プラズマディスプレイ装置及びプラズマディスプレイ装置の駆動方法
【課題】サステイン信号を改善して駆動効率を向上させるためのプラズマディスプレイ装置及びプラズマディスプレイ装置の駆動方法を提供する。
【解決手段】プラズマディスプレイ装置は、第１電極及び第２電極を含むプラズマディスプレイパネル及び信号供給期間において第１極性の第１サステイン信号を前記第１電極に供給し、前記信号供給期間の少なくとも一部期間において第２極性の第２サステイン信号を前記第２電極に供給する駆動部を含み、前記第２サステイン信号の上昇勾配の大きさ及び下降勾配の大きさは、それぞれ前記第１サステイン信号の上昇勾配の大きさ及び下降勾配大きさより小さいことを特徴とする。
【解決手段】プラズマディスプレイ装置は、第１電極及び第２電極を含むプラズマディスプレイパネル及び信号供給期間において第１極性の第１サステイン信号を前記第１電極に供給し、前記信号供給期間の少なくとも一部期間において第２極性の第２サステイン信号を前記第２電極に供給する駆動部を含み、前記第２サステイン信号の上昇勾配の大きさ及び下降勾配の大きさは、それぞれ前記第１サステイン信号の上昇勾配の大きさ及び下降勾配大きさより小さいことを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプラズマディスプレイ装置（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ａｐｐａｒａｔｕｓ）及びプラズマディスプレイ装置の駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイ装置は、電極が形成されたプラズマディスプレイパネルと、プラズマディスプレイパネルの電極に所定の駆動信号を供給する駆動部を含む。
【０００３】
一般的に、プラズマディスプレイパネルには隔壁に区画された放電セル（Ｃｅｌｌ）内に蛍光体層が形成されて、同時に複数の電極（Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）が形成される。そして駆動部は電極を通じて放電セルに駆動信号を供給する。
【０００４】
放電セル内では供給される駆動信号によって放電が発生する。放電セル内で駆動信号によって放電が発生する時、放電セル内に充填されている放電ガスが真空紫外線（Ｖａｃｕｕｍ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ Ｒａｙｓ）を発生して、真空紫外線が放電セル内に形成された蛍光体を発光させて可視光を発生させる。可視光によってプラズマディスプレイパネルの画面上に映像が表示される。
【０００５】
プラズマディスプレイ装置の駆動部は映像を表示するために、リセット期間、アドレス期間及びサステイン期間ごとに駆動信号をプラズマディスプレイパネルの電極に供給する。
【０００６】
リセット期間は、放電セルの電極上に形成された電荷を均一にさせるための期間で、アドレス期間は全体の放電セルの内、光を放出する放電セルを選択するための期間である。また、サステイン期間はアドレス期間で選択された放電セルで光が放出される期間である。
【０００７】
サステイン期間において、駆動部はサステイン信号を放電セルに供給して、サステイン放電によって選択された放電セルから光が放出されるようにする。サステイン放電によって映像が表示されるので、サステイン放電の効率を向上させることが必要である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、サステイン信号を改善して駆動効率を向上させるためのプラズマディスプレイ装置及びプラズマディスプレイ装置の駆動方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
第１発明に係るプラズマディスプレイ装置は、第１電極及び第２電極を含むプラズマディスプレイパネル、及び、信号供給期間において第１極性の第１サステイン信号を前記第１電極に供給し、前記信号供給期間の内、少なくとも一部期間において第２極性の第２サステイン信号を前記第２電極に供給する駆動部を含み、前記第２サステイン信号の上昇勾配の大きさ及び下降勾配の大きさは、それぞれ（ｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅｌｙ）前記第１サステイン信号の上昇勾配の大きさ及び下降勾配大きさより小さいことを特徴とする。
【００１０】
第２発明に係るプラズマディスプレイ装置は、第１発明に係るプラズマディスプレイ装置において、前記第２サステイン信号の幅が、前記第１サステイン信号の幅より小さいことを特徴とする。
【００１１】
第３発明に係るプラズマディスプレイ装置は、第１発明に係るプラズマディスプレイ装置において、前記第２サステイン信号の供給時点は、前記第１サステイン信号の供給時点より５０μｓ以上遅れることを特徴とする。
【００１２】
第４発明に係るプラズマディスプレイ装置は、第３発明に係るプラズマディスプレイ装置において、前記第２サステイン信号の供給時点は、前記第１サステイン信号の供給時点より１００μｓ以上遅れることを特徴とする。
【００１３】
第５発明に係るプラズマディスプレイ装置は、第１発明に係るプラズマディスプレイ装置において、前記第１サステイン信号の最高電圧が１２０Ｖ以上１８０Ｖ以下であることを特徴とする。
【００１４】
第６発明に係るプラズマディスプレイ装置は、第１発明に係るプラズマディスプレイ装置において、前記第２サステイン信号の最高電圧が４０Ｖ以上６０Ｖ以下であることと特徴とする。
【００１５】
第７発明に係るプラズマディスプレイ装置は、第１発明に係るプラズマディスプレイ装置において、前記第２サステイン信号の上昇勾配の大きさと下降勾配の大きさが互いに異なることを特徴とする。
【００１６】
第８発明に係るプラズマディスプレイ装置は、第７発明に係るプラズマディスプレイにおいて、前記上昇勾配の大きさが前記下降勾配の大きさより小さいことを特徴とする。
【００１７】
第９発明に係るプラズマディスプレイ装置は、第１発明に係るプラズマディスプレイ装置において、データ信号を供給する第３電極をさらに含み、前記第２サステイン信号の最低電圧の大きさが前記データ信号の最高電圧の大きさと実質的に同じであることを特徴とする。
【００１８】
第１０発明に係るプラズマディスプレイ装置は、第１発明に係るプラズマディスプレイ装置において、前記駆動部はフレームに含まれる第１サブフィールドにおいて前記第１サステイン信号と前記第２サステイン信号を供給し、前記フレームに含まれる第２サブフィールドにおいて前記第１極性の第３サステイン信号を前記第１電極または前記第２電極の何れか一つに供給し、他の電極にグランドレベルの電圧を供給することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、第１極性のサステイン信号と第２極性のサステイン信号を供給して、駆動効率を向上させることができる。また本発明によれば、第１極性のサステイン信号と第２極性のサステイン信号を供給して、誤放電の発生を減少させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明による具体的な実施形態を添付された図面を参照して説明する。
【００２１】
図１は本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイ装置を示す図である。図１に示されるように、本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイ装置は、プラズマディスプレイパネル１００と駆動部１１０を含む。
【００２２】
プラズマディスプレイパネル１００の一実施形態を図２を参照して詳しく説明する。
【００２３】
図２に示されるように、プラズマディスプレイパネル１００は、前面パネル２００と背面パネル２１０を含む。前面パネル２００は、互いに並んでスキャン電極２０２とサステイン電極２０３が形成される前面基板２０１を含む。背面パネル２１０は、スキャン電極２０２及びサステイン電極２０３と交差するアドレス電極２１３が形成された背面基板２１１を含む。なお、以後では、特許請求の範囲において記載された第１電極、第２電極及び第３電極を、それぞれスキャン電極（２０２）、サステイン電極（２０３）及びアドレス電極（２１３）と対応して記載する。
【００２４】
リセット期間、アドレス期間及びサステイン期間のそれぞれにおいて、駆動信号がスキャン電極２０２とサステイン電極２０３に供給されれば、放電セルの璧電荷を均一にさせるためのリセット放電、光を放出する放電セルを選択するためのアドレス放電、及び選択された放電セルで光を発生させるためのサステイン放電が起きる。
【００２５】
上部誘電体層２０４は、スキャン電極２０２とサステイン電極２０３が形成された前面基板２０１の上部に形成されて、スキャン電極２０２とサステイン電極２０３とを絶縁するためのものである。
【００２６】
保護層２０５は、上部誘電体層２０４の上面に形成されて、放電条件を容易にするためのものである。
【００２７】
アドレス電極２１３は、背面基板２１１上に形成されてアドレス期間に放電セルを選択するためのデータ（Ｄａｔａ）信号を供給する。
【００２８】
下部誘電体層２１５はアドレス電極２１３が形成された背面基板２１１の上部に形成されて、アドレス電極２１３を絶縁させる。
【００２９】
隔壁２１２は、下部誘電体層２１５の上部に放電セルを区切るために形成される。隔壁２１２は、ストライプタイプ（Ｓｔｒｉｐｅ Ｔｙｐｅ）、ウェルタイプ（Ｗｅｌｌ Ｔｙｐｅ）、デルタタイプ（Ｄｅｌｔａ Ｔｙｐｅ）、蜂の巣タイプによって形成することができる。隔壁２１２によって区画された放電セル内には、所定の放電ガスが満たされる。
【００３０】
蛍光体層２１４は、可視光を放出するＲ（Ｒｅｄ）、Ｇ（Ｇｒｅｅｎ）、Ｂ（Ｂｌｕｅ）の蛍光体層２１４が形成される。
【００３１】
隔壁２１２による外部光の反射を防止するために隔壁２１２の上部に図示しないブラック層を形成してもよい。
【００３２】
一方、図１の駆動部１１０は、サステイン期間において、第１極性の第１サステイン信号をスキャン電極に供給し、サステイン期間の少なくとも一部期間において第２極性の第２サステイン信号をサステイン電極に供給する。第２サステイン信号の上昇勾配の大きさ及び下降勾配の大きさは、それぞれ第１サステイン信号の上昇勾配の大きさ及び下降勾配大きさより小さい。
【００３３】
図１の駆動部１１０は、一つのボード（Ｂｏａｒｄ）に形成されてもよく、複数個のボードに形成されてもよい。例えば、駆動部１１０は、スキャン電極を駆動させるための回路が形成された駆動ボード、サステイン電極を駆動させるための回路が形成された駆動ボード、及び、アドレス電極を駆動させるための回路が形成された駆動ボードを含んでもよい。
【００３４】
以下、このような駆動部１１０の動作を詳しく説明する。まず、本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置の階調表現方法及び駆動信号について説明する。
【００３５】
図３は本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイ装置の階調表現方法を示す図である。
【００３６】
本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイ装置は、発光回数が異なる複数のサブフィールドを含むフレーム単位で映像を表現する。また、各サブフィールドは、すべての放電セルを初期化させるためのリセット期間（Ｒｅｓｅｔ Ｐｅｒｉｏｄ）、放電する放電セルを選択するためのアドレス期間（Ａｄｄｒｅｓｓ Ｐｅｒｉｏｄ）、及び、放電回数によって階調を具現するサステイン期間（Ｓｕｓｔａｉｎ Ｐｅｒｉｏｄ）に分けられる。
