プラズマディスプレイ装置
【課題】プラズマディスプレイパネルに表示される画像の黒輝度を低減してコントラストを高め、画像表示品質を高める。
【解決手段】初期化期間に、強制初期化波形と選択初期化波形と非初期化波形とのいずれかを発生して走査電極に印加するとともに、強制初期化波形と非初期化波形とを選択的に発生する特別初期化サブフィールドと、選択初期化波形だけを発生する複数の選択初期化サブフィールドとで１つのフィールドを構成し、１つの走査電極に強制初期化波形を印加する回数を１つのフィールド群で１回とし、特別初期化サブフィールドにおいて強制初期化波形を印加する走査電極の両側の走査電極に、その特別初期化サブフィールドと、その特別初期化サブフィールドの後の最初の特別初期化サブフィールドとの少なくとも２つの特別初期化サブフィールドで非初期化波形を印加する。
【解決手段】初期化期間に、強制初期化波形と選択初期化波形と非初期化波形とのいずれかを発生して走査電極に印加するとともに、強制初期化波形と非初期化波形とを選択的に発生する特別初期化サブフィールドと、選択初期化波形だけを発生する複数の選択初期化サブフィールドとで１つのフィールドを構成し、１つの走査電極に強制初期化波形を印加する回数を１つのフィールド群で１回とし、特別初期化サブフィールドにおいて強制初期化波形を印加する走査電極の両側の走査電極に、その特別初期化サブフィールドと、その特別初期化サブフィールドの後の最初の特別初期化サブフィールドとの少なくとも２つの特別初期化サブフィールドで非初期化波形を印加する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、壁掛けテレビや大型モニターに用いられるプラズマディスプレイパネルを用いたプラズマディスプレイ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（以下、「パネル」と略記する）として代表的な交流面放電型パネルは、対向配置された前面板と背面板との間に多数の放電セルが形成されている。前面板は、１対の走査電極と維持電極とからなる表示電極対が前面ガラス基板上に互いに平行に複数対形成され、それら表示電極対を覆うように誘電体層および保護層が形成されている。背面板は、背面ガラス基板上に複数の平行なデータ電極と、それらを覆うように誘電体層と、さらにその上にデータ電極と平行に複数の隔壁とがそれぞれ形成され、誘電体層の表面と隔壁の側面とに蛍光体層が形成されている。そして、表示電極対とデータ電極とが立体交差するように前面板と背面板とが対向配置されて密封され、内部の放電空間には、例えば分圧比で５％のキセノンを含む放電ガスが封入されている。ここで表示電極対とデータ電極とが対向する部分に放電セルが形成される。このような構成のパネルにおいて、各放電セル内でガス放電により紫外線を発生させ、この紫外線で赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の各色の蛍光体を励起発光させてカラー表示を行っている。
【０００３】
パネルを駆動する方法としては一般にサブフィールド法が用いられている。サブフィールド法では、１フィールドを複数のサブフィールドに分割し、それぞれのサブフィールドで各放電セルの発光と非発光とを制御する。そして、１フィールドに発生する発光の回数を制御することにより階調表示を行う。
【０００４】
各サブフィールドは、初期化期間、書込み期間および維持期間を有する。初期化期間では、各走査電極に初期化波形を印加し、各放電セルで初期化放電を発生させる。これにより、続く書込み動作のために必要な壁電荷を各放電セルに形成するとともに、書込み放電を安定して発生させるためのプライミング粒子（書込み放電を発生させるための励起粒子）を発生させる。
【０００５】
書込み期間では、走査電極には走査パルスを順次印加し、データ電極には表示すべき画像信号に対応した書込みパルスを選択的に印加する。これにより、発光すべき放電セルにおいて、走査電極とデータ電極との間に書込み放電を発生させ、壁電荷を形成する（以下、この動作を「書込み」とも記す）。
【０００６】
維持期間では、走査電極と維持電極とからなる表示電極対に、サブフィールド毎に定められた回数の維持パルスを交互に印加する。これにより、書込み放電による壁電荷形成が行われた放電セルで維持放電を発生させ、その放電セルの蛍光体層を発光させる。このようにして、パネルの画像表示領域に画像を表示する。
【０００７】
パネルにおける画像表示品質を高める上で重要な要因の１つにコントラストの向上がある。そして、サブフィールド法の１つとして、階調表示に関係しない発光を極力減らしコントラスト比を向上させる駆動方法が開示されている。
【０００８】
この駆動方法では、１フィールドを構成する複数のサブフィールドのうち、１つのサブフィールドの初期化期間では全ての放電セルに初期化放電を発生させる初期化動作を行う。また、他のサブフィールドの初期化期間では直前の維持期間で維持放電を行った放電セルに対して選択的に初期化放電を行う初期化動作を行う。
【０００９】
維持放電を発生させない黒表示領域の輝度（以下、「黒輝度」と略記する）は画像の表示に関係のない発光、例えば、初期化放電によって生じる発光等によって変化する。しかし、上述の駆動方法では、黒表示領域における発光は全ての放電セルに初期化動作を行うときの微弱発光だけとなる。これにより、黒輝度を低減してコントラストの高い画像表示が可能となる（例えば、特許文献１参照）。
【００１０】
また、徐々に増加する緩やかな傾斜部分を持つ立ち上がり部と、徐々に減少する緩やかな傾斜部分を持つ立ち下がり部とを有する初期化波形を維持期間に放電した放電セルに印加する初期化期間を設け、かつ１フィールドの任意の初期化期間の直前に、全放電セルを対象として維持電極と走査電極の間で微弱放電を起こす期間を設けることで、黒輝度を下げて黒の視認性を向上させる技術が開示されている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２０００−２４２２２４号公報
【特許文献２】特開２００４−３７８８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上述したように、例えば特許文献１に記載された技術では、全ての放電セルに初期化放電を発生させる初期化動作を１フィールドに１回にすることで、サブフィールド毎に全ての放電セルに初期化放電を発生させる場合と比較して、表示画像の黒輝度を下げ、コントラストを高めることができる。
【００１３】
しかしながら、近年、パネルの大画面化、高精細化にともない画像表示品質の更なる向上が望まれている。
【００１４】
本発明はこのような要望に鑑みなされたものであり、パネルに表示される画像の黒輝度を低減してコントラストを高め、画像表示品質を高めることができるプラズマディスプレイ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明のプラズマディスプレイ装置は、初期化期間と書込み期間と維持期間とを有するサブフィールドを１フィールド内に複数設けて階調表示するサブフィールド法で駆動するとともに特別初期化サブフィールドと複数の選択初期化サブフィールドとで１つのフィールドを構成し、時間的に連続する複数のフィールドで１つのフィールド群を構成してプラズマディスプレイパネルを駆動するプラズマディスプレイ装置であって、初期化期間に、直前のサブフィールドの動作にかかわらず放電セルに初期化放電を発生する強制初期化波形と、直前のサブフィールドの維持期間に維持放電を発生した放電セルだけに初期化放電を発生する選択初期化波形と、放電セルに初期化放電が発生しない非初期化波形とのいずれかを発生して走査電極に印加するとともに、特別初期化サブフィールドの初期化期間では、強制初期化波形または非初期化波形を発生して選択的に走査電極に印加し、選択初期化サブフィールドの初期化期間では選択初期化波形を発生して全ての走査電極に印加し、１つの走査電極に１つのフィールド群で１回だけ強制初期化波形を印加する走査電極駆動回路とを備え、走査電極駆動回路は、特別初期化サブフィールドにおいて強制初期化波形を印加する走査電極の両側の走査電極には、その特別初期化サブフィールドと、その特別初期化サブフィールドの後の最初の特別初期化サブフィールドとの少なくとも２つの特別初期化サブフィールドで非初期化波形を印加する駆動波形の発生パターンを１フィールド群に少なくとも１つ含んで駆動波形を発生し、プラズマディスプレイパネルは、前面板と、前面板と対向配置された背面板と、を備え、前面板は、電極と誘電体層と保護層とを有し、保護層は、下地層と下地層の上に形成された金属酸化物とを含み、金属酸化物は、金属酸化物粗粒子が粉砕されたものであり、金属酸化物と前記金属酸化物粗粒子とは、波長２００ｎｍから３００ｎｍの範囲にフォトルミネッセンスのピークがあり、前記金属酸化物のピークは、前記金属酸化物粗粒子のピークの６０％以上、１００％未満の強度である、プラズマディスプレイ装置である。
【００１６】
これにより、黒輝度を上昇させる主な要因の１つである初期化放電の発生頻度を低減して黒輝度を低減することができるので、表示画像のコントラストを高めることが可能となる。また、強制初期化波形を用いて初期化動作を行う頻度を低減したときに画像表示面に発生しやすいちらつきや線状のノイズを低減することが可能となる。これにより、プラズマディスプレイ装置における画像表示品質を高めることが可能となる。
【００１７】
また、このプラズマディスプレイ装置において、走査電極駆動回路は、上昇する傾斜電圧を発生する傾斜電圧発生回路を有し、傾斜電圧発生回路が出力する傾斜電圧に所定の電圧を重畳した電圧を強制初期化波形として出力し、所定の電圧を重畳しない傾斜電圧を非初期化波形として出力する構成であってもよい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、パネルに表示される画像の黒輝度を低減してコントラストを高め、画像表示品質を高めることができるプラズマディスプレイ装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の実施の形態１におけるパネルの構造を示す分解斜視図
【図２】同パネルの電極配列図
【図３】同パネルの各電極に印加する駆動電圧波形図
【図４】本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置の回路ブロック
【図５】同プラズマディスプレイ装置の走査電極駆動回路の一構成例を示す回路図
【図６】本発明の実施の形態１における特定セル初期化サブフィールドの初期化期間の走査電極駆動回路の動作の一例を説明するためのタイミングチャート
【図７】同特定セル初期化サブフィールドの初期化期間における強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンの一例を示す概略図
【図８】各フィールドを、パネルの全放電セルで一斉に強制初期化動作を行うフィールドと、全放電セルで一斉に非初期化動作を行うフィールドとに分ける構成の一例を概略的に示す図
【図９】強制初期化動作を行う放電セルの時間的および位置的な変化の連続性が高い構成の一例を概略的に示す図
【図１０】本発明の実施の形態１の特定セル初期化サブフィールドの初期化期間における強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンの他の一例を示す概略図
【図１１Ａ】同特定セル初期化サブフィールドの初期化期間における強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンのさらに他の一例を示す概略図
【図１１Ｂ】同特定セル初期化サブフィールドの初期化期間における強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンのさらに他の一例を示す概略図
【図１２】本発明の実施の形態２の特別初期化サブフィールドの初期化期間における強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンの一例を示す概略図
【図１３】同特別初期化サブフィールドの初期化期間における強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンの他の一例を示す概略図
【図１４】同特別初期化サブフィールドの初期化期間における強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンのさらに他の一例を示す概略図
【図１５】同特別初期化サブフィールドの初期化期間における強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンのさらに他の一例を示す概略図
【図１６】同特別初期化サブフィールドの初期化期間における強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンのさらに他の一例を示す概略図
【図１７】同保護層の形成方法を示すフローチャート
【図１８】フォトルミネッセンス波形を示す図
【図１９】保護層評価のためにパネルに印加される駆動波形図
【図２０】パネルの評価結果を示す図
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置について、図面を用いて説明する。
【００２１】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１におけるパネル１０の構造を示す分解斜視図である。ガラス製の前面板２１上には、走査電極２２と維持電極２３とからなる表示電極対２４が複数形成されている。そして走査電極２２と維持電極２３とを覆うように誘電体層２５が形成され、その誘電体層２５上に保護層２６が形成されている。なお、保護層２６については後述する。
【００２２】
背面板３１上にはデータ電極３２が複数形成され、データ電極３２を覆うように誘電体層３３が形成され、さらにその上に井桁状の隔壁３４が形成されている。そして、隔壁３４の側面および誘電体層３３上には赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の各色に発光する蛍光体層３５が設けられている。
【００２３】
これら前面板２１と背面板３１とは、微小な放電空間を挟んで表示電極対２４とデータ電極３２とが交差するように対向配置され、その外周部をガラスフリット等の封着材によって封着されている。そして、内部の放電空間には、ネオンとキセノンの混合ガスが放電ガスとして封入されている。なお、本実施の形態では、発光効率を向上させるためにキセノン分圧を約１０％とした放電ガスを用いている。放電空間は隔壁３４によって複数の区画に仕切られており、表示電極対２４とデータ電極３２とが交差する部分に放電セルが形成されている。そしてこれらの放電セルが放電、発光することにより画像が表示される。
【００２４】
なお、パネル１０の構造は上述したものに限られるわけではなく、例えばストライプ状の隔壁を備えたものであってもよい。また、放電ガスの混合比率も上述した数値に限られるわけではなく、その他の混合比率であってもよい。
【００２５】
図２は、本発明の実施の形態１におけるパネル１０の電極配列図である。パネル１０には、行方向に長いｎ本の走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ（図１の走査電極２２）およびｎ本の維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ（図１の維持電極２３）が配列され、列方向に長いｍ本のデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ（図１のデータ電極３２）が配列されている。そして、１対の走査電極ＳＣｉ（ｉ＝１〜ｎ）および維持電極ＳＵｉと１つのデータ電極Ｄｋ（ｋ＝１〜ｍ）とが交差した部分に放電セルが形成され、放電セルは放電空間内にｍ×ｎ個形成されている。そして、ｍ×ｎ個の放電セルが形成された領域がパネル１０の表示領域となる。
【００２６】
次に、パネル１０を駆動するための駆動電圧波形とその動作の概要について説明する。なお、本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置は、サブフィールド法、すなわち１フィールドを時間軸上で複数のサブフィールドに分割し、各サブフィールドに輝度重みをそれぞれ設定し、サブフィールド毎に各放電セルの発光・非発光を制御することによって階調表示を行うものとする。
【００２７】
このサブフィールド法では、例えば、１フィールドを８つのサブフィールド（第１ＳＦ、第２ＳＦ、・・・、第８ＳＦ）で構成し、各サブフィールドはそれぞれ１、２、４、８、１６、３２、６４、１２８の輝度重みを有する構成とすることができる。そして、各サブフィールドの維持期間においては、それぞれのサブフィールドの輝度重みに所定の輝度倍率を乗じた数の維持パルスを表示電極対２４のそれぞれに印加する。
【００２８】
なお、複数のサブフィールドのうち、１つのサブフィールドの初期化期間においては、直前のサブフィールドの動作にかかわらず放電セルに初期化放電を発生する強制初期化動作と、放電セルに初期化放電が発生しない非初期化動作とを選択的に行う特別初期化動作を行い（以下、特別初期化動作を行うサブフィールドを「特別初期化サブフィールド」と呼称する）、他のサブフィールドの初期化期間においては、直前のサブフィールドの維持期間に維持放電を発生した放電セルだけに初期化放電を発生する選択初期化動作を行う（以下、選択初期化動作を行うサブフィールドを「選択初期化サブフィールド」と呼称する）ことで、階調表示に関係しない発光を極力減らしコントラスト比を向上させることが可能である。
【００２９】
そして、本実施の形態では、１フィールドを８つのサブフィールド（第１ＳＦ、第２ＳＦ、・・・、第８ＳＦ）で構成し、第１ＳＦの初期化期間では特別初期化動作を行い、第２ＳＦ〜第８ＳＦの初期化期間では選択初期化動作を行うものとする。これにより、画像の表示に関係のない発光は第１ＳＦにおける特別初期化動作の放電にともなう発光のみとなり、維持放電を発生させない黒表示領域の輝度である黒輝度は特別初期化動作における微弱発光だけとなる。したがって、表示画像における黒輝度を低減して、コントラストを高めることが可能となる。
【００３０】
しかし、本実施の形態は、サブフィールド数や各サブフィールドの輝度重みが上記の値に限定されるものではなく、また、画像信号等にもとづいてサブフィールド構成を切換える構成であってもよい。
【００３１】
なお、この特別初期化動作は、特定の放電セルに対しては強制初期化動作を行い、他の放電セルに対しては非初期化動作を行う特定セル初期化動作（以下、特定セル初期化動作を行うサブフィールドを「特定セル初期化サブフィールド」と呼称する）と、全ての放電セルに対して非初期化動作を行う全セル非初期化動作（以下、全セル非初期化動作を行うサブフィールドを「全セル非初期化サブフィールド」と呼称する）とに分けることができる。しかし、本実施の形態では、特別初期化サブフィールドを全て特定セル初期化サブフィールドとする構成について説明する。
【００３２】
図３は、本発明の実施の形態１におけるパネル１０の各電極に印加する駆動電圧波形図である。図３には、書込み期間において最初に書込み動作を行う走査電極ＳＣ１、書込み期間において２番目に書込み動作を行う走査電極ＳＣ２、書込み期間において最後に書込み動作を行う走査電極ＳＣｎ（例えば、走査電極ＳＣ１０８０）、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ、およびデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍの駆動波形を示す。
【００３３】
また、図３には、２つのサブフィールドの駆動電圧波形、すなわち特定セル初期化サブフィールドである第１サブフィールド（第１ＳＦ）と、選択初期化サブフィールドである第２サブフィールド（第２ＳＦ）とを示す。また、以下における走査電極ＳＣｉ、維持電極ＳＵｉ、データ電極Ｄｋは、各電極の中からサブフィールドデータ（サブフィールド毎の発光・非発光を示すデータ）にもとづき選択された電極を表す。
【００３４】
まず、特定セル初期化サブフィールドである第１ＳＦについて説明する。
【００３５】
なお、図３には、配置的に見て上から（１＋６×Ｎ）番目（Ｎは整数）の走査電極ＳＣ（１＋６×Ｎ）には直前のサブフィールドの動作にかかわらず放電セルに初期化放電を発生する強制初期化波形を印加し、それ以外の走査電極２２には放電セルに初期化放電が発生しない非初期化波形を印加する構成を示す。
【００３６】
第１ＳＦの初期化期間前半部では、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎにはそれぞれ０（Ｖ）を印加し、走査電極ＳＣ（１＋６×Ｎ）には、所定の電圧である電圧Ｖｉ１を印加し、電圧Ｖｉ１から電圧Ｖｉ２に向かって緩やかに（例えば、約０．５Ｖ／μｓｅｃの勾配で）上昇する傾斜電圧（以下、「上りランプ電圧」と呼称する）Ｌ１を印加する。このとき、電圧Ｖｉ１は、維持電極ＳＵ（１＋６×Ｎ）に対して放電開始電圧以下の電圧にし、電圧Ｖｉ２は維持電極ＳＵ（１＋６×Ｎ）に対して放電開始電圧を超える電圧にする。
【００３７】
この上りランプ電圧Ｌ１が上昇する間に、走査電極ＳＣ（１＋６×Ｎ）と維持電極ＳＵ（１＋６×Ｎ）との間、および走査電極ＳＣ（１＋６×Ｎ）とデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍとの間でそれぞれ微弱な初期化放電が持続して起こる。そして、走査電極ＳＣ（１＋６×Ｎ）上部に負の壁電圧が蓄積されるとともに、走査電極ＳＣ（１＋６×Ｎ）と交差するデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ上部および維持電極ＳＵ（１＋６×Ｎ）上部には正の壁電圧が蓄積される。この電極上部の壁電圧とは、電極を覆う誘電体層上、保護層上、蛍光体層上等に蓄積された壁電荷により生じる電圧を表す。
【００３８】
初期化期間後半部では、走査電極ＳＣ（１＋６×Ｎ）の印加電圧を、電圧Ｖｉ２から電圧Ｖｉ２よりも低い電圧Ｖｉ３に下降させる。維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎには正の電圧Ｖｅを印加し、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍには０（Ｖ）を印加する。そして、走査電極ＳＣ（１＋６×Ｎ）に、電圧Ｖｉ３から負の電圧Ｖｉ４に向かって緩やかに（例えば、約−０．５Ｖ／μｓｅｃの勾配で）下降する傾斜電圧（以下、「下りランプ電圧」と呼称する）Ｌ２を印加する。このとき、電圧Ｖｉ３は、維持電極ＳＵ（１＋６×Ｎ）に対して放電開始電圧以下の電圧にし、電圧Ｖｉ４は維持電極ＳＵ（１＋６×Ｎ）に対して放電開始電圧を超える電圧にする。
【００３９】
この間に、走査電極ＳＣ（１＋６×Ｎ）と維持電極ＳＵ（１＋６×Ｎ）との間、および走査電極ＳＣ（１＋６×Ｎ）とデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍとの間でそれぞれ微弱な初期化放電が起こる。そして、走査電極ＳＣ（１＋６×Ｎ）上部の負の壁電圧および維持電極ＳＵ（１＋６×Ｎ）上部の正の壁電圧が弱められ、走査電極ＳＣ（１＋６×Ｎ）と交差するデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ上部の正の壁電圧は書込み動作に適した値に調整される。
【００４０】
以上の波形が、直前のサブフィールドの動作にかかわらず放電セルに初期化放電を発生する強制初期化波形であり、以上の動作が強制初期化動作である。
【００４１】
一方、走査電極ＳＣ（１＋６×Ｎ）以外の走査電極２２は、第１ＳＦの初期化期間前半部では、所定の電圧である電圧Ｖｉ１を印加せず、０（Ｖ）のままとし、０（Ｖ）から電圧Ｖｉ２’に向かって緩やかに上昇する上りランプ電圧Ｌ１’を印加する。この上りランプ電圧Ｌ１’は、上りランプ電圧Ｌ１と同じ勾配で、上りランプ電圧Ｌ１と同じ時間だけ上昇を続けるものとする。したがって、電圧Ｖｉ２’は電圧Ｖｉ２から電圧Ｖｉ１を引いた電圧に等しい電圧となる。このとき、電圧Ｖｉ２’は維持電極２３に対して放電開始電圧以下の電圧となるように各電圧および上りランプ電圧Ｌ１’を設定する。これにより、上りランプ電圧Ｌ１’を印加した放電セルでは放電は実質的に発生しない。
【００４２】
初期化期間後半部では、走査電極ＳＣ（１＋６×Ｎ）以外の走査電極２２にも、走査電極ＳＣ（１＋６×Ｎ）と同様に、下りランプ電圧Ｌ２を印加する。このとき、走査電極ＳＣ（１＋６×Ｎ）以外の走査電極２２を有する放電セルでは、第１ＳＦの初期化期間前半部で放電が発生していないので、初期化期間後半部でも放電は実質的に発生しない。
【００４３】
以上の波形が、放電セルに初期化放電が発生しない非初期化波形であり、以上の動作が非初期化動作である。
【００４４】
なお、本発明における強制初期化波形は、何ら上述した波形に限定されるものではない。強制初期化波形は、直前のサブフィールドの動作にかかわらず放電セルに初期化放電を発生する波形であればどのような波形であってもかまわない。また、本発明における非初期化波形も、何ら上述した波形に限定されるものではない。本実施の形態に示す非初期化波形は放電セルに初期化放電が発生しない波形の一例を示したものに過ぎず、例えば、０（Ｖ）クランプ波形等、初期化放電が発生しない波形であればどのような波形であってもかまわない。
【００４５】
以上により、特定の放電セルに対して強制初期化動作を行い、他の放電セルに対しては非初期化動作を行う特定セル初期化動作が終了する。
【００４６】
続く書込み期間では、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに対しては走査パルス電圧Ｖａを順次印加し、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに対しては発光させるべき放電セルに対応するデータ電極Ｄｋ（ｋ＝１〜ｍ）に正の書込みパルス電圧Ｖｄを印加して、各放電セルに選択的に書込み放電を発生させる。
【００４７】
具体的には、まず維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに電圧Ｖｅを、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに電圧Ｖｃｃを印加する。
【００４８】
そして、配置的に見て上から１番目（１行目）の走査電極ＳＣ１に負の走査パルス電圧Ｖａを印加するとともに、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍのうち１行目に発光させるべき放電セルのデータ電極Ｄｋ（ｋ＝１〜ｍ）に正の書込みパルス電圧Ｖｄを印加する。このときデータ電極Ｄｋ上と走査電極ＳＣ１上との交差部の電圧差は、外部印加電圧の差（電圧Ｖｄ−電圧Ｖａ）にデータ電極Ｄｋ上の壁電圧と走査電極ＳＣ１上の壁電圧との差が加算されたものとなり放電開始電圧を超える。これにより、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との間に放電が発生する。また、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに電圧Ｖｅを印加しているため、維持電極ＳＵ１上と走査電極ＳＣ１上との電圧差は、外部印加電圧の差である（電圧Ｖｅ−電圧Ｖａ）に維持電極ＳＵ１上の壁電圧と走査電極ＳＣ１上の壁電圧との差が加算されたものとなる。このとき、電圧Ｖｅを、放電開始電圧をやや下回る程度の電圧値に設定することで、維持電極ＳＵ１と走査電極ＳＣ１との間を、放電には至らないが放電が発生しやすい状態にすることができる。これにより、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との間に発生する放電を引き金にして、データ電極Ｄｋと交差する領域にある維持電極ＳＵ１と走査電極ＳＣ１との間に放電を発生させることができる。こうして、発光させるべき放電セルに書込み放電が起こり、走査電極ＳＣ１上に正の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵ１上に負の壁電圧が蓄積され、データ電極Ｄｋ上にも負の壁電圧が蓄積される。
