フェノキシ樹脂絶縁ワニス及びこれを用いた絶縁電線
【課題】 加熱処理後であっても導体との密着性に優れ、高負荷条件下でも耐軟化性を有する絶縁被膜を形成できる絶縁ワニス、及びこれを用いた絶縁電線を提供する。
【解決手段】 ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂８０〜３０質量％及びビスフェノールＳ型フェノキシ樹脂２０〜７０質量％のフェノキシ樹脂１００質量部、ならびにブロックイソシアネート５〜５０質量部を含有する。前記ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂のガラス転移点は６０〜９０℃であり、前記ビスフェノールＳ型フェノキシ樹脂のガラス転移点は１００〜１５０℃であることが好ましい。
【解決手段】 ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂８０〜３０質量％及びビスフェノールＳ型フェノキシ樹脂２０〜７０質量％のフェノキシ樹脂１００質量部、ならびにブロックイソシアネート５〜５０質量部を含有する。前記ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂のガラス転移点は６０〜９０℃であり、前記ビスフェノールＳ型フェノキシ樹脂のガラス転移点は１００〜１５０℃であることが好ましい。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、含浸ワニス処理等の高温処理後も優れた導体との密着性を保持した絶縁被膜を形成することができる絶縁ワニス、及び当該ワニスでプライマー層を形成した絶縁電線に関する。
【背景技術】
【０００２】
モータの巻線やトランスの巻線の絶縁電線で、耐熱性の要求が高い用途については、ポリエステルイミド樹脂を主成分とした絶縁ワニスが用いられている。
【０００３】
巻線加工工程の自動化、高速化の発展に従い、巻線の絶縁被膜に対する耐摩耗性、耐熱性、可とう性の要求については年々厳しくなり、さらに、各種電気機器の高出力化、または小型化、省電力化への要請に伴う高占積率化も進み、巻線に加えられる加工負荷が厳しくなっている。このような事情下、ポリエスエルイミド樹脂絶縁被膜の耐摩耗性、可とう性、密着性を改善する提案が種々なされている。
【０００４】
例えば、特許第３７６６４４７号では、アセチレン類、アルキノール類、アルデヒド類、アミン類、メルカプタン類、およびチオ尿素類等の金属不活性剤と、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の硬化性樹脂を配合することにより、絶縁被膜の耐熱性、導体に対する密着性を改善することが提案されている。そして、実施例において、ポリエステルイミド系塗料に、５−アミノ−１，３，４−チアジアゾール−２−チオールとメラミン樹脂とを添加した絶縁被膜が、１８０°剥離試験による密着力、ヒートショック試験後の可とう性に優れていたことを開示している。
【０００５】
【特許文献１】特許第３７６６４４７号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、ワニス含浸処理などが行われれる仕様では、常温での密着性やヒートショック試験後の可とう性の改善だけでは十分でない。加熱処理後の密着性、高負荷条件下での耐軟化性なども充足する必要がある。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、加熱処理後であっても導体との密着性に優れ、高負荷条件下でも耐軟化性を有する絶縁被膜を形成できる絶縁ワニスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、加熱処理後も導体との密着性を保持できる絶縁被膜として、プライマー層にエポキシ樹脂、特にフェノキシ樹脂を用いた絶縁電線を提案している（特願２００７−２６６４０５）。しかしながら、ポリエステルイミドワニスの代替えとして、さらに他の特性についても検討した結果、本発明に到達した。
【０００９】
すなわち、本発明の絶縁ワニスは、ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂８０〜３０質量％及びビスフェノールＳ型フェノキシ樹脂２０〜７０質量％のフェノキシ樹脂１００質量部、ならびにブロックイソシアネート５〜５０質量部を含有する。前記ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂のガラス転移点は６０〜９０℃であり、前記ビスフェノールＳ型フェノキシ樹脂のガラス転移点は１００〜１５０℃であることが好ましい。
【００１０】
本発明の絶縁電線は、上記本発明のフェノキシ樹脂絶縁ワニスを、導体上に塗布、焼付けてなるプライマー層を有する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の絶縁ワニスは、ガラス転移点が異なる２種類のフェノキシ樹脂をブレンドすることで、高温時、高負荷下における耐軟化性が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下に本発明の実施の形態を説明するが、今回、開示された実施の形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００１３】
〔フェノキシ樹脂絶縁ワニス〕
本発明のフェノキシ樹脂絶縁ワニスは、塗膜構成樹脂として、ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂８０〜３０質量％及びビスフェノールＳ型フェノキシ樹脂２０〜７０質量％のフェノキシ樹脂、および硬化剤としてブロックイソシアネートを使用することを特徴としている。
【００１４】
＜フェノキシ樹脂＞
本発明で用いられるフェノキシ樹脂とは、ビスフェノール系化合物とエピハロヒドリンとから製造されるエポキシ樹脂のうち、分子量が大きい樹脂をいう。
【００１５】
ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂とは、ビスフェノール系化合物として、２，２−ビス（ｐ−ヒドロキシフェニル）プロパン（以下、「ビスフェノールＡ」という）を用いたビスフェノールＡ骨格を有するフェノキシ樹脂（ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂）である。