【００３７】
例えば、２５６階調で映像を表示しようとする場合、１／６０秒にあたるフレーム（１６．６７ｍｓ)は、８個のサブフィールド(ＳＦ１乃至ＳＦ８)を含み、８個のサブフィールド(ＳＦ１乃至ＳＦ８)のそれぞれは、リセット期間、アドレス期間及びサステイン期間を含む。
【００３８】
一方、サステイン期間に供給されるサステイン信号の個数によって、該当するサブフィールドの階調加重値が設定される。例えば、各サブフィールドの階調加重値が２ｎ（但し、ｎ＝０、１、２、３、４、５、６、７）の割合で増加するように各サブフィールドの階調加重値を設定することができる。
【００３９】
図３では、一つのフレームが８個のサブフィールドを含む場合のみを説明したが、一つのフレームを構成するサブフィールドの個数を変更することができる。例えば、一つのフレームが１２個のサブフィールドを含むことも可能であり、１０個のサブフィールドを含むことも可能である。
【００４０】
また、図３では、一つのフレームにおいて階調加重値の大きさの順序でサブフィールドが配列されているが、これとは異なるように、階調加重値にかかわらずサブフィールドを配列することも可能である。
【００４１】
図４は、本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置の駆動信号を示す図である。
【００４２】
図１の駆動部１１０は、フリーリセット期間において、スキャン電極にグランドレベルの電圧（ＧＮＤ）からＶ１０電圧まで漸進的に立ち下がる第１下降ランプ信号を供給して、サステイン電極にグランドレベルの電圧（ＧＮＤ）からＶｐｚ電圧まで上昇するフリーサステイン信号を供給する。Ｖｐｚ電圧は、サステイン期間において供給される第１サステイン信号（ＳＵＳ）の最高電圧（Ｖｓ）と略等しくてもよい。
【００４３】
フリーリセット期間でスキャン電極に第１下降ランプ信号が供給されてサステイン電極にフリーサステイン信号が供給されれば、スキャン電極上に正の壁電荷が蓄積され、サステイン電極上には負の壁電荷が蓄積される。これによって、リセット期間で十分な強さのセットアップ放電が発生することができる。第１下降ランプ信号及びフリーサステイン信号によって、リセット期間で供給される第１上昇ランプ信号及び第２上昇ランプ信号の最高電圧が小さくなっても、十分な強さのセットアップ放電が発生することができる。
【００４４】
フリーリセット期間を、フレームを構成する複数個のサブフィールドの内、少なくとも一つに含むことができる。また、フリーリセット期間は、フレームを構成するすべてのサブフィールドで省略することもできる。
【００４５】
駆動部１１０は、リセット期間のセットアップ期間からスキャン電極でＶ２０電圧からＶ３０電圧まで漸進的に上昇する第１上昇ランプ信号と、Ｖ３０電圧からＶ４０電圧まで漸進的に上昇する第２上昇ランプ信号を供給する。第１上昇ランプ信号と第２上昇ランプ信号によって、放電セル内には弱い暗放電、すなわちセットアップ放電が起きる。第２上昇ランプ信号の傾きは、第１上昇ランプ信号の傾きより小さくてもよい。セットアップ放電が発生する前までは電圧が早く上昇し、セットアップ放電が発生している間は電圧が遅く上昇することで、セットアップ放電によって発生する光の量を低減させることができる。これによって、コントラスト（Ｃｏｎｔｒａｓｔ）特性が改善される。
【００４６】
リセット期間のセッダウン（Ｓｅｔ−Ｄｏｗｎ）期間において、駆動部１１０はＶ２０電圧からＶ５０電圧まで漸進的に立ち下がる第２下降ランプ信号をスキャン電極に供給する。
【００４７】
これによって、放電セル内で弱い消去放電、すなわちセッダウン放電が発生する。セッダウン放電によって放電セル内には壁電荷が均一に残る。
【００４８】
一方、駆動部１１０は、図４の第１上昇ランプ信号、第２上昇ランプ信号または第２下降ランプ信号と異なる信号を供給することができるが、これについては、添付された図５（ａ）乃至図５（ｂ）を参照して説明する。
【００４９】
図５（ａ）乃至図５（ｂ）は、上昇ランプ信号または第２下降ランプ信号の他の波形を示す図である。
【００５０】
図５（ａ）に示されるように、上昇ランプ信号はＶ３０電圧まで上昇した後、Ｖ３０電圧からＶ４０電圧まで漸進的に上昇することができる。また図５（ｂ）に示されるように、第２下降ランプ信号はＶ３０電圧から漸進的に立ち下がることもできる。
【００５１】
再び図４を参照すると、図４のアドレス期間において、駆動部１１０はスキャンバイアス信号をスキャン電極に供給する。スキャンバイアス信号の最高電圧は第２下降ランプ信号のＶ５０電圧より高くてもよい。
【００５２】
駆動部１１０は、スキャンバイアス信号からＶ６０電圧まで立ち下がるスキャン信号（Ｓｃａｎ）をすべてのスキャン電極（Ｙ１〜Ｙｎ）に供給する。スキャンバイアス信号の最高電圧とＶ６０電圧の間の電圧差はΔＶｙである。
【００５３】
駆動部１１０は、スキャン信号（Ｓｃａｎ）に同期してアドレス電極にＶｄ電圧まで上昇するデータ信号を供給する。スキャン信号（Ｓｃａｎ）とデータ信号（Ｄａｔａ）信号が供給されるによって、Ｖ６０電圧とＶｄ電圧の間の電圧差とリセット期間に生成された璧電荷による壁電圧が加わりながらＶｄ電圧が供給される放電セル内でアドレス放電が発生する。
【００５４】
駆動部１１０は、アドレス期間においてサステイン電極の干渉によってアドレス放電が不安定になることを防止するために、サステイン電極にサステインバイアス信号を供給することができる。サステインバイアス信号の最高電圧（Ｖｚ）を第１サステイン信号（ＳＵＳ）の最高電圧より小さく、グランドレベル（ＧＮＤ）の電圧より大きくすることができる。
【００５５】
以後、駆動部１１０は、サステイン期間ではスキャン電極またはサステイン電極に交互に第１極性の第１サステイン信号（ＳＵＳ）を供給する。第１サステイン信号（ＳＵＳ）の最高電圧はＶｓ電圧である。また、駆動部１１０は、第１サステイン信号（ＳＵＳ）が供給される信号供給期間の少なくとも一部期間において第２極性の第２サステイン信号（ＲＳＵＳ）を供給する。
【００５６】
第１サステイン信号（ＳＵＳ）及び第２サステイン信号（ＲＳＵＳ）が供給されれば、アドレス放電によって選択された放電セルは、放電セル内の壁電圧、第１サステイン信号（ＳＵＳ）の最高電圧（Ｖｓ）及び第２サステイン信号（ＲＳＵＳ）の最低電圧（ＶＲＳ）によってスキャン電極とサステイン電極の間にサステイン放電が起きる。これによって、プラズマディスプレイパネル上に所定の映像が具現されるのである。第２サステイン信号（ＲＳＵＳ）の上昇勾配の大きさ及び下降勾配の大きさは、それぞれ第１サステイン信号（ＳＵＳ）の上昇勾配の大きさ及び下降勾配大きさより小さい。
【００５７】
第１サステイン信号（ＳＵＳ）と第２サステイン信号（ＲＳＵＳ）について、図面を参照してより詳しく説明する。
【００５８】
図６は、第１サステイン信号及び第２サステイン信号を示す図である。図６に示されるように、図１の駆動部１１０は、サステイン期間にスキャン電極に第１サステイン信号（ＳＵＳ１）を供給し、サステイン電極に第２サステイン信号（ＲＳＵＳ１）を供給する。第１サステイン信号（ＳＵＳ１）がスキャン電極に供給される信号供給期間（Ｗ１）の一部期間（Ｗ２）において、第２サステイン信号（ＲＳＵＳ１）が供給される。
【００５９】
以後、駆動部１１０は、サステイン電極に第１サステイン信号（ＳＵＳ２）を供給し、スキャン電極に第２サステイン信号（ＲＳＵＳ２）を供給する。第１サステイン信号（ＳＵＳ２）がサステイン電極に供給される信号供給期間（Ｗ１）の一部期間（Ｗ２）において、第２サステイン信号（ＲＳＵＳ２）がスキャン電極に供給される。
【００６０】
第２サステイン信号（ＲＳＵＳ１、ＲＳＵＳ２）の供給時点（ｔ２、ｔ４）は、それぞれ第１サステイン信号（ＳＵＳ１、ＳＵＳ２）の供給時点（ｔ１、ｔ３）より遅れてもよい。
【００６１】
第２サステイン信号（ＲＳＵＳ１、ＲＳＵＳ２）の上昇勾配及び下降勾配の大きさは、それぞれ第１サステイン信号（ＳＵＳ１、ＳＵＳ２）の上昇勾配及び下降勾配の大きさより小さい。
【００６２】
第２サステイン信号（ＲＳＵＳ１、ＲＳＵＳ２）の上昇勾配及び下降勾配は、第２サステイン信号（ＲＳＵＳ１、ＲＳＵＳ２）の最低電圧（−Ｖ１）から最高電圧まで上昇する、または、最高電圧から最低電圧（−Ｖ１）まで立ち下がるのにかかる時間に対する、第２サステイン信号（ＲＳＵＳ１、ＲＳＵＳ２）の最低電圧と最高電圧（Ｖｓ）の電圧差の勾配である。また、第１サステイン信号（ＳＵＳ１、ＳＵＳ２）の上昇勾配及び下降勾配は、第１サステイン信号（ＳＵＳ１、ＳＵＳ２）の最低電圧から最高電圧（Ｖｓ）まで上昇する、又は、最高電圧（Ｖｓ）から最低電圧まで立ち下がるのにかかる時間に対する、第１サステイン信号（ＳＵＳ１、ＳＵＳ２）の最低電圧と最高電圧（Ｖｓ）の電圧差の勾配である。
【００６３】
次に、本発明の一実施形態で第１サステイン信号及び第２サステイン信号を供給する理由について、図面を参照して詳しく説明する。
【００６４】
図７（ａ）は第１サステイン信号だけ供給される場合を示す図であり、図７（b）は第１サステイン信号及び第２サステイン信号を同時に供給する場合を示す図である。
【００６５】
図７（ａ）に示されるように、第１サステイン信号（ＳＵＳ１、ＳＵＳ２）がスキャン電極及びサステイン電極に交番されるように供給される場合、第１サステイン信号（ＳＵＳ１）がスキャン電極に供給される時点の付近で光が発生し、第１サステイン信号（ＳＵＳ２）がサステイン電極に供給される時点の付近で光が発生する。
【００６６】
図７（ｂ）に示されるように、スキャン電極に第１サステイン信号（ＳＵＳ１）と第２サステイン信号（ＲＳＵＳ２）が供給されて、サステイン電極に第２サステイン信号（ＲＳＵＳ１）と第１サステイン信号（ＳＵＳ２）が供給される。
【００６７】
第１サステイン信号（ＳＵＳ１）がスキャン電極に供給される時点の付近で光が発生し、第１サステイン信号（ＳＵＳ１）によって発生した放電がサステイン電極に供給された第２サステイン信号（ＲＳＵＳ１）によって維持されるので、第２サステイン信号（ＲＳＵＳ１）が供給されている間にも光が発生する。
【００６８】
第２サステイン信号（ＲＳＵＳ１）の下降勾配の大きさが、第１サステイン信号（ＳＵＳ１）の上昇勾配の大きさより大きい場合、第２サステイン信号（ＲＳＵＳ１）が供給される時点で過度に大きい放電が発生するので、放電維持に必要な壁電荷（Ｗａｌｌ ｃｈａｒｇｅ）が減少する可能性がある。このような可能性を防止するために、本発明の一実施形態では、第２サステイン信号（ＲＳＵＳ１）の下降勾配の大きさが第１サステイン信号（ＳＵＳ１）の上昇勾配の大きさより小さくなければならない。
【００６９】
また、第１サステイン信号（ＳＵＳ１）がサステイン電極に供給される時点の付近で光が発生して、第１サステイン信号（ＳＵＳ１）によって発生した放電がスキャン電極に供給された第２サステイン信号（ＲＳＵＳ２）によって維持されるので、第２サステイン信号（ＲＳＵＳ２）が供給されている間にも光が発生する。これによって、全体的に発生する光の量が増加するので、駆動効率が向上する。
【００７０】
一方、図６の第１サステイン信号（ＳＵＳ１、ＳＵＳ２）によって発生する放電が第２サステイン信号（ＲＳＵＳ１、ＲＳＵＳ２）によってさらに効果的に維持されるためには、第２サステイン信号（ＲＳＵＳ１、ＲＳＵＳ２）の供給時点（ｔ２、ｔ４）は、それぞれ第１サステイン信号（ＳＵＳ１、ＳＵＳ２）によって発生する放電が充分に持続した時点以後であることができる。
