プラズマディスプレイパネル
【課題】パネルの電磁干渉（ＥＭＩ）を低減出来るＰＤＰを提供する。
【解決手段】放電空間Ｓを介して対向される前面ガラス基板１と背面ガラス基板４の間に、放電空間内で放電を発生させる行電極対（Ｘ，Ｙ）および列電極Ｄと、この行電極対（Ｘ，Ｙ）と列電極Ｄをそれぞれ被覆する誘電体層２および列電極保護層５が形成され、少なくとも列電極Ｄが、６８．５〜９５重量パーセントの導電性金属成分と、５〜２５重量パーセントのガラス成分を含んでいる。
【解決手段】放電空間Ｓを介して対向される前面ガラス基板１と背面ガラス基板４の間に、放電空間内で放電を発生させる行電極対（Ｘ，Ｙ）および列電極Ｄと、この行電極対（Ｘ，Ｙ）と列電極Ｄをそれぞれ被覆する誘電体層２および列電極保護層５が形成され、少なくとも列電極Ｄが、６８．５〜９５重量パーセントの導電性金属成分と、５〜２５重量パーセントのガラス成分を含んでいる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、プラズマディスプレイパネルの構成に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰという）は、密閉された放電空間を介して平行に対向される一対の基板のうち、一方の内面側に行方向に延びる複数の行電極対が列方向に並設され、他方の基板の内面側に列方向に延びる複数の列電極が行方向に並設されて、各行電極対と列電極が交差する部分の放電空間にそれぞれ放電セルが形成されており、各放電セル内に放電セル毎に赤，緑，青に色分けされた蛍光体層が形成された構成を備えている。
【０００３】
このＰＤＰは、行電極対の一方の行電極と列電極との間において、発光させる放電セルを選択するためのアドレス放電が発生され、この後に、アドレス放電によって選択された放電セル（発光セル）内において、行電極対を構成する一対の行電極の間においてサステイン放電が発生されて、それぞれの発光セル内に形成されている赤，緑，青の蛍光体層が発光することにより、マトリクス表示による画像を形成する。
【０００４】
このような構成の従来のＰＤＰの電極は、導電性金属材料である銀（Ａｇ）およびガラス材料であるガラスフリット，バインダである有機成分を含む電極形成用ペーストが基板上に所要の電極パターンで塗布された後、焼成されることによって形成される（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
この従来のＰＤＰの電極を形成する電極形成用ペーストは、電極を被覆する誘電体層が電極と同時に焼成される場合に、電極の銀成分の拡散によって誘電体層が変色するのを防止するために、電極形成用ペースト中のガラスフリットの含有量が１〜１２ｗｔ％に設定されている。
【０００６】
しかしながら、上記従来のＰＤＰのように、銀が導電性金属として電極に含まれる場合には、電極の体積抵抗率が低くなり、このため、パネルの電磁干渉（ＥＭＩ）が悪化するという問題を有している。
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−１２８０５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
この発明は、上記のような従来のＰＤＰが有している問題点を解決することをその技術的課題の一つとしている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明（請求項１に記載の発明）によるＰＤＰは、上記課題を達成するために、放電空間を介して対向される二枚の基板の間に、放電空間内で放電を発生させる放電電極とこの放電電極を被覆する誘電体層が形成されたプラズマディスプレイパネルにおいて、前記放電電極が、６８．５〜９５重量パーセントの導電性金属成分と、５〜２５重量パーセントのガラス成分を含んでいることを特徴としている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
この発明は、放電空間を介して対向される二枚の基板の間に、放電空間内で放電を発生させる列電極等の放電電極とこの放電電極を被覆する誘電体層が形成され、この放電電極が、６８．５〜９５重量パーセントの例えば銀等の導電性金属成分と、５〜２５重量パーセントのガラス成分を含んでいるＰＤＰを最良の実施形態としている。