【００１６】
ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂としては、市販のものを用いることができ、例えば、東都化成（株）製、品番ＹＰ−５０、ＹＰ５０Ｓ、ＹＰ−５５、ＹＰ−７０、ジャパンエポキシレジン株式会社製のエピコート、大日本インキ化学工業株式会社製のエピクロン、ユニオンカーバイト株式会社製のＰＫＨＣ、ＰＫＨＨ、ＰＫＨＪなどが挙げられる。
【００１７】
ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂としては、重量分子量３００００〜８００００（ＧＰＣによる測定）、特に６００００〜８００００のものが好ましく用いられ、ＤＳＣ法（１０℃／分昇値）によるガラス転移点６０〜９０℃であることが好ましい。
また、エポキシ当量（ＪＩＳ Ｋ７２３６）は、１００００〜１０００００ｇ／ｅｑであることが好ましく、より好ましくは５００００〜１０００００ｇ／ｅｑである。
【００１８】
ビスフェノールＳ型フェノキシ樹脂とは、ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂の耐熱性を高めるために、ビスフェノール系化合物の一部に、２，２−ビス（ｐ−ヒドロキシフェニル）スルホン（以下、「ビスフェノールＳ」という）を用いたビスフェノールＳ骨格を有するフェノキシ樹脂である。すなわち、ビスフェノールＳ型フェノキシ樹脂は、通常、ビスフェノールＳ骨格とビスフェノールＡ型骨格を有している。
【００１９】
本発明で用いられるビスフェノールＳ型フェノキシ樹脂としては、重量分子量２００００〜６００００（ＧＰＣによる測定）、特に３００００〜５００００のものが好ましく用いられ、ＤＳＣ法（１０℃／ｍｉｎ昇値）によるガラス転移点１００〜１５０℃であることが好ましい。
【００２０】
ビスフェノールＳ型フェノキシ樹脂としては、市販のものを用いてもよく、例えば、東都化成（株）製、品番ＹＰＳ００７Ａ３０Ａなどが挙げられる。
【００２１】
以上のようなビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂とビスフェノールＳ型フェノキシ樹脂とは、ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂：ビスフェノールＳ型フェノキシ樹脂（質量比）で、８：２〜３：７、好ましくは６：４〜４：６で混合したフェノキシ樹脂として用いられる。
【００２２】
上記のような割合で混合したブレンド型フェノキシ樹脂は、ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂、ビスフェノールＳ型フェノキシ樹脂単独の場合よりも、耐軟化性が向上する。理由は明らかではないが、ガラス転移点、高温での粘弾性特性が異なる２種類のフェノキシ樹脂のブレンドにより、高温域では、ガラス転移点が高いビスフェノールＳ型フェノキシ樹脂が耐軟化樹脂として作用する一方、ガラス転移点が低いビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂がエラストマーとして作用し、応力を吸収緩和することにより、高負荷、高温下での密着性、耐軟化性を保持しているのではないかと思われる。
【００２３】
＜硬化剤＞
フェノキシ樹脂は、骨格中に、反応性に富むエポキシ基や水酸基を有しているので、これらと反応して架橋構造を形成できる硬化剤を共存させることが好ましい。
【００２４】
本発明の絶縁ワニスには、硬化剤として、イソシアネート化合物のイソシアネート基をブロック剤で保護したブロックイソシアネートを用いている。ブロックイソシアネート化合物は、常温で安定であるが、その解離温度以上に加熱すると、遊離のイソシアネート基を再生するものである。イソシアネートの解離温度は、ブロック剤の種類によるが、好ましくは８０〜１６０℃、より好ましくは９０〜１３０℃である。
【００２５】
上記イソシアネート化合物としては、トリレンジイソシアネート（ＴＤＩ）、ｐ−フェニレンジイソシアネート、ナフタリンジイソシアネートなどの芳香族ジイソシアネート；ヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＤＩ）、２，２，４−トリメチルへキサンジイソシアネート、リジンジイソシアネートなどの炭素数３〜１２の脂肪族ジイソシアネート；１，４−シクロへキサンジイソシアネート（ＣＤＩ）、イソホロンジイソシアネート（ＩＰＤＩ）、４，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート（水添ＭＤＩ）、メチルシクロへキサンジイソシアネート、イソプロピデンジシクロヘキシル−４，４’−ジイソシアネート、１，３−ジイソシアナトメリルシクロへキサン（水添ＸＤＩ）、水添ＴＤＩ、２，５−ビス（イソシナートメチル）−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン、２，６−ビス（イソシナートメチル）−ビシクロ［２．２．１］ヘプタンなどの炭素数５〜１８の脂環式ジイソシアネート；キシリレンジイソシアネート（ＸＤＩ）、テトラメチルキシリレンジイソシアネート（ＴＭＸＤＩ）などの芳香環を有する脂肪族ジイソシアネート；これらのジイソシアネートの変性物などが挙げられる。
【００２６】
これらのイソシアネート化合物のイソシアネート基をブロックするブロック剤としては、アルコール類、フェノール類、ε−カプロラクタム、ブチルセロソルブ類などが挙げられる。
【００２７】
以上のようなブロックイソシアネートとして、市販品を用いてもよく、例えば、住友バイウレタン社のＣＴ ｓｔａｂｌｅ、ＢＬ−３１７５、ＴＰＬＳ−２７５９、ＢＬ−４１６５、日本ポリウレタン工業社製のＭＳ−５０などを用いることができる。
【００２８】
ブロックイソシアネートは、フェノキシ樹脂１００質量部あたり５〜５０質量部、好ましくは１０〜４０質量部の割合で用いる。
【００２９】
＜有機溶剤＞
本発明の絶縁ワニスは、上記のようなフェノキシ樹脂およびブロックイソシアネートを、有機溶剤に溶解したものである。