【００７１】
したがって、第２サステイン信号（ＲＳＵＳ１、ＲＳＵＳ２）の供給時点（ｔ２、ｔ４）は、それぞれ第１サステイン信号（ＳＵＳ１、ＳＵＳ２）の供給時点（ｔ１、ｔ３）より遅れてもよい。
【００７２】
第２サステイン信号（ＲＳＵＳ１、ＲＳＵＳ２）の供給時点（ｔ２、ｔ４）と、第１サステイン信号（ＳＵＳ１、ＳＵＳ２）の供給時点（ｔ１、ｔ３）の時間差(Δt)は、５０μｓ以上であってもよい。
さらに望ましくは、第２サステイン信号（ＲＳＵＳ１、ＲＳＵＳ２）の供給時点（ｔ２、ｔ４）と、第１サステイン信号（ＳＵＳ１、ＳＵＳ２）の供給時点（ｔ１、ｔ３）の時間差（Δｔ）は、１００μｓ以上であってもよい。
【００７３】
一方、第１サステイン信号（ＳＵＳ１、ＳＵＳ２）が供給されている間に、第２サステイン信号（ＲＳＵＳ１、ＲＳＵＳ２）が供給されるので、第１サステイン信号（ＳＵＳ１、ＳＵＳ２）の最高電圧の大きさを低減させることができる。例えば、第２サステイン信号（ＲＳＵＳ１、ＲＳＵＳ２）が供給されず、第１サステイン信号（ＳＵＳ１、ＳＵＳ２）の最高電圧が２００Ｖである場合を想定すれば、第２サステイン信号（ＲＳＵＳ１、ＲＳＵＳ２）が供給される場合には、第１サステイン信号（ＳＵＳ１、ＳＵＳ２）の最高電圧が２００Ｖよりさらに小さくなることができる。
【００７４】
第１サステイン信号（ＳＵＳ１、ＳＵＳ２）の最高電圧（Ｖｓ）は略１２０Ｖ以上１８０Ｖ以下であってもよく、第２サステイン信号（ＲＳＵＳ１、ＲＳＵＳ２）の最低電圧（−Ｖ１）は略−６０Ｖ以上−４０Ｖ以下であってもよい。
【００７５】
第２サステイン信号（ＲＳＵＳ１、ＲＳＵＳ２）の最低電圧（−Ｖ１）の大きさは、図４のデータ信号の最高電圧（Ｖｄ）の大きさと実質的に同じであってもよい。これによって、第２サステイン信号（ＲＳＵＳ１、ＲＳＵＳ２）の最低電圧を発生させるための電圧発生回路を別途備える必要がないので、追加的な製造費用の増加を防止することができる。
【００７６】
また、第１サステイン信号（ＳＵＳ１、ＳＵＳ２）が供給されて第２サステイン信号（ＲＳＵＳ１、ＲＳＵＳ２）が供給されれば、サステイン期間においてスキャン電極とサステイン電極の電圧差が増加するので、スキャン電極とアドレス電極、または、サステイン電極とアドレス電極の間で発生する可能性のある誤放電が防止される。これによって、スキャン電極とサステイン電極間の間隔が大きい場合にも、サステイン期間においてスキャン電極とアドレス電極、または、サステイン電極とアドレス電極間に発生する可能性のある誤放電が防止される。
【００７７】
図８は第２サステイン信号の傾きを説明するための図である。図８に示されるように、本発明の一実施形態では、第２サステイン信号（ＲＳＵＳ）の上昇勾配の大きさと下降勾配の大きさが互いに異なってもよい。例えば、第２サステイン信号（ＲＳＵＳ）の上昇勾配の大きさは、下降傾きよりもさらに小さくてもよい。
【００７８】
また、駆動部１１０は、第２サステイン信号を図９に示すように選択的に供給することもできる。
【００７９】
図９は、本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置の駆動部が選択的に供給する第２サステイン信号を示す図である。
【００８０】
図９に示されるように、駆動部１１０はスキャン電極及びサステイン電極に第１サステイン信号（ＳＵＳＹ１、ＳＵＳＹ２、ＳＵＳＺ１、ＳＵＳＺ２）と第３サステイン信号（ＳＵＳＹ３、ＳＵＳＹ４、ＳＵＳＺ３、ＳＵＳＺ４）を供給する。
【００８１】
この時、駆動部１１０は、第１サステイン信号（ＳＵＳＹ１、ＳＵＳＹ２）にだけ対応する第２サステイン信号（ＲＳＵＳＺ１、ＲＳＵＳＺ２）をサステイン電極に供給して、第３サステイン信号（ＳＵＳＹ３、ＳＵＳＹ４）に対応するグランドレベルの電圧をサステイン電極に供給する。また、駆動部１１０は、第１サステイン信号（ＳＵＳＺ１、ＳＵＳＺ２）にだけ対応される第２サステイン信号（ＲＳＵＳＹ１、ＲＳＵＳＹ２）をスキャン電極に供給して、第３サステイン信号（ＳＵＳＺ３、ＳＵＳＺ４）に対応するグランドレベルの電圧をスキャン電極に供給する。
【００８２】
駆動部１１０は、サブフィールドにおいて第２サステイン信号を選択的に供給することができる。
【００８３】
図１０は、本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置の駆動部１１０がサブフィールドにおいて選択的に供給する第２サステイン信号を示す図である。
【００８４】
図１０に示されるように、一つのフレームが合計７個のサブフィールドで構成され、各サブフィールドが階調加重値の大きさ順に配列されると仮定する。
【００８５】
階調加重値が一番小さな第１サブフィールド（ＳＦ１）から駆動部１１０は、図１０の（ａ）に示すように、スキャン電極に第１サステイン信号（ＳＵＳ１）を供給し、サステイン電極に第２サステイン信号（ＲＳＵＳ１）を供給する。また、駆動部１１０は、サステイン電極に第１サステイン信号（ＳＵＳ２）を供給し、スキャン電極に第２サステイン信号（ＲＳＵＳ２）を供給する。一方、第１サブフィールド（ＳＦ１）の階調加重値より大きい階調加重値を有する第６サブフィールド（ＳＦ６）から駆動部１１０は、第３サステイン信号（ＳＵＳ３、ＳＵＳ４）に対応するグランドレベルの電圧を供給する。第１サブフィールド（ＳＦ１）の階調加重値が第６サブフィールド（ＳＦ６）の階調加重値より小さいので、第１サブフィールド（ＳＦ１）のサステイン期間に供給される前記第１サステイン信号（ＳＵＳ１、ＳＵＳ２）の個数は、第６サブフィールド（ＳＦ６）のサステイン期間に供給される第３サステインパルス（ＳＵＳ３、ＳＵＳ４）の個数より少ない。
【００８６】
図１１は、本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置の駆動部を示す回路図である。図１１に示されるように、本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置の駆動部は、第１エネルギー回収部１１００、第１共振部１１１０、第１電圧供給部１１２０、第２エネルギー回収部１１４０、第２共振部１１５０、接地制御部１１７０及び経路形成部１１３０を含む。
【００８７】
ここで、第１エネルギー回収部１１００は、第１サステイン信号（ＳＵＳ）の供給時に、スキャン電極またはサステイン電極の電圧を回収するか、または、あらかじめ貯蔵された電圧を供給する。第１エネルギー回収部１１００は、第１電圧貯蔵部１１０１、第１供給部１１０２及び第１電圧回収部１１０３を含む。
【００８８】
ここで、第１電圧貯蔵部１１０１は、所定電圧にあたるエネルギーを貯蔵する第１キャパシタ部(Ｃ１）を含む。
【００８９】
第１供給部１１０２は、第１制御用スイッチ部（Ｓ１）を含み、第１制御用スイッチ部（Ｓ１）のターンオンによって、第１電圧貯蔵部１１０１に貯蔵されたエネルギーがプラズマディスプレイパネルのスキャン電極またはサステイン電極に供給されるようにする。
【００９０】
第１電圧回収部１１０３は、第２制御用スイッチ部（Ｓ２）を含み、第２制御用スイッチ部（Ｓ２）のターンオンによって、プラズマディスプレイパネルのスキャン電極またはサステイン電極のエネルギーが第１電圧貯蔵部１１０１に回収されるようにする。
【００９１】
第２エネルギー回収部１１４０は、第２サステイン信号（ＲＳＵＳ）の供給時に、スキャン電極またはサステイン電極からエネルギーを回収するか、または、あらかじめ貯蔵されたエネルギーを供給する。第２エネルギー回収部１１４０は、第２電圧貯蔵部１１４１、第２供給部１１４２及び第２電圧回収部１１４３を含む。
【００９２】
第２電圧貯蔵部１１４１は、所定電圧にあたるエネルギーを貯蔵する第２キャパシタ部（Ｃ２）を含む。
【００９３】
第２供給部１１４２は、第１０制御用スイッチ部（Ｓ１０）を含み、第１０制御用スイッチ部（Ｓ１０）のターンオンによって、第２電圧貯蔵部１１４１に貯蔵された電圧がプラズマディスプレイパネルのスキャン電極またはサステイン電極に供給されるようにする。
【００９４】
第２電圧回収部１１４３は、第２０制御用スイッチ部（Ｓ２０）を含み、第２０制御用スイッチ部（Ｓ２０）のターンオンによって、プラズマディスプレイパネルのスキャン電極またはサステイン電極からエネルギーが第２電圧貯蔵部１１４１に回収されるようにする。
【００９５】
第１共振部１１１０は、第１共振用インダクタ部（Ｌ１）を含み、エネルギーの供給または回収時に共振を形成する。第２共振部１１５０は、第２共振用インダクタ部（Ｌ２）を含み、エネルギーの供給または回収時に共振を形成する。
【００９６】
第２共振部１１５０のインダクタンス（Ｉｎｄｕｃｔａｎｃｅ）を、第１共振部１１１０のインダクタンスより大きくすることができる。第２共振部１１５０のインダクタンス（Ｉｎｄｕｃｔａｎｃｅ）が第１共振部１１１０のインダクタンスより大きければ、第２サステイン信号（ＲＳＵＳ）の勾配の大きさが第１サステイン信号（ＳＵＳ）の勾配の大きさよりさらに小さくなる。
【００９７】
図１１には示さなかったが、第２共振部１１５０に電圧回収経路と該電圧供給経路上に互いに異なるインダクタンスを有するインダクタ部を配置すれば、図８に示すように、第２サステイン信号（ＲＳＵＳ）の下降勾配の大きさと上昇勾配の大きさが互いに変化する。電圧回収経路でのインダクタンスがさらに大きくなれば、第２サステイン信号（ＲＳＵＳ）の上昇勾配の大きさが下降勾配の大きさよりさらに小さくなる。
【００９８】
第１電圧供給部１１２０は、第３制御用スイッチ部（Ｓ３）を含み、第３制御用スイッチ部（Ｓ３）のターンオンによって、第１サステイン電圧源（図示せず）が発生させる第１サステイン電圧（Ｖｓ）がスキャン電極またはサステイン電極に供給されるようにする。
【００９９】
接地制御部１１７０は、プラズマディスプレイパネルのスキャン電極またはサステイン電極を接地させる。接地制御部１１７０は、接地経路形成用ダイオード部（Ｄ１）と、第４０制御用スイッチ部（Ｓ４０）を含む。第４０制御用スイッチ部（Ｓ４０）は、接地経路形成用ダイオード部（Ｄ１）と並列に接続される。
【０１００】
経路形成部１１３０は、第４制御用スイッチ部（Ｓ４）を含み、第４制御用スイッチ部（Ｓ４）のターンオンによって、第２サステイン信号（ＲＳＵＳ）の供給経路及びスキャン電極またはサステイン電極の接地経路を形成する。
【０１０１】
図１の駆動部１１０は、第２電圧供給部１１６０をさらに含むことができる。第２電圧供給部１１６０は、第３０制御用スイッチ部（Ｓ３０）を含み、第３０制御用スイッチ部（Ｓ３０）のターンオンによって、プラズマディスプレイパネルのスキャン電極またはサステイン電極に第２サステイン電圧（−ＶＲＳ）を供給する。第２電圧供給部１１６０は省略可能である。
【０１０２】
図１２は、本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置の駆動部の動作を説明するための図である。
【０１０３】
ｄ１期間において、第１供給部１１０２の第１制御用スイッチ部（Ｓ１）と接地制御部１１７０の第４０制御用スイッチ部（Ｓ４０）がターンオン（Ｏｎ）し、第２制御用スイッチ部（Ｓ２）、第３制御用スイッチ部（Ｓ３）、第４制御用スイッチ部（Ｓ４）、第１０制御用スイッチ部（Ｓ１０）、第２０制御用スイッチ部（Ｓ２０）、及び、第３０制御用スイッチ部（Ｓ３０）はターンオフする。
【０１０４】