【００４９】
このようにして、１行目に発光させるべき放電セルで書込み放電を起こして各電極上に壁電圧を蓄積する書込み動作が行われる。一方、書込みパルス電圧Ｖｄを印加しなかったデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍと走査電極ＳＣ１との交差部の電圧は放電開始電圧を超えないので、書込み放電は発生しない。以上の書込み動作をｎ行目の放電セルに至るまで順次行い、書込み期間が終了する。
【００５０】
続く維持期間では、輝度重みに所定の輝度倍率を乗じた数の維持パルスを表示電極対２４に交互に印加して、書込み放電を発生した放電セルで維持放電を発生させて発光させる。
【００５１】
具体的には、まず走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに正の維持パルス電圧Ｖｓを印加するとともに維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎにベース電位となる接地電位、すなわち０（Ｖ）を印加する。すると書込み放電を起こした放電セルでは、走査電極ＳＣｉ上と維持電極ＳＵｉ上との電圧差が、維持パルス電圧Ｖｓに走査電極ＳＣｉ上の壁電圧と維持電極ＳＵｉ上の壁電圧との差が加算されたものとなり、放電開始電圧を超える。
【００５２】
そして、走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとの間に維持放電が起こり、このとき発生した紫外線により蛍光体層３５が発光する。そして走査電極ＳＣｉ上に負の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵｉ上に正の壁電圧が蓄積される。さらにデータ電極Ｄｋ上にも正の壁電圧が蓄積される。なお、書込み期間において書込み放電が起きなかった放電セルでは維持放電は発生しない。
【００５３】
続いて、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎにはベース電位となる０（Ｖ）を、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎには維持パルス電圧Ｖｓをそれぞれ印加する。すると、維持放電を起こした放電セルでは、維持電極ＳＵｉ上と走査電極ＳＣｉ上との電圧差が放電開始電圧を超えるので、再び維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間に維持放電が起こり、維持電極ＳＵｉ上に負の壁電圧が蓄積され、走査電極ＳＣｉ上に正の壁電圧が蓄積される。以降同様に、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎとに、輝度重みに輝度倍率を乗じた数の維持パルスを交互に印加し、表示電極対２４の電極間に電位差を与える。これにより、書込み期間において書込み放電を起こした放電セルで維持放電が継続して発生する。
【００５４】
そして、維持期間における維持パルスの発生後に、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎおよびデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍには０（Ｖ）を印加したまま、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに、０（Ｖ）から放電開始電圧を超える電圧Ｖｅｒｓに向かって緩やかに（例えば、約１０Ｖ／μｓｅｃの勾配で）上昇する傾斜電圧（以下、「消去ランプ電圧」と呼称する）Ｌ３を印加する。これにより、維持放電を起こした放電セルの維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間に、微弱な放電が持続して発生する。そして、この微弱な放電で発生した荷電粒子は、維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間の電圧差を緩和するように、維持電極ＳＵｉ上および走査電極ＳＣｉ上に壁電荷となって蓄積されていく。これにより、データ電極Ｄｋ上の正の壁電圧を残したまま、走査電極ＳＣｉ上の壁電圧および維持電極ＳＵｉ上の壁電圧は、走査電極ＳＣｉに印加した電圧と放電開始電圧の差、例えば（電圧Ｖｅｒｓ−放電開始電圧）の程度まで弱められる。
【００５５】
その後、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する電圧を０（Ｖ）に戻し、維持期間における維持動作が終了する。
【００５６】
次に、選択初期化サブフィールドである第２ＳＦについて説明する。
【００５７】
第２ＳＦの初期化期間では、強制初期化波形の前半部を省略した駆動電圧波形を各電極に印加する。具体的には、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに電圧Ｖｅを、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに０（Ｖ）をそれぞれ印加する。そして、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎには放電開始電圧以下となる電圧（例えば、０（Ｖ））から負の電圧Ｖｉ４に向かって、下りランプ電圧Ｌ２と同じ勾配で下降する下りランプ電圧Ｌ４を印加する。
【００５８】
これにより直前のサブフィールド（図３では、第１ＳＦ）の維持期間で維持放電を起こした放電セルでは微弱な初期化放電が発生し、走査電極ＳＣｉ上部および維持電極ＳＵｉ上部の壁電圧が弱められ、データ電極Ｄｋ（ｋ＝１〜ｍ）上部の壁電圧も書込み動作に適した値に調整される。
【００５９】
以上の波形が、直前のサブフィールドの維持期間に維持放電を発生した放電セルだけに初期化放電を発生する選択初期化波形であり、以上の動作が選択初期化動作である。
【００６０】
なお、本発明における選択初期化波形は、何ら上述した波形に限定されるものではない。選択初期化波形は、直前のサブフィールドの維持期間に維持放電を発生した放電セルだけに初期化放電を発生する波形であればどのような波形であってもかまわない。例えば、本実施の形態では、下りランプ電圧Ｌ４を全て同じ勾配で発生させる構成を説明したが、下りランプ電圧Ｌ４を複数の期間に分け、各期間で勾配を変えて下りランプ電圧Ｌ４を発生させる構成としてもよい。
【００６１】
第２ＳＦの書込み期間では、第１ＳＦの書込み期間と同様の駆動波形を各電極に印加する。また、第２ＳＦの維持期間では、維持パルスの発生数を除き、第１ＳＦの維持期間と同様の駆動波形を各電極に印加する。
【００６２】
また、第３ＳＦ以降のサブフィールドでは、維持期間における維持パルスの発生数を除き、第２ＳＦと同様の駆動波形を各電極に印加する。
【００６３】
以上が、本実施の形態におけるパネル１０の各電極に印加する駆動電圧波形の概要である。
【００６４】
次に、本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置の構成について説明する。図４は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置１の回路ブロック図である。プラズマディスプレイ装置１は、パネル１０、画像信号処理回路４１、データ電極駆動回路４２、走査電極駆動回路４３、維持電極駆動回路４４、タイミング発生回路４５および各回路ブロックに必要な電源を供給する電源回路（図示せず）を備えている。
【００６５】
画像信号処理回路４１は、パネル１０の画素数に応じて、入力された画像信号ｓｉｇをサブフィールド毎の発光・非発光を示すサブフィールドデータに変換する。
【００６６】
タイミング発生回路４５は、水平同期信号Ｈおよび垂直同期信号Ｖにもとづき各回路ブロックの動作を制御する各種のタイミング信号を発生し、それぞれの回路ブロック（画像信号処理回路４１、データ電極駆動回路４２、走査電極駆動回路４３および維持電極駆動回路４４）へ供給する。
【００６７】
データ電極駆動回路４２は、サブフィールド毎のサブフィールドデータを各データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに対応する信号に変換し、タイミング発生回路４５から供給されるタイミング信号にもとづいて各データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍを駆動する。
【００６８】
走査電極駆動回路４３は、初期化期間において走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する初期化波形を発生するための初期化波形発生回路、維持期間において走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する維持パルスを発生するための維持パルス発生回路、複数の走査電極駆動ＩＣ（以下、「走査ＩＣ」と略記する）を備え書込み期間において走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する走査パルスを発生するための走査パルス発生回路を有する。そして、タイミング発生回路４５から供給されるタイミング信号にもとづいて各走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎを駆動する。
【００６９】
維持電極駆動回路４４は、維持パルス発生回路および電圧Ｖｅを発生するための回路を備え、タイミング発生回路４５から供給されるタイミング信号にもとづいて維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎを駆動する。
【００７０】
次に、走査電極駆動回路４３の詳細とその動作について説明する。
【００７１】
図５は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置１の走査電極駆動回路４３の一構成例を示す回路図である。走査電極駆動回路４３は、維持パルスを発生させる維持パルス発生回路５０、初期化波形を発生させる初期化波形発生回路５１、走査パルスを発生させる走査パルス発生回路５２を備え、走査パルス発生回路５２の各出力端子はパネル１０の走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎのそれぞれに接続されている。なお、本実施の形態では、走査パルス発生回路５２に入力される電圧を「基準電位Ａ」と記す。また、以下の説明においてスイッチング素子を導通させる動作を「オン」、遮断させる動作を「オフ」と表記し、スイッチング素子をオンさせる信号を「Ｈｉ」、オフさせる信号を「Ｌｏ」と表記する。
【００７２】
また、図５には、負の電圧Ｖａを用いた回路（例えば、ミラー積分回路５４）を動作させているときに、その回路と、維持パルス発生回路５０および電圧Ｖｒを用いた回路（例えば、ミラー積分回路５３）、電圧Ｖｅｒｓを用いた回路（例えば、ミラー積分回路５５）とを電気的に分離するためのスイッチング素子Ｑ４を用いた分離回路を示している。また、電圧Ｖｒを用いた回路（例えば、ミラー積分回路５３）を動作させているときに、その回路と、電圧Ｖｒよりも低い電圧の電圧Ｖｅｒｓを用いた回路（例えば、ミラー積分回路５５）とを電気的に分離するためのスイッチング素子Ｑ６を用いた分離回路を示している。
【００７３】
維持パルス発生回路５０は、一般に用いられている電力回収回路とクランプ回路とを備え、タイミング発生回路４５から出力されるタイミング信号にもとづき、内部に備えた各スイッチング素子を切換えて維持パルスを発生させる。なお、図５では、タイミング信号の信号経路の詳細は省略する。
【００７４】
走査パルス発生回路５２は、ｎ本の走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎのそれぞれに走査パルスを印加するためのスイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎおよびスイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎを備えている。スイッチング素子ＱＨｊ（ｊ＝１〜ｎ）の一方の端子とスイッチング素子ＱＬｊの一方の端子とは互いに接続されており、その接続箇所が走査パルス発生回路５２の出力端子となって、走査電極ＳＣｊに接続されている。また、スイッチング素子ＱＨｊの他方の端子は入力端子ＩＮｂとなっており、スイッチング素子ＱＬｊの他方の端子は入力端子ＩＮａとなっている。なお、スイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎ、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎは複数の出力毎にまとめられＩＣ化されている。このＩＣが走査ＩＣである。
【００７５】
また、走査パルス発生回路５２は、書込み期間において基準電位Ａを負の電圧Ｖａに接続するためのスイッチング素子Ｑ５と、基準電位Ａに電圧Ｖｓｃを重畳した電圧Ｖｃを発生させるための電源ＶＳＣ、ダイオードＤ３１、コンデンサＣ３１とを備えている。そして、スイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎの入力端子ＩＮｂには電圧Ｖｃが接続され、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎの入力端子ＩＮａには基準電位Ａが接続されている。
【００７６】
このように構成された走査パルス発生回路５２では、書込み期間においては、スイッチング素子Ｑ５をオンにして基準電位Ａを負の電圧Ｖａに等しくし、入力端子ＩＮａには負の電圧Ｖａを、入力端子ＩＮｂには電圧Ｖａ＋電圧Ｖｓｃとなった電圧Ｖｃ（図３に示す電圧Ｖｃｃ）を印加する。そして、サブフィールドデータにもとづき、走査パルスを印加する走査電極ＳＣｉに対しては、スイッチング素子ＱＨｉをオフ、スイッチング素子ＱＬｉをオンにすることで、スイッチング素子ＱＬｉを経由して走査電極ＳＣｉに負の走査パルス電圧Ｖａを印加し、走査パルスを印加しない走査電極ＳＣｈ（ｈは、１〜ｎのうちｉを除いたもの）に対しては、スイッチング素子ＱＬｈをオフ、スイッチング素子ＱＨｈをオンにすることで、スイッチング素子ＱＨｈを経由して走査電極ＳＣｈに電圧Ｖａ＋電圧Ｖｓｃを印加する。
【００７７】
また、走査パルス発生回路５２は、維持期間においては、維持パルス発生回路５０の電圧波形を出力するようにタイミング発生回路４５によって制御されるものとする。
【００７８】
なお、走査パルス発生回路５２の初期化期間における動作の詳細は後述する。
【００７９】
初期化波形発生回路５１は、ミラー積分回路５３、ミラー積分回路５４、およびミラー積分回路５５を有する。図５には、ミラー積分回路５３の入力端子を入力端子ＩＮ１、ミラー積分回路５４の入力端子を入力端子ＩＮ２、ミラー積分回路５５の入力端子を入力端子ＩＮ３として示している。なお、ミラー積分回路５３およびミラー積分回路５５は上昇する傾斜電圧を発生させる傾斜電圧発生回路であり、ミラー積分回路５４は下降する傾斜電圧を発生させる傾斜電圧発生回路である。
【００８０】
ミラー積分回路５３は、スイッチング素子Ｑ１とコンデンサＣ１と抵抗Ｒ１とを有し、初期化動作時に、走査電極駆動回路４３の基準電位Ａを電圧Ｖｉ２’までランプ状に緩やかに（例えば、０．５Ｖ／μｓｅｃで）上昇させて上りランプ電圧Ｌ１’を発生させる。
【００８１】
ミラー積分回路５５は、スイッチング素子Ｑ３とコンデンサＣ３と抵抗Ｒ３とを有し、維持期間の最後に、基準電位Ａを上りランプ電圧Ｌ１よりも急峻な勾配（例えば、１０Ｖ／μｓｅｃ）で電圧Ｖｅｒｓまで上昇させて消去ランプ電圧Ｌ３を発生させる。
【００８２】
ミラー積分回路５４は、スイッチング素子Ｑ２とコンデンサＣ２と抵抗Ｒ２とを有し、初期化動作時に、基準電位Ａを電圧Ｖｉ４までランプ状に緩やかに（例えば、−０．５Ｖ／μｓｅｃの勾配で）下降させて下りランプ電圧Ｌ２を発生させる。
【００８３】
次に、特定セル初期化サブフィールドの初期化期間において、強制初期化波形および非初期化波形を発生させる動作を図６を用いて説明する。
【００８４】
図６は、本発明の実施の形態１における特定セル初期化サブフィールドの初期化期間の走査電極駆動回路４３の動作の一例を説明するためのタイミングチャートである。なお、この図面では、強制初期化波形を印加する走査電極２２を「走査電極ＳＣｘ」と表し、非初期化波形を印加する走査電極２２を「走査電極ＳＣｙ」と表す。また、選択初期化サブフィールドにおいて選択初期化波形を発生させるときの走査電極駆動回路４３の動作については説明を省略するが、選択初期化波形である下りランプ電圧Ｌ４を発生させる動作は、図６に示す下りランプ電圧Ｌ２を発生させる動作と同様であるものとする。
【００８５】
また、図６では、初期化期間を期間Ｔ１〜期間Ｔ４で示す４つの期間に分割し、それぞれの期間について説明する。また、以下、電圧Ｖｉ１は電圧Ｖｓｃに等しいものとし、電圧Ｖｉ２は電圧Ｖｓｃ＋電圧Ｖｒに等しいものとし、電圧Ｖｉ２’は電圧Ｖｒに等しいものとし、電圧Ｖｉ３は維持パルスを発生させるときに用いる電圧Ｖｓに等しいものとし、電圧Ｖｉ４は負の電圧Ｖａに等しいものとして説明する。また、図面にはスイッチング素子をオンさせる信号を「Ｈｉ」、オフさせる信号を「Ｌｏ」と表記する。
【００８６】
なお、図６には、電圧Ｖｓが電圧Ｖｓｃよりも高い電圧値に設定された例を示しているが、電圧Ｖｓと電圧Ｖｓｃとが互いに等しい電圧値であってもよく、あるいは、電圧Ｖｓの方が電圧Ｖｓｃよりも低い電圧値であってもかまわない。
【００８７】
まず、期間Ｔ１に入る前に維持パルス発生回路５０のクランプ回路を動作させて基準電位Ａを０（Ｖ）にしておき、スイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎをオフ、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎをオンにして、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに基準電位Ａ、すなわち０（Ｖ）を印加する。
【００８８】
（期間Ｔ１）
期間Ｔ１では、走査電極ＳＣｘに接続されたスイッチング素子ＱＨｘをオンにし、スイッチング素子ＱＬｘをオフにする。これにより、強制初期化波形を印加する走査電極ＳＣｘには、基準電位Ａ（このとき、０（Ｖ））に電圧Ｖｓｃを重畳した電圧Ｖｃ（すなわち、電圧Ｖｃ＝電圧Ｖｓｃ）を印加する。
【００８９】
一方、走査電極ＳＣｙに接続されたスイッチング素子ＱＨｙはオフを、スイッチング素子ＱＬｙはオンをそれぞれ維持したままにする。これにより、非初期化波形を印加する走査電極ＳＣｙには、基準電位Ａ、すなわち０（Ｖ）を印加する。
【００９０】
（期間Ｔ２）
期間Ｔ２では、スイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎ、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎは、期間Ｔ１と同じ状態を維持する。すなわち、走査電極ＳＣｘに接続されたスイッチング素子ＱＨｘはオンを、スイッチング素子ＱＬｘはオフをそれぞれ維持し、走査電極ＳＣｙに接続されたスイッチング素子ＱＨｙはオフを、スイッチング素子ＱＬｙはオンをそれぞれ維持する。
【００９１】
次に、上りランプ電圧Ｌ１’を発生するミラー積分回路５３の入力端子ＩＮ１を「Ｈｉ」にする。具体的には入力端子ＩＮ１に、所定の定電流を入力する。これにより、コンデンサＣ１に向かって一定の電流が流れ、スイッチング素子Ｑ１のソース電圧がランプ状に上昇し、基準電位Ａが０（Ｖ）からランプ状に上昇し始める。この電圧上昇は、入力端子ＩＮ１を「Ｈｉ」にしている期間、もしくは、基準電位Ａが電圧Ｖｒに到達するまで継続させることができる。
【００９２】
このとき、傾斜電圧の勾配が所望の値（例えば、０．５Ｖ／μｓｅｃ）になるように、入力端子ＩＮ１に入力する定電流を発生させる。こうして、０（Ｖ）から電圧Ｖｉ２’（本実施の形態では、電圧Ｖｒに等しい）に向かって上昇する上りランプ電圧Ｌ１’を発生させる。
【００９３】
スイッチング素子ＱＨｙはオフ、スイッチング素子ＱＬｙはオンなので、走査電極ＳＣｙには、この上りランプ電圧Ｌ１’がそのまま印加される。
【００９４】
一方、スイッチング素子ＱＨｘはオン、スイッチング素子ＱＬｘはオフなので、走査電極ＳＣｘには、この上りランプ電圧Ｌ１’に電圧Ｖｓｃが重畳された電圧、すなわち電圧Ｖｉ１（本実施の形態では、電圧Ｖｓｃに等しい）から電圧Ｖｉ２（本実施の形態では、電圧Ｖｓｃ＋電圧Ｖｒに等しい）に向かって上昇する上りランプ電圧Ｌ１が印加される。
【００９５】
（期間Ｔ３）
期間Ｔ３では入力端子ＩＮ１を「Ｌｏ」にする。具体的には、入力端子ＩＮ１への定電流入力を停止する。こうして、ミラー積分回路５３の動作を停止する。また、スイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎをオフ、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎをオンにして、基準電位Ａを走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する。合わせて、維持パルス発生回路５０のクランプ回路を動作させて基準電位Ａを電圧Ｖｓにする。これにより、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎの電圧は電圧Ｖｉ３（本実施の形態では、電圧Ｖｓに等しい）まで低下する。
【００９６】
（期間Ｔ４）
期間Ｔ４では、スイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎ、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎは、期間Ｔ３と同じ状態を維持する。
【００９７】
次に、下りランプ電圧Ｌ２を発生するミラー積分回路５４の入力端子ＩＮ２を「Ｈｉ」にする。具体的には入力端子ＩＮ２に、所定の定電流を入力する。これにより、コンデンサＣ２に向かって一定の電流が流れ、スイッチング素子Ｑ２のドレイン電圧がランプ状に下降し始め、走査電極駆動回路４３の出力電圧も、負の電圧Ｖｉ４に向かってランプ状に下降し始める。この電圧下降は、入力端子ＩＮ２を「Ｈｉ」にしている期間、もしくは、基準電位Ａが電圧Ｖａに到達するまで継続させることができる。
【００９８】
このとき、傾斜電圧の勾配が所望の値（例えば、−０．５Ｖ／μｓｅｃ）になるように、入力端子ＩＮ２に入力する定電流を発生させる。
【００９９】
そして、走査電極駆動回路４３の出力電圧が負の電圧Ｖｉ４（本実施の形態では、電圧Ｖａに等しい）に到達したら、入力端子ＩＮ２を「Ｌｏ」にする。具体的には、入力端子ＩＮ２への定電流入力を停止する。こうして、ミラー積分回路５４の動作を停止する。
【０１００】
こうして、電圧Ｖｉ３（本実施の形態では、電圧Ｖｓに等しい）から負の電圧Ｖｉ４に向かって下降する下りランプ電圧Ｌ２を発生させ、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する。
【０１０１】
なお、入力端子ＩＮ２を「Ｌｏ」にしてミラー積分回路５４の動作を停止したら、スイッチング素子Ｑ５をオンにして、基準電位Ａを電圧Ｖａにする。合わせて、スイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎをオン、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎをオフにする。こうして、基準電位Ａに電圧Ｖｓｃを重畳した電圧Ｖｃ、すなわち、電圧Ｖｃｃ（本実施の形態では、電圧Ｖａ＋電圧Ｖｓｃに等しい）を走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加し、続く書込み期間に備える。
【０１０２】
本実施の形態ではこのようにして、特定セル初期化サブフィールドの初期化期間において、強制初期化波形および非初期化波形を発生する。そして、スイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎと、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎとを制御することで、強制初期化波形を走査電極ＳＣｘに印加し、非初期化波形を走査電極ＳＣｙに印加する、というように、強制初期化波形および非初期化波形を選択的に走査電極２２に印加することができる。
【０１０３】
なお、下りランプ電圧Ｌ２、下りランプ電圧Ｌ４は、図６に示すように電圧Ｖａまで下降させる構成であってもよいが、例えば、下降する電圧が、電圧Ｖａに所定の正の電圧Ｖｓｅｔ２を重畳した電圧に到達した時点で、下降を停止させる構成としてもよい。また、下りランプ電圧Ｌ２および下りランプ電圧Ｌ４は、あらかじめ設定された電圧に到達した後、直ちに上昇させる構成であってもよいが、例えば、下降する電圧が、あらかじめ設定された低電圧に到達したら、その後、その電圧を一定期間維持する構成であってもよい。
【０１０４】
次に、本実施の形態における特定セル初期化サブフィールドの初期化期間において強制初期化波形および非初期化波形を発生するときの規則について説明する。
【０１０５】
プラズマディスプレイ装置１において、画像表示品質を高める上で重要な要素の１つとして、パネル１０に表示される画像のコントラストを向上することが挙げられる。パネル１０のコントラストを向上するには、表示画像の輝度の最大値を高めるか、あるいは表示画像の輝度の最小値、すなわち黒輝度を低減するかの、少なくとも一方を実現すればよい。このとき、家庭内における一般的なテレビジョン視聴環境を考慮すると、黒輝度を低減してコントラストを向上することが、画像表示品質を高める上でより重要であると考えられる。
【０１０６】
黒輝度は、画像の表示に関係のない発光によって変化する。そのため、画像の表示に関係のない発光を低減することで黒輝度を低減することができる。画像の表示に関係のない発光の主なものに、初期化放電による発光がある。ただし、上述した選択初期化動作は、直前のサブフィールドで維持放電を発生しなかった放電セルでは放電が発生しないので、黒輝度の明るさに実質的に影響を与えない。一方、上述した強制初期化動作は、直前のサブフィールドの動作にかかわらず放電セルに初期化放電を発生させるため、黒輝度の明るさに影響を与える。
【０１０７】
そこで、本実施の形態では、この強制初期化動作を行う頻度を低減することで表示画像の黒輝度を低減するものとする。
【０１０８】
すなわち、本実施の形態では、時間的に連続する複数のフィールドで１つのフィールド群を構成するとともに、配置的に連続する複数の走査電極２２で１つの走査電極群を構成するものとする。そして、以下の規則に則り、強制初期化動作および非初期化動作を行うものとする。
・１つの走査電極２２に強制初期化波形を印加する回数を１つのフィールド群で１回とする。
