の範囲、または図面のどこにあっても、当該用語の一方（ｏｎｅ ｏｆ ｔｈｅ ｔｅｒｍｓ）、当該用語のいずれか（ｅｉｔｈｅｒ ｏｆ ｔｈｅ ｔｅｒｍｓ）、または両方の用語（ｂｏｔｈ ｔｅｒｍｓ）を含む可能性を企図すると理解されるべきであることが、当業者にはさらに理解されよう。例えば、句「ＡまたはＢ」は、「Ａ」または「Ｂ」あるいは「ＡおよびＢ」の可能性を含むことが理解されよう。
【００４８】
加えて、開示の特徴または態様がマーカッシュグループで記載されている場合、当業者は、開示はまた、それによってマーカッシュグループのあらゆる個別のメンバーまたはメンバーのサブグループに関して記載されていることが分かるだろう。
【００４９】
当業者には分かるように、記載した説明を与える点などのあらゆるおよび全ての目的で、本明細書に開示した全ての範囲はまた、あらゆるおよび全ての可能なサブ範囲およびそのサブ範囲の組合せを含む。あらゆる挙げた範囲は、少なくとも等しい半分、３分の１、４分の１、５分の１、１０分の１などに分けられている同じ範囲を十分に説明するおよび可能にするものとして容易に分かる。非限定的な例として、本明細書に論じた各範囲は、下側３分の１、中間３分の１、および上側３分の１などに容易に分けることができる。また当業者に分かるように、「最大」、「少なくとも」などの全ての用語は、言及した数字を含むものであり、上に論じたようにサブ範囲にその後に分けることができる範囲のことを言う。最後に、当業者によって分かるように、範囲は各個別のメンバーを含む。したがって、例えば、１〜３のセルを有するグループは、１、２または３のセルを有するグループのことを言う。同様に、１〜５のセルを有するグループは、１、２、３、４または５のセルなどを有するグループのことを言う。
【００５０】
前述のことから、本開示の様々な実施形態が、例示する目的で本明細書に記載されており、様々な変更を本開示の範囲および趣旨から逸脱することなく行うことができることが分かるだろう。したがって、本明細書に開示された様々な実施形態は限定することを意図したものではなく、真の範囲および趣旨が以下の特許請求の範囲によって示されている。
【図１Ａ】
【図１Ｂ】
【図１Ｃ】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図３Ｃ】
【図３Ｄ】
【図３Ｅ】
【図３Ｆ】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図７Ｃ】
【図７Ｄ】
【図９Ａ】
【図９Ｂ】
【図９Ｃ】
【図１１Ａ】
【図１１Ｂ】
【図１１Ｃ】
【図１１Ｄ】
【図１１Ｅ】
【技術分野】
【０００１】
ナノテクノロジーとは、ナノメートル（すなわち、メートルの１０億分の１）の尺度での材料およびデバイスの操作および製造に関連する分野のことを言う。数百ナノメートル以下のサイズの構造（すなわち、ナノ構造）は、光学、電子、および機械的応用例を含む、幅広い範囲の応用例で多くの新しいデバイスを作り出すその潜在性により注目を集めた。ナノ構造を、望ましい光学、電気、および／または機械的特性を備えたより小さく、より軽く、および／またはより強いデバイスを製造するのに使用することができることが考えられる。ナノスケールで材料の特性および構造を制御することに対する興味が現在ある。また、このような材料をナノ構造に操作し、このようなナノ構造をより複雑なデバイスに組み立てるために調査が行われた。
【発明の概要】
【０００２】
加熱デバイスに関連する技術が提供される。
【０００３】
一実施形態では、加熱デバイスは、基板と、基板上に配置された少なくとも１つの導電性の細長い構造であって、少なくとも１つの導電性の細長い構造の残りの部分より低い導電性を有する少なくとも１つの抵抗部分を含む、少なくとも１つの導電性の細長い構造と、少なくとも１つの導電性の細長い構造の少なくとも１つの抵抗部分上に配置された少なくとも１つの熱伝導性カラムとを備えることができる。
【０００４】
前述の要約は単に例示的なものであり、いかなる方法でも限定することを意図したものではない。上に記載した例示的な態様、実施形態、および特性に加えて、別の態様、実施形態および特徴は、図面および以下の詳細な説明を参照することによって明らかになるだろう。
【図面の簡単な説明】
【０００５】
【図１】図１Ａは、加熱デバイスの例示的な実施形態の斜視図である。図１Ｂは、線Ａ−Ａ’に沿った図１Ａに示す加熱デバイスの例示的な実施形態の断面図である。図１Ｃは、線Ｂ−Ｂ’に沿った図１Ａに示す加熱デバイスの例示的な実施形態の断面図である。
【図２】加熱デバイスを製造する方法の例示的な実施形態の例示的フロー図である。
【図３】図３Ａ−Ｆは、図２に示す方法のいくつかを示す一連の図である。
【図４】導電性の細長い構造を製造する方法の例示的な実施形態のフロー図である。
【図５】図５Ａ−Ｂは、図４に示す方法を示した一連の図である。
【図６】導電性の細長い構造を製造する方法の別の例示的な実施形態のフロー図である。
【図７】図７Ａ−Ｄは、図６に示す方法を示す一連の図である。
【図８】加熱デバイスを使用してナノドットアレイを製造する方法の例示的実施形態の例示的フロー図である。
【図９】図９Ａ−Ｃは、図８に示す方法のいくつかを示す一連の図である。
【図１０】加熱デバイスを使用してナノワイヤアレイを製造する方法の例示的実施形態の例示的フロー図である。
【図１１】図１１Ａ−Ｅは、図１０に示す方法のいくつかを示す一連の図である。
【発明を実施するための形態】
【０００６】
以下の詳細な説明では、その一部を形成する添付の図面に言及する。図面では、同様の符号は典型的には、内容でそうでないと示されていない限り、同様の構成要素を特定する。詳細な説明、図面および特許請求の範囲に記載された例示的な実施形態は、限定することを意図したものではない。本明細書に提示した主題の趣旨または範囲から逸脱することなく、他の実施形態を利用することができ、他の変更を行うことができる。本明細書に全体的に記載し、図面に示したように、本開示の態様は、幅広い範囲の異なる構成で配置、置換、組合せ、分離、および設計することができ、これらは全て本明細書で明示的に企図されていることは容易に理解されよう。
【０００７】
幅広い範囲の応用例で多くの新しいデバイスを作り出すのに適切である可能性があるナノ構造などの小型構造は、その小さなサイズにより製造するのが難しい。本開示に記載された技術は、（１つまたは複数の）個別のナノサイズ領域に熱を局所的に加えるために、新規の加熱デバイスを利用する。このような局所加熱動作は、ナノドットアレイおよびナノワイヤアレイなどの様々なタイプのナノ構造を製造するのに膨大な応用例を有する。
【０００８】
図１Ａは、加熱デバイスの例示的実施形態の斜視図を示している。図１Ｂは、線Ａ−Ａ’に沿った図１Ａの加熱デバイスの例示的実施形態の断面図を示している。図１Ｃは、線Ｂ−Ｂ’に沿った図１Ａの加熱デバイスの例示的実施形態の断面図を示している。図１Ａ〜１Ｃを参照すると、加熱デバイス１００は、基板１１０と、基板１１０上に配置された多数の導電性の細長い構造１２０ａ〜１２０ｃ（これ以下、集合的に導電性の細長い構造１２０と呼ぶ）と、導電性の細長い構造１２０ａ〜１２０ｃ上にそれぞれ配置された多数の熱伝導性カラム１３０ａ〜１３０ｃ（これ以下、集合的に熱伝導性カラム１３０と呼ぶ）とを備えることができる。
【０００９】