このとき、第１電圧貯蔵部１１０１、第１ノード（ｎ１）、第１供給部１１０２、第２ノード（ｎ２）、第１共振部１１１０、第３ノード（ｎ３）を経由する電流パス（Ｐａｔｈ）が形成される。これによって、第１共振用インダクタ部（Ｌ１）によるＬＣ共振が形成されて、第１電圧貯蔵部１１０１に貯蔵されていたエネルギーがスキャン電極またはサステイン電極に供給される。
【０１０５】
第１電圧貯蔵部１１０１に０．５Ｖｓにあたるエネルギーが貯蔵されている場合、ｄ１期間中にスキャン電極またはサステイン電極の電圧が第１サステイン電圧（Ｖｓ）まで上昇する。
【０１０６】
第４０制御用スイッチ部（Ｓ４０）のターンオンによって負極性のピーク（Ｐｅａｋｉｎｇ）電圧成分が除去される。第４０制御用スイッチ部（Ｓ４０）は第２サステイン信号（ＲＳＵＳ）が供給されない期間においてターンオン状態を維持することで、負極性のピーク（Ｐｅａｋｉｎｇ）電圧成分を除去することができる。
【０１０７】
ｄ２期間においては、第３制御用スイッチ部（Ｓ３）がターンオンされる。これによって、第１サステイン電圧（Ｖｓ）が第３ノード（ｎ３）を経て、スキャン電極またはサステイン電極に供給される。これによって、スキャン電極またはサステイン電極の電圧はサステイン電圧（Ｖｓ）に維持される。
【０１０８】
ｄ３期間においては、第３制御用スイッチ部（Ｓ３）と第１制御用スイッチ部（Ｓ１）がターンオフされた状態で、第２制御用スイッチ部（Ｓ２）がターンオンされる。
【０１０９】
このとき、スキャン電極またはサステイン電極、第３ノード（ｎ３）、第１共振部１１１０、第２ノード（ｎ２）、第１電圧回収部１１０３、第１ノード(ｎ１)、第１電圧貯蔵部１１０１を経由する電流パスが形成される。これによって、第１共振部１１１０によってＬＣ共振が形成されて、エネルギーが第１電圧貯蔵部１１０１に回収される。スキャン電極またはサステイン電極の電圧は、第１サステイン電圧（Ｖｓ）からグランドレベルの電圧（ＧＮＤ）まで立ち下がる。
【０１１０】
ｄ４期間以後においては、第４制御用スイッチ部（Ｓ４）がターンオンされる。第２制御用スイッチ部（Ｓ２）のターンオン状態を維持することも、第２制御用スイッチ部（Ｓ２）をターンオフすることも可能である。
【０１１１】
グランドレベルの電圧（ＧＮＤ）がスキャン電極またはサステイン電極に供給される。これによって、スキャン電極またはサステイン電極の電圧は、グランドレベル（ＧＮＤ）に維持される。
【０１１２】
このような方法を通じて、スキャン電極またはサステイン電極に第１サステイン信号（ＳＵＳ）が供給される。
【０１１３】
ｄ５期間においては、第１０制御用スイッチ部（Ｓ１０）がターンオンされて、第４０制御用スイッチ部（Ｓ４０）がターンオフされる。
【０１１４】
これによって、スキャン電極またはサステイン電極、第３ノード（ｎ３）、経路形成部１１３０、第６ノード（ｎ６）、第２共振部１１５０、第５ノード（ｎ５）、第２供給部１１４２、第４ノード（ｎ４）、第２電圧貯蔵部１１４１を経由する電流パスが形成される。
【０１１５】
第２共振用インダクタ部（Ｌ２）によってＬＣ共振が形成されて、第２電圧貯蔵部１１４１に貯蔵されていたエネルギーがスキャン電極またはサステイン電極に供給される。第２電圧貯蔵部１１４１は負の電圧にあたるエネルギーを貯蔵するので、スキャン電極またはサステイン電極の電圧は漸進的に立ち下がる。
【０１１６】
ｄ６期間において、第３０制御用スイッチ部（Ｓ３０）がターンオンされる。第２サステイン電圧（−ＶＲＳ）が第６ノード（ｎ６）、経路形成部１１３０、及び、第３ノード（ｎ３）を経て、スキャン電極またはサステイン電極に供給される。
【０１１７】
ｄ７期間においては、第１０制御用スイッチ部（Ｓ１０）と第３０制御用スイッチ部（Ｓ３０）がターンオフされて、第２０制御用スイッチ部（Ｓ２０）がターンオンされる。
【０１１８】
これによって、第２電圧貯蔵部１１４１、第４ノード（ｎ４）、第２電圧回収部１１４３、第５ノード（ｎ５）、第２共振部１１５０、第６ノード（ｎ６）、経路形成部１１３０、第３ノード（ｎ３）、スキャン電極またはサステイン電極を経由する電流パスが形成される。
【０１１９】
第２共振用インダクタ部（Ｌ２）によってＬＣ共振が形成されて、スキャン電極またはサステイン電極からエネルギーが第２電圧貯蔵部１１４１に回収される。第２電圧貯蔵部１１４１に負の電圧を回収するので、スキャン電極またはサステイン電極の電圧は漸進的に上昇する。
【０１２０】
このような方法により、スキャン電極またはサステイン電極に第２サステイン信号（ＲＳＵＳ）を供給することができる。
【０１２１】
図１の駆動部１１０は、一つの電極に極性が交互する第１サステイン信号を供給して、他の一つの電極に極性が交互する第２サステイン信号を供給することができる。
【０１２２】
図１３は、本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置の駆動部１１０が、極性が交互するように供給される第１サステイン信号及び第２サステイン信号を説明するための図である。
【０１２３】
図１３に示されるように、駆動部１１０は、スキャン電極に正の第１サステイン信号（＋ＳＵＳ１、＋ＳＵＳ２）と負の第１サステイン信号（−ＳＵＳ１、−ＳＵＳ２）を交互に供給する。また、駆動部１１０は、サステイン電極に負の第２サステイン信号（−ＲＳＵＳ１、−ＲＳＵＳ２）と正の第２サステイン信号（＋ＲＳＵＳ１、＋ＲＳＵＳ２）を相互に供給する。
【０１２４】
正の第１サステイン信号（＋ＳＵＳ１、＋ＳＵＳ２）の最高電圧の大きさと負の第１サステイン信号（−ＳＵＳ１、−ＳＵＳ２）の最低電圧の大きさは、図４に示す第１サステイン信号の最高電圧の大きさのようにＶｓであるので、サステイン放電が起きる。サステイン放電は、負の第２サステイン信号（−ＲＳＵＳ１、−ＲＳＵＳ２）と正の第２サステイン信号（＋ＲＳＵＳ１、＋ＲＳＵＳ２）によって維持される。
【０１２５】
第２サステイン信号の上昇勾配の大きさ及び下降勾配の大きさは、それぞれ第１サステイン信号の上昇勾配の大きさ及び下降勾配大きさより小さい。
【０１２６】
負の第１サステイン信号（−ＳＵＳ１、−ＳＵＳ２）の最低電圧は−１８０Ｖ以上−１２０Ｖ以下であってもよい。また、正の第２サステイン信号（＋ＲＳＵＳ１、＋ＲＳＵＳ２）の最高電圧は４０Ｖ以上６０Ｖ以下であってもよい。正の第２サステイン信号（＋ＲＳＵＳ１、＋ＲＳＵＳ２）の最高電圧の大きさは、図４のデータ信号の最高電圧（Ｖｄ）の大きさと実質的に同じであってもよい。なお、負の第１サステイン信号（−ＳＵＳ１、−ＳＵＳ２）の最低電圧及び正の第２サステイン信号（＋ＲＳＵＳ１、＋ＲＳＵＳ２）の最高電圧に関する説明は、上述の通り図６を参照して既に説明しているので、ここでは説明を省略する。
【図面の簡単な説明】
【０１２７】
【図１】本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置を示す図。
【図２】本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置に含まれるプラズマディスプレイパネルを示す図。
【図３】本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置の階調表現方法を示す図。
【図４】本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置の駆動信号を示す図。
【図５】上昇ランプ信号または第２下降ランプ信号の他の波形を示す図（ａ）及び（ｂ）。
【図６】第１サステイン信号及び第２サステイン信号を示す図。
【図７】第１サステイン信号だけが供給される場合を示す図（ａ）と、第１サステイン信号及び第２サステイン信号を同時に供給する場合を示す図（ｂ）。
【図８】第２サステイン信号の傾きを説明するための図。
【図９】本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置の駆動部が選択的に供給する第２サステイン信号を示す図。
【図１０】本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置の駆動部がサブフィールドにおいて選択的に供給する第２サステイン信号を示す図。
【図１１】本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置の駆動部を示す図。
【図１２】本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置の駆動部の動作を説明するための図。
【図１３】本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置の駆動部が極性が交番されるように供給する第１サステイン信号及び第２サステイン信号を説明するための図。
【技術分野】
【０００１】
本発明はプラズマディスプレイ装置（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ａｐｐａｒａｔｕｓ）及びプラズマディスプレイ装置の駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイ装置は、電極が形成されたプラズマディスプレイパネルと、プラズマディスプレイパネルの電極に所定の駆動信号を供給する駆動部を含む。
【０００３】
一般的に、プラズマディスプレイパネルには隔壁に区画された放電セル（Ｃｅｌｌ）内に蛍光体層が形成されて、同時に複数の電極（Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）が形成される。そして駆動部は電極を通じて放電セルに駆動信号を供給する。
【０００４】
放電セル内では供給される駆動信号によって放電が発生する。放電セル内で駆動信号によって放電が発生する時、放電セル内に充填されている放電ガスが真空紫外線（Ｖａｃｕｕｍ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ Ｒａｙｓ）を発生して、真空紫外線が放電セル内に形成された蛍光体を発光させて可視光を発生させる。可視光によってプラズマディスプレイパネルの画面上に映像が表示される。
【０００５】
プラズマディスプレイ装置の駆動部は映像を表示するために、リセット期間、アドレス期間及びサステイン期間ごとに駆動信号をプラズマディスプレイパネルの電極に供給する。
【０００６】
リセット期間は、放電セルの電極上に形成された電荷を均一にさせるための期間で、アドレス期間は全体の放電セルの内、光を放出する放電セルを選択するための期間である。また、サステイン期間はアドレス期間で選択された放電セルで光が放出される期間である。
【０００７】
サステイン期間において、駆動部はサステイン信号を放電セルに供給して、サステイン放電によって選択された放電セルから光が放出されるようにする。サステイン放電によって映像が表示されるので、サステイン放電の効率を向上させることが必要である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、サステイン信号を改善して駆動効率を向上させるためのプラズマディスプレイ装置及びプラズマディスプレイ装置の駆動方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
第１発明に係るプラズマディスプレイ装置は、第１電極及び第２電極を含むプラズマディスプレイパネル、及び、信号供給期間において第１極性の第１サステイン信号を前記第１電極に供給し、前記信号供給期間の内、少なくとも一部期間において第２極性の第２サステイン信号を前記第２電極に供給する駆動部を含み、前記第２サステイン信号の上昇勾配の大きさ及び下降勾配の大きさは、それぞれ（ｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅｌｙ）前記第１サステイン信号の上昇勾配の大きさ及び下降勾配大きさより小さいことを特徴とする。