【００１１】
この実施形態によるＰＤＰは、放電空間内において放電を発生させる放電電極が、ガラス成分を従来のＰＤＰの放電電極と比べて多く含んでいることによって、従来のＰＤＰよりも大きな体積抵抗率を有しており、これによって、パネルの電磁干渉（ＥＭＩ）を低減することが出来る。
【００１２】
上記実施形態のＰＤＰにおいて、さらに、放電電極に含まれる導電性金属成分を９０重量パーセント以下とし、ガラス成分を１０重量パーセント以上とするのが好ましく、これによって、放電電極の体積抵抗率を大きくすることが好ましい。
【００１３】
さらに、上記実施形態のＰＤＰにおいて、放電電極の体積抵抗率を８〜６０μΩ・ｃｍに設定するのが好ましく、これによって、パネルの電磁干渉（ＥＭＩ）の低減効果を有効に発揮することが出来る。
【００１４】
さらに、上記実施形態のＰＤＰにおいて、放電電極が、焼結抑制材を含む電極形成用ペーストが焼成されることによって形成され、焼成後において０．５〜１１重量パーセントの焼結抑制材を含んでいるのが好ましい。
【００１５】
この焼結制御材がＰＤＰ製造時の製造工程において電極形成用ペースト中の導電性金属成分の焼結を抑制するので、放電電極が従来のＰＤＰよりも大きな体積抵抗率を有することが出来、これによって、パネルの電磁干渉（ＥＭＩ）をさらに低減することが出来る。
【００１６】
この焼結抑制材としては、Ｃｕ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｍｎまたはこれらの金属酸化物が挙げられ、これらの内の少なくとも一つが使用される。
【実施例】
【００１７】
図１ないし３は、この発明によるＰＤＰの実施形態の一実施例を示しており、図１はこの第１実施例におけるＰＤＰを模式的に示す正面図、図２は図１のＶ−Ｖ線における断面図、図３は図１のＷ−Ｗ線における断面図である。
この図１ないし３に示されるＰＤＰは、表示面である前面ガラス基板１の内面に、複数の行電極対（Ｘ，Ｙ）が、前面ガラス基板１の行方向（図１の左右方向）に延びるとともに列方向に平行に並設されている。
【００１８】
行電極Ｘ，Ｙは、それぞれ、行方向に帯状に延びる金属製のバス電極Ｘａ，Ｙａと、このバス電極Ｘａ，Ｙａから互いに対になっている相手の行電極側に延びて放電ギャップｇを介して互いに対向されるＩＴＯ等の透明導電膜によって形成された複数の透明電極Ｘｂ，Ｙｂとから構成されている。
前面ガラス基板１の内面には、さらに、行電極対（Ｘ，Ｙ）を被覆する誘電体層２が形成され、この誘電体層２の内面に酸化マグネシウム等による保護層３が形成されている。
【００１９】
この前面ガラス基板１に背面ガラス基板４が放電空間Ｓを介して平行に対向され、この背面ガラス基板４の前面ガラス基板１に対向する内面の行電極対（Ｘ，Ｙ）の互いに対になっている透明電極Ｘｂ，Ｙｂに対向するそれぞれの位置に、列方向に延びる複数の列電極Ｄが形成されている。
この列電極Ｄについては、後でさらに詳述する。
背面ガラス基板４の内面上には、さらに、列電極Ｄを被覆する列電極保護層５が形成されている。
【００２０】
この列電極保護層５上には、略格子形状の隔壁６が形成されていて、放電空間Ｓを行電極対（Ｘ，Ｙ）の放電ギャップｇを介して対向する透明電極ＸｂとＹｂの各対に対向する部分毎に区画して、それぞれ放電セルＣを形成している。
各放電セルＣ内には、放電セルＣ毎に赤，緑，青に色分けされた蛍光体層７が形成されている。
【００２１】
放電空間Ｓは、前面ガラス基板１と背面ガラス基板４の間の周縁部に形成された図示しない封着層によって密閉されていて、キセノンを含む放電ガスが封入されている。
【００２２】
このＰＤＰは、行電極対（Ｘ，Ｙ）の一方の行電極Ｙと列電極Ｄとの間で発光させる放電セルＣを選択するためのアドレス放電を発生させ、次に、行電極対（Ｘ，Ｙ）の行電極ＸとＹ間でアドレス放電によって選択された放電セル（発光セル）Ｃ内においてサステイン放電を発生させて、各放電セル（発光セル）Ｃの赤，緑，青の蛍光体層７を発光させることにより、マトリクス表示による画像を形成する。
【００２３】
上述した列電極Ｄは、電極形成用ペーストが背面ガラス基板４の内面上に塗布されてパターニングされ、その後に５００℃以上の温度で焼成されることによって形成される。