一実施形態では、基板１１０は、熱に対して耐性がある少なくとも１つの材料から製造することができる。非限定的な例として、基板１１０は、サファイア、ガラス、または半導体材料（例えば、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、およびガリウムヒ素（ＧａＡｓ））で作ることができる。別の実施形態では、基板１１０は、エラストマー材料などの可撓性材料から製造することができる。このようなエラストマー材料の例としては、これに限らないが、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）、ポリトリメチルシリルプロピン（ＰＴＭＳＰ）、ポリビニルトリメチルシラン（ＰＶＴＭＳ）、ポリウレタン／ポリエーテルウレタン、天然ゴム、エテンプロペン（ジエン）ゴム（ＥＰ（Ｄ）Ｍ）、およびニトリルブタジエンゴム（ＮＢＲ）が挙げられる。様々な形状のいずれかを有する基板１１０を形成することができる。一実施形態では、図１Ａ〜１Ｃに示すように、矩形の形状を有する基板１１０を形成することができる。別の実施形態では、その横表面に導電性の細長い基板１２０が配置された、円筒形の形状を有する基板１１０を形成することができる。例えば、基板１１０は、実質的に硬い材料（例えば、半導体材料）で作られた円筒形コア構造、および可撓性材料（例えば、エラストマー材料）から製造された少なくとも１つの外側構造を備えることができる。（１つまたは複数の）外側構造は、円筒形コア構造の外側表面を少なくとも部分的にまたは完全に覆うように、円筒形コア構造の周りで包むように構成することができる。本実施形態では、導電性の細長い構造１２０は、（１つまたは複数の）外側構造の（１つまたは複数の）上表面上に配置することができる。
【００１０】
一実施形態では、各導電性の細長い構造１２０は、対応する導電性の細長い構造の残りの部分（例えば、導電性の細長い構造１２０ａ〜１２０ｃ内のそれぞれ残りの部分１２２ａ〜１２２ｃ）より低い導電性を有する少なくとも１つの抵抗部分（例えば、導電性の細長い構造１２０ａ〜１２０ｃ内のそれぞれ抵抗部分１２１ａ〜１２１ｃ）を備えることができる。これ以下、抵抗部分１２１ａ〜１２１ｃおよび残りの部分１２２ａ〜１２２ｃは集合的にそれぞれ、抵抗部分１２１および残りの部分１２２と呼ばれる。導電性の細長い構造１２０のいずれか１つが外部電源（図示せず）（例えば、電圧源または電流源）に接続される場合、電流は対応する導電性の細長い構造を通して流れることができる。電流がそこを通して流れるので、対応する導電性の細長い構造内の抵抗部分は、対応する導電性の細長い構造の抵抗部分と残りの部分の間の導電性の差により熱を生成することができる。この現象は、「抵抗加熱」として知られている。
【００１１】
一実施形態では、抵抗部分１２１は、炭化チタンおよび炭化モリブデンなどの金属炭化物（metal carbide）で作ることができる。残りの部分１２２は、金属炭化物より高い導電性を有する少なくとも１つの材料で作ることができる。一実施形態では、残りの部分１２２は、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）材料で作ることができる。ＣＮＴは、約１ｎｍから約３ｎｍまでの範囲の直径を有し、約数ナノメートルから約数十マイクロメートルまでの範囲の高さを有する規則的に配置された炭素原子の円筒形材料であってもよい。別の実施形態では、残りの部分１２２はグラフェンで作ることができる。グラフェンは、ハニカム結晶格子で密集して詰められたｓｐ２−結合炭素原子の平面シートである。残りの部分１２２は、グラフェンの多数の積層を含むことができる。例えば、残りの部分１２２は、数個から数百個までの積層グラフェン層を含むことができる。
【００１２】
一実施形態では、熱伝導性カラム１３０はそれぞれ、導電性の細長い構造１２０の抵抗部分１２１上に配置することができる。この配置では、各熱伝導性カラム１３０は、対応する熱伝導性カラムの上部にその下で抵抗部分１２１によって生成された熱を伝導することができる。これにより、各熱伝導性カラム１３０が、それ自体に接触しているまたは隣接しているあらゆる材料または構造を局所的に加熱することが可能になる。一実施形態では、熱伝導性カラム１３０は、高い熱伝導を有する少なくとも１つの材料で作ることができ、抵抗部分１２１より低い導伝性を有することができる。例えば、熱伝導性カラム１３０は、金属（例えば、アルミナ）、金属炭化物、または金属酸化物（例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ））などの熱伝導材料で作ることができる。
【００１３】
一実施形態では、加熱デバイス１００はさらに任意選択で、基板１１０上に少なくとも１つの絶縁層（図示せず）を含むことができる。一実施形態では、（１つまたは複数の）絶縁層は、導電性の細長い構造１２０の間に配置することができる。別の実施形態では、（１つまたは複数の）絶縁層は、導電性の細長い構造１２０を部分的にまたは完全に覆うことができる。（１つまたは複数の）絶縁層は、各導電性の細長い構造１２０を電気的に分離することができ、それによって、各導電性の細長い構造１２０の加熱を、少なくとも１つの外部電源によって個別に制御することができる。
【００１４】
一実施形態では、基板１１０は、数センチメートルから数百センチメートルまでの範囲の辺長を有することができる。一実施形態では、各導電性の細長い構造１２０は、数十ナノメートルから数百ナノメートルまでの範囲の幅、および数マイクロメートルから数百センチメートルまでの範囲の長さを有することができる。導電性の細長い構造１２０は、約５０ｎｍから約５００ｎｍまでの範囲の距離だけ、互いに間隔を置いて配置することができる。単純にする目的で、図１Ａ〜１Ｃは、３つの導電性の細長い構造の例示的な実施形態を示していることを理解すべきである。約５０ｎｍから約５００ｎｍまでの測長の辺長を有する矩形の形状を有する、導電性の細長い構造１２０の各抵抗部分１２１を形成することができる。一実施形態では、熱伝導性カラム１３０は、約５０ｎｍから約５００ｎｍまでの測長の幅、および数十ナノメートルから数百マイクロメートルまでの測長の高さを有することができる。
【００１５】
図１Ａ〜１Ｃに関して記載された加熱デバイス１００およびその構成部品の構造および材料構成は、加熱デバイス１００を実施することができるいくつかの様々な態様を示していることを理解すべきである。例えば、加熱デバイス１００は図１Ａ〜１Ｃに示すように、多数の導電性の細長い構造１２０を含むことができ、いくつかの他の実施形態では、加熱デバイス１００は１つの導電性の細長い構造を有することができる。さらに、図１Ａ〜１Ｃに示すように、多数の熱伝導性カラム１３０が各導電性の細長い構造１２０上に配置されているが、単一の熱伝導性カラムを導電性の細長い構造の全てまたはいくつかに配置することができる。図１Ａ〜１Ｃに示すように、導電性の細長い構造１２０は、同じ長さを有することができ、互いにほぼ平行に配置することができる。しかし、各導電性の細長い構造１２０は（１つまたは複数の）異なる長さを有することができ、あらゆる様々な方法で配置することができることを理解すべきである。上に記載したように、各導電性の細長い構造１２０の加熱は、各導電性の細長い構造１２０を少なくとも１つの外部電源に接続することによって個別に制御することができる。