【００１０】
第２発明に係るプラズマディスプレイ装置は、第１発明に係るプラズマディスプレイ装置において、前記第２サステイン信号の幅が、前記第１サステイン信号の幅より小さいことを特徴とする。
【００１１】
第３発明に係るプラズマディスプレイ装置は、第１発明に係るプラズマディスプレイ装置において、前記第２サステイン信号の供給時点は、前記第１サステイン信号の供給時点より５０μｓ以上遅れることを特徴とする。
【００１２】
第４発明に係るプラズマディスプレイ装置は、第３発明に係るプラズマディスプレイ装置において、前記第２サステイン信号の供給時点は、前記第１サステイン信号の供給時点より１００μｓ以上遅れることを特徴とする。
【００１３】
第５発明に係るプラズマディスプレイ装置は、第１発明に係るプラズマディスプレイ装置において、前記第１サステイン信号の最高電圧が１２０Ｖ以上１８０Ｖ以下であることを特徴とする。
【００１４】
第６発明に係るプラズマディスプレイ装置は、第１発明に係るプラズマディスプレイ装置において、前記第２サステイン信号の最高電圧が４０Ｖ以上６０Ｖ以下であることと特徴とする。
【００１５】
第７発明に係るプラズマディスプレイ装置は、第１発明に係るプラズマディスプレイ装置において、前記第２サステイン信号の上昇勾配の大きさと下降勾配の大きさが互いに異なることを特徴とする。
【００１６】
第８発明に係るプラズマディスプレイ装置は、第７発明に係るプラズマディスプレイにおいて、前記上昇勾配の大きさが前記下降勾配の大きさより小さいことを特徴とする。
【００１７】
第９発明に係るプラズマディスプレイ装置は、第１発明に係るプラズマディスプレイ装置において、データ信号を供給する第３電極をさらに含み、前記第２サステイン信号の最低電圧の大きさが前記データ信号の最高電圧の大きさと実質的に同じであることを特徴とする。
【００１８】
第１０発明に係るプラズマディスプレイ装置は、第１発明に係るプラズマディスプレイ装置において、前記駆動部はフレームに含まれる第１サブフィールドにおいて前記第１サステイン信号と前記第２サステイン信号を供給し、前記フレームに含まれる第２サブフィールドにおいて前記第１極性の第３サステイン信号を前記第１電極または前記第２電極の何れか一つに供給し、他の電極にグランドレベルの電圧を供給することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、第１極性のサステイン信号と第２極性のサステイン信号を供給して、駆動効率を向上させることができる。また本発明によれば、第１極性のサステイン信号と第２極性のサステイン信号を供給して、誤放電の発生を減少させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明による具体的な実施形態を添付された図面を参照して説明する。
【００２１】
図１は本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイ装置を示す図である。図１に示されるように、本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイ装置は、プラズマディスプレイパネル１００と駆動部１１０を含む。
【００２２】
プラズマディスプレイパネル１００の一実施形態を図２を参照して詳しく説明する。
【００２３】
図２に示されるように、プラズマディスプレイパネル１００は、前面パネル２００と背面パネル２１０を含む。前面パネル２００は、互いに並んでスキャン電極２０２とサステイン電極２０３が形成される前面基板２０１を含む。背面パネル２１０は、スキャン電極２０２及びサステイン電極２０３と交差するアドレス電極２１３が形成された背面基板２１１を含む。なお、以後では、特許請求の範囲において記載された第１電極、第２電極及び第３電極を、それぞれスキャン電極（２０２）、サステイン電極（２０３）及びアドレス電極（２１３）と対応して記載する。
【００２４】
リセット期間、アドレス期間及びサステイン期間のそれぞれにおいて、駆動信号がスキャン電極２０２とサステイン電極２０３に供給されれば、放電セルの璧電荷を均一にさせるためのリセット放電、光を放出する放電セルを選択するためのアドレス放電、及び選択された放電セルで光を発生させるためのサステイン放電が起きる。
【００２５】
上部誘電体層２０４は、スキャン電極２０２とサステイン電極２０３が形成された前面基板２０１の上部に形成されて、スキャン電極２０２とサステイン電極２０３とを絶縁するためのものである。
【００２６】
保護層２０５は、上部誘電体層２０４の上面に形成されて、放電条件を容易にするためのものである。
【００２７】
アドレス電極２１３は、背面基板２１１上に形成されてアドレス期間に放電セルを選択するためのデータ（Ｄａｔａ）信号を供給する。
【００２８】
下部誘電体層２１５はアドレス電極２１３が形成された背面基板２１１の上部に形成されて、アドレス電極２１３を絶縁させる。
【００２９】
隔壁２１２は、下部誘電体層２１５の上部に放電セルを区切るために形成される。隔壁２１２は、ストライプタイプ（Ｓｔｒｉｐｅ Ｔｙｐｅ）、ウェルタイプ（Ｗｅｌｌ Ｔｙｐｅ）、デルタタイプ（Ｄｅｌｔａ Ｔｙｐｅ）、蜂の巣タイプによって形成することができる。隔壁２１２によって区画された放電セル内には、所定の放電ガスが満たされる。
【００３０】
蛍光体層２１４は、可視光を放出するＲ（Ｒｅｄ）、Ｇ（Ｇｒｅｅｎ）、Ｂ（Ｂｌｕｅ）の蛍光体層２１４が形成される。
【００３１】
隔壁２１２による外部光の反射を防止するために隔壁２１２の上部に図示しないブラック層を形成してもよい。
【００３２】
一方、図１の駆動部１１０は、サステイン期間において、第１極性の第１サステイン信号をスキャン電極に供給し、サステイン期間の少なくとも一部期間において第２極性の第２サステイン信号をサステイン電極に供給する。第２サステイン信号の上昇勾配の大きさ及び下降勾配の大きさは、それぞれ第１サステイン信号の上昇勾配の大きさ及び下降勾配大きさより小さい。
【００３３】
図１の駆動部１１０は、一つのボード（Ｂｏａｒｄ）に形成されてもよく、複数個のボードに形成されてもよい。例えば、駆動部１１０は、スキャン電極を駆動させるための回路が形成された駆動ボード、サステイン電極を駆動させるための回路が形成された駆動ボード、及び、アドレス電極を駆動させるための回路が形成された駆動ボードを含んでもよい。
【００３４】
以下、このような駆動部１１０の動作を詳しく説明する。まず、本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置の階調表現方法及び駆動信号について説明する。
【００３５】
図３は本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイ装置の階調表現方法を示す図である。
【００３６】
本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイ装置は、発光回数が異なる複数のサブフィールドを含むフレーム単位で映像を表現する。また、各サブフィールドは、すべての放電セルを初期化させるためのリセット期間（Ｒｅｓｅｔ Ｐｅｒｉｏｄ）、放電する放電セルを選択するためのアドレス期間（Ａｄｄｒｅｓｓ Ｐｅｒｉｏｄ）、及び、放電回数によって階調を具現するサステイン期間（Ｓｕｓｔａｉｎ Ｐｅｒｉｏｄ）に分けられる。
【００３７】
例えば、２５６階調で映像を表示しようとする場合、１／６０秒にあたるフレーム（１６．６７ｍｓ)は、８個のサブフィールド(ＳＦ１乃至ＳＦ８)を含み、８個のサブフィールド(ＳＦ１乃至ＳＦ８)のそれぞれは、リセット期間、アドレス期間及びサステイン期間を含む。
【００３８】
一方、サステイン期間に供給されるサステイン信号の個数によって、該当するサブフィールドの階調加重値が設定される。例えば、各サブフィールドの階調加重値が２ｎ（但し、ｎ＝０、１、２、３、４、５、６、７）の割合で増加するように各サブフィールドの階調加重値を設定することができる。
【００３９】
図３では、一つのフレームが８個のサブフィールドを含む場合のみを説明したが、一つのフレームを構成するサブフィールドの個数を変更することができる。例えば、一つのフレームが１２個のサブフィールドを含むことも可能であり、１０個のサブフィールドを含むことも可能である。
【００４０】
また、図３では、一つのフレームにおいて階調加重値の大きさの順序でサブフィールドが配列されているが、これとは異なるように、階調加重値にかかわらずサブフィールドを配列することも可能である。
【００４１】
図４は、本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置の駆動信号を示す図である。
【００４２】
図１の駆動部１１０は、フリーリセット期間において、スキャン電極にグランドレベルの電圧（ＧＮＤ）からＶ１０電圧まで漸進的に立ち下がる第１下降ランプ信号を供給して、サステイン電極にグランドレベルの電圧（ＧＮＤ）からＶｐｚ電圧まで上昇するフリーサステイン信号を供給する。Ｖｐｚ電圧は、サステイン期間において供給される第１サステイン信号（ＳＵＳ）の最高電圧（Ｖｓ）と略等しくてもよい。
【００４３】
フリーリセット期間でスキャン電極に第１下降ランプ信号が供給されてサステイン電極にフリーサステイン信号が供給されれば、スキャン電極上に正の壁電荷が蓄積され、サステイン電極上には負の壁電荷が蓄積される。これによって、リセット期間で十分な強さのセットアップ放電が発生することができる。第１下降ランプ信号及びフリーサステイン信号によって、リセット期間で供給される第１上昇ランプ信号及び第２上昇ランプ信号の最高電圧が小さくなっても、十分な強さのセットアップ放電が発生することができる。
【００４４】
フリーリセット期間を、フレームを構成する複数個のサブフィールドの内、少なくとも一つに含むことができる。また、フリーリセット期間は、フレームを構成するすべてのサブフィールドで省略することもできる。
【００４５】
駆動部１１０は、リセット期間のセットアップ期間からスキャン電極でＶ２０電圧からＶ３０電圧まで漸進的に上昇する第１上昇ランプ信号と、Ｖ３０電圧からＶ４０電圧まで漸進的に上昇する第２上昇ランプ信号を供給する。第１上昇ランプ信号と第２上昇ランプ信号によって、放電セル内には弱い暗放電、すなわちセットアップ放電が起きる。第２上昇ランプ信号の傾きは、第１上昇ランプ信号の傾きより小さくてもよい。セットアップ放電が発生する前までは電圧が早く上昇し、セットアップ放電が発生している間は電圧が遅く上昇することで、セットアップ放電によって発生する光の量を低減させることができる。これによって、コントラスト（Ｃｏｎｔｒａｓｔ）特性が改善される。
【００４６】
リセット期間のセッダウン（Ｓｅｔ−Ｄｏｗｎ）期間において、駆動部１１０はＶ２０電圧からＶ５０電圧まで漸進的に立ち下がる第２下降ランプ信号をスキャン電極に供給する。
【００４７】
これによって、放電セル内で弱い消去放電、すなわちセッダウン放電が発生する。セッダウン放電によって放電セル内には壁電荷が均一に残る。
【００４８】
一方、駆動部１１０は、図４の第１上昇ランプ信号、第２上昇ランプ信号または第２下降ランプ信号と異なる信号を供給することができるが、これについては、添付された図５（ａ）乃至図５（ｂ）を参照して説明する。