このとき、列電極Ｄの焼成収縮率は、１０パーセント以下に設定されている。
【００２４】
この列電極Ｄを形成する電極形成用ペーストは、銀（Ａｇ）を導電性金属として５３〜５９重量パーセント（ｗｔ％）含み、Ｂｉ2Ｏ3を主成分とする軟化点が４５０〜６００℃のガラス成分（Ｐｂは含んでいない）を８〜１５ｗｔ％含み、有機バインダとして有機成分を２４．５〜３８．４ｗｔ％含み、さらに、Ｃｕ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｍｎなどの金属または金属酸化物が、焼結抑制材として０．６〜８ｗｔ％混合されている。
【００２５】
この焼結抑制材は、背面ガラス基板４上に塗布された電極形成用ペーストが焼成される際に、後述するように、電極形成用ペースト中の導電性金属粒子の粒子成長を抑制する働きを有している。
【００２６】
この電極形成用ペーストによって形成された焼成後の列電極Ｄの成分は、導電性金属である銀（Ａｇ）が６８．５〜９５ｗｔ％，Ｂｉ2Ｏ3を主成分とするガラス成分が５〜２５ｗｔ％，焼結抑制材として混合されたＣｕ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｍｎなどの金属または金属酸化物が０．５〜１１ｗｔ％となっており、その体積抵抗率は、８〜６０μΩ・ｃｍである。
【００２７】
下記の表１ないし４は、それぞれ、上記実施例における電極形成用ペーストの成分比率と焼成後の列電極Ｄの成分比率および体積抵抗率の例を示しており、表５は、従来のＰＤＰにおける電極形成用ペーストの成分比率と焼成後の列電極Ｄの成分比率および体積抵抗率の比較例を示している。
【００２８】
【表１】
【００２９】
【表２】
【００３０】
【表３】
【００３１】
【表４】
【００３２】
【表５】
【００３３】
この実施例における上記の各例において、導電性金属として銀を含む列電極Ｄが、焼成後にガラス成分を１４．３〜２０．５ｗｔ％と従来のＰＤＰの場合に比べて多く含んでいることによって、列電極Ｄの体積抵抗率が大きくなっているとともに、列電極Ｄを形成する列電極形成用ペースト中に、従来は含まれていなかった焼結制御材が０．６〜８ｗｔ％含まれていることによって、列電極Ｄの体積抵抗率がさらに大きくなっている（表５参照）。
特に、表４における例４の場合には、アルミニウム電極とほぼ同程度の体積抵抗率を得ることが出来る。
【００３４】
列電極形成用ペースト中に焼結制御材を含んでいる場合に、焼結制御材を含んでいない場合に比べて焼成後の列電極の体積抵抗率が大きくなるのは、焼成時における銀（Ａｇ）の焼結が焼結制御材によって抑制されるためである。
【００３５】
図４（ａ）は焼結制御材を含む電極形成用ペーストによって形成された銀電極の表面のＳＥＭ写真であり、図４（ｂ）は焼結制御材を含まない電極形成用ペーストによって形成された従来の銀電極の表面のＳＥＭ写真である。
【００３６】
この図４の（ａ）と（ｂ）を比較すると、焼結制御材を含む電極形成用ペーストによって形成された銀電極の焼結が、焼結制御材を含まない電極形成用ペーストによって形成された銀電極と比べて抑制されていることが分かる。
【００３７】
このように、上記ＰＤＰは、銀電極である列電極Ｄがガラス成分を従来のＰＤＰの場合に比べて多く含んでおり、さらに、列電極Ｄの形成に使用される電極形成用ペーストが焼結制御材を含んでいて、この焼結制御材がＰＤＰ製造時の製造工程において電極形成用ペースト中の銀（Ａｇ）の焼結を抑制するので、従来のＰＤＰよりも大きな体積抵抗率を有する列電極を備えることが出来、これによって、パネルの電磁干渉（ＥＭＩ）を低減することが出来る。
【００３８】
そして、上記のＰＤＰによれば、電極形成用ペーストへの焼結制御材の添加量を任意の量に調整することによって、銀電極である列電極Ｄの体積抵抗値を、所望の値に任意に調整することが可能になる。
【００３９】
また、上記のＰＤＰによれば、列電極Ｄに含まれるガラス成分を従来のＰＤＰの場合よりも増加させたことによって、銀（Ａｇ）の使用量を減少させることが出来、これによって、ＰＤＰのコストダウンを図ることが出来る。
【００４０】
なお、上記実施例においては、列電極について説明を行ったが、行電極対（Ｘ，Ｙ）の金属製のバス電極Ｘａ，Ｙａを上記と同様の構成にしても良く、これによって、パネルの電磁干渉（ＥＭＩ）の低減とコストダウンをさらに図ることが出来るようになる。