本発明で用いられる有機溶剤としては、ベース樹脂を溶解できるものであればよく、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿素、ヘキサエチルリン酸トリアミド、γ−ブチロラクトンなどの極性有機溶媒をはじめ、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロへキサノンなどのケトン類；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、シュウ酸ジエチルなどのエステル類；ジエチルエステル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル（ブチルセロソルブ）、ジエチレングリコールメチルエーテル、テトラヒドロフランなどのエーテル類；ヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの炭化水素化合物；ジクロロメタン、クロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素化合物；クレゾール、クロルフェノールなどのフェノール類；ピリジンなどの第三級アミンなどが挙げられ、これらの有機溶媒は、それぞれ単独で又は２種以上混合して用いることができる。
【００３０】
有機溶剤は、通常、ワニスにおける固形分含有率３０〜６０質量％程度となるように用いられる。
【００３１】
＜その他の成分＞
本発明のフェノキシ樹脂系絶縁ワニスは、上記フェノキシ樹脂、硬化剤、有機溶剤の他に、下記成分が含まれ得る。
例えば、上記ブレンド型フェノキシ樹脂の特性に影響を与えない程度であれば、他の骨格を有するフェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂など、他の絶縁被膜に用いられる樹脂が含まれていてもよい。
【００３２】
また、ブロックイソシアネート以外の硬化剤、例えば、メチレン化合物、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤などが、ブレンド型フェノキシ樹脂とブロックイソシアネートからなる硬化系に影響を及ぼさない程度の量であれば、含有されていてもよい。
【００３３】
本発明の絶縁ワニスは、さらに必要に応じて、本発明の目的が阻害されない範囲で、顔料、染料、無機又は有機のフィラー、潤滑剤、酸化防止剤、レべリング剤等の各種添加剤が含有されていてもよい。
【００３４】
以上のような組成を有する本発明の絶縁ワニスは、耐熱性、可とう性、耐摩耗性に優れた絶縁被膜を形成できるだけでなく、ストレスが負荷した状態でも導体に対する密着性が優れているので、絶縁電線のプライマー層用塗料として用いることもできる。
【００３５】
本発明の絶縁ワニスを、導体に直接塗布した後、焼付けて硬化することにより絶縁被膜を形成できる。焼付温度としては、フェノキシ樹脂がブロックイソシアネートと反応して熱硬化できる温度であることが好ましい。
【００３６】
〔絶縁電線〕
本発明の絶縁電線は、導体表面に、上記本発明の絶縁ワニスの硬化物で形成されるプライマー層を有するものである。
【００３７】
導体としては、通常、電線導体に用いられる公知の導体で、銅線、アルミニウム線などの金属導体が用いられる。
【００３８】
本発明の絶縁ワニスを、３５０〜５００℃程度の炉内を、１パスあたり１０秒〜３０秒間（１０回引きなら１００秒〜３００秒間）、通過させることにより行うことが好ましい。
【００３９】
プライマー層の厚みは、特に限定しないが、１〜２０μｍが好ましく、より好ましくは１〜１０μｍである。プライマー層としては、この程度の厚みで十分だからである。
【００４０】
本発明の絶縁電線は、上記のようなプライマー層上に、少なくとも１層以上の上塗り層を有している。
上塗り層の組成としては特に限定せず、従来より絶縁被膜に用いられているポリエステルイミド系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、フェノキシ系樹脂などを用いることができる。上塗り層構成樹脂は、プライマー層構成樹脂と同じであってもよいし、異なっていてもよく、絶縁電線の用途に応じて適宜選択される。
【００４１】
上塗り層が２層以上で構成される場合、絶縁電線の最表層の上塗り層は、潤滑性を有する被膜、例えば、高潤滑ポリイミド、高潤滑アミドイミドなどで構成されることが好ましい。
【実施例】
【００４２】
本発明を実施するための最良の形態を実施例により説明する。実施例は、本発明の範囲を限定するものではない。
【００４３】
〔測定評価方法〕
はじめに、本実施例で行なった評価方法について説明する。
【００４４】
（１）可とう性
絶縁電線を、初期長さに対して２０％伸長し、伸長後、ＪＩＳ Ｃ３００３ ７．１．１可とう性試験に準拠して試験した。具体的には、絶縁電線の自己径（１ｄ）、２倍（２ｄ）を有する丸棒に沿って電線を、電線と電線とが接触するように３０回巻き付けた後、亀裂の有無を観察し、亀裂が発生しなかったときの丸棒の径（１ｄ又は２ｄ）を調べた。１ｄでも亀裂を生じない場合は、可とう性に優れているといえる。
【００４５】
（２）ヒートショック試験
絶縁電線を、初期長さに対して２０％伸長し、伸長後、ＪＩＳ Ｃ３００３ ２０の耐衝撃試験に準拠して試験した。具体的には、２００℃で３０分間加熱した後、絶縁電線の自己径（１ｄ）、２倍（２ｄ）を有する丸棒に沿って電線を、電線と電線とが接触するように３０回巻き付けた後、亀裂の有無を観察し、亀裂が発生しなかったときの丸棒の径を調べた。丸棒の径が小さいほど、可とう性が高温処理によっても保持できていることを意味し、耐熱性に優れているといえる。
【００４６】
（３）耐摩耗性
ＪＩＳ Ｃ３００３−１９９９に記載の耐摩耗試験に準拠し、一方向摩耗値（ｇ）を測定した。どの程度の力が加わったときに被膜が破損するかを調べるもので、捲線時のストレスに対する被膜強度の指標となる。
なお、各絶縁電線について、９本ずつ測定した結果の平均値を示す。
【００４７】
（４）密着性
ＪＩＳ−Ｃ３００３「８．１ａ）急激伸長」に準じて、膜浮（２箇所測定したときの平均値）を測定した。
測定は、室温、１６０℃で６時間放置後、１８０℃で６時間放置後、２００℃で６時間放置後について行った。
【００４８】
（５）耐軟化性