（１つまたは複数の）外部電源は、導電性の細長い構造１２０の中から選択したものに電気信号（例えば、電圧信号）を選択的に供給することができ、それによって（１つまたは複数の）選択した導電性の細長い材料１２０上に配置された（１つまたは複数の）熱伝導性カラム１３０が加熱され、残りの（１つまたは複数の）熱伝導性カラム１３０は加熱されないままである。いくつかの実施形態では、加熱デバイス１００は、加熱デバイス１００のユーザが加熱される（１つまたは複数の）選択した熱伝導性カラム１３０を細かく制御することを可能にするように、より短い長さを備えた（１つまたは複数の）導電性の細長い構造１２０（および、したがって、上に配置されたより少ない数の（１つまたは複数の）熱伝導性カラム１３０）を備えることができる。加熱デバイス１００を使用して、個別のナノサイズ領域のアレイに熱を局所的に加えることができる。このようなアレイの全パターンは、基板１１０上に導電性の細長い構造１２０および（１つまたは複数の）熱伝導性カラム１３０を配置する方法に左右される可能性がある。導電性の細長い構造１２０および（１つまたは複数の）熱伝導性カラム１３０は、加熱デバイス１００によって加熱される個別のナノサイズ領域の所望の全パターンに実質的に対応する方法で配置することができる。
【００１６】
図２および図３Ａ〜３Ｆを参照して、加熱デバイスを製造する方法の例示的な実施形態をこれ以下に説明する。図２は、加熱デバイスを製造する方法の例示的な実施形態の例示的フロー図を示している。図３Ａ〜３Ｆは、図２に示した方法のいくつかを示す一連の図である。特に、図３Ａは、基板上に形成された多数の導電性の細長い構造の例示的な実施形態の断面図である。図３Ｂは、基板上に形成された絶縁層および多数の導電性の細長い構造の例示的な実施形態の断面図である。図３Ｃは、取除きプロセス後に露出される導電性の細長い構造の部分の例示的実施形態の断面図である。図３Ｄは、導電性の細長い構造の露出部分に化学反応体を与えることによって形成された抵抗部分の例示的な実施形態の断面図である。図３Ｅは、蒸着プロセスによって抵抗部分上にそれぞれ形成された熱伝導性カラムの例示的な実施形態の断面図である。図３Ｆは、絶縁層の取除き後にさらに露出される熱伝導性カラムの例示的な実施形態の断面図である。
【００１７】
基板３１０を準備することができる（ブロック２１０）。基板３１０は、段落［０００６］に記載された材料のいずれかを使用することによって準備することができる。少なくとも１つの導電性の細長い構造を基板３１０上に形成することができる。図３Ａに示すように、多数の導電性の細長い構造３２０ａ〜３２０ｃを基板３１０上に形成することができる。（１つまたは複数の）導電性の細長い構造３２０ａ〜３２０ｃは、様々なナノ製造技術の１つを使用することによって形成することができる。このようなナノ製造技術の例としては、これに限らないが、（ａ）層形成／エッチング技術、または（ｂ）液化技術（liquefaction techniques）が挙げられる。ブロック２２０のナノ製造技術に関する技術的詳細を、図４、５Ａ、５Ｂ、６および７Ａ〜７Ｄを参照して、以下により詳細に説明する。
【００１８】
少なくとも１つの抵抗部分を、導電性の細長い構造３２０ａ〜３２０ｃ内に形成することができる（ブロック２３０）。一実施形態では、図３Ｂに示すように、絶縁層３２５を基板３１０上に形成して、それで導電性の細長い構造３２０ａ〜３２０ｃを覆うことができる。絶縁層３２５は、シリカ、アルミナ、および二酸化ケイ素などの絶縁材料で作ることができ、当技術分野で知られている公知の蒸着技術（例えば、化学蒸着（ＣＶＤ）技術）を利用することによって、基板３１０上に蒸着させることができる。さらに、絶縁層３２５は、当技術分野で知られている公知のマスキングおよびドライエッチング技術（例えば、フォトリソグラフィおよびプラズマエッチング）を利用することによってエッチングすることができる。約５０ｎｍから約５００ｎｍまでの測長の辺長を備えた矩形の形状を有する、エッチング部分の断面を形成することができる。
【００１９】
図３Ｃに示すように、絶縁層３２５の少なくとも１つの部分を取り除いて、その下で導電性の細長い構造３２０ａ〜３２０ｃの少なくとも一部を露出させることができる。
【００２０】
少なくとも１つの化学反応体３０を、導電性の細長い構造３２０ａ〜３２０ｃの露出部分に提供することができる。化学反応体３０は、導電性の細長い構造３２０ａ〜３２０ｃの露出部分と化学反応し、これらをより低い導電性を有する抵抗材料に変換することができる。化学反応３０は、化学反応体３０と導電性の細長い構造３２０ａ〜３２０ｃの露出部分の間の反応を容易にするように、所定の温度（例えば、約１１００℃から約１５００℃までの範囲の温度）で提供することができる。したがって、図３Ｄに示すように、抵抗部分３２１ａ〜３２１ｃを、導電性の細長い構造３２０ａ〜３２０ｃの露出部分に形成することができる。各抵抗部分３２１ａ〜３２１ｃは、少なくとも１つの導電性の細長い構造３２０ａ〜３２０ｃの残りの部分より低い導電性を有することができる。
【００２１】
化学反応体３０は、揮発性金属または非金属ハロゲン化物、金属塩化物、または揮発性金属または非金属酸化物などの材料で作ることができる。導電性の細長い構造３２０ａ〜３２０ｃがＣＮＴまたはグラフェンで作られている実施形態では、化学反応体３０はＣＮＴまたはグラフェン内の炭素と化学反応し、炭素を炭化物に変換することができる。上記材料内の金属または非金属要素のタイプは、そこから得られる抵抗材料のタイプによって変化する可能性がある。例えば、塩化チタニウムおよび酸化モリブデンを使用して、それぞれ炭化チタニウムおよび炭化モリブデンで作られた抵抗部分３２１ａ〜３２１ｃを形成することができる。
【００２２】
少なくとも１つの熱伝導性カラムを、少なくとも導電性の細長い構造３２０ａ〜３２０ｃの抵抗部分３２１ａ〜３２１ｃ上に形成することができる（ブロック２３０）。一実施形態では、図３Ｅに示すように、熱伝導材料を導電性の細長い構造３２０ａ〜３２０ｃの露出部分に蒸着させることができる（導電性の細長い構造３２０ａ〜３２０ｃの露出部分の上に、熱伝導性カラム３３０ａ〜３３０ｃを形成するために抵抗部分３２１ａ〜３２１ｃが形成される）。さらに、別の実施形態では、図３Ｆに示すように、絶縁層３２５の少なくとも一部分を任意選択で取り除いて、熱伝導性カラム３３０ａ〜３３０ｃの少なくとも一部分をさらに露出させることができる。熱伝導性材料は、当技術分野で知られている蒸着技術（例えば、ＣＶＤ）を使用することによって蒸着させることができる。さらに、絶縁層３２５は当技術分野で知られているマスキングおよびエッチング技術（例えば、フォトリソグラフィおよびプラズマエッチング）によって取り除くことができる。
【００２３】
図４は、導電性の細長い構造を製造する例示的な実施形態の方法のフロー図を示している。図５Ａおよび５Ｂは、図４に示した方法を示す一連の図である。特に、図５Ａは基板上に蒸着された導伝性の材料で作られた層の例示的な実施形態の断面図であり、図５Ｂは基板上に形成された導電性の細長い構造を示す略図である。図４および５Ａを参照して、導電性材料で作られた層５１５を基板５１０に形成することができる（ブロック４１０）。
【００２４】