【００４１】
上記実施例のＰＤＰは、放電空間を介して対向される二枚の基板の間に、放電空間内で放電を発生させる放電電極とこの放電電極を被覆する誘電体層が形成されたプラズマディスプレイパネルにおいて、前記放電電極が、６８．５〜９５重量パーセントの導電性金属成分と、５〜２５重量パーセントのガラス成分を含んでいるＰＤＰを、上位概念の実施形態としている。
【００４２】
この実施形態によるＰＤＰは、放電空間内において放電を発生させる放電電極が、ガラス成分を従来のＰＤＰの放電電極と比べて多く含んでいることによって、従来のＰＤＰよりも大きな体積抵抗率を有しており、これによって、パネルの電磁干渉（ＥＭＩ）を低減することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】この発明の実施形態における一実施例を示す正面図である。
【図２】図１のＶ−Ｖ線における断面図である。
【図３】図１のＷ−Ｗ線における断面図である。
【図４】（ａ）電極形成用ペーストに焼結抑制材を含んでいる場合の銀電極のＳＥＭ写真である。
【００４４】
（ｂ）電極形成用ペーストに焼結抑制材を含んでいない場合の銀電極のＳＥＭ写真である。
【符号の説明】
【００４５】
１ …前面ガラス基板（一方の基板）
２ …誘電体層
４ …背面ガラス基板（他方の基板）
５ …列電極保護層（誘電体層）
Ｃ …放電セル
Ｓ …放電空間
Ｘ，Ｙ …行電極（放電電極）
【技術分野】
【０００１】
この発明は、プラズマディスプレイパネルの構成に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰという）は、密閉された放電空間を介して平行に対向される一対の基板のうち、一方の内面側に行方向に延びる複数の行電極対が列方向に並設され、他方の基板の内面側に列方向に延びる複数の列電極が行方向に並設されて、各行電極対と列電極が交差する部分の放電空間にそれぞれ放電セルが形成されており、各放電セル内に放電セル毎に赤，緑，青に色分けされた蛍光体層が形成された構成を備えている。
【０００３】
このＰＤＰは、行電極対の一方の行電極と列電極との間において、発光させる放電セルを選択するためのアドレス放電が発生され、この後に、アドレス放電によって選択された放電セル（発光セル）内において、行電極対を構成する一対の行電極の間においてサステイン放電が発生されて、それぞれの発光セル内に形成されている赤，緑，青の蛍光体層が発光することにより、マトリクス表示による画像を形成する。
【０００４】
このような構成の従来のＰＤＰの電極は、導電性金属材料である銀（Ａｇ）およびガラス材料であるガラスフリット，バインダである有機成分を含む電極形成用ペーストが基板上に所要の電極パターンで塗布された後、焼成されることによって形成される（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
この従来のＰＤＰの電極を形成する電極形成用ペーストは、電極を被覆する誘電体層が電極と同時に焼成される場合に、電極の銀成分の拡散によって誘電体層が変色するのを防止するために、電極形成用ペースト中のガラスフリットの含有量が１〜１２ｗｔ％に設定されている。
【０００６】
しかしながら、上記従来のＰＤＰのように、銀が導電性金属として電極に含まれる場合には、電極の体積抵抗率が低くなり、このため、パネルの電磁干渉（ＥＭＩ）が悪化するという問題を有している。
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−１２８０５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
この発明は、上記のような従来のＰＤＰが有している問題点を解決することをその技術的課題の一つとしている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明（請求項１に記載の発明）によるＰＤＰは、上記課題を達成するために、放電空間を介して対向される二枚の基板の間に、放電空間内で放電を発生させる放電電極とこの放電電極を被覆する誘電体層が形成されたプラズマディスプレイパネルにおいて、前記放電電極が、６８．５〜９５重量パーセントの導電性金属成分と、５〜２５重量パーセントのガラス成分を含んでいることを特徴としている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