ＪＩＳ Ｃ３００３「エナメル銅線及びエナメルアルミニウム線試験方法」に準じて、軟化温度（℃）を測定した。ＪＩＳに規定する荷重（７００ｇ）、及び２倍荷重（１４００ｇ）のそれぞれについて、電線が導通したときの温度（軟化温度）を測定した。
なお、各絶縁電線について、４本ずつ測定した結果の最大値と最小値の平均値を示す。
【００４９】
〔フェノキシ樹脂〕
（１）ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂
東都化成株式会社の「ＹＰ−５０」（ＪＩＳ Ｋ７２３６に基づくエポキシ当量８７６００ｇ／ｅｑ、ＧＰＣによる重量平均分子量６００００〜８００００、ＤＳＣ法（１０℃／ｍｉｎ昇値）によるガラス転移点８４℃）を用いた。
【００５０】
（２）ビスフェノールＳ型フェノキシ樹脂
東都化成株式会社の「ＹＰＳ−００７Ａ３０」（ＧＰＣによる重量分子量３５０００〜４５０００、ＤＳＣ法（１０℃／ｍｉｎ昇値）によるガラス転移点１３０℃）を用いた。
【００５１】
〔絶縁ワニスの調製及び絶縁電線の作製〕
（１）絶縁電線Ｎｏ．１〜７
ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂とビスフェノールＳ型フェノキシ樹脂とを、表１に示す割合でブレンドし、クレゾール／シクロヘキサノンに溶解させた。これに、硬化剤としてブロックイソシアネート（日本ポリウレタン工業社製のＭＳ−５０）を、フェノキシ樹脂１００質量部あたり２０質量部となるように添加して、固形分量３０質量％の絶縁ワニスを調製した。
【００５２】
調製した絶縁ワニスを、径１．０ｍｍの銅線に塗布し、３μｍのプライマー層（１層目）を形成した。
ついで、汎用エステルイミドワニス（日立化成製のエステルイミドワニスである「Isomid４０ＳＭ４５」）、汎用ポリアミドイミドワニス（日立化成工業製の「ＨＩ−４０６Ｅ−３４」）、自己潤滑ポリアミドイミドワニス（住友電工ウインテック社製）を順次塗布し、２層目（２５μｍ）、３層目（５μｍ）、４層目（２μｍ）からなる４層構造の膜厚３５μｍの絶縁被膜を形成した。
【００５３】
作製した絶縁電線について、上記評価方法に基づいて、可とう性、ヒートショック試験、耐摩耗性、密着性、耐軟化性を測定した。結果を表１に示す。
【００５４】
また、Ｎｏ．１、４、７で使用したプライマー層について、セイコーインスツルメンツ製のDynamic Mechanical Spectorscopy ＤＭＳ６１００（窒素雰囲気下、昇温速度：１０℃／ｍｉｎ、１Ｈｚ）を用いて、動的粘弾性を測定した。結果を図１に示す。図１において、横軸は温度（℃）であり、縦軸は動的弾性率（ＭＰａ）である。
【００５５】
（２）絶縁電線Ｎｏ．８、９
参考例として、市販の高密着エステルイミドワニス（大日精化製の「ＥＨ４０２−４５」）、汎用エステルイミドワニス（日立化成製の「Isomid４０ＳＭ４５」）を用いてプライマー層を形成した以外は、絶縁電線Ｎｏ．１と同様にして作製し、上記評価方法に基づいて、可とう性、ヒートショック試験、耐摩耗性、密着性、耐軟化性を測定した。結果を表１に示す。
【００５６】
【表１】
【００５７】
塗膜形成樹脂として、ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂のみを用いた場合（Ｎｏ．１）、可とう性、ヒートショック試験、耐摩耗性、常温及び高温処理後の密着性のすべてにおいて、従来より耐熱用途に用いられているポリエステルイミド樹脂ワニスを用いた場合（Ｎｏ．８、９）に匹敵あるいは優れた結果を示したが、ＪＩＳ２倍荷重での耐軟化性で劣っていた。
ビスフェノールＳ型フェノキシ樹脂を、２５〜６０質量％ブレンドしたフェノキシ樹脂を用いることにより（Ｎｏ．２〜５）、ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂のみの場合（Ｎｏ．１）の可とう性、ヒートショック試験、耐摩耗性、常温及び高温処理後の密着性に影響を及ぼすことなく、ＪＩＳ２倍荷重下での耐軟化温度を向上できることがわかった。一方、ビスフェノールＳ型フェノキシ樹脂のみを用いた場合（Ｎｏ．７）、ビスフェノールＳ型フェノキシ樹脂の塗膜形成樹脂における含有率が７５質量％の場合（Ｎｏ．６）では、ＪＩＳ２倍荷重下での耐軟化性の向上が認められないばかりか、高温処理後の密着性についても、大幅な低下が認められた。ビスフェノールＳ型フェノキシ樹脂とビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂を特定割合でブレンドした塗膜形成樹脂を用いることが有用であることがわかる。
【００５８】
また、図１から、ビスフェノールＡ型とビスフェノールＳ型とのブレンドフェノキシ樹脂（Ｎｏ．４：三角印）では、Ｎｏ．１（菱形印）、Ｎｏ．７（四角印）と比べて、高温時の動的弾性率の低下が緩やかなことがわかる。ブレンドタイプの高温動的弾性率の低下が緩やかなことが、ＪＩＳ２倍荷重での耐軟化性の向上に寄与していると推察される。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
ポリエステルイミド樹脂ワニスの代替として、さらには、従来のポリエステルイミド樹脂ワニスでは不十分であった用途として、高温処理、ワニス含浸処理される巻線用絶縁電線として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】Ｎｏ．１、４、７のプライマー層（１層目被膜）の動的粘弾性特性の測定結果を示すグラフである。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、含浸ワニス処理等の高温処理後も優れた導体との密着性を保持した絶縁被膜を形成することができる絶縁ワニス、及び当該ワニスでプライマー層を形成した絶縁電線に関する。
【背景技術】
【０００２】
モータの巻線やトランスの巻線の絶縁電線で、耐熱性の要求が高い用途については、ポリエステルイミド樹脂を主成分とした絶縁ワニスが用いられている。
【０００３】
巻線加工工程の自動化、高速化の発展に従い、巻線の絶縁被膜に対する耐摩耗性、耐熱性、可とう性の要求については年々厳しくなり、さらに、各種電気機器の高出力化、または小型化、省電力化への要請に伴う高占積率化も進み、巻線に加えられる加工負荷が厳しくなっている。このような事情下、ポリエスエルイミド樹脂絶縁被膜の耐摩耗性、可とう性、密着性を改善する提案が種々なされている。