一実施形態では、導電性材料はＣＮＴ材料であってもよい。ＣＮＴ材料は、様々な技術を使用することによって基板５１０上に蒸着させることができ、その２つを以下に説明する。第１の例では、ＣＮＴ溶液（すなわち、脱イオン化水、アルカン、またはヘキサンなどの溶液中にＣＮＴを分散させることによって調製される溶液）を基板５１０に付与し、その後、基板５１０を乾燥させることによって、ＣＮＴ材料を基板５１０上に蒸着させることができる。当技術分野で知られている様々な技術を使用することによって、ＣＮＴ溶液を基板５１０に付与することができる。このような技術の例としては、これに限らないが、スピンコーティングおよび浸漬コーティングが挙げられる。一実施形態では、ＣＮＴは、溶液中への効果的な分散のために界面活性剤または配位子で包むことができる。このような適用可能な表面活性剤の例としては、これに限らないが、１−オクタデシルアミンが挙げられる。界面活性剤で包まれたＣＮＴで分散された溶液が使用される場合、このような溶液が付与された基板５１０を酸化環境で加熱して、ＣＮＴに付着した界面活性剤を取り除くことができる。
【００２５】
第１の例では、基板５１０の上にＣＮＴ溶液を付与する前に、基板５１０の表面上にＣＮＴ溶液中の金属ＣＮＴを選択的に結合させるのを助けることができる少なくとも１つの化学材料で、基板５１０の表面を機能化することができる。このような化学材料の例としては、これに限らないが、フェニル末端シランが挙げられる。例えば、基板５１０を酸化物層（例えば、ＳｉＯ２層）で被覆し、その後、酸化物層を上記化学材料で機能化することができる。
【００２６】
第２の例では、最初に、（ａ）数百マイクロメートルの高さの垂直に位置合わせされたＣＮＴフォレストフィルムのアレイが、水アシスト型化学蒸着（ＣＶＤ）技術（いわゆる、「超成長」プロセス）を使用することによって基板５１０上に形成される。その後、（ｂ）その上にＣＮＴフォレストフィルムが形成された基板５１０は、溶液（例えば、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）溶液）を通して引かれて、垂直に位置合わせされたＣＮＴを水平に向け直し、その後、窒素ガスを導入することによって乾燥される。上記プロセスは、密集して詰められたＣＮＴ層を作り出し、これはその上で行われるその後のフォトリソグラフィおよびエッチングプロセスに使用して、そこから（１つまたは複数の）導電性の細長い構造を形成することができる。
【００２７】
別の実施形態では、導電性材料はグラフェンであってもよい。グラフェン材料は、当技術分野で知られている様々な技術を使用することによって、基板５１０上に蒸着させることができる。例えば、数個から数百個の層のグラフェンを、金属層（ベース構造上に形成することができる）上で成長させることができ、成長させたグラフェン層は基板５１０上に転写させることができる。
【００２８】
図４および５Ｂを参照すると、基板５１０上の層５１５の（１つまたは複数の）部分を取り除いて、基板５１０上に（１つまたは複数の）導電性の細長い構造５２０ａ〜５２０ｃ（これ以下、集合的に導電性の細長い構造５２０と呼ぶ）を形成することができる（ブロック５２０）。層５１５の部分は、当技術分野で知られているマスキングおよびエッチング技術（例えば、フォトリソグラフィおよびプラズマエッチング）を利用することによって取り除くことができる。
【００２９】
図６は、導電性の細長い構造を製造する方法の別の例示的な実施形態のフロー図を示している。図７Ａ〜７Ｄは、図６に示した方法を示す一連の図である。特に、図７Ａは、基板上に配置された開始構造の例示的な実施形態の断面図である。図７Ｂは、基板上に配置されたスペーサ、およびスペーサ上に配置されたガイド構造の例示的な実施形態の断面図である。図７Ｃは、開始構造から形成された導電性の細長い構造の例示的な実施形態の断面図である。図７Ｄは、スペーサおよびガイド構造を取り除いた後の、基板および導電性の細長い構造の例示的な実施形態の断面図である。本実施形態では、液化（ガイドＳＰＥＬ）技術によってガイド・セルフ・パーフェクション（guided self-perfection）を使用して、導電性の細長い構造を形成することができる。
【００３０】
図６を参照すると、図７Ａに示すように、開始構造７１５ａ〜７１５ｃ（これ以下、集合的に開始構造７１５と呼ぶ）を基板７１０上に準備することができる（ブロック６１０）。図７Ｂに示すように、スペーサ７１６ａおよび７１６ｂ（これ以下、集合的にスペーサ７１６と呼ぶ）を基板７１０の両端部に形成することができる（ブロック６２０）。図７Ｂに示すように、プレート７１７などの（１つまたは複数の）ガイド構造をスペーサ７１６上に形成することができる（ブロック６３０）。図７Ｃに示すように、開始構造７１５を加熱して、そこから導電性の細長い構造７２０ａ〜７２０ｃ（これ以下、集合的に導電性の細長い構造７２０と呼ぶ）を形成することができる（ブロック６４０）。一実施形態では、開始構造７１５の下および近くの材料を低温および固相に保持しながら、所望の材料を溶融させるためにエネルギーを選択的に与える、フラッドまたはマスクビームのいずれかで、特定の波長（例えば、約２９０ｎｍから３２０ｎｍまでの波長）のパルスレーザを使用することによって、開始構造７１５を加熱することができる。開始構造７１５が加熱されると、溶融される。溶融した開始構造７１５とガイド構造７１７の間の相互作用により、溶融した開始構造７１５を液体表面張力に対抗して上昇させ、ガイド構造７１７に到達させることができ、それによりほぼ垂直に形成された導電性の細長い構造７２０を形成することができる。図７Ｄに示すように、スペーサ７１６およびガイド構造７１７を取り除くことができる（ブロック６５０）。
【００３１】
本開示により準備された加熱デバイスは、様々なタイプのナノ構造（例えば、ナノドット、ナノワイヤ、ナノチューブ、ナノロッド、ナノリボン、ナノテトラポッドなど）およびそのアレイを製造する際に使用することができる。図８は、加熱デバイスを使用してナノドットアレイを製造する方法の例示的な実施形態の例示的フロー図を示している。図９Ａ〜９Ｃは、図８に示した方法のいくつかを示す一連の図である。特に、図９Ａは、電源に接続された加熱デバイスの例示的な実施形態の断面図である。図９Ｂは、基板上に配置されたポリマーフィルム上に下向きに押された加熱デバイスの熱伝導性カラムの例示的な実施形態の断面図である。図９Ｃは、フィルムの未硬化部分が取り除かれた後に、基板上に残っている熱硬化部分またはナノドットのアレイの例示的な実施形態の断面図である。
【００３２】
図８を参照すると、加熱デバイス９００を電源９に電気接続して、加熱デバイス９００の抵抗部分の少なくともいくつか、したがって、抵抗部分上の少なくとも１つの熱伝導性カラムを加熱することができる（ブロック８１０）。図９Ａに示すように、加熱デバイス９００は、基板９１０と、（抵抗部分９２１ａおよび残りの部分９２２ａを有する導電性の細長い構造９２０ａを含む）少なくとも１つの導電性の細長い構造と、（抵抗部分９２１ａ上にそれぞれ配置された熱伝導性カラム９３０ａを含む）少なくとも１つの熱伝導性カラムとを備えている。
【００３３】
一実施形態では、電源９を（１つまたは複数の）導電性の細長い構造（例えば、導電性の細長い構造９２０ａ）に電気接続させることができ、その上に、加熱される熱伝導性カラム（例えば、熱伝導性カラム９３０ａ）が配置される。１つの電源９だけが図９Ａに示されているが、２つ以上の電源を使用することもできる。様々な切換機構の少なくとも１つを追加で利用して、（１つまたは複数の）電源に加熱デバイスの導電性の細長い構造のいくつかを選択的に電気接続させることができる。これにより、加熱デバイス内で（１つまたは複数の）所望の熱伝導性カラムだけを選択的に加熱することが可能になる。このような切換機構は、当技術分野でよく知られており、本明細書ではさらなる説明の必要なく達成することができる。