この発明は、放電空間を介して対向される二枚の基板の間に、放電空間内で放電を発生させる列電極等の放電電極とこの放電電極を被覆する誘電体層が形成され、この放電電極が、６８．５〜９５重量パーセントの例えば銀等の導電性金属成分と、５〜２５重量パーセントのガラス成分を含んでいるＰＤＰを最良の実施形態としている。
【００１１】
この実施形態によるＰＤＰは、放電空間内において放電を発生させる放電電極が、ガラス成分を従来のＰＤＰの放電電極と比べて多く含んでいることによって、従来のＰＤＰよりも大きな体積抵抗率を有しており、これによって、パネルの電磁干渉（ＥＭＩ）を低減することが出来る。
【００１２】
上記実施形態のＰＤＰにおいて、さらに、放電電極に含まれる導電性金属成分を９０重量パーセント以下とし、ガラス成分を１０重量パーセント以上とするのが好ましく、これによって、放電電極の体積抵抗率を大きくすることが好ましい。
【００１３】
さらに、上記実施形態のＰＤＰにおいて、放電電極の体積抵抗率を８〜６０μΩ・ｃｍに設定するのが好ましく、これによって、パネルの電磁干渉（ＥＭＩ）の低減効果を有効に発揮することが出来る。
【００１４】
さらに、上記実施形態のＰＤＰにおいて、放電電極が、焼結抑制材を含む電極形成用ペーストが焼成されることによって形成され、焼成後において０．５〜１１重量パーセントの焼結抑制材を含んでいるのが好ましい。
【００１５】
この焼結制御材がＰＤＰ製造時の製造工程において電極形成用ペースト中の導電性金属成分の焼結を抑制するので、放電電極が従来のＰＤＰよりも大きな体積抵抗率を有することが出来、これによって、パネルの電磁干渉（ＥＭＩ）をさらに低減することが出来る。
【００１６】
この焼結抑制材としては、Ｃｕ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｍｎまたはこれらの金属酸化物が挙げられ、これらの内の少なくとも一つが使用される。
【実施例】
【００１７】
図１ないし３は、この発明によるＰＤＰの実施形態の一実施例を示しており、図１はこの第１実施例におけるＰＤＰを模式的に示す正面図、図２は図１のＶ−Ｖ線における断面図、図３は図１のＷ−Ｗ線における断面図である。
この図１ないし３に示されるＰＤＰは、表示面である前面ガラス基板１の内面に、複数の行電極対（Ｘ，Ｙ）が、前面ガラス基板１の行方向（図１の左右方向）に延びるとともに列方向に平行に並設されている。
【００１８】
行電極Ｘ，Ｙは、それぞれ、行方向に帯状に延びる金属製のバス電極Ｘａ，Ｙａと、このバス電極Ｘａ，Ｙａから互いに対になっている相手の行電極側に延びて放電ギャップｇを介して互いに対向されるＩＴＯ等の透明導電膜によって形成された複数の透明電極Ｘｂ，Ｙｂとから構成されている。
前面ガラス基板１の内面には、さらに、行電極対（Ｘ，Ｙ）を被覆する誘電体層２が形成され、この誘電体層２の内面に酸化マグネシウム等による保護層３が形成されている。
【００１９】
この前面ガラス基板１に背面ガラス基板４が放電空間Ｓを介して平行に対向され、この背面ガラス基板４の前面ガラス基板１に対向する内面の行電極対（Ｘ，Ｙ）の互いに対になっている透明電極Ｘｂ，Ｙｂに対向するそれぞれの位置に、列方向に延びる複数の列電極Ｄが形成されている。
この列電極Ｄについては、後でさらに詳述する。
背面ガラス基板４の内面上には、さらに、列電極Ｄを被覆する列電極保護層５が形成されている。
【００２０】
この列電極保護層５上には、略格子形状の隔壁６が形成されていて、放電空間Ｓを行電極対（Ｘ，Ｙ）の放電ギャップｇを介して対向する透明電極ＸｂとＹｂの各対に対向する部分毎に区画して、それぞれ放電セルＣを形成している。
各放電セルＣ内には、放電セルＣ毎に赤，緑，青に色分けされた蛍光体層７が形成されている。
【００２１】
放電空間Ｓは、前面ガラス基板１と背面ガラス基板４の間の周縁部に形成された図示しない封着層によって密閉されていて、キセノンを含む放電ガスが封入されている。
【００２２】