【０００４】
例えば、特許第３７６６４４７号では、アセチレン類、アルキノール類、アルデヒド類、アミン類、メルカプタン類、およびチオ尿素類等の金属不活性剤と、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の硬化性樹脂を配合することにより、絶縁被膜の耐熱性、導体に対する密着性を改善することが提案されている。そして、実施例において、ポリエステルイミド系塗料に、５−アミノ−１，３，４−チアジアゾール−２−チオールとメラミン樹脂とを添加した絶縁被膜が、１８０°剥離試験による密着力、ヒートショック試験後の可とう性に優れていたことを開示している。
【０００５】
【特許文献１】特許第３７６６４４７号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、ワニス含浸処理などが行われれる仕様では、常温での密着性やヒートショック試験後の可とう性の改善だけでは十分でない。加熱処理後の密着性、高負荷条件下での耐軟化性なども充足する必要がある。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、加熱処理後であっても導体との密着性に優れ、高負荷条件下でも耐軟化性を有する絶縁被膜を形成できる絶縁ワニスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、加熱処理後も導体との密着性を保持できる絶縁被膜として、プライマー層にエポキシ樹脂、特にフェノキシ樹脂を用いた絶縁電線を提案している（特願２００７−２６６４０５）。しかしながら、ポリエステルイミドワニスの代替えとして、さらに他の特性についても検討した結果、本発明に到達した。
【０００９】
すなわち、本発明の絶縁ワニスは、ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂８０〜３０質量％及びビスフェノールＳ型フェノキシ樹脂２０〜７０質量％のフェノキシ樹脂１００質量部、ならびにブロックイソシアネート５〜５０質量部を含有する。前記ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂のガラス転移点は６０〜９０℃であり、前記ビスフェノールＳ型フェノキシ樹脂のガラス転移点は１００〜１５０℃であることが好ましい。
【００１０】
本発明の絶縁電線は、上記本発明のフェノキシ樹脂絶縁ワニスを、導体上に塗布、焼付けてなるプライマー層を有する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の絶縁ワニスは、ガラス転移点が異なる２種類のフェノキシ樹脂をブレンドすることで、高温時、高負荷下における耐軟化性が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下に本発明の実施の形態を説明するが、今回、開示された実施の形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００１３】
〔フェノキシ樹脂絶縁ワニス〕
本発明のフェノキシ樹脂絶縁ワニスは、塗膜構成樹脂として、ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂８０〜３０質量％及びビスフェノールＳ型フェノキシ樹脂２０〜７０質量％のフェノキシ樹脂、および硬化剤としてブロックイソシアネートを使用することを特徴としている。
【００１４】
＜フェノキシ樹脂＞
本発明で用いられるフェノキシ樹脂とは、ビスフェノール系化合物とエピハロヒドリンとから製造されるエポキシ樹脂のうち、分子量が大きい樹脂をいう。
【００１５】
ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂とは、ビスフェノール系化合物として、２，２−ビス（ｐ−ヒドロキシフェニル）プロパン（以下、「ビスフェノールＡ」という）を用いたビスフェノールＡ骨格を有するフェノキシ樹脂（ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂）である。
【００１６】
ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂としては、市販のものを用いることができ、例えば、東都化成（株）製、品番ＹＰ−５０、ＹＰ５０Ｓ、ＹＰ−５５、ＹＰ−７０、ジャパンエポキシレジン株式会社製のエピコート、大日本インキ化学工業株式会社製のエピクロン、ユニオンカーバイト株式会社製のＰＫＨＣ、ＰＫＨＨ、ＰＫＨＪなどが挙げられる。
【００１７】
ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂としては、重量分子量３００００〜８００００（ＧＰＣによる測定）、特に６００００〜８００００のものが好ましく用いられ、ＤＳＣ法（１０℃／分昇値）によるガラス転移点６０〜９０℃であることが好ましい。
また、エポキシ当量（ＪＩＳ Ｋ７２３６）は、１００００〜１０００００ｇ／ｅｑであることが好ましく、より好ましくは５００００〜１０００００ｇ／ｅｑである。
【００１８】
ビスフェノールＳ型フェノキシ樹脂とは、ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂の耐熱性を高めるために、ビスフェノール系化合物の一部に、２，２−ビス（ｐ−ヒドロキシフェニル）スルホン（以下、「ビスフェノールＳ」という）を用いたビスフェノールＳ骨格を有するフェノキシ樹脂である。すなわち、ビスフェノールＳ型フェノキシ樹脂は、通常、ビスフェノールＳ骨格とビスフェノールＡ型骨格を有している。
【００１９】
本発明で用いられるビスフェノールＳ型フェノキシ樹脂としては、重量分子量２００００〜６００００（ＧＰＣによる測定）、特に３００００〜５００００のものが好ましく用いられ、ＤＳＣ法（１０℃／ｍｉｎ昇値）によるガラス転移点１００〜１５０℃であることが好ましい。
【００２０】
ビスフェノールＳ型フェノキシ樹脂としては、市販のものを用いてもよく、例えば、東都化成（株）製、品番ＹＰＳ００７Ａ３０Ａなどが挙げられる。