・特別初期化サブフィールド（本実施の形態では、特定セル初期化サブフィールド）において、強制初期化波形を印加する走査電極２２の数を、１つの走査電極群で１本とする。
・特別初期化サブフィールド（本実施の形態では、特定セル初期化サブフィールド）において強制初期化波形を印加する走査電極２２の両側の走査電極２２には、その特別初期化サブフィールドと、その特別初期化サブフィールドの後の最初の特別初期化サブフィールドとの少なくとも２つの特別初期化サブフィールドで非初期化波形を印加する。
【０１０９】
この具体的な一例を、図面を用いて説明する。
【０１１０】
図７は、本発明の実施の形態１の特定セル初期化サブフィールドの初期化期間における強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンの一例を示す概略図である。図７において、横軸はフィールドを、縦軸は走査電極２２を表す。
【０１１１】
なお、図７には、時間的に連続する５つのフィールドで１つのフィールド群を構成するとともに、配置的に連続する５本の走査電極２２で１つの走査電極群を構成する例を示す。また、図７に示す例では、第１ＳＦを上述した特定セル初期化サブフィールドとし、残りのサブフィールド（例えば、第２ＳＦ〜第８ＳＦ）を、上述した選択初期化サブフィールドとする。そして、図７に示す「○」は、第１ＳＦの初期化期間において強制初期化動作を行うこと、すなわち、図６に示した上りランプ電圧Ｌ１と下りランプ電圧Ｌ２とを有する強制初期化波形を走査電極２２に印加することを表し、「×」は、第１ＳＦの初期化期間において上述した非初期化動作を行うこと、すなわち、図６に示した上りランプ電圧Ｌ１’と下りランプ電圧Ｌ２とを有する非初期化波形を走査電極２２に印加することを表す。
【０１１２】
以下、１つの走査電極群を構成する走査電極ＳＣｉ〜走査電極ＳＣｉ＋４、および１つのフィールド群を構成するｊフィールド〜ｊ＋４フィールドを例に挙げて説明を行う。
【０１１３】
まず、ｊフィールドの第１ＳＦでは、走査電極ＳＣｉに強制初期化波形を印加し、残りの走査電極ＳＣｉ＋１〜走査電極ＳＣｉ＋４には非初期化波形を印加する。
【０１１４】
続くｊ＋１フィールドの第１ＳＦでは、走査電極ＳＣｉ＋３に強制初期化波形を印加し、残りの走査電極ＳＣｉ〜走査電極ＳＣｉ＋２、走査電極ＳＣｉ＋４には非初期化波形を印加する。
【０１１５】
続くｊ＋２フィールドの第１ＳＦでは、走査電極ＳＣｉ＋１に強制初期化波形を印加し、残りの走査電極ＳＣｉ、走査電極ＳＣｉ＋２〜走査電極ＳＣｉ＋４には非初期化波形を印加する。
【０１１６】
続くｊ＋３フィールドの第１ＳＦでは、走査電極ＳＣｉ＋４に強制初期化波形を印加し、残りの走査電極ＳＣｉ〜走査電極ＳＣｉ＋３には非初期化波形を印加する。
【０１１７】
続くｊ＋４フィールドの第１ＳＦでは、走査電極ＳＣｉ＋２に強制初期化波形を印加し、残りの走査電極ＳＣｉ、走査電極ＳＣｉ＋１、走査電極ＳＣｉ＋３、走査電極ＳＣｉ＋４には非初期化波形を印加する。
【０１１８】
こうして、１つの走査電極群における１つのフィールド群の動作を終了する。他の走査電極群に対しても、上述と同様の動作を行い、これ以降においても、各フィールド群で上述と同様の動作を繰り返す。
【０１１９】
このように、本実施の形態では、各放電セルで強制初期化動作を行う回数が、１つのフィールド群（図７に示す例では、５フィールド）でそれぞれ１回となるように強制初期化波形および非初期化波形を選択的に発生してパネル１０を駆動する。
【０１２０】
これにより、フィールド毎に全ての放電セルで強制初期化動作を行う構成と比較して、各放電セルで強制初期化動作を行う頻度を低減（図７に示す例では、５分の１に低減）することができるので、表示画像の黒輝度を低減することができる。
【０１２１】
さらに、本実施の形態では、１つの特定セル初期化サブフィールドにおいて、強制初期化波形を印加する走査電極２２の数を、１つの走査電極群で１本となるように強制初期化波形および非初期化波形を選択的に発生してパネル１０を駆動する。
【０１２２】
図７に示す例では、例えば走査電極ＳＣｉ〜走査電極ＳＣｉ＋４からなる走査電極群に関しては、強制初期化波形を印加する走査電極２２を、ｊフィールドでは走査電極ＳＣｉとし、ｊ＋１フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋３とし、ｊ＋２フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋１とし、ｊ＋３フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋４とし、ｊ＋４フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋２とする。
【０１２３】
これにより、強制初期化動作を行う放電セルを各フィールドに分散することができる。すなわち、特定セル初期化サブフィールドの初期化期間に生じる輝度を、パネル１０の全放電セルで一斉に強制初期化動作を行うときに生じる輝度と比較して、低減することができる。
【０１２４】
さらに、各フィールドを、パネル１０の全放電セルで一斉に強制初期化動作を行うフィールドと、全放電セルで一斉に非初期化動作を行うフィールドとに分ける構成と比較して、「フリッカー」と呼ばれる細かいちらつきを低減することができる。
【０１２５】
この、各フィールドを、パネル１０の全放電セルで一斉に強制初期化動作を行うフィールドと、全放電セルで一斉に非初期化動作を行うフィールドとに分ける構成の一例を図８に示し、この構成にするとフリッカーが発生しやすくなる理由について説明する。
【０１２６】
図８は、各フィールドを、パネル１０の全放電セルで一斉に強制初期化動作を行うフィールドと、全放電セルで一斉に非初期化動作を行うフィールドとに分ける構成の一例を概略的に示す図である。
【０１２７】
図８には、時間的に連続する３つのフィールドで１つのフィールド群を構成する例を示す。ただし、図８に示す構成は、本実施の形態における図７に示す構成と異なり、３フィールドに１回の周期でパネル１０の全放電セルで初期化動作を行う。
【０１２８】
このような構成では、例えば、ｊフィールドの第１ＳＦの初期化期間では、パネル１０の全放電セルが強制初期化動作による放電によって発光する。一方、ｊ＋１フィールドおよびｊ＋２フィールドの第１ＳＦの初期化期間では、全放電セルで非初期化動作が行われるので、発光は生じない。したがって、パネル１０の画像表示面において、ｊフィールドの第１ＳＦとｊ＋１フィールドおよびｊ＋２フィールドの第１ＳＦとの間に、微小ではあるが輝度の差が生じる。そのため、例えば、６０フィールド／秒の周期で更新される画像をパネル１０に表示すると、この微小な輝度の変化が２０フィールド／秒の周期で発生することになる。
【０１２９】
表示画像が十分に明るければ、この輝度の変化が使用者に認識される可能性は低い。しかし、上述したような２０フィールド／秒程度と比較的遅い周期で生じる輝度の変化であれば、暗い画像を表示したときに、その変化が、細かいちらつき、すなわちフリッカーとして使用者に認識されるおそれがある。
【０１３０】
したがって、黒輝度を低減するために強制初期化動作を行う頻度を低減したとしても、図８に示すような、各フィールドをパネル１０の全放電セルで一斉に強制初期化動作を行うフィールドと全放電セルで一斉に非初期化動作を行うフィールドとに分ける構成にすると、フリッカーが認識されやすくなり、画像表示品質を損ねる可能性がある。
【０１３１】
しかしながら、輝度の変化の周期が十分に早ければ（例えば、６０フィールド／秒程度であれば）、表示画像が暗くとも、この輝度の変化が使用者に認識される可能性は低い。すなわち、例えば図７に示すような本実施の形態における構成でパネル１０を駆動すれば、強制初期化動作を行う放電セルを各フィールドに分散し、輝度の変化の周期を十分に早めることができるので、図８に示す構成と比較してフリッカーを低減することができる。
【０１３２】
さらに、本実施の形態では、特定セル初期化サブフィールドにおいて強制初期化波形を印加する走査電極２２の両側の走査電極２２に、そのフィールドにおける特定セル初期化サブフィールドと、続くフィールドにおける特定セル初期化サブフィールドとの少なくとも２つの特定セル初期化サブフィールドで非初期化波形を印加するように強制初期化波形および非初期化波形を選択的に発生してパネル１０を駆動する。
【０１３３】
例えば、図７に示す例では、走査電極ＳＣｉ＋３にｊ＋１フィールドの第１ＳＦで強制初期化波形を印加するとき、その両側の走査電極ＳＣｉ＋２と走査電極ＳＣｉ＋４とに、ｊ＋１フィールドおよびｊ＋２フィールドの少なくとも２つのフィールドの第１ＳＦで非初期化波形を印加する。
【０１３４】
これにより、強制初期化動作を行う放電セルの時間的および位置的な変化の連続性を低減することができる。したがって、強制初期化動作を行う頻度を低減したときにパネル１０の画像表示面に発生しやすい線状のノイズを、強制初期化動作を行う放電セルの時間的および位置的な変化の連続性が高い構成と比較して、低減することができる。
【０１３５】
この、強制初期化動作を行う放電セルの時間的および位置的な変化の連続性が高い構成の一例を図９に示し、線状のノイズが発生しやすい理由について説明する。
【０１３６】
図９は、強制初期化動作を行う放電セルの時間的および位置的な変化の連続性が高い構成の一例を概略的に示す図である。
【０１３７】
図９には、時間的に連続する３つのフィールドで１つのフィールド群を構成するとともに、配置的に連続する３本の走査電極２２で１つの走査電極群を構成する例を示す。ただし、図９に示す構成は、本実施の形態における図７に示す構成と異なり、強制初期化波形を印加した走査電極２２に隣り合う走査電極２２に、続くフィールドの特定セル初期化サブフィールドで強制初期化波形を印加している。
【０１３８】
例えば、ｊフィールドの第１ＳＦで強制初期化波形を印加した走査電極ＳＣｉに隣り合う走査電極ＳＣｉ＋１に、続くｊ＋１フィールドの第１ＳＦで強制初期化波形を印加している。また、走査電極ＳＣｉ＋１に隣り合う走査電極ＳＣｉ＋２には、続くｊ＋２フィールドの第１ＳＦで強制初期化波形を印加している。
【０１３９】
この構成では、例えば、ｊフィールドの第１ＳＦの初期化期間では、走査電極ＳＣｉ上に形成された放電セルが強制初期化動作による放電によって発光する。続く、ｊ＋１フィールドの第１ＳＦの初期化期間では、走査電極ＳＣｉ＋１上に形成された放電セルが強制初期化動作による放電によって発光する。続く、ｊ＋２フィールドの第１ＳＦの初期化期間では、走査電極ＳＣｉ＋２上に形成された放電セルが強制初期化動作による放電によって発光する。
【０１４０】
このように、図９に示す構成では、強制初期化動作を行った放電セルに隣り合う放電セルに対して、続くフィールドで強制初期化動作が行われる。これにより、使用者には、強制初期化動作を行う放電セルが時間的および位置的に連続して変化したように認識されやすくなる。その結果、その連続した変化の軌跡が線状のノイズとして使用者に認識される可能性が高まる。
【０１４１】
しかしながら、例えば図７に示すような本実施の形態における構成でパネル１０を駆動すれば、強制初期化動作がなされる放電セルに隣り合う放電セルでは、そのフィールドおよび続くフィールドの少なくとも２フィールドの第１ＳＦにおいて非初期化動作がなされ、初期化放電が発生しない。これにより、強制初期化動作を行う放電セルの時間的および位置的な変化の連続性を低減することができ、上述した線状のノイズの発生を低減することができる。
【０１４２】
以上示したように、本実施の形態では、時間的に連続する複数のフィールドで１つのフィールド群を構成するとともに、配置的に連続する複数の走査電極２２で１つの走査電極群を構成するものとする。そして、１つの走査電極２２に強制初期化波形を印加する回数を１つのフィールド群で１回とする。また、特別初期化サブフィールド（本実施の形態では、特定セル初期化サブフィールド）において、強制初期化波形を印加する走査電極２２の数を、１つの走査電極群で１本とする。さらに、特別初期化サブフィールド（本実施の形態では、特定セル初期化サブフィールド）において強制初期化波形を印加する走査電極２２の両側の走査電極２２には、その特別初期化サブフィールドと、その特別初期化サブフィールドの後の最初の特別初期化サブフィールドとの少なくとも２つの特別初期化サブフィールドで非初期化波形を印加するものとする。このような規則に則り強制初期化波形および非初期化波形を発生させる構成とすることで、パネル１０に表示される画像の黒輝度を低減し、コントラストを高めることが可能となる。さらに、強制初期化動作を行う頻度を低減したときに発生しやすいフリッカーや線状のノイズを低減することが可能となる。
【０１４３】
なお、本発明は、特定セル初期化サブフィールドにおける強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンが何ら図７に示した構成に限定されるものではない。強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンが本実施の形態に示す規則に則ったものであれば、図７に示した例とは異なるパターンで強制初期化波形および非初期化波形を発生してもよ
い。
【０１４４】
図１０は、本発明の実施の形態１の特定セル初期化サブフィールドの初期化期間における強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンの他の一例を示す概略図である。
【０１４５】
図１０には、図７に示した例と同様に、時間的に連続する５つのフィールドで１つのフィールド群を構成するとともに、配置的に連続する５本の走査電極２２で１つの走査電極群を構成する例を示す。しかし、強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンは、図７に示した例とは異なる。
【０１４６】
図１０に示す例では、例えば走査電極ＳＣｉ〜走査電極ＳＣｉ＋４からなる走査電極群に関しては、強制初期化波形を印加する走査電極２２を、ｊフィールドでは走査電極ＳＣｉとし、ｊ＋１フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋２とし、ｊ＋２フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋４とし、ｊ＋３フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋１とし、ｊ＋４フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋３とする。
【０１４７】
このように、図７に示した例とは異なる発生パターンであっても、上述した規則に則り、強制初期化波形および非初期化波形を発生させることができる。
【０１４８】
また、本発明は、フィールド群を構成するフィールドの数および走査電極群を構成する走査電極２２の数が何ら図７に示した構成に限定されるものではない。強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンが本実施の形態に示す規則に則ったものであれば、図７に示した例とは異なる数のフィールドでフィールド群を構成し、図７に示した例とは異なる数の走査電極２２で走査電極群を構成してもよい。
【０１４９】
図１１Ａ、図１１Ｂは、本発明の実施の形態１の特定セル初期化サブフィールドの初期化期間における強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンのさらに他の一例を示す概略図である。
【０１５０】
図１１Ａには、図７に示した例とは異なり、時間的に連続する７つのフィールドで１つのフィールド群を構成するとともに、配置的に連続する７本の走査電極２２で１つの走査電極群を構成する例を示す。また、図１１Ｂには、時間的に連続する８つのフィールドで１つのフィールド群を構成するとともに、配置的に連続する８本の走査電極２２で１つの走査電極群を構成する例を示す。
【０１５１】
図１１Ａに示す例では、例えば走査電極ＳＣｉ〜走査電極ＳＣｉ＋６からなる走査電極群に関しては、強制初期化波形を印加する走査電極２２を、ｊフィールドでは走査電極ＳＣｉとし、ｊ＋１フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋３とし、ｊ＋２フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋６とし、ｊ＋３フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋２とし、ｊ＋４フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋５とし、ｊ＋５フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋１とし、ｊ＋６フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋４とする。
【０１５２】
また、図１１Ｂに示す例では、例えば走査電極ＳＣｉ〜走査電極ＳＣｉ＋７からなる走査電極群に関しては、強制初期化波形を印加する走査電極２２を、ｊフィールドでは走査電極ＳＣｉとし、ｊ＋１フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋３とし、ｊ＋２フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋６とし、ｊ＋３フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋１とし、ｊ＋４フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋４とし、ｊ＋５フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋７とし、ｊ＋６フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋２とし、ｊ＋７フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋５とする。
【０１５３】
例えば、このような構成であっても、上述した規則に則り、強制初期化波形および非初期化波形を発生させることができる。
【０１５４】
このように、本発明においては、１つのフィールド群を構成するフィールドの数、および１つの走査電極群を構成する走査電極２２の数が何ら限定されるものではない。本実施の形態に示す規則に則り強制初期化波形および非初期化波形を発生すれば、フィールド群および走査電極群はどのように構成されてもよい。
【０１５５】
（実施の形態２）
実施の形態１では、特別初期化サブフィールドの全てを特定セル初期化サブフィールドとする構成を説明した。しかし、本発明においては、特別初期化サブフィールドを、初期化期間に全ての走査電極２２に非初期化波形を印加して全セル非初期化動作を行う全セル非初期化サブフィールドとすることもできる。
【０１５６】
そこで、本実施の形態では、特別初期化サブフィールドを、特定セル初期化サブフィールドと全セル非初期化サブフィールドとの双方で発生させる構成について説明する。すなわち、本実施の形態では、１つのフィールド群を、特定セル初期化サブフィールド（例えば、第１ＳＦ）および複数の選択初期化サブフィールド（例えば、第２ＳＦ〜第８ＳＦ）を有する初期化フィールドと、全セル非初期化サブフィールド（例えば、第１ＳＦ）および複数の選択初期化サブフィールド（例えば、第２ＳＦ〜第８ＳＦ）を有する非初期化フィールドとで構成するものとする。
【０１５７】
なお、本実施の形態においては、特別初期化サブフィールドを、特定セル初期化サブフィールドと全セル非初期化サブフィールドとの双方で発生させる以外は、実施の形態１に示した構成と同様であるので、パネル１０およびプラズマディスプレイ装置１の構成や各駆動波形等については説明を省略する。
【０１５８】
本実施の形態では、１つのフィールド群を初期化フィールドと非初期化フィールドとで構成する。したがって、実施の形態１で説明した強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンに関する規則を本実施の形態では以下の通りとする。
・１つの走査電極２２に強制初期化波形を印加する回数を１つのフィールド群で１回とする。
・特別初期化サブフィールドにおいて、強制初期化波形を印加する走査電極２２の数を、１つの走査電極群で１本または０本とする。すなわち、強制初期化波形を印加する走査電極２２の数を、特定セル初期化サブフィールドでは各走査電極群でそれぞれ１本とし、全セル非初期化サブフィールドでは各走査電極群でそれぞれ０本とする。
・特別初期化サブフィールド（特定セル初期化サブフィールド）において強制初期化波形を印加する走査電極２２の両側の走査電極２２には、その特別初期化サブフィールドと、その特別初期化サブフィールドの後の最初の特別初期化サブフィールド（本実施の形態では、特定セル初期化サブフィールド、または全セル非初期化サブフィールド）との少なくとも２つの特別初期化サブフィールドで非初期化波形を印加する。
【０１５９】
以下、本実施の形態における具体的な構成例を、図面を用いて説明する。
【０１６０】
図１２は、本発明の実施の形態２の特別初期化サブフィールドの初期化期間における強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンの一例を示す概略図である。図１２において、横軸はフィールドを、縦軸は走査電極２２を表す。
【０１６１】
なお、図１２には、時間的に連続する６つのフィールドで１つのフィールド群を構成するとともに、配置的に連続する３本の走査電極２２で１つの走査電極群を構成する例を示す。また、図１２に示す例では、第１ＳＦを特別初期化サブフィールド（特定セル初期化サブフィールド、または全セル非初期化サブフィールド）とし、残りのサブフィールド（例えば、第２ＳＦ〜第８ＳＦ）を、選択初期化サブフィールドとする。そして、図１２に示す「○」は、第１ＳＦの初期化期間において強制初期化動作を行うこと、すなわち、図６に示した上りランプ電圧Ｌ１と下りランプ電圧Ｌ２とを有する強制初期化波形を走査電極２２に印加することを表し、「×」は、第１ＳＦの初期化期間において上述した非初期化動作を行うこと、すなわち、図６に示した上りランプ電圧Ｌ１’と下りランプ電圧Ｌ２とを有する非初期化波形を走査電極２２に印加することを表す。
【０１６２】
以下、１つの走査電極群を構成する走査電極ＳＣｉ〜走査電極ＳＣｉ＋２、および１つのフィールド群を構成するｊフィールド〜ｊ＋５フィールドを例に挙げて説明を行う。
【０１６３】
まず、ｊフィールドの第１ＳＦでは、走査電極ＳＣｉに強制初期化波形を印加し、走査電極ＳＣｉ＋１および走査電極ＳＣｉ＋２には非初期化波形を印加する。
【０１６４】
続くｊ＋１フィールドの第１ＳＦでは、全ての走査電極２２に非初期化波形を印加する。
【０１６５】
続くｊ＋２フィールドの第１ＳＦでは、走査電極ＳＣｉ＋１に強制初期化波形を印加し、走査電極ＳＣｉおよび走査電極ＳＣｉ＋２には非初期化波形を印加する。
【０１６６】
続くｊ＋３フィールドの第１ＳＦでは、全ての走査電極２２に非初期化波形を印加する。
【０１６７】
続くｊ＋４フィールドの第１ＳＦでは、走査電極ＳＣｉ＋２に強制初期化波形を印加し、走査電極ＳＣｉおよび走査電極ＳＣｉ＋１には非初期化波形を印加する。
【０１６８】
続くｊ＋５フィールドの第１ＳＦでは、全ての走査電極２２に非初期化波形を印加する。
【０１６９】
こうして、１つの走査電極群における１つのフィールド群の動作を終了する。他の走査電極群に対しても、上述と同様の動作を行い、これ以降においても、各フィールド群で上述と同様の動作を繰り返す。なお、図１２に示す構成においては、ｊフィールド、ｊ＋２フィールド、ｊ＋４フィールド、・・・、は特定セル初期化フィールドとなり、ｊ＋１フィールド、ｊ＋３フィールド、ｊ＋５フィールド、・・・、は非初期化フィールドとなる。
【０１７０】
本実施の形態では、このような構成とすることで、フィールド毎に全ての放電セルで強制初期化動作を行う構成と比較して、強制初期化動作を行う頻度を低減（図１２に示す例では、６分の１に低減）することができる。これにより、表示画像の黒輝度を低減することができる。特に、本実施の形態では、周期的に非初期化フィールドを発生させるので、実施の形態１に示す構成と比較して、走査電極群を構成する走査電極２２の数が互いに同じであれば、さらに黒輝度を低減することができる。
【０１７１】
また、本実施の形態では、このような構成とすることで、実施の形態１と同様に、パネル１０の全放電セルで一斉に強制初期化動作を行う図８に示すような構成と比較して、強制初期化動作を行う放電セルを各フィールドに分散することができる。これにより、特定セル初期化サブフィールドの初期化期間に生じる輝度を、パネル１０の全放電セルで一斉に強制初期化動作を行うときに生じる輝度と比較して、低減することができる。
【０１７２】
なお、初期化フィールドにおける特定セル初期化動作では初期化放電による微弱な発光が生じるが、非初期化フィールドにおける全セル非初期化動作では初期化放電が発生しないので、初期化放電による発光も生じない。そのため、実施の形態１とは異なり、パネル１０の画像表示面においてこれらのフィールド間に微小な輝度の差が生じる。したがって、特定セル初期化動作を行う初期化フィールドと、全セル非初期化動作を行う非初期化フィールドとが交互に発生する図１２に示す構成では、例えば６０フィールド／秒の周期で更新される画像をパネル１０に表示すると、この微小な輝度の変化が３０フィールド／秒の周期で発生することになる。
【０１７３】
しかし、本実施の形態では、上述したように、特定セル初期化サブフィールドの初期化期間に生じる輝度が低減（図１２に示す構成では、パネル１０の全放電セルで一斉に強制初期化動作を行う構成と比較して１／３に低減）されるので、パネル１０の画像表示面において、この輝度の変化は非常に小さくなる。したがって、この輝度の変化が使用者に認識される可能性は極めて低いと考えられる。そして、本発明者が行った実験、すなわち表示画像を様々に変えながらフリッカーの発生を確認する実験においても、フリッカーの発生は実質的に確認されなかった。
【０１７４】
また、本実施の形態では、上述した構成とすることで、実施の形態１と同様に、強制初期化動作を行う放電セルの時間的および位置的な変化の連続性を低減することができる。これにより、強制初期化動作を行う頻度を低減したときにパネル１０の画像表示面に発生しやすい線状のノイズを、例えば図９に示したような強制初期化動作を行う放電セルの時間的および位置的な変化の連続性が高い構成と比較して、低減することができる。
【０１７５】
特に、本実施の形態では、周期的に非初期化フィールドを発生させるので、強制初期化動作を行う放電セルの時間的および位置的な変化の連続性を、実施の形態１に示した構成、すなわち、フィールド群を初期化フィールドだけで構成する構成よりもさらに低減することができ、上述した線状のノイズの発生をさらに抑制することができる。
【０１７６】
なお、本発明は、特定セル初期化サブフィールドにおける強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンが何ら図１２に示した構成に限定されるものではない。
【０１７７】
図１３は、本発明の実施の形態２の特別初期化サブフィールドの初期化期間における強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンの他の一例を示す概略図である。
【０１７８】