【００４９】
図５（ａ）乃至図５（ｂ）は、上昇ランプ信号または第２下降ランプ信号の他の波形を示す図である。
【００５０】
図５（ａ）に示されるように、上昇ランプ信号はＶ３０電圧まで上昇した後、Ｖ３０電圧からＶ４０電圧まで漸進的に上昇することができる。また図５（ｂ）に示されるように、第２下降ランプ信号はＶ３０電圧から漸進的に立ち下がることもできる。
【００５１】
再び図４を参照すると、図４のアドレス期間において、駆動部１１０はスキャンバイアス信号をスキャン電極に供給する。スキャンバイアス信号の最高電圧は第２下降ランプ信号のＶ５０電圧より高くてもよい。
【００５２】
駆動部１１０は、スキャンバイアス信号からＶ６０電圧まで立ち下がるスキャン信号（Ｓｃａｎ）をすべてのスキャン電極（Ｙ１〜Ｙｎ）に供給する。スキャンバイアス信号の最高電圧とＶ６０電圧の間の電圧差はΔＶｙである。
【００５３】
駆動部１１０は、スキャン信号（Ｓｃａｎ）に同期してアドレス電極にＶｄ電圧まで上昇するデータ信号を供給する。スキャン信号（Ｓｃａｎ）とデータ信号（Ｄａｔａ）信号が供給されるによって、Ｖ６０電圧とＶｄ電圧の間の電圧差とリセット期間に生成された璧電荷による壁電圧が加わりながらＶｄ電圧が供給される放電セル内でアドレス放電が発生する。
【００５４】
駆動部１１０は、アドレス期間においてサステイン電極の干渉によってアドレス放電が不安定になることを防止するために、サステイン電極にサステインバイアス信号を供給することができる。サステインバイアス信号の最高電圧（Ｖｚ）を第１サステイン信号（ＳＵＳ）の最高電圧より小さく、グランドレベル（ＧＮＤ）の電圧より大きくすることができる。
【００５５】
以後、駆動部１１０は、サステイン期間ではスキャン電極またはサステイン電極に交互に第１極性の第１サステイン信号（ＳＵＳ）を供給する。第１サステイン信号（ＳＵＳ）の最高電圧はＶｓ電圧である。また、駆動部１１０は、第１サステイン信号（ＳＵＳ）が供給される信号供給期間の少なくとも一部期間において第２極性の第２サステイン信号（ＲＳＵＳ）を供給する。
【００５６】
第１サステイン信号（ＳＵＳ）及び第２サステイン信号（ＲＳＵＳ）が供給されれば、アドレス放電によって選択された放電セルは、放電セル内の壁電圧、第１サステイン信号（ＳＵＳ）の最高電圧（Ｖｓ）及び第２サステイン信号（ＲＳＵＳ）の最低電圧（ＶＲＳ）によってスキャン電極とサステイン電極の間にサステイン放電が起きる。これによって、プラズマディスプレイパネル上に所定の映像が具現されるのである。第２サステイン信号（ＲＳＵＳ）の上昇勾配の大きさ及び下降勾配の大きさは、それぞれ第１サステイン信号（ＳＵＳ）の上昇勾配の大きさ及び下降勾配大きさより小さい。
【００５７】
第１サステイン信号（ＳＵＳ）と第２サステイン信号（ＲＳＵＳ）について、図面を参照してより詳しく説明する。
【００５８】
図６は、第１サステイン信号及び第２サステイン信号を示す図である。図６に示されるように、図１の駆動部１１０は、サステイン期間にスキャン電極に第１サステイン信号（ＳＵＳ１）を供給し、サステイン電極に第２サステイン信号（ＲＳＵＳ１）を供給する。第１サステイン信号（ＳＵＳ１）がスキャン電極に供給される信号供給期間（Ｗ１）の一部期間（Ｗ２）において、第２サステイン信号（ＲＳＵＳ１）が供給される。
【００５９】
以後、駆動部１１０は、サステイン電極に第１サステイン信号（ＳＵＳ２）を供給し、スキャン電極に第２サステイン信号（ＲＳＵＳ２）を供給する。第１サステイン信号（ＳＵＳ２）がサステイン電極に供給される信号供給期間（Ｗ１）の一部期間（Ｗ２）において、第２サステイン信号（ＲＳＵＳ２）がスキャン電極に供給される。
【００６０】
第２サステイン信号（ＲＳＵＳ１、ＲＳＵＳ２）の供給時点（ｔ２、ｔ４）は、それぞれ第１サステイン信号（ＳＵＳ１、ＳＵＳ２）の供給時点（ｔ１、ｔ３）より遅れてもよい。
【００６１】
第２サステイン信号（ＲＳＵＳ１、ＲＳＵＳ２）の上昇勾配及び下降勾配の大きさは、それぞれ第１サステイン信号（ＳＵＳ１、ＳＵＳ２）の上昇勾配及び下降勾配の大きさより小さい。
【００６２】
第２サステイン信号（ＲＳＵＳ１、ＲＳＵＳ２）の上昇勾配及び下降勾配は、第２サステイン信号（ＲＳＵＳ１、ＲＳＵＳ２）の最低電圧（−Ｖ１）から最高電圧まで上昇する、または、最高電圧から最低電圧（−Ｖ１）まで立ち下がるのにかかる時間に対する、第２サステイン信号（ＲＳＵＳ１、ＲＳＵＳ２）の最低電圧と最高電圧（Ｖｓ）の電圧差の勾配である。また、第１サステイン信号（ＳＵＳ１、ＳＵＳ２）の上昇勾配及び下降勾配は、第１サステイン信号（ＳＵＳ１、ＳＵＳ２）の最低電圧から最高電圧（Ｖｓ）まで上昇する、又は、最高電圧（Ｖｓ）から最低電圧まで立ち下がるのにかかる時間に対する、第１サステイン信号（ＳＵＳ１、ＳＵＳ２）の最低電圧と最高電圧（Ｖｓ）の電圧差の勾配である。
【００６３】
次に、本発明の一実施形態で第１サステイン信号及び第２サステイン信号を供給する理由について、図面を参照して詳しく説明する。
【００６４】
図７（ａ）は第１サステイン信号だけ供給される場合を示す図であり、図７（b）は第１サステイン信号及び第２サステイン信号を同時に供給する場合を示す図である。
【００６５】
図７（ａ）に示されるように、第１サステイン信号（ＳＵＳ１、ＳＵＳ２）がスキャン電極及びサステイン電極に交番されるように供給される場合、第１サステイン信号（ＳＵＳ１）がスキャン電極に供給される時点の付近で光が発生し、第１サステイン信号（ＳＵＳ２）がサステイン電極に供給される時点の付近で光が発生する。
【００６６】
図７（ｂ）に示されるように、スキャン電極に第１サステイン信号（ＳＵＳ１）と第２サステイン信号（ＲＳＵＳ２）が供給されて、サステイン電極に第２サステイン信号（ＲＳＵＳ１）と第１サステイン信号（ＳＵＳ２）が供給される。
【００６７】
第１サステイン信号（ＳＵＳ１）がスキャン電極に供給される時点の付近で光が発生し、第１サステイン信号（ＳＵＳ１）によって発生した放電がサステイン電極に供給された第２サステイン信号（ＲＳＵＳ１）によって維持されるので、第２サステイン信号（ＲＳＵＳ１）が供給されている間にも光が発生する。
【００６８】
第２サステイン信号（ＲＳＵＳ１）の下降勾配の大きさが、第１サステイン信号（ＳＵＳ１）の上昇勾配の大きさより大きい場合、第２サステイン信号（ＲＳＵＳ１）が供給される時点で過度に大きい放電が発生するので、放電維持に必要な壁電荷（Ｗａｌｌ ｃｈａｒｇｅ）が減少する可能性がある。このような可能性を防止するために、本発明の一実施形態では、第２サステイン信号（ＲＳＵＳ１）の下降勾配の大きさが第１サステイン信号（ＳＵＳ１）の上昇勾配の大きさより小さくなければならない。
【００６９】
また、第１サステイン信号（ＳＵＳ１）がサステイン電極に供給される時点の付近で光が発生して、第１サステイン信号（ＳＵＳ１）によって発生した放電がスキャン電極に供給された第２サステイン信号（ＲＳＵＳ２）によって維持されるので、第２サステイン信号（ＲＳＵＳ２）が供給されている間にも光が発生する。これによって、全体的に発生する光の量が増加するので、駆動効率が向上する。
【００７０】
一方、図６の第１サステイン信号（ＳＵＳ１、ＳＵＳ２）によって発生する放電が第２サステイン信号（ＲＳＵＳ１、ＲＳＵＳ２）によってさらに効果的に維持されるためには、第２サステイン信号（ＲＳＵＳ１、ＲＳＵＳ２）の供給時点（ｔ２、ｔ４）は、それぞれ第１サステイン信号（ＳＵＳ１、ＳＵＳ２）によって発生する放電が充分に持続した時点以後であることができる。
【００７１】
したがって、第２サステイン信号（ＲＳＵＳ１、ＲＳＵＳ２）の供給時点（ｔ２、ｔ４）は、それぞれ第１サステイン信号（ＳＵＳ１、ＳＵＳ２）の供給時点（ｔ１、ｔ３）より遅れてもよい。
【００７２】
第２サステイン信号（ＲＳＵＳ１、ＲＳＵＳ２）の供給時点（ｔ２、ｔ４）と、第１サステイン信号（ＳＵＳ１、ＳＵＳ２）の供給時点（ｔ１、ｔ３）の時間差(Δt)は、５０μｓ以上であってもよい。
さらに望ましくは、第２サステイン信号（ＲＳＵＳ１、ＲＳＵＳ２）の供給時点（ｔ２、ｔ４）と、第１サステイン信号（ＳＵＳ１、ＳＵＳ２）の供給時点（ｔ１、ｔ３）の時間差（Δｔ）は、１００μｓ以上であってもよい。
【００７３】
一方、第１サステイン信号（ＳＵＳ１、ＳＵＳ２）が供給されている間に、第２サステイン信号（ＲＳＵＳ１、ＲＳＵＳ２）が供給されるので、第１サステイン信号（ＳＵＳ１、ＳＵＳ２）の最高電圧の大きさを低減させることができる。例えば、第２サステイン信号（ＲＳＵＳ１、ＲＳＵＳ２）が供給されず、第１サステイン信号（ＳＵＳ１、ＳＵＳ２）の最高電圧が２００Ｖである場合を想定すれば、第２サステイン信号（ＲＳＵＳ１、ＲＳＵＳ２）が供給される場合には、第１サステイン信号（ＳＵＳ１、ＳＵＳ２）の最高電圧が２００Ｖよりさらに小さくなることができる。
【００７４】
第１サステイン信号（ＳＵＳ１、ＳＵＳ２）の最高電圧（Ｖｓ）は略１２０Ｖ以上１８０Ｖ以下であってもよく、第２サステイン信号（ＲＳＵＳ１、ＲＳＵＳ２）の最低電圧（−Ｖ１）は略−６０Ｖ以上−４０Ｖ以下であってもよい。
【００７５】
第２サステイン信号（ＲＳＵＳ１、ＲＳＵＳ２）の最低電圧（−Ｖ１）の大きさは、図４のデータ信号の最高電圧（Ｖｄ）の大きさと実質的に同じであってもよい。これによって、第２サステイン信号（ＲＳＵＳ１、ＲＳＵＳ２）の最低電圧を発生させるための電圧発生回路を別途備える必要がないので、追加的な製造費用の増加を防止することができる。
【００７６】
また、第１サステイン信号（ＳＵＳ１、ＳＵＳ２）が供給されて第２サステイン信号（ＲＳＵＳ１、ＲＳＵＳ２）が供給されれば、サステイン期間においてスキャン電極とサステイン電極の電圧差が増加するので、スキャン電極とアドレス電極、または、サステイン電極とアドレス電極の間で発生する可能性のある誤放電が防止される。これによって、スキャン電極とサステイン電極間の間隔が大きい場合にも、サステイン期間においてスキャン電極とアドレス電極、または、サステイン電極とアドレス電極間に発生する可能性のある誤放電が防止される。
【００７７】
図８は第２サステイン信号の傾きを説明するための図である。図８に示されるように、本発明の一実施形態では、第２サステイン信号（ＲＳＵＳ）の上昇勾配の大きさと下降勾配の大きさが互いに異なってもよい。例えば、第２サステイン信号（ＲＳＵＳ）の上昇勾配の大きさは、下降傾きよりもさらに小さくてもよい。
【００７８】
また、駆動部１１０は、第２サステイン信号を図９に示すように選択的に供給することもできる。
【００７９】
図９は、本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置の駆動部が選択的に供給する第２サステイン信号を示す図である。
【００８０】
図９に示されるように、駆動部１１０はスキャン電極及びサステイン電極に第１サステイン信号（ＳＵＳＹ１、ＳＵＳＹ２、ＳＵＳＺ１、ＳＵＳＺ２）と第３サステイン信号（ＳＵＳＹ３、ＳＵＳＹ４、ＳＵＳＺ３、ＳＵＳＺ４）を供給する。
【００８１】
この時、駆動部１１０は、第１サステイン信号（ＳＵＳＹ１、ＳＵＳＹ２）にだけ対応する第２サステイン信号（ＲＳＵＳＺ１、ＲＳＵＳＺ２）をサステイン電極に供給して、第３サステイン信号（ＳＵＳＹ３、ＳＵＳＹ４）に対応するグランドレベルの電圧をサステイン電極に供給する。また、駆動部１１０は、第１サステイン信号（ＳＵＳＺ１、ＳＵＳＺ２）にだけ対応される第２サステイン信号（ＲＳＵＳＹ１、ＲＳＵＳＹ２）をスキャン電極に供給して、第３サステイン信号（ＳＵＳＺ３、ＳＵＳＺ４）に対応するグランドレベルの電圧をスキャン電極に供給する。