【００２１】
以上のようなビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂とビスフェノールＳ型フェノキシ樹脂とは、ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂：ビスフェノールＳ型フェノキシ樹脂（質量比）で、８：２〜３：７、好ましくは６：４〜４：６で混合したフェノキシ樹脂として用いられる。
【００２２】
上記のような割合で混合したブレンド型フェノキシ樹脂は、ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂、ビスフェノールＳ型フェノキシ樹脂単独の場合よりも、耐軟化性が向上する。理由は明らかではないが、ガラス転移点、高温での粘弾性特性が異なる２種類のフェノキシ樹脂のブレンドにより、高温域では、ガラス転移点が高いビスフェノールＳ型フェノキシ樹脂が耐軟化樹脂として作用する一方、ガラス転移点が低いビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂がエラストマーとして作用し、応力を吸収緩和することにより、高負荷、高温下での密着性、耐軟化性を保持しているのではないかと思われる。
【００２３】
＜硬化剤＞
フェノキシ樹脂は、骨格中に、反応性に富むエポキシ基や水酸基を有しているので、これらと反応して架橋構造を形成できる硬化剤を共存させることが好ましい。
【００２４】
本発明の絶縁ワニスには、硬化剤として、イソシアネート化合物のイソシアネート基をブロック剤で保護したブロックイソシアネートを用いている。ブロックイソシアネート化合物は、常温で安定であるが、その解離温度以上に加熱すると、遊離のイソシアネート基を再生するものである。イソシアネートの解離温度は、ブロック剤の種類によるが、好ましくは８０〜１６０℃、より好ましくは９０〜１３０℃である。
【００２５】
上記イソシアネート化合物としては、トリレンジイソシアネート（ＴＤＩ）、ｐ−フェニレンジイソシアネート、ナフタリンジイソシアネートなどの芳香族ジイソシアネート；ヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＤＩ）、２，２，４−トリメチルへキサンジイソシアネート、リジンジイソシアネートなどの炭素数３〜１２の脂肪族ジイソシアネート；１，４−シクロへキサンジイソシアネート（ＣＤＩ）、イソホロンジイソシアネート（ＩＰＤＩ）、４，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート（水添ＭＤＩ）、メチルシクロへキサンジイソシアネート、イソプロピデンジシクロヘキシル−４，４’−ジイソシアネート、１，３−ジイソシアナトメリルシクロへキサン（水添ＸＤＩ）、水添ＴＤＩ、２，５−ビス（イソシナートメチル）−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン、２，６−ビス（イソシナートメチル）−ビシクロ［２．２．１］ヘプタンなどの炭素数５〜１８の脂環式ジイソシアネート；キシリレンジイソシアネート（ＸＤＩ）、テトラメチルキシリレンジイソシアネート（ＴＭＸＤＩ）などの芳香環を有する脂肪族ジイソシアネート；これらのジイソシアネートの変性物などが挙げられる。
【００２６】
これらのイソシアネート化合物のイソシアネート基をブロックするブロック剤としては、アルコール類、フェノール類、ε−カプロラクタム、ブチルセロソルブ類などが挙げられる。
【００２７】
以上のようなブロックイソシアネートとして、市販品を用いてもよく、例えば、住友バイウレタン社のＣＴ ｓｔａｂｌｅ、ＢＬ−３１７５、ＴＰＬＳ−２７５９、ＢＬ−４１６５、日本ポリウレタン工業社製のＭＳ−５０などを用いることができる。
【００２８】
ブロックイソシアネートは、フェノキシ樹脂１００質量部あたり５〜５０質量部、好ましくは１０〜４０質量部の割合で用いる。
【００２９】
＜有機溶剤＞
本発明の絶縁ワニスは、上記のようなフェノキシ樹脂およびブロックイソシアネートを、有機溶剤に溶解したものである。
本発明で用いられる有機溶剤としては、ベース樹脂を溶解できるものであればよく、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿素、ヘキサエチルリン酸トリアミド、γ−ブチロラクトンなどの極性有機溶媒をはじめ、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロへキサノンなどのケトン類；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、シュウ酸ジエチルなどのエステル類；ジエチルエステル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル（ブチルセロソルブ）、ジエチレングリコールメチルエーテル、テトラヒドロフランなどのエーテル類；ヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの炭化水素化合物；ジクロロメタン、クロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素化合物；クレゾール、クロルフェノールなどのフェノール類；ピリジンなどの第三級アミンなどが挙げられ、これらの有機溶媒は、それぞれ単独で又は２種以上混合して用いることができる。
【００３０】
有機溶剤は、通常、ワニスにおける固形分含有率３０〜６０質量％程度となるように用いられる。
【００３１】
＜その他の成分＞
本発明のフェノキシ樹脂系絶縁ワニスは、上記フェノキシ樹脂、硬化剤、有機溶剤の他に、下記成分が含まれ得る。
例えば、上記ブレンド型フェノキシ樹脂の特性に影響を与えない程度であれば、他の骨格を有するフェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂など、他の絶縁被膜に用いられる樹脂が含まれていてもよい。
【００３２】
また、ブロックイソシアネート以外の硬化剤、例えば、メチレン化合物、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤などが、ブレンド型フェノキシ樹脂とブロックイソシアネートからなる硬化系に影響を及ぼさない程度の量であれば、含有されていてもよい。