図１３には、図１２に示した例と同様に、時間的に連続する６つのフィールドで１つのフィールド群を構成するとともに、配置的に連続する３本の走査電極２２で１つの走査電極群を構成する例を示す。しかし、強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンは、図１２に示した例とは異なる。
【０１７９】
図１３に示す例では、ｊフィールド、ｊ＋２フィールド、ｊ＋４フィールド、・・・、を特定セル初期化フィールドとし、ｊ＋１フィールド、ｊ＋３フィールド、ｊ＋５フィールド、・・・、を非初期化フィールドとする。
【０１８０】
そして、例えば走査電極ＳＣｉ〜走査電極ＳＣｉ＋２からなる走査電極群に関しては、強制初期化波形を印加する走査電極２２を、ｊフィールドでは走査電極ＳＣｉとし、ｊ＋２フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋２とし、ｊ＋４フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋１とする。
【０１８１】
このように、図１２に示した例とは異なる発生パターンであっても、上述した規則に則り、強制初期化波形および非初期化波形を発生させることができる。
【０１８２】
図１４は、本発明の実施の形態２の特別初期化サブフィールドの初期化期間における強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンのさらに他の一例を示す概略図である。
【０１８３】
図１４には、図１２に示した例とは異なり、時間的に連続する４つのフィールドで１つのフィールド群を構成するとともに、配置的に連続する２本の走査電極２２で１つの走査電極群を構成する例を示す。
【０１８４】
図１４に示す例では、ｊフィールド、ｊ＋２フィールド、ｊ＋４フィールド、・・・、を特定セル初期化フィールドとし、ｊ＋１フィールド、ｊ＋３フィールド、ｊ＋５フィールド、・・・、を非初期化フィールドとする。
【０１８５】
そして、例えば走査電極ＳＣｉ、走査電極ＳＣｉ＋１からなる走査電極群に関しては、強制初期化波形を印加する走査電極２２を、ｊフィールドでは走査電極ＳＣｉとし、ｊ＋２フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋１とする。
【０１８６】
例えば、このような構成であっても、上述した規則に則り、強制初期化波形および非初期化波形を発生させることができる。
【０１８７】
なお、図１２、図１３、図１４では、特定セル初期化フィールドと非初期化フィールドとを交互に発生する構成を説明したが、本発明は何らこの構成に限定されるものではない。１つのフィールド群において、特定セル初期化フィールドの発生数と非初期化フィールドの発生数とが互いに異なっていてもかまわない。
【０１８８】
図１５は、本発明の実施の形態２の特別初期化サブフィールドの初期化期間における強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンのさらに他の一例を示す概略図である。
【０１８９】
図１５には、時間的に連続する６つのフィールドで１つのフィールド群を構成するとともに、配置的に連続する４本の走査電極２２で１つの走査電極群を構成し、かつ、特定セル初期化フィールドの発生数が非初期化フィールドの発生数よりも多い例を示す。
【０１９０】
図１５に示す例では、ｊフィールド、ｊ＋１フィールド、ｊ＋３フィールド、ｊ＋４フィールド、・・・、を特定セル初期化フィールドとし、ｊ＋２フィールド、ｊ＋５フィールド、ｊ＋８フィールド、・・・、を非初期化フィールドとする。
【０１９１】
そして、例えば走査電極ＳＣｉ〜走査電極ＳＣｉ＋３からなる走査電極群に関しては、強制初期化波形を印加する走査電極２２を、ｊフィールドでは走査電極ＳＣｉとし、ｊ＋１フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋２とし、ｊ＋３フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋１とし、ｊ＋４フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋３とする。
【０１９２】
例えば、このような構成であっても、上述した規則に則り、強制初期化波形および非初期化波形を発生させることができる。
【０１９３】
図１６は、本発明の実施の形態２の特別初期化サブフィールドの初期化期間における強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンのさらに他の一例を示す概略図である。
【０１９４】
図１６には、時間的に連続する６つのフィールドで１つのフィールド群を構成するとともに、配置的に連続する２本の走査電極２２で１つの走査電極群を構成し、かつ、特定セル初期化フィールドの発生数が非初期化フィールドの発生数よりも少ない例を示す。
【０１９５】
図１６に示す例では、ｊフィールド、ｊ＋３フィールド、ｊ＋６フィールド、・・・、を特定セル初期化フィールドとし、ｊ＋１フィールド、ｊ＋２フィールド、ｊ＋４フィールド、ｊ＋５フィールド、・・・、を非初期化フィールドとする。
【０１９６】
そして、例えば走査電極ＳＣｉ、走査電極ＳＣｉ＋１からなる走査電極群に関しては、強制初期化波形を印加する走査電極２２を、ｊフィールドでは走査電極ＳＣｉとし、ｊ＋３フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋１とする。
【０１９７】
例えば、このような構成であっても、上述した規則に則り、強制初期化波形および非初期化波形を発生させることができる。
【０１９８】
以上示したように、本実施の形態では、１つのフィールド群を、特定セル初期化サブフィールドおよび複数の選択初期化サブフィールドを有する初期化フィールドと、全セル非初期化サブフィールドおよび複数の選択初期化サブフィールドを有する非初期化フィールドとで構成するものとする。そして、１つの走査電極２２に強制初期化波形を印加する回数を１つのフィールド群で１回とする。また、特別初期化サブフィールドにおいて、強制初期化波形を印加する走査電極２２の数を、１つの走査電極群で１本または０本とする。すなわち、強制初期化波形を印加する走査電極２２の数を、特定セル初期化サブフィールドでは各走査電極群でそれぞれ１本とし、全セル非初期化サブフィールドでは各走査電極群でそれぞれ０本とする。さらに、特別初期化サブフィールド（特定セル初期化サブフィールド）において強制初期化波形を印加する走査電極２２の両側の走査電極２２には、その特別初期化サブフィールドと、その特別初期化サブフィールドの後の最初の特別初期化サブフィールド（特定セル初期化サブフィールド、または全セル非初期化サブフィールド）との少なくとも２つの特別初期化サブフィールドで非初期化波形を印加するものとする。このような規則に則り強制初期化波形および非初期化波形を発生させる構成とすることで、強制初期化動作を行う頻度を低減したときに発生しやすいフリッカーや線状のノイズを低減しつつ、パネル１０に表示される画像の黒輝度をさらに低減し、よりコントラストを高めることが可能となる。
【０１９９】
なお、初期化放電によって放電セル内に形成される壁電荷は、時間が経過するにつれて徐々に減少していき、初期化放電が発生しない期間が長くなるほど、その減少量は増加する。したがって、初期化放電が発生しない期間が長くなりすぎると、書込み動作が正常に行われなくなる可能性がある。そのため、上述した実施の形態１、２において、例えば６０フィールド／秒で更新されるような画像を表示するときには、１つのフィールド群を構成するフィールドの数を２０以下にし、少なくとも２０フィールドに１回は必ず全ての放電セルに初期化放電が発生するように構成することが望ましい。
【０２００】
なお、図６に示したタイミングチャートは本発明の実施の形態における一例を示したものに過ぎず、本発明は何らこれらのタイミングチャートに限定されるものではない。
【０２０１】
また、本発明における実施の形態は、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎを第１の走査電極グループと第２の走査電極グループとに分割し、書込み期間を、第１の走査電極グループに属する走査電極のそれぞれに走査パルスを印加する第１の書込み期間と、第２の走査電極グループに属する走査電極のそれぞれに走査パルスを印加する第２の書込み期間とで構成する、いわゆる２相駆動によるパネルの駆動方法にも適用させることができる。
【０２０２】
なお、本発明における実施の形態は、走査電極と走査電極とが隣り合い、維持電極と維持電極とが隣り合う電極構造、すなわち前面板に設けられる電極の配列が、「・・・走査電極、走査電極、維持電極、維持電極、走査電極、走査電極、・・・」となる電極構造のパネルにおいても有効である。
【０２０３】
なお、本実施の形態において示した具体的な各数値、例えば、上りランプ電圧Ｌ１、下りランプ電圧Ｌ２、消去ランプ電圧Ｌ３の各傾斜電圧の勾配等は表示電極対数１０８０の５０インチのパネルの特性にもとづき設定したものであって、単に実施の形態の一例を示したものに過ぎない。本発明はこれらの数値に何ら限定されるものではなく、パネルの特性やプラズマディスプレイ装置の仕様等に合わせて最適に設定することが望ましい。また、これらの各数値は、上述した効果を得られる範囲でのばらつきを許容するものとする。
【０２０４】
（保護層２６の詳細）
ここから本実施の形態における保護層２６について説明する。保護層２６は、下地膜９１と金属酸化物結晶粒子９２ａを含む。下地膜９１は、一例として、アルミニウム（Ａｌ）を不純物として含有する酸化マグネシウム（ＭｇＯ）膜である。金属酸化物結晶粒子９２ａは、一例として、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）結晶粒子である。また、本実施例においては、金属酸化物結晶粒子９２ａが複数個凝集した凝集粒子９２が、下地膜９１の全面に亘って均一に分布するように複数個付着している。
【０２０５】
（凝集粒子９２の詳細）
アドレス放電の開始時には、トリガーとなる初期電子が、保護層２６の表面から放電空間中に放出される。初期電子量が不足することが、放電遅れの主原因と考えられる。凝集粒子９２には、主としてアドレス放電における放電遅れを抑制する効果と、放電遅れの温度依存性を改善する効果とがある。すなわち、凝集粒子９２は、高い初期電子放出能力を有する。そこで本実施の形態では、凝集粒子９２が、放電パルスの立ち上がり時に必要な初期電子供給部として備えられている。凝集粒子９２は、放電パルスの立ち上がり時に放電空間中に初期電子を豊富に存在させる。したがって、パネル１０がより高精細になり、アドレス放電のための割り当て時間が短くなっても、放電遅れが抑制され、高速駆動ができる。
【０２０６】
凝集粒子９２とは、所定の一次粒径の金属酸化物結晶粒子９２ａが複数個凝集した状態のものである。凝集粒子９２は、固体として強い結合力によって結合しているのではない。凝集粒子９２は、静電気やファンデルワールス力などによって複数の一次粒子が集合したものである。また、凝集粒子９２は、超音波などの外力により、その一部または全部が一次粒子の状態に分解する程度の力で結合している。金属酸化物結晶粒子９２ａは、１４面体や１２面体などの７面以上の面を持つ多面体形状を有するのが望ましい。
【０２０７】
（酸化マグネシウム結晶粒子の作製方法）
本実施の形態にかかる方法は、熱分解法に基づいたものである。具体的には、焼成炉などによって、水酸基や炭酸基を有する酸化マグネシウム前駆体（以下、前駆体と称する）が焼成される。熱によって前駆体が有する水酸基や炭酸基などが除去され、金属酸化物粗粒子である酸化マグネシウム粗粒子が作製される。酸化マグネシウム粗粒子は、金属酸化物結晶である酸化マグネシウム結晶の一次粒子が多数凝集したものである。次に、ボールミルなどによって、酸化マグネシウム粗粒子が粉砕される。粉砕されることで平均粒径が小さい酸化マグネシウム結晶粒子が作製される。
【０２０８】
なお、前駆体は、液相法によって、生成される。よって、前駆体自体が一次粒子の凝集体である。また、前駆体は、特に限定されない。例えば、水酸化マグネシウム、塩基性炭酸マグネシウム、炭酸マグネシウム、シュウ酸マグネシウムなどを用いることができる。
【０２０９】
また、前駆体が不純物を多く含むと、作製される酸化マグネシウム結晶粒子に意図しない不純物が混入する場合がある。すなわち、酸化マグネシウム結晶粒子の特性がばらつく場合があるので、前駆体の不純物は少ないほうが好ましい。具体的に前駆体が含む不純物量としては、熱分解法により酸化マグネシウム結晶粒子を生成した際に残留する不純物の合計量が、０．１重量％以下が好ましく、０．０１重量％以下がより好ましい。
【０２１０】
焼成炉は、大気炉などが用いられる。すなわち、焼成は、大気や酸素などの雰囲気下で開放して、又は、それらの気流を流しながら行われる。焼成温度は、７００℃から１５００℃の範囲である。１２００℃程度が最も好ましい。焼成時間は、温度にもよるが、１時間から１０時間程度である。例えば、温度が１２００℃程度の場合には５時間程度が適当である。焼成炉の昇温速度は、特に限定されない。５℃から１０℃／ｍｉｎ程度が好ましい。焼成時の雰囲気は特に限定されない。例えば、大気、酸素、窒素、アルゴンなどが用いられる。なお、酸化性雰囲気を用いると、前駆体に含まれる不純物を酸化ガスとして除去することが可能となる。すなわち、焼成時の雰囲気は、大気や、酸素が好ましい。
【０２１１】
上述の工程によって、酸化マグネシウム粗粒子が作製される。酸化マグネシウム粗粒子の平均粒径は１．０μｍから４．０μｍの範囲である。なお、本実施の形態において、平均粒径とは、体積累積平均径（Ｄ５０）のことである。また、平均粒径の測定には、レーザ回折式粒度分布測定装置ＭＴ−３３００（日機装株式会社製）が用いられた。酸化マグネシウム粗粒子をそのまま保護層２６に用いると、製造装置に不具合が発生する場合がある。さらには、前面板２１と背面板３１とを組み立てるときに、隔壁３４が破壊される場合がある。よって、酸化マグネシウム粗粒子は、より平均粒径が小さくなるように粉砕されることが好ましい。
【０２１２】
なお、本実施の形態において、粉砕とは、一次粒子が多数凝集した金属酸化物粗粒子を所定の平均粒径の金属酸化物になるようにほぐすことである。よって、金属酸化物の平均粒径は、金属酸化物結晶の一次粒子の大きさから、金属酸化物結晶の一次粒子が複数凝集したときの大きさまで変動してもよい。なお、粉砕によって、金属酸化物結晶の一次粒子の粒径は、ほとんど変化しない。
【０２１３】
次に、ボールミルによって酸化マグネシウム粗粒子が粉砕される。粉砕する際の溶媒として、エタノールが用いられる。また、エタノールの他に、メタノール、ブタノール、プロパノールなどのアルコール類や、プロピレングリコール、ポリプロピレングリコール、エチレングリコールなどのグリコール類などの有機溶剤が用いられ得る。溶媒の使用量は、粉砕原料１００質量部に対して２０質量部〜１０００質量部、好ましくは３０質量部〜３００質量部である。
【０２１４】
さらに、溶媒に分散剤が添加されてもよい。分散材は、溶媒に合わせて用いられる。分散材には、例えば、アクリル系ポリマー、アミン径ポリマーなどのポリマー類、硝酸、塩酸、硫酸などの無機酸、シュウ酸、クエン酸、酢酸、リンゴ酸、乳酸などの有機酸、メタノール、エタノール、プロパノールなどのアルコール類、ポリカルボン酸アンモニウムなどの界面活性剤などが用いられ得る。分散剤を用いる場合、分散剤の添加量は溶媒１００質量部あたり０．１質量部〜２０質量部である。さらに、０．２質量部〜１０質量部であることが好ましい。
【０２１５】
本実施の形態において、酸化マグネシウム粗粒子は、種々の条件で粉砕された。粉砕条件の一覧、およびそれぞれの粉砕条件におけるフォトルミネッセンスの相対ピーク強度が表１に示される。
【０２１６】
【表１】
【０２１７】
粉砕には、ステンレス製のポッドを有するボールミルが用いられた。ポッドの直径は、２４ｃｍであった。ポッドの容量は、８Ｌであった。メディア（ボール）の直径は、１５ｍｍであった。メディアには、鉄心入りナイロンボールが用いられた。酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）や酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）をメディアに用いると、酸化マグネシウム粗粒子によって削られる。すなわち、期待しない不純物として、酸化マグネシウム結晶粒子に混入するので好ましくない。また、ポッドに対するメディアの充填率は、５体積％〜３０体積％であった。原料である酸化マグネシウム粗粒子の充填率は４０体積％〜７５体積％であった。ポッドは、３０Ｒ．Ｐ．Ｍの速度で２時間〜１０時間回転された。
【０２１８】
次に、ポッドから粉砕後の原料が排出された。最終的に、酸化マグネシウム結晶粒子は、平均粒径が０．３μｍ〜２μｍの範囲にあった。
【０２１９】
（酸化マグネシウム結晶粒子の評価）
表１に示されるように、粉砕前の酸化マグネシウム粗粒子および粉砕後の酸化マグネシウム結晶粒子について、フォトルミネッセンスの発光強度が測定された。なお、比較例として、ジェットミルにより粉砕された酸化マグネシウム結晶粒子についてもフォトルミネッセンスの発光強度が測定された。フォトルミネッセンス測定は、以下の条件で行われた。光源には、発光波長１４６ｎｍのエキシマランプ（ウシオ電機株式会社製）が用いられた。エキシマランプは、サンプルから上方に１００ｍｍの位置に設置された。ターボ分子ポンプによって、真空チャンバー内の圧力は、１×１０-2Ｐａに保たれた。ディテクターには、ＣＣＤ一体型で波長範囲２００ｎｍから８００ｎｍの分光器（浜松ホトニクス株式会社製）が用いられた。入射光の波長が、１４６ｎｍであるため、フォトルミネッセンスは、サンプルのほぼ最表面から生じていると考えられる。
【０２２０】
全てのサンプルは、波長２００ｎｍから３００ｎｍの範囲に発光ピークがあった。図１８に、粉砕前（酸化マグネシウム粗粒子）、実施例（試料番号１）および比較例のフォトルミネッセンス波形が例示される。図１８に示されるように、各サンプルには、波長２４０ｎｍ近傍に発光ピークがあった。
【０２２１】
表１に示されるように各サンプルの発光ピーク強度は、酸化マグネシウム粗粒子の発光ピーク強度を１００％としたときの相対値（相対ピーク強度）である。最も相対ピーク強度が大きいサンプルは、試料番号１１であった。試料番号１１の相対ピーク強度は、９９．４％に達した。最も相対ピーク強度が小さいサンプルは、試料番号１０であった。試料番号１０の相対ピーク強度は、６０．６％であった。なお、相対ピーク強度が低下する原因は、粉砕時に発生する物理衝撃によって酸化マグネシウム結晶粒子の最表面がダメージを受けるためと考えられる。したがって、ダメージを最小限にとどめつつ、粉砕することが好ましい。つまり、粉砕時に、酸化マグネシウム結晶粒子に与えるエネルギーを抑制することで、相対ピーク強度の低下を抑制することができる。なお、実際に製品を製造する際には、タクトタイムなどを考慮して粉砕条件を設定することが望ましい。
【０２２２】
波長２００ｎｍから３００ｎｍの範囲に発光ピークがあることは、酸化マグネシウム粗粒子および酸化マグネシウム結晶粒子は、波長２００ｎｍから３００ｎｍの発光ピークに対応したエネルギー準位を有することを意味する。エネルギー準位は、初期化放電時に発生する電子を長時間（数ｍｓｅｃ以上）トラップできると考えられる。アドレス放電時にアドレス電圧が印加されると、保護層２６に電界が形成される。熱および電界によって、トラップされた電子が放電空間に取り出される。アドレス放電開始に必要な初期電子が迅速かつ十分に得られると、放電開始時間が早められる。
【０２２３】
以上のように、波長２００ｎｍから３００ｎｍの発光ピーク強度が大きいと、放電遅れ時間が短縮されると考えられる。すなわち、酸化マグネシウム粗粒子の粉砕によって生じる波長２００ｎｍから３００ｎｍの発光ピーク強度の低下を抑制することが、放電遅れ時間の短縮につながる。
【０２２４】
（保護層２６の形成方法）
図１７に示されるように、保護層２６の形成は、誘電体層２５形成後から開始される。まず、ステップ１では、下地膜９１が形成される。材料には、例えば、アルミニウム（Ａｌ）を含む酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の焼結体が用いられる。方法は、例えば、真空蒸着法が用いられる。具体的には、真空チャンバー内で原材料に電子ビームを照射することにより、原材料を蒸発させ誘電体層２５上に付着させる。主として酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる下地膜９１が誘電体層２５上に形成される。下地膜９１の膜厚は、一例として、５００ｎｍから１０００ｎｍ程度である。
【０２２５】
ステップ２では、金属酸化物ペースト膜が形成される。材料には、例えば、酸化マグネシウム結晶粒子が複数凝集した凝集粒子９２が有機樹脂成分と希釈溶剤とともに混錬された金属酸化物ペーストが用いられる。方法は、例えば、スクリーン印刷法が用いられる。具体的には、金属酸化物ペーストが下地膜９１上の全面に亘って塗布されることにより、金属酸化物ペースト膜が形成される。金属酸化物ペースト膜の膜厚は、一例として、５μｍから２０μｍ程度である。なお、下地膜上に金属酸化物ペースト膜を形成する方法として、スクリーン印刷法以外に、スプレー法、スピンコート法、ダイコート法、スリットコート法なども用いることができる。
【０２２６】
ステップ３では、金属酸化物ペースト膜が乾燥される。乾燥炉などにより、金属酸化物ペースト膜が所定の温度で加熱される。温度範囲は、一例として、１００℃から１５０℃程度である。加熱により、金属酸化物ペースト膜から、溶剤成分が除去される。
【０２２７】
ステップ４では、乾燥後の金属酸化物ペースト膜が焼成される。焼成炉などにより、金属酸化物ペースト膜が所定の温度で加熱される。温度範囲は、一例として、４００℃から５００℃程度である。焼成時の雰囲気は特に限定されない。例えば、大気、酸素、窒素などが用いられる。加熱により、金属酸化物ペースト膜から、樹脂成分が除去される。
【０２２８】
以上のステップによって、下地膜９１上に、凝集粒子９２が離散的に付着する。
【０２２９】
（実施例）
パネル１０が作製され、パネル１０の性能が評価された。作製されたパネル１０は、４２インチクラスのハイビジョンテレビに適合するものである。すなわち、パネル１０は、前面板２１と、前面板２１と対向配置された背面板３１と、を備える。また、前面板２１と背面板３１の周囲は、封着材で封着されている。前面板２１は、表示電極対２４と誘電体層２５と保護層２６とを有する。背面板３１は、データ電極３２と、誘電体層３３と、隔壁３４と、蛍光体層３５とを有する。パネル１０には、キセノン（Ｘｅ）の含有量が１５体積％のネオン（Ｎｅ）−キセノン（Ｘｅ）系の混合ガスが、６０ｋＰａの内圧で封入された。また、表示電極６と表示電極６との電極間距離は、０．０６ｍｍであった。隔壁３４の高さは０．１５ｍｍ、隔壁３４と隔壁３４との間隔（セルピッチ）は０．１５ｍｍであった。
【０２３０】
実施例には、上述の方法で作製された、酸化マグネシウム結晶粒子が複数凝集した凝集粒子９２が、用いられた。例えば、試料番号１の凝集粒子９２の粒度分布は、０．４９μｍ（Ｄ１０）、１．１５μｍ（Ｄ５０）、２.４１μｍ（Ｄ９０）であった。一方、粉砕される前の酸化マグネシウム粗粒子の粒度分布は、０．６２μｍ（Ｄ１０）、１．８６μｍ（Ｄ５０）、３．７１μｍ（Ｄ９０）であった。一方、比較例として、ジェットミルによって、複数の条件で粉砕された、酸化マグネシウム結晶粒子が複数凝集した凝集粒子９２が用いられた。ジェットミルによって得られた凝集粒子９２の相対発光ピーク強度は、２０．３％〜５７．０％であった。相対発光ピーク強度が５７．０％のサンプルの粒度分布は、０．４１μｍ（Ｄ１０）、１．２０μｍ（Ｄ５０）、２．３５μｍ（Ｄ９０）であった。
【０２３１】
実施例および比較例の凝集粒子９２は、平均粒径が１．１μｍであった。実施例および比較例の凝集粒子９２の被覆率は８．０％であった。被覆率とは、１個の放電セルの領域において、凝集粒子９２が付着している面積ａを１個の放電セルの面積ｂの比率で表したものである。つまり、被覆率（％）＝ａ／ｂ×１００の式により計算されたものである。測定方法としては、例えば、隔壁３４により区切られた１個の放電セルに相当する領域がカメラにより撮像される。次に、撮像された画像が、ｘ×ｙの１セルの大きさにトリミングされる。次に、トリミング後の画像が白黒データに２値化される。次に、２値化されたデータに基づき凝集粒子９２による黒エリアの面積ａを求める。最後に、被覆率が、ａ／ｂ×１００の式により計算される。
【０２３２】
実施例と比較例におけるパネル１０の製造方法の違いは、酸化マグネシウム粗粒子の粉砕方法のみである。
【０２３３】
（性能評価）
書込み放電時の「放電遅れ」のために、ちらつきが発生する走査パルス幅（印加時間）を測定することによりパネルの性能が評価された。図１９に示されるように、パネルの駆動電圧が、走査電極２２、維持電極２３、データ電極３２に印加された。走査パルス幅だけがパラメータとなり、１．５μｓから０．１μｓ間隔で０．３μｓまで変化された。
【０２３４】
走査パルス幅が十分長いと、走査電極２２とデータ電極３２との間で発生させる書込み放電が遅れても、走査電極２２と維持電極２３との間で維持放電を発生し得るだけの壁電荷を下地膜９１上に蓄積することができる。しかしながら、走査パルス幅を短縮すると、書込み放電中に走査パルスが立ち下がり、下地膜９１への壁電荷の蓄積が不十分となる。壁電荷の蓄積が不十分な放電セルにおいては、維持パルスを印加しても、安定した維持放電が発生するだけの壁電荷が蓄積されていないためにちらつきが発生する。
【０２３５】
したがって、パネルの点灯性能評価として、正常点灯しているときの走査パルス幅から順次短縮していき、ちらつきが発生し始めたときの走査パルス幅を求めることにより、パネルの「放電遅れ」特性を評価することができる。なお、ちらつきの有無は、パネルの全放電セルが点灯した状態（白色表示）にて目視判断された。
【０２３６】
なお、この性能評価実験でパネルに印加される電圧条件は、以下のとおりである。
【０２３７】
初期化電圧（固定）：３３０Ｖ
走査電圧（固定）：−１４０Ｖ、パルス幅（可変）０．３μｓ〜１．５μｓ
書込み電圧（固定）：７０Ｖ
維持電圧（固定）：２００Ｖ、維持周期０．５μｓ
図２０には、相対発光ピーク強度とちらつきが発生し始めたときの走査パルス幅が示されている。図２０からは、ちらつきが発生し始める走査パルス幅は、相対発光ピーク強度に依存することがわかる。相対発光ピーク強度が６０％以上、１００％未満の場合は、走査パルス幅が、０．６μｓでもちらつきが発生しなかったので、好ましい。これは、凝集粒子９２が、走査パルス印加時に十分な量の初期電子を放出するために「放電遅れ」時間が短縮されたためである。さらに、相対発光ピーク強度が８０％以上、１００％未満の場合は、走査パルス幅が、０．５μｓでもちらつきが発生しなかったので、より好ましい。
【０２３８】
なお、粉砕によって酸化マグネシウム結晶粒子の表面がダメージを受けると考えられるので、単に酸化マグネシウム粗粒子を粉砕したのみでは、相対発光ピーク強度が１００％以上になることはない。
【０２３９】
一方、比較例においては、０．７μｓ〜０．８μｓでちらつきが発生し始めた。１フィールドに配分されている時間は固定されているので、走査パルス印加時間を増加させると、必然的に維持パルス印加時間を減らすか、サブフィールド数を減らす対策を取ることになる。前者の対策ではパネルの輝度が減少し、後者の対策では表現できる階調数が減少して、いずれにしてもパネルの表示品質劣化を招くことになる。この結果より、本実施の形態におけるパネルによれば、書込み放電時の「放電遅れ」を低減し、表示品質の向上が期待できる。