【００３４】
加熱した熱伝導性カラムをフィルムと接触させるように配置して、フィルム内に少なくとも１つの熱硬化部分を作り出すことができる（図８のブロック８２０）。図９Ｂに示すように、加熱デバイス９００の（熱伝導性カラム９３０ａを含む）熱伝導性カラムは、基板９７０上に配置されたポリマーフィルム９６０の上に下向きに押し付けることができる。（熱伝導性カラム９３０ａを含む）熱伝導性カラムは、所定の温度（例えば、約２００℃から約３００℃までの範囲の温度）までポリマーフィルム９６０の部分を局所的に加熱して、（熱硬化部分９６１を含む）熱硬化部分を形成する。熱伝導性カラム９３０ａは本実施形態ではポリマーフィルム９６０と接触して配置されていると記載されているが、他の実施形態では、熱伝導性カラム９３０ａをポリマーフィルム９６０に隣接させて、または近接させて配置することができることを理解すべきである。
【００３５】
さらに、加熱デバイスの形状によって、加熱デバイスを様々な方法のいずれかを使用してフィルムの上に押し付けることができる。図９Ｂに示された加熱デバイス９００は矩形の形状であるが、他の実施形態では、加熱デバイスは、加熱デバイスの横部分上に形成された熱伝導性カラムを備えた円筒形の形状（すなわち、加熱ローラ）を有することができる。このような実施形態では、加熱デバイスを大きな平面フィルム上に連続して転動させて、その後、そこに一連の熱硬化部分を形成することができる。
【００３６】
フィルムの残りの部分を取り除いて、ナノドットのアレイ（それぞれフィルム内の熱硬化部分に対応するナノドット）を形成することができる（図８のブロック８３０）。フィルムの残りの部分（すなわち、未硬化部分）を、当技術分野で従来から知られている方法で取り除くことができる。例えば、溶液をフィルムに付与することができ、それによって溶液は、フィルムの未硬化部分を溶解または分散させることができる。例えば、図９Ｃに示すように、熱硬化部分またはナノドット９６１のアレイは、このような取り除き操作が行われた後に、基板９７０の上に残っているままである。
【００３７】
図１０は、加熱デバイスを使用してナノワイヤアレイを製造する方法の例示的な実施形態の例示的フロー図を示している。図１１Ａ〜１１Ｅは、図１０に示された方法のいくつかを示す一連の図である。図１１Ａは、電源に接続された加熱デバイスの例示的な実施形態の断面図である。図１１Ｂは、基板、およびその上に準備されたナノ構造触媒のアレイの例示的な実施形態の断面図である。図１１Ｃは、基板上に配置されたナノ構造触媒に隣接して配置された加熱デバイスの熱伝導性カラムの例示的な実施形態の断面図である。図１１Ｄは、基板上に形成された液体ナノ構造触媒クラスタのアレイの例示的な実施形態の断面図である。図１１Ｅは、液体ナノ構造触媒クラスタの下でそれぞれ成長されたナノワイヤのアレイの例示的な実施形態の断面図である。
【００３８】
図１０を参照すると、加熱デバイス１１００を電源１１に接続して、加熱デバイスの抵抗部分および少なくとも１つの熱伝導性カラムの少なくともいくつかを加熱することができる（ブロック１０１０）。図１１Ａに示すように、加熱デバイス１１００は、基板１１１０と、（抵抗部分１１２１ａおよび残りの部分１１２２ａを有する導電性の細長い構造１１２０ａを含む）少なくとも１つの導電性の細長い構造と、（抵抗部分１１２１ａ上にそれぞれ配置された熱伝導性カラム１１３０ａを含む）少なくとも１つの熱伝導性カラムとを備えている。
【００３９】
図１１Ｂに示すように、少なくとも１つのナノ構造触媒（ナノ構造触媒１１８５を含むナノ構造触媒のアレイ）を、基板１１８０の上に準備することができる（図１０のブロック１０２０）。ナノ構造触媒１１８５は、当技術分野で知られている様々な技術のいずれかを使用して準備することができる。例えば、（ａ）レジストパターンを基板１１８０の部分の上に形成して、基板１１８０の他の部分を覆わないままにし、（ｂ）ナノ構造触媒材料を基板１１８０のレジスト部分および覆われていない部分上に蒸着させることができ、（ｃ）基板１１８０からレジスト部分およびその上に蒸着されたナノ構造触媒材料を選択的に取り除く（例えば、持ち上げる）。
【００４０】
図１１Ｂに関する実施形態は、基板１１８０上にナノ構造触媒（例えば、ナノ構造触媒１１８５）のアレイを準備するが、いくつかの他の実施形態では、基板１１８０の全てまたはいくつかを覆うナノ構造触媒材料の層だけを使用することもできる。一実施形態では、液相の場合に異なる材料の蒸気を吸着することができ、そこから吸着した材料の結晶成長が起こる可能性がある材料を、ナノ構造触媒材料として使用することができる。このようなナノ構造触媒材料の例としては、これに限らないが、金属（例えば、金、鉄、コバルト、銀、マンガン、モリブデン、ガリウム、アルミニウム、チタニウム、およびニッケル）、塩化物、または金属酸化物が挙げられる。
【００４１】
図１１Ｃおよび１１Ｄに示すように、（熱伝導性カラム１１３０ａを含む）加熱した熱伝導性カラムを、少なくとも１つのナノ構造触媒（例えば図１１Ｃのナノ構造触媒１１８５を含むナノ構造触媒のアレイ）の近くに配置して、そこから少なくとも１つの液体ナノ構造触媒クラスタ（例えば、図１１Ｄの液体ナノ構造触媒クラスタ１１８５を含む液体ナノ触媒クラスタのアレイ）を形成することができる（図１０のブロック１１３０）。いくつかの実施形態では、ナノ構造前駆体物質を加えて、上記加熱プロセスが行われる前に、その間に、またはその後に、ナノ構造触媒１１８５の融点を下げることができる。一実施形態では、ケイ素含有材料をナノ構造前駆体物質として使用することができる。
【００４２】
図１１Ｅに示すように、ナノ構造（例えば、ナノワイヤ１１９５）を、少なくとも１つの液体ナノ構造触媒クラスタ（例えば、液体ナノ構造触媒クラスタ１１８５）から成長させることができる（図１０のブロック１１４０）。一実施形態では、様々な触媒技術を使用することによって、ナノワイヤ１１９５を成長させることができ、異なる材料のナノワイヤを形成する際に、１つの材料の（１つまたは複数の）触媒を使用する。このような技術の例としてはこれに限らないが、気相−固相（ＶＳ）技術および気相−液相−固相（ＶＬＳ）技術が挙げられる。例えば、気体混合物（例えば、ＳｉＨ４およびＨ２を含む気体混合物）を含むケイ素（Ｓｉ）を導入して、ナノ構造触媒クラスタ１１８５の下にナノワイヤ１１９５を成長させることができる。Ｓｉが気体混合物から供給されると、ナノ構造触媒クラスタ１１８５は、Ｓｉで過飽和させることができ、余分なＳｉはナノ構造触媒クラスタ１１８５から沈殿して、ナノ構造触媒クラスタ１１８５の下にＳｉナノワイヤ１１９５を形成することができる。成長が完了した後に、ナノワイヤ１１９５上のナノ構造触媒クラスタ１１８５を取り除くことができる。
【００４３】