【００８２】
駆動部１１０は、サブフィールドにおいて第２サステイン信号を選択的に供給することができる。
【００８３】
図１０は、本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置の駆動部１１０がサブフィールドにおいて選択的に供給する第２サステイン信号を示す図である。
【００８４】
図１０に示されるように、一つのフレームが合計７個のサブフィールドで構成され、各サブフィールドが階調加重値の大きさ順に配列されると仮定する。
【００８５】
階調加重値が一番小さな第１サブフィールド（ＳＦ１）から駆動部１１０は、図１０の（ａ）に示すように、スキャン電極に第１サステイン信号（ＳＵＳ１）を供給し、サステイン電極に第２サステイン信号（ＲＳＵＳ１）を供給する。また、駆動部１１０は、サステイン電極に第１サステイン信号（ＳＵＳ２）を供給し、スキャン電極に第２サステイン信号（ＲＳＵＳ２）を供給する。一方、第１サブフィールド（ＳＦ１）の階調加重値より大きい階調加重値を有する第６サブフィールド（ＳＦ６）から駆動部１１０は、第３サステイン信号（ＳＵＳ３、ＳＵＳ４）に対応するグランドレベルの電圧を供給する。第１サブフィールド（ＳＦ１）の階調加重値が第６サブフィールド（ＳＦ６）の階調加重値より小さいので、第１サブフィールド（ＳＦ１）のサステイン期間に供給される前記第１サステイン信号（ＳＵＳ１、ＳＵＳ２）の個数は、第６サブフィールド（ＳＦ６）のサステイン期間に供給される第３サステインパルス（ＳＵＳ３、ＳＵＳ４）の個数より少ない。
【００８６】
図１１は、本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置の駆動部を示す回路図である。図１１に示されるように、本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置の駆動部は、第１エネルギー回収部１１００、第１共振部１１１０、第１電圧供給部１１２０、第２エネルギー回収部１１４０、第２共振部１１５０、接地制御部１１７０及び経路形成部１１３０を含む。
【００８７】
ここで、第１エネルギー回収部１１００は、第１サステイン信号（ＳＵＳ）の供給時に、スキャン電極またはサステイン電極の電圧を回収するか、または、あらかじめ貯蔵された電圧を供給する。第１エネルギー回収部１１００は、第１電圧貯蔵部１１０１、第１供給部１１０２及び第１電圧回収部１１０３を含む。
【００８８】
ここで、第１電圧貯蔵部１１０１は、所定電圧にあたるエネルギーを貯蔵する第１キャパシタ部(Ｃ１）を含む。
【００８９】
第１供給部１１０２は、第１制御用スイッチ部（Ｓ１）を含み、第１制御用スイッチ部（Ｓ１）のターンオンによって、第１電圧貯蔵部１１０１に貯蔵されたエネルギーがプラズマディスプレイパネルのスキャン電極またはサステイン電極に供給されるようにする。
【００９０】
第１電圧回収部１１０３は、第２制御用スイッチ部（Ｓ２）を含み、第２制御用スイッチ部（Ｓ２）のターンオンによって、プラズマディスプレイパネルのスキャン電極またはサステイン電極のエネルギーが第１電圧貯蔵部１１０１に回収されるようにする。
【００９１】
第２エネルギー回収部１１４０は、第２サステイン信号（ＲＳＵＳ）の供給時に、スキャン電極またはサステイン電極からエネルギーを回収するか、または、あらかじめ貯蔵されたエネルギーを供給する。第２エネルギー回収部１１４０は、第２電圧貯蔵部１１４１、第２供給部１１４２及び第２電圧回収部１１４３を含む。
【００９２】
第２電圧貯蔵部１１４１は、所定電圧にあたるエネルギーを貯蔵する第２キャパシタ部（Ｃ２）を含む。
【００９３】
第２供給部１１４２は、第１０制御用スイッチ部（Ｓ１０）を含み、第１０制御用スイッチ部（Ｓ１０）のターンオンによって、第２電圧貯蔵部１１４１に貯蔵された電圧がプラズマディスプレイパネルのスキャン電極またはサステイン電極に供給されるようにする。
【００９４】
第２電圧回収部１１４３は、第２０制御用スイッチ部（Ｓ２０）を含み、第２０制御用スイッチ部（Ｓ２０）のターンオンによって、プラズマディスプレイパネルのスキャン電極またはサステイン電極からエネルギーが第２電圧貯蔵部１１４１に回収されるようにする。
【００９５】
第１共振部１１１０は、第１共振用インダクタ部（Ｌ１）を含み、エネルギーの供給または回収時に共振を形成する。第２共振部１１５０は、第２共振用インダクタ部（Ｌ２）を含み、エネルギーの供給または回収時に共振を形成する。
【００９６】
第２共振部１１５０のインダクタンス（Ｉｎｄｕｃｔａｎｃｅ）を、第１共振部１１１０のインダクタンスより大きくすることができる。第２共振部１１５０のインダクタンス（Ｉｎｄｕｃｔａｎｃｅ）が第１共振部１１１０のインダクタンスより大きければ、第２サステイン信号（ＲＳＵＳ）の勾配の大きさが第１サステイン信号（ＳＵＳ）の勾配の大きさよりさらに小さくなる。
【００９７】
図１１には示さなかったが、第２共振部１１５０に電圧回収経路と該電圧供給経路上に互いに異なるインダクタンスを有するインダクタ部を配置すれば、図８に示すように、第２サステイン信号（ＲＳＵＳ）の下降勾配の大きさと上昇勾配の大きさが互いに変化する。電圧回収経路でのインダクタンスがさらに大きくなれば、第２サステイン信号（ＲＳＵＳ）の上昇勾配の大きさが下降勾配の大きさよりさらに小さくなる。
【００９８】
第１電圧供給部１１２０は、第３制御用スイッチ部（Ｓ３）を含み、第３制御用スイッチ部（Ｓ３）のターンオンによって、第１サステイン電圧源（図示せず）が発生させる第１サステイン電圧（Ｖｓ）がスキャン電極またはサステイン電極に供給されるようにする。
【００９９】
接地制御部１１７０は、プラズマディスプレイパネルのスキャン電極またはサステイン電極を接地させる。接地制御部１１７０は、接地経路形成用ダイオード部（Ｄ１）と、第４０制御用スイッチ部（Ｓ４０）を含む。第４０制御用スイッチ部（Ｓ４０）は、接地経路形成用ダイオード部（Ｄ１）と並列に接続される。
【０１００】
経路形成部１１３０は、第４制御用スイッチ部（Ｓ４）を含み、第４制御用スイッチ部（Ｓ４）のターンオンによって、第２サステイン信号（ＲＳＵＳ）の供給経路及びスキャン電極またはサステイン電極の接地経路を形成する。
【０１０１】
図１の駆動部１１０は、第２電圧供給部１１６０をさらに含むことができる。第２電圧供給部１１６０は、第３０制御用スイッチ部（Ｓ３０）を含み、第３０制御用スイッチ部（Ｓ３０）のターンオンによって、プラズマディスプレイパネルのスキャン電極またはサステイン電極に第２サステイン電圧（−ＶＲＳ）を供給する。第２電圧供給部１１６０は省略可能である。
【０１０２】
図１２は、本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置の駆動部の動作を説明するための図である。
【０１０３】
ｄ１期間において、第１供給部１１０２の第１制御用スイッチ部（Ｓ１）と接地制御部１１７０の第４０制御用スイッチ部（Ｓ４０）がターンオン（Ｏｎ）し、第２制御用スイッチ部（Ｓ２）、第３制御用スイッチ部（Ｓ３）、第４制御用スイッチ部（Ｓ４）、第１０制御用スイッチ部（Ｓ１０）、第２０制御用スイッチ部（Ｓ２０）、及び、第３０制御用スイッチ部（Ｓ３０）はターンオフする。
【０１０４】
このとき、第１電圧貯蔵部１１０１、第１ノード（ｎ１）、第１供給部１１０２、第２ノード（ｎ２）、第１共振部１１１０、第３ノード（ｎ３）を経由する電流パス（Ｐａｔｈ）が形成される。これによって、第１共振用インダクタ部（Ｌ１）によるＬＣ共振が形成されて、第１電圧貯蔵部１１０１に貯蔵されていたエネルギーがスキャン電極またはサステイン電極に供給される。
【０１０５】
第１電圧貯蔵部１１０１に０．５Ｖｓにあたるエネルギーが貯蔵されている場合、ｄ１期間中にスキャン電極またはサステイン電極の電圧が第１サステイン電圧（Ｖｓ）まで上昇する。
【０１０６】
第４０制御用スイッチ部（Ｓ４０）のターンオンによって負極性のピーク（Ｐｅａｋｉｎｇ）電圧成分が除去される。第４０制御用スイッチ部（Ｓ４０）は第２サステイン信号（ＲＳＵＳ）が供給されない期間においてターンオン状態を維持することで、負極性のピーク（Ｐｅａｋｉｎｇ）電圧成分を除去することができる。
【０１０７】
ｄ２期間においては、第３制御用スイッチ部（Ｓ３）がターンオンされる。これによって、第１サステイン電圧（Ｖｓ）が第３ノード（ｎ３）を経て、スキャン電極またはサステイン電極に供給される。これによって、スキャン電極またはサステイン電極の電圧はサステイン電圧（Ｖｓ）に維持される。
【０１０８】
ｄ３期間においては、第３制御用スイッチ部（Ｓ３）と第１制御用スイッチ部（Ｓ１）がターンオフされた状態で、第２制御用スイッチ部（Ｓ２）がターンオンされる。
【０１０９】
このとき、スキャン電極またはサステイン電極、第３ノード（ｎ３）、第１共振部１１１０、第２ノード（ｎ２）、第１電圧回収部１１０３、第１ノード(ｎ１)、第１電圧貯蔵部１１０１を経由する電流パスが形成される。これによって、第１共振部１１１０によってＬＣ共振が形成されて、エネルギーが第１電圧貯蔵部１１０１に回収される。スキャン電極またはサステイン電極の電圧は、第１サステイン電圧（Ｖｓ）からグランドレベルの電圧（ＧＮＤ）まで立ち下がる。
【０１１０】
ｄ４期間以後においては、第４制御用スイッチ部（Ｓ４）がターンオンされる。第２制御用スイッチ部（Ｓ２）のターンオン状態を維持することも、第２制御用スイッチ部（Ｓ２）をターンオフすることも可能である。
【０１１１】
グランドレベルの電圧（ＧＮＤ）がスキャン電極またはサステイン電極に供給される。これによって、スキャン電極またはサステイン電極の電圧は、グランドレベル（ＧＮＤ）に維持される。
【０１１２】
このような方法を通じて、スキャン電極またはサステイン電極に第１サステイン信号（ＳＵＳ）が供給される。
【０１１３】
ｄ５期間においては、第１０制御用スイッチ部（Ｓ１０）がターンオンされて、第４０制御用スイッチ部（Ｓ４０）がターンオフされる。
【０１１４】
これによって、スキャン電極またはサステイン電極、第３ノード（ｎ３）、経路形成部１１３０、第６ノード（ｎ６）、第２共振部１１５０、第５ノード（ｎ５）、第２供給部１１４２、第４ノード（ｎ４）、第２電圧貯蔵部１１４１を経由する電流パスが形成される。
【０１１５】
第２共振用インダクタ部（Ｌ２）によってＬＣ共振が形成されて、第２電圧貯蔵部１１４１に貯蔵されていたエネルギーがスキャン電極またはサステイン電極に供給される。第２電圧貯蔵部１１４１は負の電圧にあたるエネルギーを貯蔵するので、スキャン電極またはサステイン電極の電圧は漸進的に立ち下がる。
【０１１６】
ｄ６期間において、第３０制御用スイッチ部（Ｓ３０）がターンオンされる。第２サステイン電圧（−ＶＲＳ）が第６ノード（ｎ６）、経路形成部１１３０、及び、第３ノード（ｎ３）を経て、スキャン電極またはサステイン電極に供給される。
【０１１７】
ｄ７期間においては、第１０制御用スイッチ部（Ｓ１０）と第３０制御用スイッチ部（Ｓ３０）がターンオフされて、第２０制御用スイッチ部（Ｓ２０）がターンオンされる。
【０１１８】
これによって、第２電圧貯蔵部１１４１、第４ノード（ｎ４）、第２電圧回収部１１４３、第５ノード（ｎ５）、第２共振部１１５０、第６ノード（ｎ６）、経路形成部１１３０、第３ノード（ｎ３）、スキャン電極またはサステイン電極を経由する電流パスが形成される。
【０１１９】