【０２４０】
このような構成によれば、金属酸化物において、初期電子放出能力と相関が高い波長２００ｎｍから３００ｎｍの範囲のフォトルミネッセンスのピーク強度の低下が抑制される。
【０２４１】
なお、金属酸化物のピークは、金属酸化物粗粒子のピークの８０％以上、１００％未満の強度であるとより好ましい。このような構成によれば、金属酸化物において、初期電子放出能力と相関が高い波長２００ｎｍから３００ｎｍの範囲のフォトルミネッセンスのピーク強度の低下が、より抑制される。
【０２４２】
なお、本実施の形態では、金属酸化物結晶粒子９２ａが、酸化マグネシウム結晶粒子である場合が例示された。しかし、本発明はこれには限られない。酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の他にも、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）などを用いることができる。要するに、高い初期電子放出能力を有する金属酸化物結晶粒子９２ａを用いると、同様の効果を得ることができる。したがって、金属酸化物結晶粒子９２ａは、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）に限定されない。また、複数の種類の金属酸化物結晶粒子を用いることもできる。
【０２４３】
さらに、本実施の形態では、下地膜９１上に凝集粒子９２が形成された場合が例示された。しかし、本発明はこれには限られない。つまり、金属酸化物結晶粒子９２ａは凝集されないで、一次粒子の状態で下地膜９１上に形成されてもよい。
【０２４４】
なお、本実施の形態では、下地層が、酸化アルミニウムを含む酸化マグネシウム膜である場合が例示された。しかし、本発明はこれには限られない。酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の他にも、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）などの金属酸化物膜を用いることができる。また、複数の種類の金属酸化物が混合された膜を用いることもできる。
【０２４５】
さらに、金属酸化物膜の他にも、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）などの金属酸化物微粒子の集合体を用いることができる。また、複数の種類の金属酸化物微粒子が混合された集合体を用いることもできる。
【０２４６】
このように、上記記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法と、保護層を有したプラズマディスプレイパネルであれば、パネルに表示される画像の黒輝度を低減してコントラストを高め、画像表示品質を高めることができるプラズマディスプレイ装置を実現することができる。
【産業上の利用可能性】
【０２４７】
本発明は、パネルに表示される画像の黒輝度を低減してコントラストを高め、画像表示品質を高めることができるので、プラズマディスプレイ装置として有用である。
【符号の説明】
【０２４８】
１ プラズマディスプレイ装置
１０ パネル
２１ （ガラス製の）前面板
２２ 走査電極
２３ 維持電極
２４ 表示電極対
２５，３３ 誘電体層
２６ 保護層
３１ 背面板
３２ データ電極
３４ 隔壁
３５ 蛍光体層
４１ 画像信号処理回路
４２ データ電極駆動回路
４３ 走査電極駆動回路
４４ 維持電極駆動回路
４５ タイミング発生回路
５０ 維持パルス発生回路
５１ 初期化波形発生回路
５２ 走査パルス発生回路
５３，５４，５５ ミラー積分回路
９１ 下地膜
９２ 凝集粒子
９２ａ 金属酸化物結晶粒子
Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ３１ コンデンサ
Ｄ３１ ダイオード
Ｌ１ 上りランプ電圧
Ｌ２，Ｌ４ 下りランプ電圧
Ｌ３ 消去ランプ電圧
Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４，Ｑ５，Ｑ６，ＱＨ１〜ＱＨｎ，ＱＬ１〜ＱＬｎ スイッチング素子
Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３ 抵抗
【技術分野】
【０００１】
本発明は、壁掛けテレビや大型モニターに用いられるプラズマディスプレイパネルを用いたプラズマディスプレイ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（以下、「パネル」と略記する）として代表的な交流面放電型パネルは、対向配置された前面板と背面板との間に多数の放電セルが形成されている。前面板は、１対の走査電極と維持電極とからなる表示電極対が前面ガラス基板上に互いに平行に複数対形成され、それら表示電極対を覆うように誘電体層および保護層が形成されている。背面板は、背面ガラス基板上に複数の平行なデータ電極と、それらを覆うように誘電体層と、さらにその上にデータ電極と平行に複数の隔壁とがそれぞれ形成され、誘電体層の表面と隔壁の側面とに蛍光体層が形成されている。そして、表示電極対とデータ電極とが立体交差するように前面板と背面板とが対向配置されて密封され、内部の放電空間には、例えば分圧比で５％のキセノンを含む放電ガスが封入されている。ここで表示電極対とデータ電極とが対向する部分に放電セルが形成される。このような構成のパネルにおいて、各放電セル内でガス放電により紫外線を発生させ、この紫外線で赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の各色の蛍光体を励起発光させてカラー表示を行っている。
【０００３】
パネルを駆動する方法としては一般にサブフィールド法が用いられている。サブフィールド法では、１フィールドを複数のサブフィールドに分割し、それぞれのサブフィールドで各放電セルの発光と非発光とを制御する。そして、１フィールドに発生する発光の回数を制御することにより階調表示を行う。
【０００４】
各サブフィールドは、初期化期間、書込み期間および維持期間を有する。初期化期間では、各走査電極に初期化波形を印加し、各放電セルで初期化放電を発生させる。これにより、続く書込み動作のために必要な壁電荷を各放電セルに形成するとともに、書込み放電を安定して発生させるためのプライミング粒子（書込み放電を発生させるための励起粒子）を発生させる。
【０００５】
書込み期間では、走査電極には走査パルスを順次印加し、データ電極には表示すべき画像信号に対応した書込みパルスを選択的に印加する。これにより、発光すべき放電セルにおいて、走査電極とデータ電極との間に書込み放電を発生させ、壁電荷を形成する（以下、この動作を「書込み」とも記す）。
【０００６】
維持期間では、走査電極と維持電極とからなる表示電極対に、サブフィールド毎に定められた回数の維持パルスを交互に印加する。これにより、書込み放電による壁電荷形成が行われた放電セルで維持放電を発生させ、その放電セルの蛍光体層を発光させる。このようにして、パネルの画像表示領域に画像を表示する。
【０００７】
パネルにおける画像表示品質を高める上で重要な要因の１つにコントラストの向上がある。そして、サブフィールド法の１つとして、階調表示に関係しない発光を極力減らしコントラスト比を向上させる駆動方法が開示されている。
【０００８】
この駆動方法では、１フィールドを構成する複数のサブフィールドのうち、１つのサブフィールドの初期化期間では全ての放電セルに初期化放電を発生させる初期化動作を行う。また、他のサブフィールドの初期化期間では直前の維持期間で維持放電を行った放電セルに対して選択的に初期化放電を行う初期化動作を行う。
【０００９】
維持放電を発生させない黒表示領域の輝度（以下、「黒輝度」と略記する）は画像の表示に関係のない発光、例えば、初期化放電によって生じる発光等によって変化する。しかし、上述の駆動方法では、黒表示領域における発光は全ての放電セルに初期化動作を行うときの微弱発光だけとなる。これにより、黒輝度を低減してコントラストの高い画像表示が可能となる（例えば、特許文献１参照）。
【００１０】
また、徐々に増加する緩やかな傾斜部分を持つ立ち上がり部と、徐々に減少する緩やかな傾斜部分を持つ立ち下がり部とを有する初期化波形を維持期間に放電した放電セルに印加する初期化期間を設け、かつ１フィールドの任意の初期化期間の直前に、全放電セルを対象として維持電極と走査電極の間で微弱放電を起こす期間を設けることで、黒輝度を下げて黒の視認性を向上させる技術が開示されている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２０００−２４２２２４号公報
【特許文献２】特開２００４−３７８８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上述したように、例えば特許文献１に記載された技術では、全ての放電セルに初期化放電を発生させる初期化動作を１フィールドに１回にすることで、サブフィールド毎に全ての放電セルに初期化放電を発生させる場合と比較して、表示画像の黒輝度を下げ、コントラストを高めることができる。
【００１３】
しかしながら、近年、パネルの大画面化、高精細化にともない画像表示品質の更なる向上が望まれている。
【００１４】
本発明はこのような要望に鑑みなされたものであり、パネルに表示される画像の黒輝度を低減してコントラストを高め、画像表示品質を高めることができるプラズマディスプレイ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明のプラズマディスプレイ装置は、初期化期間と書込み期間と維持期間とを有するサブフィールドを１フィールド内に複数設けて階調表示するサブフィールド法で駆動するとともに特別初期化サブフィールドと複数の選択初期化サブフィールドとで１つのフィールドを構成し、時間的に連続する複数のフィールドで１つのフィールド群を構成してプラズマディスプレイパネルを駆動するプラズマディスプレイ装置であって、初期化期間に、直前のサブフィールドの動作にかかわらず放電セルに初期化放電を発生する強制初期化波形と、直前のサブフィールドの維持期間に維持放電を発生した放電セルだけに初期化放電を発生する選択初期化波形と、放電セルに初期化放電が発生しない非初期化波形とのいずれかを発生して走査電極に印加するとともに、特別初期化サブフィールドの初期化期間では、強制初期化波形または非初期化波形を発生して選択的に走査電極に印加し、選択初期化サブフィールドの初期化期間では選択初期化波形を発生して全ての走査電極に印加し、１つの走査電極に１つのフィールド群で１回だけ強制初期化波形を印加する走査電極駆動回路とを備え、走査電極駆動回路は、特別初期化サブフィールドにおいて強制初期化波形を印加する走査電極の両側の走査電極には、その特別初期化サブフィールドと、その特別初期化サブフィールドの後の最初の特別初期化サブフィールドとの少なくとも２つの特別初期化サブフィールドで非初期化波形を印加する駆動波形の発生パターンを１フィールド群に少なくとも１つ含んで駆動波形を発生し、プラズマディスプレイパネルは、前面板と、前面板と対向配置された背面板と、を備え、前面板は、電極と誘電体層と保護層とを有し、保護層は、下地層と下地層の上に形成された金属酸化物とを含み、金属酸化物は、金属酸化物粗粒子が粉砕されたものであり、金属酸化物と前記金属酸化物粗粒子とは、波長２００ｎｍから３００ｎｍの範囲にフォトルミネッセンスのピークがあり、前記金属酸化物のピークは、前記金属酸化物粗粒子のピークの６０％以上、１００％未満の強度である、プラズマディスプレイ装置である。
【００１６】
これにより、黒輝度を上昇させる主な要因の１つである初期化放電の発生頻度を低減して黒輝度を低減することができるので、表示画像のコントラストを高めることが可能となる。また、強制初期化波形を用いて初期化動作を行う頻度を低減したときに画像表示面に発生しやすいちらつきや線状のノイズを低減することが可能となる。これにより、プラズマディスプレイ装置における画像表示品質を高めることが可能となる。
【００１７】
また、このプラズマディスプレイ装置において、走査電極駆動回路は、上昇する傾斜電圧を発生する傾斜電圧発生回路を有し、傾斜電圧発生回路が出力する傾斜電圧に所定の電圧を重畳した電圧を強制初期化波形として出力し、所定の電圧を重畳しない傾斜電圧を非初期化波形として出力する構成であってもよい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、パネルに表示される画像の黒輝度を低減してコントラストを高め、画像表示品質を高めることができるプラズマディスプレイ装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の実施の形態１におけるパネルの構造を示す分解斜視図
【図２】同パネルの電極配列図
【図３】同パネルの各電極に印加する駆動電圧波形図
【図４】本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置の回路ブロック
【図５】同プラズマディスプレイ装置の走査電極駆動回路の一構成例を示す回路図
【図６】本発明の実施の形態１における特定セル初期化サブフィールドの初期化期間の走査電極駆動回路の動作の一例を説明するためのタイミングチャート
【図７】同特定セル初期化サブフィールドの初期化期間における強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンの一例を示す概略図
【図８】各フィールドを、パネルの全放電セルで一斉に強制初期化動作を行うフィールドと、全放電セルで一斉に非初期化動作を行うフィールドとに分ける構成の一例を概略的に示す図
【図９】強制初期化動作を行う放電セルの時間的および位置的な変化の連続性が高い構成の一例を概略的に示す図
【図１０】本発明の実施の形態１の特定セル初期化サブフィールドの初期化期間における強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンの他の一例を示す概略図
【図１１Ａ】同特定セル初期化サブフィールドの初期化期間における強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンのさらに他の一例を示す概略図
【図１１Ｂ】同特定セル初期化サブフィールドの初期化期間における強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンのさらに他の一例を示す概略図
【図１２】本発明の実施の形態２の特別初期化サブフィールドの初期化期間における強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンの一例を示す概略図
【図１３】同特別初期化サブフィールドの初期化期間における強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンの他の一例を示す概略図
【図１４】同特別初期化サブフィールドの初期化期間における強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンのさらに他の一例を示す概略図
【図１５】同特別初期化サブフィールドの初期化期間における強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンのさらに他の一例を示す概略図
【図１６】同特別初期化サブフィールドの初期化期間における強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンのさらに他の一例を示す概略図
【図１７】同保護層の形成方法を示すフローチャート
【図１８】フォトルミネッセンス波形を示す図
【図１９】保護層評価のためにパネルに印加される駆動波形図
【図２０】パネルの評価結果を示す図
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置について、図面を用いて説明する。
【００２１】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１におけるパネル１０の構造を示す分解斜視図である。ガラス製の前面板２１上には、走査電極２２と維持電極２３とからなる表示電極対２４が複数形成されている。そして走査電極２２と維持電極２３とを覆うように誘電体層２５が形成され、その誘電体層２５上に保護層２６が形成されている。なお、保護層２６については後述する。
【００２２】
背面板３１上にはデータ電極３２が複数形成され、データ電極３２を覆うように誘電体層３３が形成され、さらにその上に井桁状の隔壁３４が形成されている。そして、隔壁３４の側面および誘電体層３３上には赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の各色に発光する蛍光体層３５が設けられている。
【００２３】
これら前面板２１と背面板３１とは、微小な放電空間を挟んで表示電極対２４とデータ電極３２とが交差するように対向配置され、その外周部をガラスフリット等の封着材によって封着されている。そして、内部の放電空間には、ネオンとキセノンの混合ガスが放電ガスとして封入されている。なお、本実施の形態では、発光効率を向上させるためにキセノン分圧を約１０％とした放電ガスを用いている。放電空間は隔壁３４によって複数の区画に仕切られており、表示電極対２４とデータ電極３２とが交差する部分に放電セルが形成されている。そしてこれらの放電セルが放電、発光することにより画像が表示される。
【００２４】
なお、パネル１０の構造は上述したものに限られるわけではなく、例えばストライプ状の隔壁を備えたものであってもよい。また、放電ガスの混合比率も上述した数値に限られるわけではなく、その他の混合比率であってもよい。
【００２５】
図２は、本発明の実施の形態１におけるパネル１０の電極配列図である。パネル１０には、行方向に長いｎ本の走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ（図１の走査電極２２）およびｎ本の維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ（図１の維持電極２３）が配列され、列方向に長いｍ本のデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ（図１のデータ電極３２）が配列されている。そして、１対の走査電極ＳＣｉ（ｉ＝１〜ｎ）および維持電極ＳＵｉと１つのデータ電極Ｄｋ（ｋ＝１〜ｍ）とが交差した部分に放電セルが形成され、放電セルは放電空間内にｍ×ｎ個形成されている。そして、ｍ×ｎ個の放電セルが形成された領域がパネル１０の表示領域となる。
【００２６】
次に、パネル１０を駆動するための駆動電圧波形とその動作の概要について説明する。なお、本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置は、サブフィールド法、すなわち１フィールドを時間軸上で複数のサブフィールドに分割し、各サブフィールドに輝度重みをそれぞれ設定し、サブフィールド毎に各放電セルの発光・非発光を制御することによって階調表示を行うものとする。
【００２７】
このサブフィールド法では、例えば、１フィールドを８つのサブフィールド（第１ＳＦ、第２ＳＦ、・・・、第８ＳＦ）で構成し、各サブフィールドはそれぞれ１、２、４、８、１６、３２、６４、１２８の輝度重みを有する構成とすることができる。そして、各サブフィールドの維持期間においては、それぞれのサブフィールドの輝度重みに所定の輝度倍率を乗じた数の維持パルスを表示電極対２４のそれぞれに印加する。
【００２８】
なお、複数のサブフィールドのうち、１つのサブフィールドの初期化期間においては、直前のサブフィールドの動作にかかわらず放電セルに初期化放電を発生する強制初期化動作と、放電セルに初期化放電が発生しない非初期化動作とを選択的に行う特別初期化動作を行い（以下、特別初期化動作を行うサブフィールドを「特別初期化サブフィールド」と呼称する）、他のサブフィールドの初期化期間においては、直前のサブフィールドの維持期間に維持放電を発生した放電セルだけに初期化放電を発生する選択初期化動作を行う（以下、選択初期化動作を行うサブフィールドを「選択初期化サブフィールド」と呼称する）ことで、階調表示に関係しない発光を極力減らしコントラスト比を向上させることが可能である。
【００２９】
そして、本実施の形態では、１フィールドを８つのサブフィールド（第１ＳＦ、第２ＳＦ、・・・、第８ＳＦ）で構成し、第１ＳＦの初期化期間では特別初期化動作を行い、第２ＳＦ〜第８ＳＦの初期化期間では選択初期化動作を行うものとする。これにより、画像の表示に関係のない発光は第１ＳＦにおける特別初期化動作の放電にともなう発光のみとなり、維持放電を発生させない黒表示領域の輝度である黒輝度は特別初期化動作における微弱発光だけとなる。したがって、表示画像における黒輝度を低減して、コントラストを高めることが可能となる。
【００３０】
しかし、本実施の形態は、サブフィールド数や各サブフィールドの輝度重みが上記の値に限定されるものではなく、また、画像信号等にもとづいてサブフィールド構成を切換える構成であってもよい。
【００３１】
なお、この特別初期化動作は、特定の放電セルに対しては強制初期化動作を行い、他の放電セルに対しては非初期化動作を行う特定セル初期化動作（以下、特定セル初期化動作を行うサブフィールドを「特定セル初期化サブフィールド」と呼称する）と、全ての放電セルに対して非初期化動作を行う全セル非初期化動作（以下、全セル非初期化動作を行うサブフィールドを「全セル非初期化サブフィールド」と呼称する）とに分けることができる。しかし、本実施の形態では、特別初期化サブフィールドを全て特定セル初期化サブフィールドとする構成について説明する。
【００３２】
図３は、本発明の実施の形態１におけるパネル１０の各電極に印加する駆動電圧波形図である。図３には、書込み期間において最初に書込み動作を行う走査電極ＳＣ１、書込み期間において２番目に書込み動作を行う走査電極ＳＣ２、書込み期間において最後に書込み動作を行う走査電極ＳＣｎ（例えば、走査電極ＳＣ１０８０）、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ、およびデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍの駆動波形を示す。
【００３３】
また、図３には、２つのサブフィールドの駆動電圧波形、すなわち特定セル初期化サブフィールドである第１サブフィールド（第１ＳＦ）と、選択初期化サブフィールドである第２サブフィールド（第２ＳＦ）とを示す。また、以下における走査電極ＳＣｉ、維持電極ＳＵｉ、データ電極Ｄｋは、各電極の中からサブフィールドデータ（サブフィールド毎の発光・非発光を示すデータ）にもとづき選択された電極を表す。
【００３４】
まず、特定セル初期化サブフィールドである第１ＳＦについて説明する。
【００３５】
なお、図３には、配置的に見て上から（１＋６×Ｎ）番目（Ｎは整数）の走査電極ＳＣ（１＋６×Ｎ）には直前のサブフィールドの動作にかかわらず放電セルに初期化放電を発生する強制初期化波形を印加し、それ以外の走査電極２２には放電セルに初期化放電が発生しない非初期化波形を印加する構成を示す。
【００３６】
第１ＳＦの初期化期間前半部では、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎにはそれぞれ０（Ｖ）を印加し、走査電極ＳＣ（１＋６×Ｎ）には、所定の電圧である電圧Ｖｉ１を印加し、電圧Ｖｉ１から電圧Ｖｉ２に向かって緩やかに（例えば、約０．５Ｖ／μｓｅｃの勾配で）上昇する傾斜電圧（以下、「上りランプ電圧」と呼称する）Ｌ１を印加する。このとき、電圧Ｖｉ１は、維持電極ＳＵ（１＋６×Ｎ）に対して放電開始電圧以下の電圧にし、電圧Ｖｉ２は維持電極ＳＵ（１＋６×Ｎ）に対して放電開始電圧を超える電圧にする。
【００３７】
この上りランプ電圧Ｌ１が上昇する間に、走査電極ＳＣ（１＋６×Ｎ）と維持電極ＳＵ（１＋６×Ｎ）との間、および走査電極ＳＣ（１＋６×Ｎ）とデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍとの間でそれぞれ微弱な初期化放電が持続して起こる。そして、走査電極ＳＣ（１＋６×Ｎ）上部に負の壁電圧が蓄積されるとともに、走査電極ＳＣ（１＋６×Ｎ）と交差するデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ上部および維持電極ＳＵ（１＋６×Ｎ）上部には正の壁電圧が蓄積される。この電極上部の壁電圧とは、電極を覆う誘電体層上、保護層上、蛍光体層上等に蓄積された壁電荷により生じる電圧を表す。
【００３８】
初期化期間後半部では、走査電極ＳＣ（１＋６×Ｎ）の印加電圧を、電圧Ｖｉ２から電圧Ｖｉ２よりも低い電圧Ｖｉ３に下降させる。維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎには正の電圧Ｖｅを印加し、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍには０（Ｖ）を印加する。そして、走査電極ＳＣ（１＋６×Ｎ）に、電圧Ｖｉ３から負の電圧Ｖｉ４に向かって緩やかに（例えば、約−０．５Ｖ／μｓｅｃの勾配で）下降する傾斜電圧（以下、「下りランプ電圧」と呼称する）Ｌ２を印加する。このとき、電圧Ｖｉ３は、維持電極ＳＵ（１＋６×Ｎ）に対して放電開始電圧以下の電圧にし、電圧Ｖｉ４は維持電極ＳＵ（１＋６×Ｎ）に対して放電開始電圧を超える電圧にする。
【００３９】
この間に、走査電極ＳＣ（１＋６×Ｎ）と維持電極ＳＵ（１＋６×Ｎ）との間、および走査電極ＳＣ（１＋６×Ｎ）とデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍとの間でそれぞれ微弱な初期化放電が起こる。そして、走査電極ＳＣ（１＋６×Ｎ）上部の負の壁電圧および維持電極ＳＵ（１＋６×Ｎ）上部の正の壁電圧が弱められ、走査電極ＳＣ（１＋６×Ｎ）と交差するデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ上部の正の壁電圧は書込み動作に適した値に調整される。
【００４０】
以上の波形が、直前のサブフィールドの動作にかかわらず放電セルに初期化放電を発生する強制初期化波形であり、以上の動作が強制初期化動作である。
【００４１】
一方、走査電極ＳＣ（１＋６×Ｎ）以外の走査電極２２は、第１ＳＦの初期化期間前半部では、所定の電圧である電圧Ｖｉ１を印加せず、０（Ｖ）のままとし、０（Ｖ）から電圧Ｖｉ２’に向かって緩やかに上昇する上りランプ電圧Ｌ１’を印加する。この上りランプ電圧Ｌ１’は、上りランプ電圧Ｌ１と同じ勾配で、上りランプ電圧Ｌ１と同じ時間だけ上昇を続けるものとする。したがって、電圧Ｖｉ２’は電圧Ｖｉ２から電圧Ｖｉ１を引いた電圧に等しい電圧となる。このとき、電圧Ｖｉ２’は維持電極２３に対して放電開始電圧以下の電圧となるように各電圧および上りランプ電圧Ｌ１’を設定する。これにより、上りランプ電圧Ｌ１’を印加した放電セルでは放電は実質的に発生しない。
【００４２】
初期化期間後半部では、走査電極ＳＣ（１＋６×Ｎ）以外の走査電極２２にも、走査電極ＳＣ（１＋６×Ｎ）と同様に、下りランプ電圧Ｌ２を印加する。このとき、走査電極ＳＣ（１＋６×Ｎ）以外の走査電極２２を有する放電セルでは、第１ＳＦの初期化期間前半部で放電が発生していないので、初期化期間後半部でも放電は実質的に発生しない。
【００４３】
以上の波形が、放電セルに初期化放電が発生しない非初期化波形であり、以上の動作が非初期化動作である。
【００４４】