本開示による加熱デバイスを、図８、９Ａ〜９Ｃ、１０、および１１Ａ〜１１Ｅに関連して記載したもの以外のナノ構造製造プロセスで使用することができることを理解すべきである。他の応用例としてはこれに限らないが、重合およびナノはんだ付けプロセスが挙げられる。重合の例では、加熱デバイスを使用して、ポリマーフィルムの部分を選択的に加熱して、加熱された部分内の熱活性開始剤を活性化させることができ、加熱した部分の重合を開始させる。ナノはんだ付けの例では、加熱デバイスを使用して、多数のナノ材料の間に置かれた金属粒子を加熱して、金属粒子で多数のナノ材料をはんだ付けすることができる。
【００４４】
当業者は、本明細書に開示したこのようなおよび他のプロセスおよび方法で、プロセスおよび方法で行われる機能を異なる順序で実施することができることが分かるだろう。さらに、概略を示したステップおよび操作は、例として与えられただけであり、ステップおよび操作のいくつかは、開示した実施形態の本質から逸脱することなく、任意選択であり、より少ないステップおよび操作に組み合わせる、または追加のステップおよび操作に拡張させることができる。
【００４５】
本開示は、様々な態様の例示を意図した、本応用例で記載された特定の実施形態の点で限定されるものではない。当業者には明らかなように、その趣旨および範囲から逸脱することなく多くの変更および変形を行うことができる。開示の範囲内の機能的に等価の方法および装置は、本明細書で挙げたものに加えて、前述の説明から当業者には明らかだろう。このような変更および変形は、添付の特許請求の範囲内に含まれることを意図している。本開示は、このような特許請求の範囲が権利を与えられた等価物の完全な範囲と共に、添付の特許請求の範囲の用語でのみ限定されるものである。本開示は、もちろん変更可能である、特定の方法、試薬、化合物組成または生物学系に限るものではないことを理解されたい。また、本明細書で使用される用語は、特定の実施形態を説明する目的のみであり、限定することを意図したものではないことを理解されたい。
【００４６】
本明細書における実質的に全ての複数形および／または単数形の用語の使用に対して、当業者は、状況および／または用途に適切なように、複数形から単数形に、および／または単数形から複数形に変換することができる。様々な単数形／複数形の置き換えは、理解しやすいように、本明細書で明確に説明することができる。
【００４７】
通常、本明細書において、特に添付の特許請求の範囲（例えば、添付の特許請求の範囲の本体部）において使用される用語は、全体を通じて「オープンな（ｏｐｅｎ）」用語として意図されていることが、当業者には理解されよう（例えば、用語「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」は、「含むがそれに限定されない（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ ｂｕｔ ｎｏｔ ｌｉｍｉｔｅｄ ｔｏ）」と解釈されるべきであり、用語「有する（ｈａｖｉｎｇ）」は、「少なくとも有する（ｈａｖｉｎｇ ａｔ ｌｅａｓｔ）」と解釈されるべきであり、用語「含む（ｉｎｃｌｕｄｅｓ）」は、「含むがそれに限定されない（ｉｎｃｌｕｄｅｓ ｂｕｔ ｉｓ ｎｏｔ ｌｉｍｉｔｅｄ ｔｏ）」と解釈されるべきである、など）。導入される請求項で具体的な数の記載が意図される場合、そのような意図は、当該請求項において明示的に記載されることになり、そのような記載がない場合、そのような意図は存在しないことが、当業者にはさらに理解されよう。例えば、理解の一助として、添付の特許請求の範囲は、導入句「少なくとも１つの（ａｔ ｌｅａｓｔ ｏｎｅ）」および「１つまたは複数の（ｏｎｅ ｏｒ ｍｏｒｅ）」を使用して請求項の記載を導くことを含む場合がある。しかし、そのような句の使用は、同一の請求項が、導入句「１つまたは複数の」または「少なくとも１つの」および「ａ」または「ａｎ」などの不定冠詞を含む場合であっても、不定冠詞「ａ」または「ａｎ」による請求項の記載の導入が、そのように導入される請求項の記載を含む任意の特定の請求項を、単に１つのそのような記載を含む実施形態に限定する、ということを示唆していると解釈されるべきではない（例えば、「ａ」および／または「ａｎ」は、「少なくとも１つの」または「１つまたは複数の」を意味すると解釈されるべきである）。同じことが、請求項の記載を導入するのに使用される定冠詞の使用にも当てはまる。また、導入される請求項の記載で具体的な数が明示的に記載されている場合でも、そのような記載は、少なくとも記載された数を意味すると解釈されるべきであることが、当業者には理解されよう（例えば、他の修飾語なしでの「２つの記載（ｔｗｏ ｒｅｃｉｔａｔｉｏｎｓ）」の単なる記載は、少なくとも２つの記載、または２つ以上の記載を意味する）。さらに、「Ａ、ＢおよびＣ、などの少なくとも１つ」に類似の慣例表現が使用されている事例では、通常、そのような構文は、当業者がその慣例表現を理解するであろう意味で意図されている（例えば、「Ａ、Ｂ、およびＣの少なくとも１つを有するシステム」は、Ａのみ、Ｂのみ、Ｃのみ、ＡおよびＢを共に、ＡおよびＣを共に、ＢおよびＣを共に、ならびに／またはＡ、Ｂ、およびＣを共に、などを有するシステムを含むが、それに限定されない）。「Ａ、Ｂ、またはＣ、などの少なくとも１つ」に類似の慣例表現が使用されている事例では、通常、そのような構文は、当業者がその慣例表現を理解するであろう意味で意図されている（例えば、「Ａ、Ｂ、またはＣの少なくとも１つを有するシステム」は、Ａのみ、Ｂのみ、Ｃのみ、ＡおよびＢを共に、ＡおよびＣを共に、ＢおよびＣを共に、ならびに／またはＡ、Ｂ、およびＣを共に、などを有するシステムを含むが、それに限定されない）。２つ以上の代替用語を提示する事実上いかなる離接する語および／または句も、明細書、特許請求の範囲、または図面のどこにあっても、当該用語の一方（ｏｎｅ ｏｆ ｔｈｅ ｔｅｒｍｓ）、当該用語のいずれか（ｅｉｔｈｅｒ ｏｆ ｔｈｅ ｔｅｒｍｓ）、または両方の用語（ｂｏｔｈ ｔｅｒｍｓ）を含む可能性を企図すると理解されるべきであることが、当業者にはさらに理解されよう。例えば、句「ＡまたはＢ」は、「Ａ」または「Ｂ」あるいは「ＡおよびＢ」の可能性を含むことが理解されよう。
【００４８】
加えて、開示の特徴または態様がマーカッシュグループで記載されている場合、当業者は、開示はまた、それによってマーカッシュグループのあらゆる個別のメンバーまたはメンバーのサブグループに関して記載されていることが分かるだろう。
【００４９】
当業者には分かるように、記載した説明を与える点などのあらゆるおよび全ての目的で、本明細書に開示した全ての範囲はまた、あらゆるおよび全ての可能なサブ範囲およびそのサブ範囲の組合せを含む。あらゆる挙げた範囲は、少なくとも等しい半分、３分の１、４分の１、５分の１、１０分の１などに分けられている同じ範囲を十分に説明するおよび可能にするものとして容易に分かる。非限定的な例として、本明細書に論じた各範囲は、下側３分の１、中間３分の１、および上側３分の１などに容易に分けることができる。また当業者に分かるように、「最大」、「少なくとも」などの全ての用語は、言及した数字を含むものであり、上に論じたようにサブ範囲にその後に分けることができる範囲のことを言う。最後に、当業者によって分かるように、範囲は各個別のメンバーを含む。したがって、例えば、１〜３のセルを有するグループは、１、２または３のセルを有するグループのことを言う。同様に、１〜５のセルを有するグループは、１、２、３、４または５のセルなどを有するグループのことを言う。
【００５０】