【００３３】
本発明の絶縁ワニスは、さらに必要に応じて、本発明の目的が阻害されない範囲で、顔料、染料、無機又は有機のフィラー、潤滑剤、酸化防止剤、レべリング剤等の各種添加剤が含有されていてもよい。
【００３４】
以上のような組成を有する本発明の絶縁ワニスは、耐熱性、可とう性、耐摩耗性に優れた絶縁被膜を形成できるだけでなく、ストレスが負荷した状態でも導体に対する密着性が優れているので、絶縁電線のプライマー層用塗料として用いることもできる。
【００３５】
本発明の絶縁ワニスを、導体に直接塗布した後、焼付けて硬化することにより絶縁被膜を形成できる。焼付温度としては、フェノキシ樹脂がブロックイソシアネートと反応して熱硬化できる温度であることが好ましい。
【００３６】
〔絶縁電線〕
本発明の絶縁電線は、導体表面に、上記本発明の絶縁ワニスの硬化物で形成されるプライマー層を有するものである。
【００３７】
導体としては、通常、電線導体に用いられる公知の導体で、銅線、アルミニウム線などの金属導体が用いられる。
【００３８】
本発明の絶縁ワニスを、３５０〜５００℃程度の炉内を、１パスあたり１０秒〜３０秒間（１０回引きなら１００秒〜３００秒間）、通過させることにより行うことが好ましい。
【００３９】
プライマー層の厚みは、特に限定しないが、１〜２０μｍが好ましく、より好ましくは１〜１０μｍである。プライマー層としては、この程度の厚みで十分だからである。
【００４０】
本発明の絶縁電線は、上記のようなプライマー層上に、少なくとも１層以上の上塗り層を有している。
上塗り層の組成としては特に限定せず、従来より絶縁被膜に用いられているポリエステルイミド系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、フェノキシ系樹脂などを用いることができる。上塗り層構成樹脂は、プライマー層構成樹脂と同じであってもよいし、異なっていてもよく、絶縁電線の用途に応じて適宜選択される。
【００４１】
上塗り層が２層以上で構成される場合、絶縁電線の最表層の上塗り層は、潤滑性を有する被膜、例えば、高潤滑ポリイミド、高潤滑アミドイミドなどで構成されることが好ましい。
【実施例】
【００４２】
本発明を実施するための最良の形態を実施例により説明する。実施例は、本発明の範囲を限定するものではない。
【００４３】
〔測定評価方法〕
はじめに、本実施例で行なった評価方法について説明する。
【００４４】
（１）可とう性
絶縁電線を、初期長さに対して２０％伸長し、伸長後、ＪＩＳ Ｃ３００３ ７．１．１可とう性試験に準拠して試験した。具体的には、絶縁電線の自己径（１ｄ）、２倍（２ｄ）を有する丸棒に沿って電線を、電線と電線とが接触するように３０回巻き付けた後、亀裂の有無を観察し、亀裂が発生しなかったときの丸棒の径（１ｄ又は２ｄ）を調べた。１ｄでも亀裂を生じない場合は、可とう性に優れているといえる。
【００４５】
（２）ヒートショック試験
絶縁電線を、初期長さに対して２０％伸長し、伸長後、ＪＩＳ Ｃ３００３ ２０の耐衝撃試験に準拠して試験した。具体的には、２００℃で３０分間加熱した後、絶縁電線の自己径（１ｄ）、２倍（２ｄ）を有する丸棒に沿って電線を、電線と電線とが接触するように３０回巻き付けた後、亀裂の有無を観察し、亀裂が発生しなかったときの丸棒の径を調べた。丸棒の径が小さいほど、可とう性が高温処理によっても保持できていることを意味し、耐熱性に優れているといえる。
【００４６】
（３）耐摩耗性
ＪＩＳ Ｃ３００３−１９９９に記載の耐摩耗試験に準拠し、一方向摩耗値（ｇ）を測定した。どの程度の力が加わったときに被膜が破損するかを調べるもので、捲線時のストレスに対する被膜強度の指標となる。
なお、各絶縁電線について、９本ずつ測定した結果の平均値を示す。
【００４７】
（４）密着性
ＪＩＳ−Ｃ３００３「８．１ａ）急激伸長」に準じて、膜浮（２箇所測定したときの平均値）を測定した。
測定は、室温、１６０℃で６時間放置後、１８０℃で６時間放置後、２００℃で６時間放置後について行った。
【００４８】
（５）耐軟化性
ＪＩＳ Ｃ３００３「エナメル銅線及びエナメルアルミニウム線試験方法」に準じて、軟化温度（℃）を測定した。ＪＩＳに規定する荷重（７００ｇ）、及び２倍荷重（１４００ｇ）のそれぞれについて、電線が導通したときの温度（軟化温度）を測定した。
なお、各絶縁電線について、４本ずつ測定した結果の最大値と最小値の平均値を示す。
【００４９】
〔フェノキシ樹脂〕
（１）ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂
東都化成株式会社の「ＹＰ−５０」（ＪＩＳ Ｋ７２３６に基づくエポキシ当量８７６００ｇ／ｅｑ、ＧＰＣによる重量平均分子量６００００〜８００００、ＤＳＣ法（１０℃／ｍｉｎ昇値）によるガラス転移点８４℃）を用いた。
【００５０】
（２）ビスフェノールＳ型フェノキシ樹脂
東都化成株式会社の「ＹＰＳ−００７Ａ３０」（ＧＰＣによる重量分子量３５０００〜４５０００、ＤＳＣ法（１０℃／ｍｉｎ昇値）によるガラス転移点１３０℃）を用いた。
【００５１】
〔絶縁ワニスの調製及び絶縁電線の作製〕
（１）絶縁電線Ｎｏ．１〜７
ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂とビスフェノールＳ型フェノキシ樹脂とを、表１に示す割合でブレンドし、クレゾール／シクロヘキサノンに溶解させた。これに、硬化剤としてブロックイソシアネート（日本ポリウレタン工業社製のＭＳ−５０）を、フェノキシ樹脂１００質量部あたり２０質量部となるように添加して、固形分量３０質量％の絶縁ワニスを調製した。
【００５２】
調製した絶縁ワニスを、径１．０ｍｍの銅線に塗布し、３μｍのプライマー層（１層目）を形成した。
ついで、汎用エステルイミドワニス（日立化成製のエステルイミドワニスである「Isomid４０ＳＭ４５」）、汎用ポリアミドイミドワニス（日立化成工業製の「ＨＩ−４０６Ｅ−３４」）、自己潤滑ポリアミドイミドワニス（住友電工ウインテック社製）を順次塗布し、２層目（２５μｍ）、３層目（５μｍ）、４層目（２μｍ）からなる４層構造の膜厚３５μｍの絶縁被膜を形成した。
【００５３】