このＰＤＰは、行電極対（Ｘ，Ｙ）の一方の行電極Ｙと列電極Ｄとの間で発光させる放電セルＣを選択するためのアドレス放電を発生させ、次に、行電極対（Ｘ，Ｙ）の行電極ＸとＹ間でアドレス放電によって選択された放電セル（発光セル）Ｃ内においてサステイン放電を発生させて、各放電セル（発光セル）Ｃの赤，緑，青の蛍光体層７を発光させることにより、マトリクス表示による画像を形成する。
【００２３】
上述した列電極Ｄは、電極形成用ペーストが背面ガラス基板４の内面上に塗布されてパターニングされ、その後に５００℃以上の温度で焼成されることによって形成される。
このとき、列電極Ｄの焼成収縮率は、１０パーセント以下に設定されている。
【００２４】
この列電極Ｄを形成する電極形成用ペーストは、銀（Ａｇ）を導電性金属として５３〜５９重量パーセント（ｗｔ％）含み、Ｂｉ2Ｏ3を主成分とする軟化点が４５０〜６００℃のガラス成分（Ｐｂは含んでいない）を８〜１５ｗｔ％含み、有機バインダとして有機成分を２４．５〜３８．４ｗｔ％含み、さらに、Ｃｕ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｍｎなどの金属または金属酸化物が、焼結抑制材として０．６〜８ｗｔ％混合されている。
【００２５】
この焼結抑制材は、背面ガラス基板４上に塗布された電極形成用ペーストが焼成される際に、後述するように、電極形成用ペースト中の導電性金属粒子の粒子成長を抑制する働きを有している。
【００２６】
この電極形成用ペーストによって形成された焼成後の列電極Ｄの成分は、導電性金属である銀（Ａｇ）が６８．５〜９５ｗｔ％，Ｂｉ2Ｏ3を主成分とするガラス成分が５〜２５ｗｔ％，焼結抑制材として混合されたＣｕ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｍｎなどの金属または金属酸化物が０．５〜１１ｗｔ％となっており、その体積抵抗率は、８〜６０μΩ・ｃｍである。
【００２７】
下記の表１ないし４は、それぞれ、上記実施例における電極形成用ペーストの成分比率と焼成後の列電極Ｄの成分比率および体積抵抗率の例を示しており、表５は、従来のＰＤＰにおける電極形成用ペーストの成分比率と焼成後の列電極Ｄの成分比率および体積抵抗率の比較例を示している。
【００２８】
【表１】
【００２９】
【表２】
【００３０】
【表３】
【００３１】
【表４】
【００３２】
【表５】
【００３３】
この実施例における上記の各例において、導電性金属として銀を含む列電極Ｄが、焼成後にガラス成分を１４．３〜２０．５ｗｔ％と従来のＰＤＰの場合に比べて多く含んでいることによって、列電極Ｄの体積抵抗率が大きくなっているとともに、列電極Ｄを形成する列電極形成用ペースト中に、従来は含まれていなかった焼結制御材が０．６〜８ｗｔ％含まれていることによって、列電極Ｄの体積抵抗率がさらに大きくなっている（表５参照）。
特に、表４における例４の場合には、アルミニウム電極とほぼ同程度の体積抵抗率を得ることが出来る。
【００３４】
列電極形成用ペースト中に焼結制御材を含んでいる場合に、焼結制御材を含んでいない場合に比べて焼成後の列電極の体積抵抗率が大きくなるのは、焼成時における銀（Ａｇ）の焼結が焼結制御材によって抑制されるためである。
【００３５】
図４（ａ）は焼結制御材を含む電極形成用ペーストによって形成された銀電極の表面のＳＥＭ写真であり、図４（ｂ）は焼結制御材を含まない電極形成用ペーストによって形成された従来の銀電極の表面のＳＥＭ写真である。
【００３６】
この図４の（ａ）と（ｂ）を比較すると、焼結制御材を含む電極形成用ペーストによって形成された銀電極の焼結が、焼結制御材を含まない電極形成用ペーストによって形成された銀電極と比べて抑制されていることが分かる。
【００３７】
このように、上記ＰＤＰは、銀電極である列電極Ｄがガラス成分を従来のＰＤＰの場合に比べて多く含んでおり、さらに、列電極Ｄの形成に使用される電極形成用ペーストが焼結制御材を含んでいて、この焼結制御材がＰＤＰ製造時の製造工程において電極形成用ペースト中の銀（Ａｇ）の焼結を抑制するので、従来のＰＤＰよりも大きな体積抵抗率を有する列電極を備えることが出来、これによって、パネルの電磁干渉（ＥＭＩ）を低減することが出来る。
【００３８】