前述のことから、本開示の様々な実施形態が、例示する目的で本明細書に記載されており、様々な変更を本開示の範囲および趣旨から逸脱することなく行うことができることが分かるだろう。したがって、本明細書に開示された様々な実施形態は限定することを意図したものではなく、真の範囲および趣旨が以下の特許請求の範囲によって示されている。
【図１Ａ】
【図１Ｂ】
【図１Ｃ】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図３Ｃ】
【図３Ｄ】
【図３Ｅ】
【図３Ｆ】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図７Ｃ】
【図７Ｄ】
【図９Ａ】
【図９Ｂ】
【図９Ｃ】
【図１１Ａ】
【図１１Ｂ】
【図１１Ｃ】
【図１１Ｄ】
【図１１Ｅ】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に配置された少なくとも１つの導電性の細長い構造であって、前記少なくとも１つの導電性の細長い構造の残りの部分より低い導電性を有する少なくとも１つの抵抗部分を含む、少なくとも１つの導電性の細長い構造と、
前記少なくとも１つの導電性の細長い構造の前記少なくとも１つの抵抗部分上に配置された少なくとも１つの熱伝導性カラムとを備えた加熱デバイス。
【請求項２】
前記少なくとも１つの導電性の細長い構造の表面の少なくとも一部分を覆うように、前記基板上に配置された絶縁層をさらに備えた、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記少なくとも１つの導電性の細長い構造の前記残りの部分が、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）またはグラフェンを有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
前記少なくとも１つの導電性の細長い構造の前記抵抗部分が、金属炭化物を有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】
前記少なくとも１つの熱伝導性カラムが、アルミナ、金属炭化物、または金属酸化物を有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項６】
前記基板が少なくとも１つのエラストマー材料を有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項７】
加熱デバイスを製造する方法であって、
基板上に少なくとも１つの導電性の細長い構造を形成することと、
前記少なくとも１つの導電性の細長い構造の残りの部分より低い導電性を有する少なくとも１つの抵抗部分を前記少なくとも１つの導電性の細長い構造に形成することと、
前記少なくとも１つの導電性の細長い構造の前記抵抗部分上に少なくとも１つの熱伝導性カラムをそれぞれ形成することとを含む方法。
【請求項８】
前記少なくとも１つの導電性の細長い構造を形成することが、
前記基板上にカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）またはグラフェンを蒸着させることと、
前記ＣＮＴまたは前記グラフェンの部分を取り除いて、前記基板上に前記少なくとも１つの導電性の細長い構造を形成することとを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記少なくとも１つの導電性の細長い構造を形成することが、
前記基板上に導電性材料で作られた第１の層を形成することと、
前記第１の層の少なくとも一部分を取り除いて、前記少なくとも１つの導電性の細長い構造を形成することとを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの導電性の細長い構造を形成することが、液化技術を行って、前記基板上に前記少なくとも１つの導電性の細長い構造を形成することを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記少なくとも１つの抵抗部分を形成することが、
前記基板上に絶縁層を形成して、それで前記少なくとも１つの導電性の細長い構造を覆うことと、
前記絶縁層の少なくとも一部分を取り除いて、その下に前記導電性の細長い構造の少なくとも一部分を露出させることと、
少なくとも１つの化学反応体を前記導電性の細長い構造の前記露出部分に与えることとを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの熱伝導性カラムをそれぞれ形成することが、
前記導電性の細長い構造の前記露出部分上に熱伝導材料を蒸着して、前記少なくとも１つの熱伝導性カラムを形成することと、
前記絶縁層の少なくとも一部分を取り除いて、前記少なくとも１つの熱伝導性カラムの少なくとも一部分をさらに露出させることとを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記少なくとも１つの導電性の細長い構造の前記抵抗部分が、金属炭化物で作られている、請求項７に記載の方法。
【請求項１４】
前記熱伝導性カラムの材料が、アルミナ、金属炭化物、または金属酸化物を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１５】
少なくとも１つのエラストマー材料から前記基板を製造することをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１６】
ナノ構造を製造する方法であって、
加熱デバイスを準備することであって、前記加熱デバイスが、少なくとも１つの導電性の細長い構造であって、前記少なくとも１つの導電性の細長い構造の残りの部分より低い導電性を有する少なくとも１つの抵抗部分を備えた、少なくとも１つの導電性の細長い構造と、前記少なくとも１つの導電性の細長い構造の前記抵抗部分上にそれぞれ配置された少なくとも１つの熱伝導性カラムとを含む、準備することと、
前記加熱デバイスを電源に接続して、前記抵抗部分および前記少なくとも１つの熱伝導性カラムの少なくともいくつかを加熱することとを含む方法。
【請求項１７】
前記加熱した熱伝導性カラムをフィルムに接触して配置して、前記フィルム内に少なくとも１つの熱硬化部分を作り出すことと、
前記フィルムの残りの部分を取り除くこととをさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
基板上に少なくとも１つのナノ構造触媒を準備することと、
前記少なくとも１つのナノ構造触媒の近くに前記加熱した熱伝導性カラムを配置して、少なくとも１つの液体ナノ構造触媒クラスタを形成することと、
前記少なくとも１つの液体ナノ構造触媒クラスタからナノ構造を成長させることとをさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１】
基板と、
前記基板上に配置された少なくとも１つの導電性の細長い構造であって、前記少なくとも１つの導電性の細長い構造の残りの部分より低い導電性を有する少なくとも１つの抵抗部分を含む、少なくとも１つの導電性の細長い構造と、
前記少なくとも１つの導電性の細長い構造の前記少なくとも１つの抵抗部分上に配置された少なくとも１つの熱伝導性カラムとを備えた加熱デバイス。