第２共振用インダクタ部（Ｌ２）によってＬＣ共振が形成されて、スキャン電極またはサステイン電極からエネルギーが第２電圧貯蔵部１１４１に回収される。第２電圧貯蔵部１１４１に負の電圧を回収するので、スキャン電極またはサステイン電極の電圧は漸進的に上昇する。
【０１２０】
このような方法により、スキャン電極またはサステイン電極に第２サステイン信号（ＲＳＵＳ）を供給することができる。
【０１２１】
図１の駆動部１１０は、一つの電極に極性が交互する第１サステイン信号を供給して、他の一つの電極に極性が交互する第２サステイン信号を供給することができる。
【０１２２】
図１３は、本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置の駆動部１１０が、極性が交互するように供給される第１サステイン信号及び第２サステイン信号を説明するための図である。
【０１２３】
図１３に示されるように、駆動部１１０は、スキャン電極に正の第１サステイン信号（＋ＳＵＳ１、＋ＳＵＳ２）と負の第１サステイン信号（−ＳＵＳ１、−ＳＵＳ２）を交互に供給する。また、駆動部１１０は、サステイン電極に負の第２サステイン信号（−ＲＳＵＳ１、−ＲＳＵＳ２）と正の第２サステイン信号（＋ＲＳＵＳ１、＋ＲＳＵＳ２）を相互に供給する。
【０１２４】
正の第１サステイン信号（＋ＳＵＳ１、＋ＳＵＳ２）の最高電圧の大きさと負の第１サステイン信号（−ＳＵＳ１、−ＳＵＳ２）の最低電圧の大きさは、図４に示す第１サステイン信号の最高電圧の大きさのようにＶｓであるので、サステイン放電が起きる。サステイン放電は、負の第２サステイン信号（−ＲＳＵＳ１、−ＲＳＵＳ２）と正の第２サステイン信号（＋ＲＳＵＳ１、＋ＲＳＵＳ２）によって維持される。
【０１２５】
第２サステイン信号の上昇勾配の大きさ及び下降勾配の大きさは、それぞれ第１サステイン信号の上昇勾配の大きさ及び下降勾配大きさより小さい。
【０１２６】
負の第１サステイン信号（−ＳＵＳ１、−ＳＵＳ２）の最低電圧は−１８０Ｖ以上−１２０Ｖ以下であってもよい。また、正の第２サステイン信号（＋ＲＳＵＳ１、＋ＲＳＵＳ２）の最高電圧は４０Ｖ以上６０Ｖ以下であってもよい。正の第２サステイン信号（＋ＲＳＵＳ１、＋ＲＳＵＳ２）の最高電圧の大きさは、図４のデータ信号の最高電圧（Ｖｄ）の大きさと実質的に同じであってもよい。なお、負の第１サステイン信号（−ＳＵＳ１、−ＳＵＳ２）の最低電圧及び正の第２サステイン信号（＋ＲＳＵＳ１、＋ＲＳＵＳ２）の最高電圧に関する説明は、上述の通り図６を参照して既に説明しているので、ここでは説明を省略する。
【図面の簡単な説明】
【０１２７】
【図１】本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置を示す図。
【図２】本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置に含まれるプラズマディスプレイパネルを示す図。
【図３】本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置の階調表現方法を示す図。
【図４】本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置の駆動信号を示す図。
【図５】上昇ランプ信号または第２下降ランプ信号の他の波形を示す図（ａ）及び（ｂ）。
【図６】第１サステイン信号及び第２サステイン信号を示す図。
【図７】第１サステイン信号だけが供給される場合を示す図（ａ）と、第１サステイン信号及び第２サステイン信号を同時に供給する場合を示す図（ｂ）。
【図８】第２サステイン信号の傾きを説明するための図。
【図９】本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置の駆動部が選択的に供給する第２サステイン信号を示す図。
【図１０】本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置の駆動部がサブフィールドにおいて選択的に供給する第２サステイン信号を示す図。
【図１１】本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置の駆動部を示す図。
【図１２】本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置の駆動部の動作を説明するための図。
【図１３】本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置の駆動部が極性が交番されるように供給する第１サステイン信号及び第２サステイン信号を説明するための図。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極及び第２電極を含むプラズマディスプレイパネルと、
信号供給期間において第１極性の第１サステイン信号を前記第１電極に供給し、前記信号供給期間内の少なくとも一部期間において第２極性の第２サステイン信号を前記第２電極に供給する駆動部を含み、
前記第２サステイン信号の上昇勾配の大きさ及び下降勾配の大きさは、それぞれ前記第１サステイン信号の上昇勾配の大きさ及び下降勾配大きさより小さいことを特徴とする、プラズマディスプレイ装置。
【請求項２】
前記第２サステイン信号の幅は、前記第１サステイン信号の幅より小さいことを特徴とする、請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３】
前記第２サステイン信号の供給時点は、前記第１サステイン信号の供給時点より５０μｓ以上遅れることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項４】
前記第２サステイン信号の供給時点は、前記第１サステイン信号の供給時点より１００μｓ以上遅れることを特徴とする、請求項３に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項５】
前記第１サステイン信号の最高電圧は、１２０Ｖ以上１８０Ｖ以下であることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項６】
前記第２サステイン信号の最高電圧は、４０Ｖ以上６０Ｖ以下であることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項７】
前記第２サステイン信号の上昇勾配の大きさと下降勾配の大きさは、互いに異なることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項８】
前記上昇勾配の大きさは、前記下降勾配の大きさより小さいことを特徴とする、請求項７に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項９】
データ信号を供給する第３電極をさらに含み、
前記第２サステイン信号の最低電圧の大きさは、前記データ信号の最高電圧の大きさと実質的に同じであることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１０】
前記駆動部は、
フレームに含まれる第１サブフィールドにおいて前記第１サステイン信号と前記第２サステイン信号を供給し、
前記フレームに含まれる第２サブフィールドにおいて前記第１極性の第３サステイン信号を前記第１電極または前記第２電極の何れか一つに供給し、他の電極にグランドレベルの電圧を供給することを特徴とする、請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１】
第１電極及び第２電極を含むプラズマディスプレイパネルと、
信号供給期間において第１極性の第１サステイン信号を前記第１電極に供給し、前記信号供給期間内の少なくとも一部期間において第２極性の第２サステイン信号を前記第２電極に供給する駆動部を含み、
前記第２サステイン信号の上昇勾配の大きさ及び下降勾配の大きさは、それぞれ前記第１サステイン信号の上昇勾配の大きさ及び下降勾配大きさより小さいことを特徴とする、プラズマディスプレイ装置。
【請求項２】
前記第２サステイン信号の幅は、前記第１サステイン信号の幅より小さいことを特徴とする、請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３】
前記第２サステイン信号の供給時点は、前記第１サステイン信号の供給時点より５０μｓ以上遅れることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項４】
前記第２サステイン信号の供給時点は、前記第１サステイン信号の供給時点より１００μｓ以上遅れることを特徴とする、請求項３に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項５】
前記第１サステイン信号の最高電圧は、１２０Ｖ以上１８０Ｖ以下であることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項６】
前記第２サステイン信号の最高電圧は、４０Ｖ以上６０Ｖ以下であることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項７】
前記第２サステイン信号の上昇勾配の大きさと下降勾配の大きさは、互いに異なることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項８】
前記上昇勾配の大きさは、前記下降勾配の大きさより小さいことを特徴とする、請求項７に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項９】
データ信号を供給する第３電極をさらに含み、
前記第２サステイン信号の最低電圧の大きさは、前記データ信号の最高電圧の大きさと実質的に同じであることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１０】
前記駆動部は、
フレームに含まれる第１サブフィールドにおいて前記第１サステイン信号と前記第２サステイン信号を供給し、
前記フレームに含まれる第２サブフィールドにおいて前記第１極性の第３サステイン信号を前記第１電極または前記第２電極の何れか一つに供給し、他の電極にグランドレベルの電圧を供給することを特徴とする、請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２００８−２６８５６（Ｐ２００８−２６８５６Ａ）
【公開日】平成２０年２月７日（２００８．２．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−３３６７０１（Ｐ２００６−３３６７０１）
【出願日】平成１８年１２月１４日（２００６．１２．１４）
【出願人】（５０２０３２１０５）エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド (2,269)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年２月７日（２００８．２．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年１２月１４日（２００６．１２．１４）
【出願人】（５０２０３２１０５）エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド (2,269)
【Ｆターム（参考）】
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