そして、上記のＰＤＰによれば、電極形成用ペーストへの焼結制御材の添加量を任意の量に調整することによって、銀電極である列電極Ｄの体積抵抗値を、所望の値に任意に調整することが可能になる。
【００３９】
また、上記のＰＤＰによれば、列電極Ｄに含まれるガラス成分を従来のＰＤＰの場合よりも増加させたことによって、銀（Ａｇ）の使用量を減少させることが出来、これによって、ＰＤＰのコストダウンを図ることが出来る。
【００４０】
なお、上記実施例においては、列電極について説明を行ったが、行電極対（Ｘ，Ｙ）の金属製のバス電極Ｘａ，Ｙａを上記と同様の構成にしても良く、これによって、パネルの電磁干渉（ＥＭＩ）の低減とコストダウンをさらに図ることが出来るようになる。
【００４１】
上記実施例のＰＤＰは、放電空間を介して対向される二枚の基板の間に、放電空間内で放電を発生させる放電電極とこの放電電極を被覆する誘電体層が形成されたプラズマディスプレイパネルにおいて、前記放電電極が、６８．５〜９５重量パーセントの導電性金属成分と、５〜２５重量パーセントのガラス成分を含んでいるＰＤＰを、上位概念の実施形態としている。
【００４２】
この実施形態によるＰＤＰは、放電空間内において放電を発生させる放電電極が、ガラス成分を従来のＰＤＰの放電電極と比べて多く含んでいることによって、従来のＰＤＰよりも大きな体積抵抗率を有しており、これによって、パネルの電磁干渉（ＥＭＩ）を低減することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】この発明の実施形態における一実施例を示す正面図である。
【図２】図１のＶ−Ｖ線における断面図である。
【図３】図１のＷ−Ｗ線における断面図である。
【図４】（ａ）電極形成用ペーストに焼結抑制材を含んでいる場合の銀電極のＳＥＭ写真である。
【００４４】
（ｂ）電極形成用ペーストに焼結抑制材を含んでいない場合の銀電極のＳＥＭ写真である。
【符号の説明】
【００４５】
１ …前面ガラス基板（一方の基板）
２ …誘電体層
４ …背面ガラス基板（他方の基板）
５ …列電極保護層（誘電体層）
Ｃ …放電セル
Ｓ …放電空間
Ｘ，Ｙ …行電極（放電電極）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放電空間を介して対向される二枚の基板の間に、放電空間内で放電を発生させる放電電極とこの放電電極を被覆する誘電体層が形成されたプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記放電電極が、６８．５〜９５重量パーセントの導電性金属成分と、５〜２５重量パーセントのガラス成分を含んでいることを特徴するプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記放電電極に含まれる導電性金属成分が９０重量パーセント以下であり、ガラス成分が１０重量パーセント以上である請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル
【請求項３】
前記放電電極の体積抵抗率が、８〜６０μΩ・ｃｍである請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記導電性金属成分の主成分として銀を含んでいる請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記放電電極が、焼結抑制材を含む電極形成用ペーストが焼成されることによって形成され、焼成後において０．５〜１１重量パーセントの焼結抑制材を含んでいる請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前記焼結抑制材が、Ｃｕ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｍｎまたはこれらの金属酸化物の内の少なくとも一つを含んでいる請求項５に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
前記二枚の基板の一方の基板側に対になった行電極が形成され、この行電極の一方との間で放電を行う列電極が他方の基板側に形成され、前記放電電極が列電極である請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