【請求項２】
前記少なくとも１つの導電性の細長い構造の表面の少なくとも一部分を覆うように、前記基板上に配置された絶縁層をさらに備えた、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記少なくとも１つの導電性の細長い構造の前記残りの部分が、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）またはグラフェンを有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
前記少なくとも１つの導電性の細長い構造の前記抵抗部分が、金属炭化物を有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】
前記少なくとも１つの熱伝導性カラムが、アルミナ、金属炭化物、または金属酸化物を有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項６】
前記基板が少なくとも１つのエラストマー材料を有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項７】
加熱デバイスを製造する方法であって、
基板上に少なくとも１つの導電性の細長い構造を形成することと、
前記少なくとも１つの導電性の細長い構造の残りの部分より低い導電性を有する少なくとも１つの抵抗部分を前記少なくとも１つの導電性の細長い構造に形成することと、
前記少なくとも１つの導電性の細長い構造の前記抵抗部分上に少なくとも１つの熱伝導性カラムをそれぞれ形成することとを含む方法。
【請求項８】
前記少なくとも１つの導電性の細長い構造を形成することが、
前記基板上にカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）またはグラフェンを蒸着させることと、
前記ＣＮＴまたは前記グラフェンの部分を取り除いて、前記基板上に前記少なくとも１つの導電性の細長い構造を形成することとを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記少なくとも１つの導電性の細長い構造を形成することが、
前記基板上に導電性材料で作られた第１の層を形成することと、
前記第１の層の少なくとも一部分を取り除いて、前記少なくとも１つの導電性の細長い構造を形成することとを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの導電性の細長い構造を形成することが、液化技術を行って、前記基板上に前記少なくとも１つの導電性の細長い構造を形成することを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記少なくとも１つの抵抗部分を形成することが、
前記基板上に絶縁層を形成して、それで前記少なくとも１つの導電性の細長い構造を覆うことと、
前記絶縁層の少なくとも一部分を取り除いて、その下に前記導電性の細長い構造の少なくとも一部分を露出させることと、
少なくとも１つの化学反応体を前記導電性の細長い構造の前記露出部分に与えることとを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの熱伝導性カラムをそれぞれ形成することが、
前記導電性の細長い構造の前記露出部分上に熱伝導材料を蒸着して、前記少なくとも１つの熱伝導性カラムを形成することと、
前記絶縁層の少なくとも一部分を取り除いて、前記少なくとも１つの熱伝導性カラムの少なくとも一部分をさらに露出させることとを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記少なくとも１つの導電性の細長い構造の前記抵抗部分が、金属炭化物で作られている、請求項７に記載の方法。
【請求項１４】
前記熱伝導性カラムの材料が、アルミナ、金属炭化物、または金属酸化物を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１５】
少なくとも１つのエラストマー材料から前記基板を製造することをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１６】
ナノ構造を製造する方法であって、
加熱デバイスを準備することであって、前記加熱デバイスが、少なくとも１つの導電性の細長い構造であって、前記少なくとも１つの導電性の細長い構造の残りの部分より低い導電性を有する少なくとも１つの抵抗部分を備えた、少なくとも１つの導電性の細長い構造と、前記少なくとも１つの導電性の細長い構造の前記抵抗部分上にそれぞれ配置された少なくとも１つの熱伝導性カラムとを含む、準備することと、
前記加熱デバイスを電源に接続して、前記抵抗部分および前記少なくとも１つの熱伝導性カラムの少なくともいくつかを加熱することとを含む方法。
【請求項１７】
前記加熱した熱伝導性カラムをフィルムに接触して配置して、前記フィルム内に少なくとも１つの熱硬化部分を作り出すことと、
前記フィルムの残りの部分を取り除くこととをさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
基板上に少なくとも１つのナノ構造触媒を準備することと、
前記少なくとも１つのナノ構造触媒の近くに前記加熱した熱伝導性カラムを配置して、少なくとも１つの液体ナノ構造触媒クラスタを形成することと、
前記少なくとも１つの液体ナノ構造触媒クラスタからナノ構造を成長させることとをさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【図２】
【図４】
【図６】
【図８】
【図１０】
【図４】
【図６】
【図８】
【図１０】
【公表番号】特表２０１３−５０３４３７（Ｐ２０１３−５０３４３７Ａ）
【公表日】平成２５年１月３１日（２０１３．１．３１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−５２６６６１（Ｐ２０１２−５２６６６１）
【出願日】平成２２年８月２７日（２０１０．８．２７）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＫＲ２０１０／００５７５８
【国際公開番号】ＷＯ２０１１／０２５２８８
【国際公開日】平成２３年３月３日（２０１１．３．３）
【出願人】（５１００５６３５３）コリア・ユニバーシティ・リサーチ・アンド・ビジネス・ファウンデーション (15)
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２５年１月３１日（２０１３．１．３１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年８月２７日（２０１０．８．２７）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＫＲ２０１０／００５７５８
【国際公開番号】ＷＯ２０１１／０２５２８８
【国際公開日】平成２３年３月３日（２０１１．３．３）
【出願人】（５１００５６３５３）コリア・ユニバーシティ・リサーチ・アンド・ビジネス・ファウンデーション (15)
【Ｆターム（参考）】
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