なお、本発明における強制初期化波形は、何ら上述した波形に限定されるものではない。強制初期化波形は、直前のサブフィールドの動作にかかわらず放電セルに初期化放電を発生する波形であればどのような波形であってもかまわない。また、本発明における非初期化波形も、何ら上述した波形に限定されるものではない。本実施の形態に示す非初期化波形は放電セルに初期化放電が発生しない波形の一例を示したものに過ぎず、例えば、０（Ｖ）クランプ波形等、初期化放電が発生しない波形であればどのような波形であってもかまわない。
【００４５】
以上により、特定の放電セルに対して強制初期化動作を行い、他の放電セルに対しては非初期化動作を行う特定セル初期化動作が終了する。
【００４６】
続く書込み期間では、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに対しては走査パルス電圧Ｖａを順次印加し、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに対しては発光させるべき放電セルに対応するデータ電極Ｄｋ（ｋ＝１〜ｍ）に正の書込みパルス電圧Ｖｄを印加して、各放電セルに選択的に書込み放電を発生させる。
【００４７】
具体的には、まず維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに電圧Ｖｅを、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに電圧Ｖｃｃを印加する。
【００４８】
そして、配置的に見て上から１番目（１行目）の走査電極ＳＣ１に負の走査パルス電圧Ｖａを印加するとともに、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍのうち１行目に発光させるべき放電セルのデータ電極Ｄｋ（ｋ＝１〜ｍ）に正の書込みパルス電圧Ｖｄを印加する。このときデータ電極Ｄｋ上と走査電極ＳＣ１上との交差部の電圧差は、外部印加電圧の差（電圧Ｖｄ−電圧Ｖａ）にデータ電極Ｄｋ上の壁電圧と走査電極ＳＣ１上の壁電圧との差が加算されたものとなり放電開始電圧を超える。これにより、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との間に放電が発生する。また、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに電圧Ｖｅを印加しているため、維持電極ＳＵ１上と走査電極ＳＣ１上との電圧差は、外部印加電圧の差である（電圧Ｖｅ−電圧Ｖａ）に維持電極ＳＵ１上の壁電圧と走査電極ＳＣ１上の壁電圧との差が加算されたものとなる。このとき、電圧Ｖｅを、放電開始電圧をやや下回る程度の電圧値に設定することで、維持電極ＳＵ１と走査電極ＳＣ１との間を、放電には至らないが放電が発生しやすい状態にすることができる。これにより、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との間に発生する放電を引き金にして、データ電極Ｄｋと交差する領域にある維持電極ＳＵ１と走査電極ＳＣ１との間に放電を発生させることができる。こうして、発光させるべき放電セルに書込み放電が起こり、走査電極ＳＣ１上に正の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵ１上に負の壁電圧が蓄積され、データ電極Ｄｋ上にも負の壁電圧が蓄積される。
【００４９】
このようにして、１行目に発光させるべき放電セルで書込み放電を起こして各電極上に壁電圧を蓄積する書込み動作が行われる。一方、書込みパルス電圧Ｖｄを印加しなかったデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍと走査電極ＳＣ１との交差部の電圧は放電開始電圧を超えないので、書込み放電は発生しない。以上の書込み動作をｎ行目の放電セルに至るまで順次行い、書込み期間が終了する。
【００５０】
続く維持期間では、輝度重みに所定の輝度倍率を乗じた数の維持パルスを表示電極対２４に交互に印加して、書込み放電を発生した放電セルで維持放電を発生させて発光させる。
【００５１】
具体的には、まず走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに正の維持パルス電圧Ｖｓを印加するとともに維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎにベース電位となる接地電位、すなわち０（Ｖ）を印加する。すると書込み放電を起こした放電セルでは、走査電極ＳＣｉ上と維持電極ＳＵｉ上との電圧差が、維持パルス電圧Ｖｓに走査電極ＳＣｉ上の壁電圧と維持電極ＳＵｉ上の壁電圧との差が加算されたものとなり、放電開始電圧を超える。
【００５２】
そして、走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとの間に維持放電が起こり、このとき発生した紫外線により蛍光体層３５が発光する。そして走査電極ＳＣｉ上に負の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵｉ上に正の壁電圧が蓄積される。さらにデータ電極Ｄｋ上にも正の壁電圧が蓄積される。なお、書込み期間において書込み放電が起きなかった放電セルでは維持放電は発生しない。
【００５３】
続いて、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎにはベース電位となる０（Ｖ）を、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎには維持パルス電圧Ｖｓをそれぞれ印加する。すると、維持放電を起こした放電セルでは、維持電極ＳＵｉ上と走査電極ＳＣｉ上との電圧差が放電開始電圧を超えるので、再び維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間に維持放電が起こり、維持電極ＳＵｉ上に負の壁電圧が蓄積され、走査電極ＳＣｉ上に正の壁電圧が蓄積される。以降同様に、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎとに、輝度重みに輝度倍率を乗じた数の維持パルスを交互に印加し、表示電極対２４の電極間に電位差を与える。これにより、書込み期間において書込み放電を起こした放電セルで維持放電が継続して発生する。
【００５４】
そして、維持期間における維持パルスの発生後に、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎおよびデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍには０（Ｖ）を印加したまま、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに、０（Ｖ）から放電開始電圧を超える電圧Ｖｅｒｓに向かって緩やかに（例えば、約１０Ｖ／μｓｅｃの勾配で）上昇する傾斜電圧（以下、「消去ランプ電圧」と呼称する）Ｌ３を印加する。これにより、維持放電を起こした放電セルの維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間に、微弱な放電が持続して発生する。そして、この微弱な放電で発生した荷電粒子は、維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間の電圧差を緩和するように、維持電極ＳＵｉ上および走査電極ＳＣｉ上に壁電荷となって蓄積されていく。これにより、データ電極Ｄｋ上の正の壁電圧を残したまま、走査電極ＳＣｉ上の壁電圧および維持電極ＳＵｉ上の壁電圧は、走査電極ＳＣｉに印加した電圧と放電開始電圧の差、例えば（電圧Ｖｅｒｓ−放電開始電圧）の程度まで弱められる。
【００５５】
その後、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する電圧を０（Ｖ）に戻し、維持期間における維持動作が終了する。
【００５６】
次に、選択初期化サブフィールドである第２ＳＦについて説明する。
【００５７】
第２ＳＦの初期化期間では、強制初期化波形の前半部を省略した駆動電圧波形を各電極に印加する。具体的には、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに電圧Ｖｅを、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに０（Ｖ）をそれぞれ印加する。そして、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎには放電開始電圧以下となる電圧（例えば、０（Ｖ））から負の電圧Ｖｉ４に向かって、下りランプ電圧Ｌ２と同じ勾配で下降する下りランプ電圧Ｌ４を印加する。
【００５８】
これにより直前のサブフィールド（図３では、第１ＳＦ）の維持期間で維持放電を起こした放電セルでは微弱な初期化放電が発生し、走査電極ＳＣｉ上部および維持電極ＳＵｉ上部の壁電圧が弱められ、データ電極Ｄｋ（ｋ＝１〜ｍ）上部の壁電圧も書込み動作に適した値に調整される。
【００５９】
以上の波形が、直前のサブフィールドの維持期間に維持放電を発生した放電セルだけに初期化放電を発生する選択初期化波形であり、以上の動作が選択初期化動作である。
【００６０】
なお、本発明における選択初期化波形は、何ら上述した波形に限定されるものではない。選択初期化波形は、直前のサブフィールドの維持期間に維持放電を発生した放電セルだけに初期化放電を発生する波形であればどのような波形であってもかまわない。例えば、本実施の形態では、下りランプ電圧Ｌ４を全て同じ勾配で発生させる構成を説明したが、下りランプ電圧Ｌ４を複数の期間に分け、各期間で勾配を変えて下りランプ電圧Ｌ４を発生させる構成としてもよい。
【００６１】
第２ＳＦの書込み期間では、第１ＳＦの書込み期間と同様の駆動波形を各電極に印加する。また、第２ＳＦの維持期間では、維持パルスの発生数を除き、第１ＳＦの維持期間と同様の駆動波形を各電極に印加する。
【００６２】
また、第３ＳＦ以降のサブフィールドでは、維持期間における維持パルスの発生数を除き、第２ＳＦと同様の駆動波形を各電極に印加する。
【００６３】
以上が、本実施の形態におけるパネル１０の各電極に印加する駆動電圧波形の概要である。
【００６４】
次に、本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置の構成について説明する。図４は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置１の回路ブロック図である。プラズマディスプレイ装置１は、パネル１０、画像信号処理回路４１、データ電極駆動回路４２、走査電極駆動回路４３、維持電極駆動回路４４、タイミング発生回路４５および各回路ブロックに必要な電源を供給する電源回路（図示せず）を備えている。
【００６５】
画像信号処理回路４１は、パネル１０の画素数に応じて、入力された画像信号ｓｉｇをサブフィールド毎の発光・非発光を示すサブフィールドデータに変換する。
【００６６】
タイミング発生回路４５は、水平同期信号Ｈおよび垂直同期信号Ｖにもとづき各回路ブロックの動作を制御する各種のタイミング信号を発生し、それぞれの回路ブロック（画像信号処理回路４１、データ電極駆動回路４２、走査電極駆動回路４３および維持電極駆動回路４４）へ供給する。
【００６７】
データ電極駆動回路４２は、サブフィールド毎のサブフィールドデータを各データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに対応する信号に変換し、タイミング発生回路４５から供給されるタイミング信号にもとづいて各データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍを駆動する。
【００６８】
走査電極駆動回路４３は、初期化期間において走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する初期化波形を発生するための初期化波形発生回路、維持期間において走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する維持パルスを発生するための維持パルス発生回路、複数の走査電極駆動ＩＣ（以下、「走査ＩＣ」と略記する）を備え書込み期間において走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する走査パルスを発生するための走査パルス発生回路を有する。そして、タイミング発生回路４５から供給されるタイミング信号にもとづいて各走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎを駆動する。
【００６９】
維持電極駆動回路４４は、維持パルス発生回路および電圧Ｖｅを発生するための回路を備え、タイミング発生回路４５から供給されるタイミング信号にもとづいて維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎを駆動する。
【００７０】
次に、走査電極駆動回路４３の詳細とその動作について説明する。
【００７１】
図５は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置１の走査電極駆動回路４３の一構成例を示す回路図である。走査電極駆動回路４３は、維持パルスを発生させる維持パルス発生回路５０、初期化波形を発生させる初期化波形発生回路５１、走査パルスを発生させる走査パルス発生回路５２を備え、走査パルス発生回路５２の各出力端子はパネル１０の走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎのそれぞれに接続されている。なお、本実施の形態では、走査パルス発生回路５２に入力される電圧を「基準電位Ａ」と記す。また、以下の説明においてスイッチング素子を導通させる動作を「オン」、遮断させる動作を「オフ」と表記し、スイッチング素子をオンさせる信号を「Ｈｉ」、オフさせる信号を「Ｌｏ」と表記する。
【００７２】
また、図５には、負の電圧Ｖａを用いた回路（例えば、ミラー積分回路５４）を動作させているときに、その回路と、維持パルス発生回路５０および電圧Ｖｒを用いた回路（例えば、ミラー積分回路５３）、電圧Ｖｅｒｓを用いた回路（例えば、ミラー積分回路５５）とを電気的に分離するためのスイッチング素子Ｑ４を用いた分離回路を示している。また、電圧Ｖｒを用いた回路（例えば、ミラー積分回路５３）を動作させているときに、その回路と、電圧Ｖｒよりも低い電圧の電圧Ｖｅｒｓを用いた回路（例えば、ミラー積分回路５５）とを電気的に分離するためのスイッチング素子Ｑ６を用いた分離回路を示している。
【００７３】
維持パルス発生回路５０は、一般に用いられている電力回収回路とクランプ回路とを備え、タイミング発生回路４５から出力されるタイミング信号にもとづき、内部に備えた各スイッチング素子を切換えて維持パルスを発生させる。なお、図５では、タイミング信号の信号経路の詳細は省略する。
【００７４】
走査パルス発生回路５２は、ｎ本の走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎのそれぞれに走査パルスを印加するためのスイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎおよびスイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎを備えている。スイッチング素子ＱＨｊ（ｊ＝１〜ｎ）の一方の端子とスイッチング素子ＱＬｊの一方の端子とは互いに接続されており、その接続箇所が走査パルス発生回路５２の出力端子となって、走査電極ＳＣｊに接続されている。また、スイッチング素子ＱＨｊの他方の端子は入力端子ＩＮｂとなっており、スイッチング素子ＱＬｊの他方の端子は入力端子ＩＮａとなっている。なお、スイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎ、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎは複数の出力毎にまとめられＩＣ化されている。このＩＣが走査ＩＣである。
【００７５】
また、走査パルス発生回路５２は、書込み期間において基準電位Ａを負の電圧Ｖａに接続するためのスイッチング素子Ｑ５と、基準電位Ａに電圧Ｖｓｃを重畳した電圧Ｖｃを発生させるための電源ＶＳＣ、ダイオードＤ３１、コンデンサＣ３１とを備えている。そして、スイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎの入力端子ＩＮｂには電圧Ｖｃが接続され、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎの入力端子ＩＮａには基準電位Ａが接続されている。
【００７６】
このように構成された走査パルス発生回路５２では、書込み期間においては、スイッチング素子Ｑ５をオンにして基準電位Ａを負の電圧Ｖａに等しくし、入力端子ＩＮａには負の電圧Ｖａを、入力端子ＩＮｂには電圧Ｖａ＋電圧Ｖｓｃとなった電圧Ｖｃ（図３に示す電圧Ｖｃｃ）を印加する。そして、サブフィールドデータにもとづき、走査パルスを印加する走査電極ＳＣｉに対しては、スイッチング素子ＱＨｉをオフ、スイッチング素子ＱＬｉをオンにすることで、スイッチング素子ＱＬｉを経由して走査電極ＳＣｉに負の走査パルス電圧Ｖａを印加し、走査パルスを印加しない走査電極ＳＣｈ（ｈは、１〜ｎのうちｉを除いたもの）に対しては、スイッチング素子ＱＬｈをオフ、スイッチング素子ＱＨｈをオンにすることで、スイッチング素子ＱＨｈを経由して走査電極ＳＣｈに電圧Ｖａ＋電圧Ｖｓｃを印加する。
【００７７】
また、走査パルス発生回路５２は、維持期間においては、維持パルス発生回路５０の電圧波形を出力するようにタイミング発生回路４５によって制御されるものとする。
【００７８】
なお、走査パルス発生回路５２の初期化期間における動作の詳細は後述する。
【００７９】
初期化波形発生回路５１は、ミラー積分回路５３、ミラー積分回路５４、およびミラー積分回路５５を有する。図５には、ミラー積分回路５３の入力端子を入力端子ＩＮ１、ミラー積分回路５４の入力端子を入力端子ＩＮ２、ミラー積分回路５５の入力端子を入力端子ＩＮ３として示している。なお、ミラー積分回路５３およびミラー積分回路５５は上昇する傾斜電圧を発生させる傾斜電圧発生回路であり、ミラー積分回路５４は下降する傾斜電圧を発生させる傾斜電圧発生回路である。
【００８０】
ミラー積分回路５３は、スイッチング素子Ｑ１とコンデンサＣ１と抵抗Ｒ１とを有し、初期化動作時に、走査電極駆動回路４３の基準電位Ａを電圧Ｖｉ２’までランプ状に緩やかに（例えば、０．５Ｖ／μｓｅｃで）上昇させて上りランプ電圧Ｌ１’を発生させる。
【００８１】
ミラー積分回路５５は、スイッチング素子Ｑ３とコンデンサＣ３と抵抗Ｒ３とを有し、維持期間の最後に、基準電位Ａを上りランプ電圧Ｌ１よりも急峻な勾配（例えば、１０Ｖ／μｓｅｃ）で電圧Ｖｅｒｓまで上昇させて消去ランプ電圧Ｌ３を発生させる。
【００８２】
ミラー積分回路５４は、スイッチング素子Ｑ２とコンデンサＣ２と抵抗Ｒ２とを有し、初期化動作時に、基準電位Ａを電圧Ｖｉ４までランプ状に緩やかに（例えば、−０．５Ｖ／μｓｅｃの勾配で）下降させて下りランプ電圧Ｌ２を発生させる。
【００８３】
次に、特定セル初期化サブフィールドの初期化期間において、強制初期化波形および非初期化波形を発生させる動作を図６を用いて説明する。
【００８４】
図６は、本発明の実施の形態１における特定セル初期化サブフィールドの初期化期間の走査電極駆動回路４３の動作の一例を説明するためのタイミングチャートである。なお、この図面では、強制初期化波形を印加する走査電極２２を「走査電極ＳＣｘ」と表し、非初期化波形を印加する走査電極２２を「走査電極ＳＣｙ」と表す。また、選択初期化サブフィールドにおいて選択初期化波形を発生させるときの走査電極駆動回路４３の動作については説明を省略するが、選択初期化波形である下りランプ電圧Ｌ４を発生させる動作は、図６に示す下りランプ電圧Ｌ２を発生させる動作と同様であるものとする。
【００８５】
また、図６では、初期化期間を期間Ｔ１〜期間Ｔ４で示す４つの期間に分割し、それぞれの期間について説明する。また、以下、電圧Ｖｉ１は電圧Ｖｓｃに等しいものとし、電圧Ｖｉ２は電圧Ｖｓｃ＋電圧Ｖｒに等しいものとし、電圧Ｖｉ２’は電圧Ｖｒに等しいものとし、電圧Ｖｉ３は維持パルスを発生させるときに用いる電圧Ｖｓに等しいものとし、電圧Ｖｉ４は負の電圧Ｖａに等しいものとして説明する。また、図面にはスイッチング素子をオンさせる信号を「Ｈｉ」、オフさせる信号を「Ｌｏ」と表記する。
【００８６】
なお、図６には、電圧Ｖｓが電圧Ｖｓｃよりも高い電圧値に設定された例を示しているが、電圧Ｖｓと電圧Ｖｓｃとが互いに等しい電圧値であってもよく、あるいは、電圧Ｖｓの方が電圧Ｖｓｃよりも低い電圧値であってもかまわない。
【００８７】
まず、期間Ｔ１に入る前に維持パルス発生回路５０のクランプ回路を動作させて基準電位Ａを０（Ｖ）にしておき、スイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎをオフ、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎをオンにして、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに基準電位Ａ、すなわち０（Ｖ）を印加する。
【００８８】
（期間Ｔ１）
期間Ｔ１では、走査電極ＳＣｘに接続されたスイッチング素子ＱＨｘをオンにし、スイッチング素子ＱＬｘをオフにする。これにより、強制初期化波形を印加する走査電極ＳＣｘには、基準電位Ａ（このとき、０（Ｖ））に電圧Ｖｓｃを重畳した電圧Ｖｃ（すなわち、電圧Ｖｃ＝電圧Ｖｓｃ）を印加する。
【００８９】
一方、走査電極ＳＣｙに接続されたスイッチング素子ＱＨｙはオフを、スイッチング素子ＱＬｙはオンをそれぞれ維持したままにする。これにより、非初期化波形を印加する走査電極ＳＣｙには、基準電位Ａ、すなわち０（Ｖ）を印加する。
【００９０】
（期間Ｔ２）
期間Ｔ２では、スイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎ、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎは、期間Ｔ１と同じ状態を維持する。すなわち、走査電極ＳＣｘに接続されたスイッチング素子ＱＨｘはオンを、スイッチング素子ＱＬｘはオフをそれぞれ維持し、走査電極ＳＣｙに接続されたスイッチング素子ＱＨｙはオフを、スイッチング素子ＱＬｙはオンをそれぞれ維持する。
【００９１】
次に、上りランプ電圧Ｌ１’を発生するミラー積分回路５３の入力端子ＩＮ１を「Ｈｉ」にする。具体的には入力端子ＩＮ１に、所定の定電流を入力する。これにより、コンデンサＣ１に向かって一定の電流が流れ、スイッチング素子Ｑ１のソース電圧がランプ状に上昇し、基準電位Ａが０（Ｖ）からランプ状に上昇し始める。この電圧上昇は、入力端子ＩＮ１を「Ｈｉ」にしている期間、もしくは、基準電位Ａが電圧Ｖｒに到達するまで継続させることができる。
【００９２】
このとき、傾斜電圧の勾配が所望の値（例えば、０．５Ｖ／μｓｅｃ）になるように、入力端子ＩＮ１に入力する定電流を発生させる。こうして、０（Ｖ）から電圧Ｖｉ２’（本実施の形態では、電圧Ｖｒに等しい）に向かって上昇する上りランプ電圧Ｌ１’を発生させる。
【００９３】
スイッチング素子ＱＨｙはオフ、スイッチング素子ＱＬｙはオンなので、走査電極ＳＣｙには、この上りランプ電圧Ｌ１’がそのまま印加される。
【００９４】
一方、スイッチング素子ＱＨｘはオン、スイッチング素子ＱＬｘはオフなので、走査電極ＳＣｘには、この上りランプ電圧Ｌ１’に電圧Ｖｓｃが重畳された電圧、すなわち電圧Ｖｉ１（本実施の形態では、電圧Ｖｓｃに等しい）から電圧Ｖｉ２（本実施の形態では、電圧Ｖｓｃ＋電圧Ｖｒに等しい）に向かって上昇する上りランプ電圧Ｌ１が印加される。
【００９５】
（期間Ｔ３）
期間Ｔ３では入力端子ＩＮ１を「Ｌｏ」にする。具体的には、入力端子ＩＮ１への定電流入力を停止する。こうして、ミラー積分回路５３の動作を停止する。また、スイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎをオフ、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎをオンにして、基準電位Ａを走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する。合わせて、維持パルス発生回路５０のクランプ回路を動作させて基準電位Ａを電圧Ｖｓにする。これにより、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎの電圧は電圧Ｖｉ３（本実施の形態では、電圧Ｖｓに等しい）まで低下する。
【００９６】
（期間Ｔ４）
期間Ｔ４では、スイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎ、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎは、期間Ｔ３と同じ状態を維持する。
【００９７】
次に、下りランプ電圧Ｌ２を発生するミラー積分回路５４の入力端子ＩＮ２を「Ｈｉ」にする。具体的には入力端子ＩＮ２に、所定の定電流を入力する。これにより、コンデンサＣ２に向かって一定の電流が流れ、スイッチング素子Ｑ２のドレイン電圧がランプ状に下降し始め、走査電極駆動回路４３の出力電圧も、負の電圧Ｖｉ４に向かってランプ状に下降し始める。この電圧下降は、入力端子ＩＮ２を「Ｈｉ」にしている期間、もしくは、基準電位Ａが電圧Ｖａに到達するまで継続させることができる。
【００９８】
このとき、傾斜電圧の勾配が所望の値（例えば、−０．５Ｖ／μｓｅｃ）になるように、入力端子ＩＮ２に入力する定電流を発生させる。
【００９９】
そして、走査電極駆動回路４３の出力電圧が負の電圧Ｖｉ４（本実施の形態では、電圧Ｖａに等しい）に到達したら、入力端子ＩＮ２を「Ｌｏ」にする。具体的には、入力端子ＩＮ２への定電流入力を停止する。こうして、ミラー積分回路５４の動作を停止する。
【０１００】
こうして、電圧Ｖｉ３（本実施の形態では、電圧Ｖｓに等しい）から負の電圧Ｖｉ４に向かって下降する下りランプ電圧Ｌ２を発生させ、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する。
【０１０１】
なお、入力端子ＩＮ２を「Ｌｏ」にしてミラー積分回路５４の動作を停止したら、スイッチング素子Ｑ５をオンにして、基準電位Ａを電圧Ｖａにする。合わせて、スイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎをオン、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎをオフにする。こうして、基準電位Ａに電圧Ｖｓｃを重畳した電圧Ｖｃ、すなわち、電圧Ｖｃｃ（本実施の形態では、電圧Ｖａ＋電圧Ｖｓｃに等しい）を走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加し、続く書込み期間に備える。
【０１０２】
本実施の形態ではこのようにして、特定セル初期化サブフィールドの初期化期間において、強制初期化波形および非初期化波形を発生する。そして、スイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎと、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎとを制御することで、強制初期化波形を走査電極ＳＣｘに印加し、非初期化波形を走査電極ＳＣｙに印加する、というように、強制初期化波形および非初期化波形を選択的に走査電極２２に印加することができる。