前記ガラス成分の軟化点が４５０〜６００℃である請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項９】
前記放電電極が、５００℃以上の温度で焼成されている請求項５に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１０】
前記放電電極の焼成収縮率が１０％以下である請求項５に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１】
放電空間を介して対向される二枚の基板の間に、放電空間内で放電を発生させる放電電極とこの放電電極を被覆する誘電体層が形成されたプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記放電電極が、６８．５〜９５重量パーセントの導電性金属成分と、５〜２５重量パーセントのガラス成分を含んでいることを特徴するプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記放電電極に含まれる導電性金属成分が９０重量パーセント以下であり、ガラス成分が１０重量パーセント以上である請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル
【請求項３】
前記放電電極の体積抵抗率が、８〜６０μΩ・ｃｍである請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記導電性金属成分の主成分として銀を含んでいる請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記放電電極が、焼結抑制材を含む電極形成用ペーストが焼成されることによって形成され、焼成後において０．５〜１１重量パーセントの焼結抑制材を含んでいる請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前記焼結抑制材が、Ｃｕ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｍｎまたはこれらの金属酸化物の内の少なくとも一つを含んでいる請求項５に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
前記二枚の基板の一方の基板側に対になった行電極が形成され、この行電極の一方との間で放電を行う列電極が他方の基板側に形成され、前記放電電極が列電極である請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
前記ガラス成分の軟化点が４５０〜６００℃である請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項９】
前記放電電極が、５００℃以上の温度で焼成されている請求項５に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１０】
前記放電電極の焼成収縮率が１０％以下である請求項５に記載のプラズマディスプレイパネル。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２００９−１８７７８８（Ｐ２００９−１８７７８８Ａ）
【公開日】平成２１年８月２０日（２００９．８．２０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−２６４７８（Ｐ２００８−２６４７８）
【出願日】平成２０年２月６日（２００８．２．６）
【出願人】（０００００５０１６）パイオニア株式会社 (3,620)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年８月２０日（２００９．８．２０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年２月６日（２００８．２．６）
【出願人】（０００００５０１６）パイオニア株式会社 (3,620)
【Ｆターム（参考）】
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