作製した絶縁電線について、上記評価方法に基づいて、可とう性、ヒートショック試験、耐摩耗性、密着性、耐軟化性を測定した。結果を表１に示す。
【００５４】
また、Ｎｏ．１、４、７で使用したプライマー層について、セイコーインスツルメンツ製のDynamic Mechanical Spectorscopy ＤＭＳ６１００（窒素雰囲気下、昇温速度：１０℃／ｍｉｎ、１Ｈｚ）を用いて、動的粘弾性を測定した。結果を図１に示す。図１において、横軸は温度（℃）であり、縦軸は動的弾性率（ＭＰａ）である。
【００５５】
（２）絶縁電線Ｎｏ．８、９
参考例として、市販の高密着エステルイミドワニス（大日精化製の「ＥＨ４０２−４５」）、汎用エステルイミドワニス（日立化成製の「Isomid４０ＳＭ４５」）を用いてプライマー層を形成した以外は、絶縁電線Ｎｏ．１と同様にして作製し、上記評価方法に基づいて、可とう性、ヒートショック試験、耐摩耗性、密着性、耐軟化性を測定した。結果を表１に示す。
【００５６】
【表１】
【００５７】
塗膜形成樹脂として、ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂のみを用いた場合（Ｎｏ．１）、可とう性、ヒートショック試験、耐摩耗性、常温及び高温処理後の密着性のすべてにおいて、従来より耐熱用途に用いられているポリエステルイミド樹脂ワニスを用いた場合（Ｎｏ．８、９）に匹敵あるいは優れた結果を示したが、ＪＩＳ２倍荷重での耐軟化性で劣っていた。
ビスフェノールＳ型フェノキシ樹脂を、２５〜６０質量％ブレンドしたフェノキシ樹脂を用いることにより（Ｎｏ．２〜５）、ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂のみの場合（Ｎｏ．１）の可とう性、ヒートショック試験、耐摩耗性、常温及び高温処理後の密着性に影響を及ぼすことなく、ＪＩＳ２倍荷重下での耐軟化温度を向上できることがわかった。一方、ビスフェノールＳ型フェノキシ樹脂のみを用いた場合（Ｎｏ．７）、ビスフェノールＳ型フェノキシ樹脂の塗膜形成樹脂における含有率が７５質量％の場合（Ｎｏ．６）では、ＪＩＳ２倍荷重下での耐軟化性の向上が認められないばかりか、高温処理後の密着性についても、大幅な低下が認められた。ビスフェノールＳ型フェノキシ樹脂とビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂を特定割合でブレンドした塗膜形成樹脂を用いることが有用であることがわかる。
【００５８】
また、図１から、ビスフェノールＡ型とビスフェノールＳ型とのブレンドフェノキシ樹脂（Ｎｏ．４：三角印）では、Ｎｏ．１（菱形印）、Ｎｏ．７（四角印）と比べて、高温時の動的弾性率の低下が緩やかなことがわかる。ブレンドタイプの高温動的弾性率の低下が緩やかなことが、ＪＩＳ２倍荷重での耐軟化性の向上に寄与していると推察される。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
ポリエステルイミド樹脂ワニスの代替として、さらには、従来のポリエステルイミド樹脂ワニスでは不十分であった用途として、高温処理、ワニス含浸処理される巻線用絶縁電線として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】Ｎｏ．１、４、７のプライマー層（１層目被膜）の動的粘弾性特性の測定結果を示すグラフである。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂８０〜３０質量％及びビスフェノールＳ型フェノキシ樹脂２０〜７０質量％のフェノキシ樹脂１００質量部、ならびにブロックイソシアネート５〜５０質量部を含有するフェノキシ樹脂絶縁ワニス。
【請求項２】
前記ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂のガラス転移点は６０〜９０℃であり、前記ビスフェノールＳ型フェノキシ樹脂のガラス転移点は１００〜１５０℃である請求項１に記載のフェノキシ樹脂絶縁ワニス。
【請求項３】
請求項１または２に記載のフェノキシ樹脂絶縁ワニスを、導体上に塗布、焼付けてなるプライマー層を有する絶縁電線。
【請求項１】
ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂８０〜３０質量％及びビスフェノールＳ型フェノキシ樹脂２０〜７０質量％のフェノキシ樹脂１００質量部、ならびにブロックイソシアネート５〜５０質量部を含有するフェノキシ樹脂絶縁ワニス。
【請求項２】
前記ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂のガラス転移点は６０〜９０℃であり、前記ビスフェノールＳ型フェノキシ樹脂のガラス転移点は１００〜１５０℃である請求項１に記載のフェノキシ樹脂絶縁ワニス。
【請求項３】
請求項１または２に記載のフェノキシ樹脂絶縁ワニスを、導体上に塗布、焼付けてなるプライマー層を有する絶縁電線。
【図１】
【公開番号】特開２０１０−１０８７５８（Ｐ２０１０−１０８７５８Ａ）
【公開日】平成２２年５月１３日（２０１０．５．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−２７９７２９（Ｐ２００８−２７９７２９）
【出願日】平成２０年１０月３０日（２００８．１０．３０）
【出願人】（３０９０１９５３４）住友電工ウインテック株式会社 (67)
【出願人】（０００００２１３０）住友電気工業株式会社 (12,747)
【上記１名の代理人】
【識別番号】１００１０９７９３
【弁理士】
【氏名又は名称】神谷 惠理子
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年５月１３日（２０１０．５．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年１０月３０日（２００８．１０．３０）
【出願人】（３０９０１９５３４）住友電工ウインテック株式会社 (67)
【出願人】（０００００２１３０）住友電気工業株式会社 (12,747)
【上記１名の代理人】
【識別番号】１００１０９７９３
【弁理士】
【氏名又は名称】神谷 惠理子
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]