【０１０３】
なお、下りランプ電圧Ｌ２、下りランプ電圧Ｌ４は、図６に示すように電圧Ｖａまで下降させる構成であってもよいが、例えば、下降する電圧が、電圧Ｖａに所定の正の電圧Ｖｓｅｔ２を重畳した電圧に到達した時点で、下降を停止させる構成としてもよい。また、下りランプ電圧Ｌ２および下りランプ電圧Ｌ４は、あらかじめ設定された電圧に到達した後、直ちに上昇させる構成であってもよいが、例えば、下降する電圧が、あらかじめ設定された低電圧に到達したら、その後、その電圧を一定期間維持する構成であってもよい。
【０１０４】
次に、本実施の形態における特定セル初期化サブフィールドの初期化期間において強制初期化波形および非初期化波形を発生するときの規則について説明する。
【０１０５】
プラズマディスプレイ装置１において、画像表示品質を高める上で重要な要素の１つとして、パネル１０に表示される画像のコントラストを向上することが挙げられる。パネル１０のコントラストを向上するには、表示画像の輝度の最大値を高めるか、あるいは表示画像の輝度の最小値、すなわち黒輝度を低減するかの、少なくとも一方を実現すればよい。このとき、家庭内における一般的なテレビジョン視聴環境を考慮すると、黒輝度を低減してコントラストを向上することが、画像表示品質を高める上でより重要であると考えられる。
【０１０６】
黒輝度は、画像の表示に関係のない発光によって変化する。そのため、画像の表示に関係のない発光を低減することで黒輝度を低減することができる。画像の表示に関係のない発光の主なものに、初期化放電による発光がある。ただし、上述した選択初期化動作は、直前のサブフィールドで維持放電を発生しなかった放電セルでは放電が発生しないので、黒輝度の明るさに実質的に影響を与えない。一方、上述した強制初期化動作は、直前のサブフィールドの動作にかかわらず放電セルに初期化放電を発生させるため、黒輝度の明るさに影響を与える。
【０１０７】
そこで、本実施の形態では、この強制初期化動作を行う頻度を低減することで表示画像の黒輝度を低減するものとする。
【０１０８】
すなわち、本実施の形態では、時間的に連続する複数のフィールドで１つのフィールド群を構成するとともに、配置的に連続する複数の走査電極２２で１つの走査電極群を構成するものとする。そして、以下の規則に則り、強制初期化動作および非初期化動作を行うものとする。
・１つの走査電極２２に強制初期化波形を印加する回数を１つのフィールド群で１回とする。
・特別初期化サブフィールド（本実施の形態では、特定セル初期化サブフィールド）において、強制初期化波形を印加する走査電極２２の数を、１つの走査電極群で１本とする。
・特別初期化サブフィールド（本実施の形態では、特定セル初期化サブフィールド）において強制初期化波形を印加する走査電極２２の両側の走査電極２２には、その特別初期化サブフィールドと、その特別初期化サブフィールドの後の最初の特別初期化サブフィールドとの少なくとも２つの特別初期化サブフィールドで非初期化波形を印加する。
【０１０９】
この具体的な一例を、図面を用いて説明する。
【０１１０】
図７は、本発明の実施の形態１の特定セル初期化サブフィールドの初期化期間における強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンの一例を示す概略図である。図７において、横軸はフィールドを、縦軸は走査電極２２を表す。
【０１１１】
なお、図７には、時間的に連続する５つのフィールドで１つのフィールド群を構成するとともに、配置的に連続する５本の走査電極２２で１つの走査電極群を構成する例を示す。また、図７に示す例では、第１ＳＦを上述した特定セル初期化サブフィールドとし、残りのサブフィールド（例えば、第２ＳＦ〜第８ＳＦ）を、上述した選択初期化サブフィールドとする。そして、図７に示す「○」は、第１ＳＦの初期化期間において強制初期化動作を行うこと、すなわち、図６に示した上りランプ電圧Ｌ１と下りランプ電圧Ｌ２とを有する強制初期化波形を走査電極２２に印加することを表し、「×」は、第１ＳＦの初期化期間において上述した非初期化動作を行うこと、すなわち、図６に示した上りランプ電圧Ｌ１’と下りランプ電圧Ｌ２とを有する非初期化波形を走査電極２２に印加することを表す。
【０１１２】
以下、１つの走査電極群を構成する走査電極ＳＣｉ〜走査電極ＳＣｉ＋４、および１つのフィールド群を構成するｊフィールド〜ｊ＋４フィールドを例に挙げて説明を行う。
【０１１３】
まず、ｊフィールドの第１ＳＦでは、走査電極ＳＣｉに強制初期化波形を印加し、残りの走査電極ＳＣｉ＋１〜走査電極ＳＣｉ＋４には非初期化波形を印加する。
【０１１４】
続くｊ＋１フィールドの第１ＳＦでは、走査電極ＳＣｉ＋３に強制初期化波形を印加し、残りの走査電極ＳＣｉ〜走査電極ＳＣｉ＋２、走査電極ＳＣｉ＋４には非初期化波形を印加する。
【０１１５】
続くｊ＋２フィールドの第１ＳＦでは、走査電極ＳＣｉ＋１に強制初期化波形を印加し、残りの走査電極ＳＣｉ、走査電極ＳＣｉ＋２〜走査電極ＳＣｉ＋４には非初期化波形を印加する。
【０１１６】
続くｊ＋３フィールドの第１ＳＦでは、走査電極ＳＣｉ＋４に強制初期化波形を印加し、残りの走査電極ＳＣｉ〜走査電極ＳＣｉ＋３には非初期化波形を印加する。
【０１１７】
続くｊ＋４フィールドの第１ＳＦでは、走査電極ＳＣｉ＋２に強制初期化波形を印加し、残りの走査電極ＳＣｉ、走査電極ＳＣｉ＋１、走査電極ＳＣｉ＋３、走査電極ＳＣｉ＋４には非初期化波形を印加する。
【０１１８】
こうして、１つの走査電極群における１つのフィールド群の動作を終了する。他の走査電極群に対しても、上述と同様の動作を行い、これ以降においても、各フィールド群で上述と同様の動作を繰り返す。
【０１１９】
このように、本実施の形態では、各放電セルで強制初期化動作を行う回数が、１つのフィールド群（図７に示す例では、５フィールド）でそれぞれ１回となるように強制初期化波形および非初期化波形を選択的に発生してパネル１０を駆動する。
【０１２０】
これにより、フィールド毎に全ての放電セルで強制初期化動作を行う構成と比較して、各放電セルで強制初期化動作を行う頻度を低減（図７に示す例では、５分の１に低減）することができるので、表示画像の黒輝度を低減することができる。
【０１２１】
さらに、本実施の形態では、１つの特定セル初期化サブフィールドにおいて、強制初期化波形を印加する走査電極２２の数を、１つの走査電極群で１本となるように強制初期化波形および非初期化波形を選択的に発生してパネル１０を駆動する。
【０１２２】
図７に示す例では、例えば走査電極ＳＣｉ〜走査電極ＳＣｉ＋４からなる走査電極群に関しては、強制初期化波形を印加する走査電極２２を、ｊフィールドでは走査電極ＳＣｉとし、ｊ＋１フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋３とし、ｊ＋２フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋１とし、ｊ＋３フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋４とし、ｊ＋４フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋２とする。
【０１２３】
これにより、強制初期化動作を行う放電セルを各フィールドに分散することができる。すなわち、特定セル初期化サブフィールドの初期化期間に生じる輝度を、パネル１０の全放電セルで一斉に強制初期化動作を行うときに生じる輝度と比較して、低減することができる。
【０１２４】
さらに、各フィールドを、パネル１０の全放電セルで一斉に強制初期化動作を行うフィールドと、全放電セルで一斉に非初期化動作を行うフィールドとに分ける構成と比較して、「フリッカー」と呼ばれる細かいちらつきを低減することができる。
【０１２５】
この、各フィールドを、パネル１０の全放電セルで一斉に強制初期化動作を行うフィールドと、全放電セルで一斉に非初期化動作を行うフィールドとに分ける構成の一例を図８に示し、この構成にするとフリッカーが発生しやすくなる理由について説明する。
【０１２６】
図８は、各フィールドを、パネル１０の全放電セルで一斉に強制初期化動作を行うフィールドと、全放電セルで一斉に非初期化動作を行うフィールドとに分ける構成の一例を概略的に示す図である。
【０１２７】
図８には、時間的に連続する３つのフィールドで１つのフィールド群を構成する例を示す。ただし、図８に示す構成は、本実施の形態における図７に示す構成と異なり、３フィールドに１回の周期でパネル１０の全放電セルで初期化動作を行う。
【０１２８】
このような構成では、例えば、ｊフィールドの第１ＳＦの初期化期間では、パネル１０の全放電セルが強制初期化動作による放電によって発光する。一方、ｊ＋１フィールドおよびｊ＋２フィールドの第１ＳＦの初期化期間では、全放電セルで非初期化動作が行われるので、発光は生じない。したがって、パネル１０の画像表示面において、ｊフィールドの第１ＳＦとｊ＋１フィールドおよびｊ＋２フィールドの第１ＳＦとの間に、微小ではあるが輝度の差が生じる。そのため、例えば、６０フィールド／秒の周期で更新される画像をパネル１０に表示すると、この微小な輝度の変化が２０フィールド／秒の周期で発生することになる。
【０１２９】
表示画像が十分に明るければ、この輝度の変化が使用者に認識される可能性は低い。しかし、上述したような２０フィールド／秒程度と比較的遅い周期で生じる輝度の変化であれば、暗い画像を表示したときに、その変化が、細かいちらつき、すなわちフリッカーとして使用者に認識されるおそれがある。
【０１３０】
したがって、黒輝度を低減するために強制初期化動作を行う頻度を低減したとしても、図８に示すような、各フィールドをパネル１０の全放電セルで一斉に強制初期化動作を行うフィールドと全放電セルで一斉に非初期化動作を行うフィールドとに分ける構成にすると、フリッカーが認識されやすくなり、画像表示品質を損ねる可能性がある。
【０１３１】
しかしながら、輝度の変化の周期が十分に早ければ（例えば、６０フィールド／秒程度であれば）、表示画像が暗くとも、この輝度の変化が使用者に認識される可能性は低い。すなわち、例えば図７に示すような本実施の形態における構成でパネル１０を駆動すれば、強制初期化動作を行う放電セルを各フィールドに分散し、輝度の変化の周期を十分に早めることができるので、図８に示す構成と比較してフリッカーを低減することができる。
【０１３２】
さらに、本実施の形態では、特定セル初期化サブフィールドにおいて強制初期化波形を印加する走査電極２２の両側の走査電極２２に、そのフィールドにおける特定セル初期化サブフィールドと、続くフィールドにおける特定セル初期化サブフィールドとの少なくとも２つの特定セル初期化サブフィールドで非初期化波形を印加するように強制初期化波形および非初期化波形を選択的に発生してパネル１０を駆動する。
【０１３３】
例えば、図７に示す例では、走査電極ＳＣｉ＋３にｊ＋１フィールドの第１ＳＦで強制初期化波形を印加するとき、その両側の走査電極ＳＣｉ＋２と走査電極ＳＣｉ＋４とに、ｊ＋１フィールドおよびｊ＋２フィールドの少なくとも２つのフィールドの第１ＳＦで非初期化波形を印加する。
【０１３４】
これにより、強制初期化動作を行う放電セルの時間的および位置的な変化の連続性を低減することができる。したがって、強制初期化動作を行う頻度を低減したときにパネル１０の画像表示面に発生しやすい線状のノイズを、強制初期化動作を行う放電セルの時間的および位置的な変化の連続性が高い構成と比較して、低減することができる。
【０１３５】
この、強制初期化動作を行う放電セルの時間的および位置的な変化の連続性が高い構成の一例を図９に示し、線状のノイズが発生しやすい理由について説明する。
【０１３６】
図９は、強制初期化動作を行う放電セルの時間的および位置的な変化の連続性が高い構成の一例を概略的に示す図である。
【０１３７】
図９には、時間的に連続する３つのフィールドで１つのフィールド群を構成するとともに、配置的に連続する３本の走査電極２２で１つの走査電極群を構成する例を示す。ただし、図９に示す構成は、本実施の形態における図７に示す構成と異なり、強制初期化波形を印加した走査電極２２に隣り合う走査電極２２に、続くフィールドの特定セル初期化サブフィールドで強制初期化波形を印加している。
【０１３８】
例えば、ｊフィールドの第１ＳＦで強制初期化波形を印加した走査電極ＳＣｉに隣り合う走査電極ＳＣｉ＋１に、続くｊ＋１フィールドの第１ＳＦで強制初期化波形を印加している。また、走査電極ＳＣｉ＋１に隣り合う走査電極ＳＣｉ＋２には、続くｊ＋２フィールドの第１ＳＦで強制初期化波形を印加している。
【０１３９】
この構成では、例えば、ｊフィールドの第１ＳＦの初期化期間では、走査電極ＳＣｉ上に形成された放電セルが強制初期化動作による放電によって発光する。続く、ｊ＋１フィールドの第１ＳＦの初期化期間では、走査電極ＳＣｉ＋１上に形成された放電セルが強制初期化動作による放電によって発光する。続く、ｊ＋２フィールドの第１ＳＦの初期化期間では、走査電極ＳＣｉ＋２上に形成された放電セルが強制初期化動作による放電によって発光する。
【０１４０】
このように、図９に示す構成では、強制初期化動作を行った放電セルに隣り合う放電セルに対して、続くフィールドで強制初期化動作が行われる。これにより、使用者には、強制初期化動作を行う放電セルが時間的および位置的に連続して変化したように認識されやすくなる。その結果、その連続した変化の軌跡が線状のノイズとして使用者に認識される可能性が高まる。
【０１４１】
しかしながら、例えば図７に示すような本実施の形態における構成でパネル１０を駆動すれば、強制初期化動作がなされる放電セルに隣り合う放電セルでは、そのフィールドおよび続くフィールドの少なくとも２フィールドの第１ＳＦにおいて非初期化動作がなされ、初期化放電が発生しない。これにより、強制初期化動作を行う放電セルの時間的および位置的な変化の連続性を低減することができ、上述した線状のノイズの発生を低減することができる。
【０１４２】
以上示したように、本実施の形態では、時間的に連続する複数のフィールドで１つのフィールド群を構成するとともに、配置的に連続する複数の走査電極２２で１つの走査電極群を構成するものとする。そして、１つの走査電極２２に強制初期化波形を印加する回数を１つのフィールド群で１回とする。また、特別初期化サブフィールド（本実施の形態では、特定セル初期化サブフィールド）において、強制初期化波形を印加する走査電極２２の数を、１つの走査電極群で１本とする。さらに、特別初期化サブフィールド（本実施の形態では、特定セル初期化サブフィールド）において強制初期化波形を印加する走査電極２２の両側の走査電極２２には、その特別初期化サブフィールドと、その特別初期化サブフィールドの後の最初の特別初期化サブフィールドとの少なくとも２つの特別初期化サブフィールドで非初期化波形を印加するものとする。このような規則に則り強制初期化波形および非初期化波形を発生させる構成とすることで、パネル１０に表示される画像の黒輝度を低減し、コントラストを高めることが可能となる。さらに、強制初期化動作を行う頻度を低減したときに発生しやすいフリッカーや線状のノイズを低減することが可能となる。
【０１４３】
なお、本発明は、特定セル初期化サブフィールドにおける強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンが何ら図７に示した構成に限定されるものではない。強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンが本実施の形態に示す規則に則ったものであれば、図７に示した例とは異なるパターンで強制初期化波形および非初期化波形を発生してもよ
い。
【０１４４】
図１０は、本発明の実施の形態１の特定セル初期化サブフィールドの初期化期間における強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンの他の一例を示す概略図である。
【０１４５】
図１０には、図７に示した例と同様に、時間的に連続する５つのフィールドで１つのフィールド群を構成するとともに、配置的に連続する５本の走査電極２２で１つの走査電極群を構成する例を示す。しかし、強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンは、図７に示した例とは異なる。
【０１４６】
図１０に示す例では、例えば走査電極ＳＣｉ〜走査電極ＳＣｉ＋４からなる走査電極群に関しては、強制初期化波形を印加する走査電極２２を、ｊフィールドでは走査電極ＳＣｉとし、ｊ＋１フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋２とし、ｊ＋２フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋４とし、ｊ＋３フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋１とし、ｊ＋４フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋３とする。
【０１４７】
このように、図７に示した例とは異なる発生パターンであっても、上述した規則に則り、強制初期化波形および非初期化波形を発生させることができる。
【０１４８】
また、本発明は、フィールド群を構成するフィールドの数および走査電極群を構成する走査電極２２の数が何ら図７に示した構成に限定されるものではない。強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンが本実施の形態に示す規則に則ったものであれば、図７に示した例とは異なる数のフィールドでフィールド群を構成し、図７に示した例とは異なる数の走査電極２２で走査電極群を構成してもよい。
【０１４９】
図１１Ａ、図１１Ｂは、本発明の実施の形態１の特定セル初期化サブフィールドの初期化期間における強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンのさらに他の一例を示す概略図である。
【０１５０】
図１１Ａには、図７に示した例とは異なり、時間的に連続する７つのフィールドで１つのフィールド群を構成するとともに、配置的に連続する７本の走査電極２２で１つの走査電極群を構成する例を示す。また、図１１Ｂには、時間的に連続する８つのフィールドで１つのフィールド群を構成するとともに、配置的に連続する８本の走査電極２２で１つの走査電極群を構成する例を示す。
【０１５１】
図１１Ａに示す例では、例えば走査電極ＳＣｉ〜走査電極ＳＣｉ＋６からなる走査電極群に関しては、強制初期化波形を印加する走査電極２２を、ｊフィールドでは走査電極ＳＣｉとし、ｊ＋１フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋３とし、ｊ＋２フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋６とし、ｊ＋３フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋２とし、ｊ＋４フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋５とし、ｊ＋５フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋１とし、ｊ＋６フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋４とする。
【０１５２】
また、図１１Ｂに示す例では、例えば走査電極ＳＣｉ〜走査電極ＳＣｉ＋７からなる走査電極群に関しては、強制初期化波形を印加する走査電極２２を、ｊフィールドでは走査電極ＳＣｉとし、ｊ＋１フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋３とし、ｊ＋２フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋６とし、ｊ＋３フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋１とし、ｊ＋４フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋４とし、ｊ＋５フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋７とし、ｊ＋６フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋２とし、ｊ＋７フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋５とする。
【０１５３】
例えば、このような構成であっても、上述した規則に則り、強制初期化波形および非初期化波形を発生させることができる。
【０１５４】
このように、本発明においては、１つのフィールド群を構成するフィールドの数、および１つの走査電極群を構成する走査電極２２の数が何ら限定されるものではない。本実施の形態に示す規則に則り強制初期化波形および非初期化波形を発生すれば、フィールド群および走査電極群はどのように構成されてもよい。
【０１５５】
（実施の形態２）
実施の形態１では、特別初期化サブフィールドの全てを特定セル初期化サブフィールドとする構成を説明した。しかし、本発明においては、特別初期化サブフィールドを、初期化期間に全ての走査電極２２に非初期化波形を印加して全セル非初期化動作を行う全セル非初期化サブフィールドとすることもできる。
【０１５６】
そこで、本実施の形態では、特別初期化サブフィールドを、特定セル初期化サブフィールドと全セル非初期化サブフィールドとの双方で発生させる構成について説明する。すなわち、本実施の形態では、１つのフィールド群を、特定セル初期化サブフィールド（例えば、第１ＳＦ）および複数の選択初期化サブフィールド（例えば、第２ＳＦ〜第８ＳＦ）を有する初期化フィールドと、全セル非初期化サブフィールド（例えば、第１ＳＦ）および複数の選択初期化サブフィールド（例えば、第２ＳＦ〜第８ＳＦ）を有する非初期化フィールドとで構成するものとする。
【０１５７】
なお、本実施の形態においては、特別初期化サブフィールドを、特定セル初期化サブフィールドと全セル非初期化サブフィールドとの双方で発生させる以外は、実施の形態１に示した構成と同様であるので、パネル１０およびプラズマディスプレイ装置１の構成や各駆動波形等については説明を省略する。
【０１５８】
本実施の形態では、１つのフィールド群を初期化フィールドと非初期化フィールドとで構成する。したがって、実施の形態１で説明した強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンに関する規則を本実施の形態では以下の通りとする。
・１つの走査電極２２に強制初期化波形を印加する回数を１つのフィールド群で１回とする。
・特別初期化サブフィールドにおいて、強制初期化波形を印加する走査電極２２の数を、１つの走査電極群で１本または０本とする。すなわち、強制初期化波形を印加する走査電極２２の数を、特定セル初期化サブフィールドでは各走査電極群でそれぞれ１本とし、全セル非初期化サブフィールドでは各走査電極群でそれぞれ０本とする。
・特別初期化サブフィールド（特定セル初期化サブフィールド）において強制初期化波形を印加する走査電極２２の両側の走査電極２２には、その特別初期化サブフィールドと、その特別初期化サブフィールドの後の最初の特別初期化サブフィールド（本実施の形態では、特定セル初期化サブフィールド、または全セル非初期化サブフィールド）との少なくとも２つの特別初期化サブフィールドで非初期化波形を印加する。
【０１５９】
以下、本実施の形態における具体的な構成例を、図面を用いて説明する。
【０１６０】
図１２は、本発明の実施の形態２の特別初期化サブフィールドの初期化期間における強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンの一例を示す概略図である。図１２において、横軸はフィールドを、縦軸は走査電極２２を表す。
【０１６１】
なお、図１２には、時間的に連続する６つのフィールドで１つのフィールド群を構成するとともに、配置的に連続する３本の走査電極２２で１つの走査電極群を構成する例を示す。また、図１２に示す例では、第１ＳＦを特別初期化サブフィールド（特定セル初期化サブフィールド、または全セル非初期化サブフィールド）とし、残りのサブフィールド（例えば、第２ＳＦ〜第８ＳＦ）を、選択初期化サブフィールドとする。そして、図１２に示す「○」は、第１ＳＦの初期化期間において強制初期化動作を行うこと、すなわち、図６に示した上りランプ電圧Ｌ１と下りランプ電圧Ｌ２とを有する強制初期化波形を走査電極２２に印加することを表し、「×」は、第１ＳＦの初期化期間において上述した非初期化動作を行うこと、すなわち、図６に示した上りランプ電圧Ｌ１’と下りランプ電圧Ｌ２とを有する非初期化波形を走査電極２２に印加することを表す。
【０１６２】
以下、１つの走査電極群を構成する走査電極ＳＣｉ〜走査電極ＳＣｉ＋２、および１つのフィールド群を構成するｊフィールド〜ｊ＋５フィールドを例に挙げて説明を行う。
【０１６３】
まず、ｊフィールドの第１ＳＦでは、走査電極ＳＣｉに強制初期化波形を印加し、走査電極ＳＣｉ＋１および走査電極ＳＣｉ＋２には非初期化波形を印加する。
【０１６４】
続くｊ＋１フィールドの第１ＳＦでは、全ての走査電極２２に非初期化波形を印加する。
【０１６５】
続くｊ＋２フィールドの第１ＳＦでは、走査電極ＳＣｉ＋１に強制初期化波形を印加し、走査電極ＳＣｉおよび走査電極ＳＣｉ＋２には非初期化波形を印加する。
【０１６６】
続くｊ＋３フィールドの第１ＳＦでは、全ての走査電極２２に非初期化波形を印加する。
【０１６７】
続くｊ＋４フィールドの第１ＳＦでは、走査電極ＳＣｉ＋２に強制初期化波形を印加し、走査電極ＳＣｉおよび走査電極ＳＣｉ＋１には非初期化波形を印加する。
【０１６８】
続くｊ＋５フィールドの第１ＳＦでは、全ての走査電極２２に非初期化波形を印加する。
【０１６９】
こうして、１つの走査電極群における１つのフィールド群の動作を終了する。他の走査電極群に対しても、上述と同様の動作を行い、これ以降においても、各フィールド群で上述と同様の動作を繰り返す。なお、図１２に示す構成においては、ｊフィールド、ｊ＋２フィールド、ｊ＋４フィールド、・・・、は特定セル初期化フィールドとなり、ｊ＋１フィールド、ｊ＋３フィールド、ｊ＋５フィールド、・・・、は非初期化フィールドとなる。
【０１７０】
本実施の形態では、このような構成とすることで、フィールド毎に全ての放電セルで強制初期化動作を行う構成と比較して、強制初期化動作を行う頻度を低減（図１２に示す例では、６分の１に低減）することができる。これにより、表示画像の黒輝度を低減することができる。特に、本実施の形態では、周期的に非初期化フィールドを発生させるので、実施の形態１に示す構成と比較して、走査電極群を構成する走査電極２２の数が互いに同じであれば、さらに黒輝度を低減することができる。
【０１７１】
また、本実施の形態では、このような構成とすることで、実施の形態１と同様に、パネル１０の全放電セルで一斉に強制初期化動作を行う図８に示すような構成と比較して、強制初期化動作を行う放電セルを各フィールドに分散することができる。これにより、特定セル初期化サブフィールドの初期化期間に生じる輝度を、パネル１０の全放電セルで一斉に強制初期化動作を行うときに生じる輝度と比較して、低減することができる。
【０１７２】
なお、初期化フィールドにおける特定セル初期化動作では初期化放電による微弱な発光が生じるが、非初期化フィールドにおける全セル非初期化動作では初期化放電が発生しないので、初期化放電による発光も生じない。そのため、実施の形態１とは異なり、パネル１０の画像表示面においてこれらのフィールド間に微小な輝度の差が生じる。したがって、特定セル初期化動作を行う初期化フィールドと、全セル非初期化動作を行う非初期化フィールドとが交互に発生する図１２に示す構成では、例えば６０フィールド／秒の周期で更新される画像をパネル１０に表示すると、この微小な輝度の変化が３０フィールド／秒の周期で発生することになる。
【０１７３】
しかし、本実施の形態では、上述したように、特定セル初期化サブフィールドの初期化期間に生じる輝度が低減（図１２に示す構成では、パネル１０の全放電セルで一斉に強制初期化動作を行う構成と比較して１／３に低減）されるので、パネル１０の画像表示面において、この輝度の変化は非常に小さくなる。したがって、この輝度の変化が使用者に認識される可能性は極めて低いと考えられる。そして、本発明者が行った実験、すなわち表示画像を様々に変えながらフリッカーの発生を確認する実験においても、フリッカーの発生は実質的に確認されなかった。
【０１７４】
また、本実施の形態では、上述した構成とすることで、実施の形態１と同様に、強制初期化動作を行う放電セルの時間的および位置的な変化の連続性を低減することができる。これにより、強制初期化動作を行う頻度を低減したときにパネル１０の画像表示面に発生しやすい線状のノイズを、例えば図９に示したような強制初期化動作を行う放電セルの時間的および位置的な変化の連続性が高い構成と比較して、低減することができる。
【０１７５】
特に、本実施の形態では、周期的に非初期化フィールドを発生させるので、強制初期化動作を行う放電セルの時間的および位置的な変化の連続性を、実施の形態１に示した構成、すなわち、フィールド群を初期化フィールドだけで構成する構成よりもさらに低減することができ、上述した線状のノイズの発生をさらに抑制することができる。
【０１７６】
なお、本発明は、特定セル初期化サブフィールドにおける強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンが何ら図１２に示した構成に限定されるものではない。
【０１７７】
図１３は、本発明の実施の形態２の特別初期化サブフィールドの初期化期間における強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンの他の一例を示す概略図である。
【０１７８】
図１３には、図１２に示した例と同様に、時間的に連続する６つのフィールドで１つのフィールド群を構成するとともに、配置的に連続する３本の走査電極２２で１つの走査電極群を構成する例を示す。しかし、強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンは、図１２に示した例とは異なる。
【０１７９】
図１３に示す例では、ｊフィールド、ｊ＋２フィールド、ｊ＋４フィールド、・・・、を特定セル初期化フィールドとし、ｊ＋１フィールド、ｊ＋３フィールド、ｊ＋５フィールド、・・・、を非初期化フィールドとする。
【０１８０】
そして、例えば走査電極ＳＣｉ〜走査電極ＳＣｉ＋２からなる走査電極群に関しては、強制初期化波形を印加する走査電極２２を、ｊフィールドでは走査電極ＳＣｉとし、ｊ＋２フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋２とし、ｊ＋４フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋１とする。
【０１８１】
このように、図１２に示した例とは異なる発生パターンであっても、上述した規則に則り、強制初期化波形および非初期化波形を発生させることができる。
【０１８２】
図１４は、本発明の実施の形態２の特別初期化サブフィールドの初期化期間における強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンのさらに他の一例を示す概略図である。
【０１８３】
図１４には、図１２に示した例とは異なり、時間的に連続する４つのフィールドで１つのフィールド群を構成するとともに、配置的に連続する２本の走査電極２２で１つの走査電極群を構成する例を示す。
【０１８４】
図１４に示す例では、ｊフィールド、ｊ＋２フィールド、ｊ＋４フィールド、・・・、を特定セル初期化フィールドとし、ｊ＋１フィールド、ｊ＋３フィールド、ｊ＋５フィールド、・・・、を非初期化フィールドとする。
【０１８５】
そして、例えば走査電極ＳＣｉ、走査電極ＳＣｉ＋１からなる走査電極群に関しては、強制初期化波形を印加する走査電極２２を、ｊフィールドでは走査電極ＳＣｉとし、ｊ＋２フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋１とする。
【０１８６】
例えば、このような構成であっても、上述した規則に則り、強制初期化波形および非初期化波形を発生させることができる。
【０１８７】
なお、図１２、図１３、図１４では、特定セル初期化フィールドと非初期化フィールドとを交互に発生する構成を説明したが、本発明は何らこの構成に限定されるものではない。１つのフィールド群において、特定セル初期化フィールドの発生数と非初期化フィールドの発生数とが互いに異なっていてもかまわない。
【０１８８】
図１５は、本発明の実施の形態２の特別初期化サブフィールドの初期化期間における強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンのさらに他の一例を示す概略図である。
【０１８９】
図１５には、時間的に連続する６つのフィールドで１つのフィールド群を構成するとともに、配置的に連続する４本の走査電極２２で１つの走査電極群を構成し、かつ、特定セル初期化フィールドの発生数が非初期化フィールドの発生数よりも多い例を示す。
【０１９０】
図１５に示す例では、ｊフィールド、ｊ＋１フィールド、ｊ＋３フィールド、ｊ＋４フィールド、・・・、を特定セル初期化フィールドとし、ｊ＋２フィールド、ｊ＋５フィールド、ｊ＋８フィールド、・・・、を非初期化フィールドとする。
【０１９１】
そして、例えば走査電極ＳＣｉ〜走査電極ＳＣｉ＋３からなる走査電極群に関しては、強制初期化波形を印加する走査電極２２を、ｊフィールドでは走査電極ＳＣｉとし、ｊ＋１フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋２とし、ｊ＋３フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋１とし、ｊ＋４フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋３とする。
【０１９２】
例えば、このような構成であっても、上述した規則に則り、強制初期化波形および非初期化波形を発生させることができる。
【０１９３】
図１６は、本発明の実施の形態２の特別初期化サブフィールドの初期化期間における強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンのさらに他の一例を示す概略図である。
【０１９４】
図１６には、時間的に連続する６つのフィールドで１つのフィールド群を構成するとともに、配置的に連続する２本の走査電極２２で１つの走査電極群を構成し、かつ、特定セル初期化フィールドの発生数が非初期化フィールドの発生数よりも少ない例を示す。
【０１９５】
図１６に示す例では、ｊフィールド、ｊ＋３フィールド、ｊ＋６フィールド、・・・、を特定セル初期化フィールドとし、ｊ＋１フィールド、ｊ＋２フィールド、ｊ＋４フィールド、ｊ＋５フィールド、・・・、を非初期化フィールドとする。
【０１９６】
そして、例えば走査電極ＳＣｉ、走査電極ＳＣｉ＋１からなる走査電極群に関しては、強制初期化波形を印加する走査電極２２を、ｊフィールドでは走査電極ＳＣｉとし、ｊ＋３フィールドでは走査電極ＳＣｉ＋１とする。
【０１９７】
例えば、このような構成であっても、上述した規則に則り、強制初期化波形および非初期化波形を発生させることができる。
【０１９８】
以上示したように、本実施の形態では、１つのフィールド群を、特定セル初期化サブフィールドおよび複数の選択初期化サブフィールドを有する初期化フィールドと、全セル非初期化サブフィールドおよび複数の選択初期化サブフィールドを有する非初期化フィールドとで構成するものとする。そして、１つの走査電極２２に強制初期化波形を印加する回数を１つのフィールド群で１回とする。また、特別初期化サブフィールドにおいて、強制初期化波形を印加する走査電極２２の数を、１つの走査電極群で１本または０本とする。すなわち、強制初期化波形を印加する走査電極２２の数を、特定セル初期化サブフィールドでは各走査電極群でそれぞれ１本とし、全セル非初期化サブフィールドでは各走査電極群でそれぞれ０本とする。さらに、特別初期化サブフィールド（特定セル初期化サブフィールド）において強制初期化波形を印加する走査電極２２の両側の走査電極２２には、その特別初期化サブフィールドと、その特別初期化サブフィールドの後の最初の特別初期化サブフィールド（特定セル初期化サブフィールド、または全セル非初期化サブフィールド）との少なくとも２つの特別初期化サブフィールドで非初期化波形を印加するものとする。このような規則に則り強制初期化波形および非初期化波形を発生させる構成とすることで、強制初期化動作を行う頻度を低減したときに発生しやすいフリッカーや線状のノイズを低減しつつ、パネル１０に表示される画像の黒輝度をさらに低減し、よりコントラストを高めることが可能となる。
【０１９９】
なお、初期化放電によって放電セル内に形成される壁電荷は、時間が経過するにつれて徐々に減少していき、初期化放電が発生しない期間が長くなるほど、その減少量は増加する。したがって、初期化放電が発生しない期間が長くなりすぎると、書込み動作が正常に行われなくなる可能性がある。そのため、上述した実施の形態１、２において、例えば６０フィールド／秒で更新されるような画像を表示するときには、１つのフィールド群を構成するフィールドの数を２０以下にし、少なくとも２０フィールドに１回は必ず全ての放電セルに初期化放電が発生するように構成することが望ましい。
【０２００】
なお、図６に示したタイミングチャートは本発明の実施の形態における一例を示したものに過ぎず、本発明は何らこれらのタイミングチャートに限定されるものではない。
【０２０１】
また、本発明における実施の形態は、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎを第１の走査電極グループと第２の走査電極グループとに分割し、書込み期間を、第１の走査電極グループに属する走査電極のそれぞれに走査パルスを印加する第１の書込み期間と、第２の走査電極グループに属する走査電極のそれぞれに走査パルスを印加する第２の書込み期間とで構成する、いわゆる２相駆動によるパネルの駆動方法にも適用させることができる。
【０２０２】
なお、本発明における実施の形態は、走査電極と走査電極とが隣り合い、維持電極と維持電極とが隣り合う電極構造、すなわち前面板に設けられる電極の配列が、「・・・走査電極、走査電極、維持電極、維持電極、走査電極、走査電極、・・・」となる電極構造のパネルにおいても有効である。
【０２０３】
なお、本実施の形態において示した具体的な各数値、例えば、上りランプ電圧Ｌ１、下りランプ電圧Ｌ２、消去ランプ電圧Ｌ３の各傾斜電圧の勾配等は表示電極対数１０８０の５０インチのパネルの特性にもとづき設定したものであって、単に実施の形態の一例を示したものに過ぎない。本発明はこれらの数値に何ら限定されるものではなく、パネルの特性やプラズマディスプレイ装置の仕様等に合わせて最適に設定することが望ましい。また、これらの各数値は、上述した効果を得られる範囲でのばらつきを許容するものとする。
【０２０４】
（保護層２６の詳細）
ここから本実施の形態における保護層２６について説明する。保護層２６は、下地膜９１と金属酸化物結晶粒子９２ａを含む。下地膜９１は、一例として、アルミニウム（Ａｌ）を不純物として含有する酸化マグネシウム（ＭｇＯ）膜である。金属酸化物結晶粒子９２ａは、一例として、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）結晶粒子である。また、本実施例においては、金属酸化物結晶粒子９２ａが複数個凝集した凝集粒子９２が、下地膜９１の全面に亘って均一に分布するように複数個付着している。
【０２０５】
（凝集粒子９２の詳細）
アドレス放電の開始時には、トリガーとなる初期電子が、保護層２６の表面から放電空間中に放出される。初期電子量が不足することが、放電遅れの主原因と考えられる。凝集粒子９２には、主としてアドレス放電における放電遅れを抑制する効果と、放電遅れの温度依存性を改善する効果とがある。すなわち、凝集粒子９２は、高い初期電子放出能力を有する。そこで本実施の形態では、凝集粒子９２が、放電パルスの立ち上がり時に必要な初期電子供給部として備えられている。凝集粒子９２は、放電パルスの立ち上がり時に放電空間中に初期電子を豊富に存在させる。したがって、パネル１０がより高精細になり、アドレス放電のための割り当て時間が短くなっても、放電遅れが抑制され、高速駆動ができる。
【０２０６】
凝集粒子９２とは、所定の一次粒径の金属酸化物結晶粒子９２ａが複数個凝集した状態のものである。凝集粒子９２は、固体として強い結合力によって結合しているのではない。凝集粒子９２は、静電気やファンデルワールス力などによって複数の一次粒子が集合したものである。また、凝集粒子９２は、超音波などの外力により、その一部または全部が一次粒子の状態に分解する程度の力で結合している。金属酸化物結晶粒子９２ａは、１４面体や１２面体などの７面以上の面を持つ多面体形状を有するのが望ましい。
【０２０７】
（酸化マグネシウム結晶粒子の作製方法）
本実施の形態にかかる方法は、熱分解法に基づいたものである。具体的には、焼成炉などによって、水酸基や炭酸基を有する酸化マグネシウム前駆体（以下、前駆体と称する）が焼成される。熱によって前駆体が有する水酸基や炭酸基などが除去され、金属酸化物粗粒子である酸化マグネシウム粗粒子が作製される。酸化マグネシウム粗粒子は、金属酸化物結晶である酸化マグネシウム結晶の一次粒子が多数凝集したものである。次に、ボールミルなどによって、酸化マグネシウム粗粒子が粉砕される。粉砕されることで平均粒径が小さい酸化マグネシウム結晶粒子が作製される。
【０２０８】
なお、前駆体は、液相法によって、生成される。よって、前駆体自体が一次粒子の凝集体である。また、前駆体は、特に限定されない。例えば、水酸化マグネシウム、塩基性炭酸マグネシウム、炭酸マグネシウム、シュウ酸マグネシウムなどを用いることができる。
【０２０９】
また、前駆体が不純物を多く含むと、作製される酸化マグネシウム結晶粒子に意図しない不純物が混入する場合がある。すなわち、酸化マグネシウム結晶粒子の特性がばらつく場合があるので、前駆体の不純物は少ないほうが好ましい。具体的に前駆体が含む不純物量としては、熱分解法により酸化マグネシウム結晶粒子を生成した際に残留する不純物の合計量が、０．１重量％以下が好ましく、０．０１重量％以下がより好ましい。
【０２１０】
焼成炉は、大気炉などが用いられる。すなわち、焼成は、大気や酸素などの雰囲気下で開放して、又は、それらの気流を流しながら行われる。焼成温度は、７００℃から１５００℃の範囲である。１２００℃程度が最も好ましい。焼成時間は、温度にもよるが、１時間から１０時間程度である。例えば、温度が１２００℃程度の場合には５時間程度が適当である。焼成炉の昇温速度は、特に限定されない。５℃から１０℃／ｍｉｎ程度が好ましい。焼成時の雰囲気は特に限定されない。例えば、大気、酸素、窒素、アルゴンなどが用いられる。なお、酸化性雰囲気を用いると、前駆体に含まれる不純物を酸化ガスとして除去することが可能となる。すなわち、焼成時の雰囲気は、大気や、酸素が好ましい。
【０２１１】
上述の工程によって、酸化マグネシウム粗粒子が作製される。酸化マグネシウム粗粒子の平均粒径は１．０μｍから４．０μｍの範囲である。なお、本実施の形態において、平均粒径とは、体積累積平均径（Ｄ５０）のことである。また、平均粒径の測定には、レーザ回折式粒度分布測定装置ＭＴ−３３００（日機装株式会社製）が用いられた。酸化マグネシウム粗粒子をそのまま保護層２６に用いると、製造装置に不具合が発生する場合がある。さらには、前面板２１と背面板３１とを組み立てるときに、隔壁３４が破壊される場合がある。よって、酸化マグネシウム粗粒子は、より平均粒径が小さくなるように粉砕されることが好ましい。
【０２１２】
なお、本実施の形態において、粉砕とは、一次粒子が多数凝集した金属酸化物粗粒子を所定の平均粒径の金属酸化物になるようにほぐすことである。よって、金属酸化物の平均粒径は、金属酸化物結晶の一次粒子の大きさから、金属酸化物結晶の一次粒子が複数凝集したときの大きさまで変動してもよい。なお、粉砕によって、金属酸化物結晶の一次粒子の粒径は、ほとんど変化しない。
【０２１３】
次に、ボールミルによって酸化マグネシウム粗粒子が粉砕される。粉砕する際の溶媒として、エタノールが用いられる。また、エタノールの他に、メタノール、ブタノール、プロパノールなどのアルコール類や、プロピレングリコール、ポリプロピレングリコール、エチレングリコールなどのグリコール類などの有機溶剤が用いられ得る。溶媒の使用量は、粉砕原料１００質量部に対して２０質量部〜１０００質量部、好ましくは３０質量部〜３００質量部である。
【０２１４】
さらに、溶媒に分散剤が添加されてもよい。分散材は、溶媒に合わせて用いられる。分散材には、例えば、アクリル系ポリマー、アミン径ポリマーなどのポリマー類、硝酸、塩酸、硫酸などの無機酸、シュウ酸、クエン酸、酢酸、リンゴ酸、乳酸などの有機酸、メタノール、エタノール、プロパノールなどのアルコール類、ポリカルボン酸アンモニウムなどの界面活性剤などが用いられ得る。分散剤を用いる場合、分散剤の添加量は溶媒１００質量部あたり０．１質量部〜２０質量部である。さらに、０．２質量部〜１０質量部であることが好ましい。
【０２１５】
本実施の形態において、酸化マグネシウム粗粒子は、種々の条件で粉砕された。粉砕条件の一覧、およびそれぞれの粉砕条件におけるフォトルミネッセンスの相対ピーク強度が表１に示される。
【０２１６】
【表１】
【０２１７】
粉砕には、ステンレス製のポッドを有するボールミルが用いられた。ポッドの直径は、２４ｃｍであった。ポッドの容量は、８Ｌであった。メディア（ボール）の直径は、１５ｍｍであった。メディアには、鉄心入りナイロンボールが用いられた。酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）や酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）をメディアに用いると、酸化マグネシウム粗粒子によって削られる。すなわち、期待しない不純物として、酸化マグネシウム結晶粒子に混入するので好ましくない。また、ポッドに対するメディアの充填率は、５体積％〜３０体積％であった。原料である酸化マグネシウム粗粒子の充填率は４０体積％〜７５体積％であった。ポッドは、３０Ｒ．Ｐ．Ｍの速度で２時間〜１０時間回転された。
【０２１８】
次に、ポッドから粉砕後の原料が排出された。最終的に、酸化マグネシウム結晶粒子は、平均粒径が０．３μｍ〜２μｍの範囲にあった。
【０２１９】
（酸化マグネシウム結晶粒子の評価）
表１に示されるように、粉砕前の酸化マグネシウム粗粒子および粉砕後の酸化マグネシウム結晶粒子について、フォトルミネッセンスの発光強度が測定された。なお、比較例として、ジェットミルにより粉砕された酸化マグネシウム結晶粒子についてもフォトルミネッセンスの発光強度が測定された。フォトルミネッセンス測定は、以下の条件で行われた。光源には、発光波長１４６ｎｍのエキシマランプ（ウシオ電機株式会社製）が用いられた。エキシマランプは、サンプルから上方に１００ｍｍの位置に設置された。ターボ分子ポンプによって、真空チャンバー内の圧力は、１×１０-2Ｐａに保たれた。ディテクターには、ＣＣＤ一体型で波長範囲２００ｎｍから８００ｎｍの分光器（浜松ホトニクス株式会社製）が用いられた。入射光の波長が、１４６ｎｍであるため、フォトルミネッセンスは、サンプルのほぼ最表面から生じていると考えられる。
【０２２０】
全てのサンプルは、波長２００ｎｍから３００ｎｍの範囲に発光ピークがあった。図１８に、粉砕前（酸化マグネシウム粗粒子）、実施例（試料番号１）および比較例のフォトルミネッセンス波形が例示される。図１８に示されるように、各サンプルには、波長２４０ｎｍ近傍に発光ピークがあった。
【０２２１】
表１に示されるように各サンプルの発光ピーク強度は、酸化マグネシウム粗粒子の発光ピーク強度を１００％としたときの相対値（相対ピーク強度）である。最も相対ピーク強度が大きいサンプルは、試料番号１１であった。試料番号１１の相対ピーク強度は、９９．４％に達した。最も相対ピーク強度が小さいサンプルは、試料番号１０であった。試料番号１０の相対ピーク強度は、６０．６％であった。なお、相対ピーク強度が低下する原因は、粉砕時に発生する物理衝撃によって酸化マグネシウム結晶粒子の最表面がダメージを受けるためと考えられる。したがって、ダメージを最小限にとどめつつ、粉砕することが好ましい。つまり、粉砕時に、酸化マグネシウム結晶粒子に与えるエネルギーを抑制することで、相対ピーク強度の低下を抑制することができる。なお、実際に製品を製造する際には、タクトタイムなどを考慮して粉砕条件を設定することが望ましい。
【０２２２】
波長２００ｎｍから３００ｎｍの範囲に発光ピークがあることは、酸化マグネシウム粗粒子および酸化マグネシウム結晶粒子は、波長２００ｎｍから３００ｎｍの発光ピークに対応したエネルギー準位を有することを意味する。エネルギー準位は、初期化放電時に発生する電子を長時間（数ｍｓｅｃ以上）トラップできると考えられる。アドレス放電時にアドレス電圧が印加されると、保護層２６に電界が形成される。熱および電界によって、トラップされた電子が放電空間に取り出される。アドレス放電開始に必要な初期電子が迅速かつ十分に得られると、放電開始時間が早められる。
【０２２３】
以上のように、波長２００ｎｍから３００ｎｍの発光ピーク強度が大きいと、放電遅れ時間が短縮されると考えられる。すなわち、酸化マグネシウム粗粒子の粉砕によって生じる波長２００ｎｍから３００ｎｍの発光ピーク強度の低下を抑制することが、放電遅れ時間の短縮につながる。
【０２２４】
（保護層２６の形成方法）
図１７に示されるように、保護層２６の形成は、誘電体層２５形成後から開始される。まず、ステップ１では、下地膜９１が形成される。材料には、例えば、アルミニウム（Ａｌ）を含む酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の焼結体が用いられる。方法は、例えば、真空蒸着法が用いられる。具体的には、真空チャンバー内で原材料に電子ビームを照射することにより、原材料を蒸発させ誘電体層２５上に付着させる。主として酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる下地膜９１が誘電体層２５上に形成される。下地膜９１の膜厚は、一例として、５００ｎｍから１０００ｎｍ程度である。
【０２２５】
ステップ２では、金属酸化物ペースト膜が形成される。材料には、例えば、酸化マグネシウム結晶粒子が複数凝集した凝集粒子９２が有機樹脂成分と希釈溶剤とともに混錬された金属酸化物ペーストが用いられる。方法は、例えば、スクリーン印刷法が用いられる。具体的には、金属酸化物ペーストが下地膜９１上の全面に亘って塗布されることにより、金属酸化物ペースト膜が形成される。金属酸化物ペースト膜の膜厚は、一例として、５μｍから２０μｍ程度である。なお、下地膜上に金属酸化物ペースト膜を形成する方法として、スクリーン印刷法以外に、スプレー法、スピンコート法、ダイコート法、スリットコート法なども用いることができる。
【０２２６】
ステップ３では、金属酸化物ペースト膜が乾燥される。乾燥炉などにより、金属酸化物ペースト膜が所定の温度で加熱される。温度範囲は、一例として、１００℃から１５０℃程度である。加熱により、金属酸化物ペースト膜から、溶剤成分が除去される。
【０２２７】
ステップ４では、乾燥後の金属酸化物ペースト膜が焼成される。焼成炉などにより、金属酸化物ペースト膜が所定の温度で加熱される。温度範囲は、一例として、４００℃から５００℃程度である。焼成時の雰囲気は特に限定されない。例えば、大気、酸素、窒素などが用いられる。加熱により、金属酸化物ペースト膜から、樹脂成分が除去される。
【０２２８】
以上のステップによって、下地膜９１上に、凝集粒子９２が離散的に付着する。
【０２２９】
（実施例）
パネル１０が作製され、パネル１０の性能が評価された。作製されたパネル１０は、４２インチクラスのハイビジョンテレビに適合するものである。すなわち、パネル１０は、前面板２１と、前面板２１と対向配置された背面板３１と、を備える。また、前面板２１と背面板３１の周囲は、封着材で封着されている。前面板２１は、表示電極対２４と誘電体層２５と保護層２６とを有する。背面板３１は、データ電極３２と、誘電体層３３と、隔壁３４と、蛍光体層３５とを有する。パネル１０には、キセノン（Ｘｅ）の含有量が１５体積％のネオン（Ｎｅ）−キセノン（Ｘｅ）系の混合ガスが、６０ｋＰａの内圧で封入された。また、表示電極６と表示電極６との電極間距離は、０．０６ｍｍであった。隔壁３４の高さは０．１５ｍｍ、隔壁３４と隔壁３４との間隔（セルピッチ）は０．１５ｍｍであった。
【０２３０】
実施例には、上述の方法で作製された、酸化マグネシウム結晶粒子が複数凝集した凝集粒子９２が、用いられた。例えば、試料番号１の凝集粒子９２の粒度分布は、０．４９μｍ（Ｄ１０）、１．１５μｍ（Ｄ５０）、２.４１μｍ（Ｄ９０）であった。一方、粉砕される前の酸化マグネシウム粗粒子の粒度分布は、０．６２μｍ（Ｄ１０）、１．８６μｍ（Ｄ５０）、３．７１μｍ（Ｄ９０）であった。一方、比較例として、ジェットミルによって、複数の条件で粉砕された、酸化マグネシウム結晶粒子が複数凝集した凝集粒子９２が用いられた。ジェットミルによって得られた凝集粒子９２の相対発光ピーク強度は、２０．３％〜５７．０％であった。相対発光ピーク強度が５７．０％のサンプルの粒度分布は、０．４１μｍ（Ｄ１０）、１．２０μｍ（Ｄ５０）、２．３５μｍ（Ｄ９０）であった。
【０２３１】
実施例および比較例の凝集粒子９２は、平均粒径が１．１μｍであった。実施例および比較例の凝集粒子９２の被覆率は８．０％であった。被覆率とは、１個の放電セルの領域において、凝集粒子９２が付着している面積ａを１個の放電セルの面積ｂの比率で表したものである。つまり、被覆率（％）＝ａ／ｂ×１００の式により計算されたものである。測定方法としては、例えば、隔壁３４により区切られた１個の放電セルに相当する領域がカメラにより撮像される。次に、撮像された画像が、ｘ×ｙの１セルの大きさにトリミングされる。次に、トリミング後の画像が白黒データに２値化される。次に、２値化されたデータに基づき凝集粒子９２による黒エリアの面積ａを求める。最後に、被覆率が、ａ／ｂ×１００の式により計算される。
【０２３２】
実施例と比較例におけるパネル１０の製造方法の違いは、酸化マグネシウム粗粒子の粉砕方法のみである。
【０２３３】
（性能評価）
書込み放電時の「放電遅れ」のために、ちらつきが発生する走査パルス幅（印加時間）を測定することによりパネルの性能が評価された。図１９に示されるように、パネルの駆動電圧が、走査電極２２、維持電極２３、データ電極３２に印加された。走査パルス幅だけがパラメータとなり、１．５μｓから０．１μｓ間隔で０．３μｓまで変化された。
【０２３４】
走査パルス幅が十分長いと、走査電極２２とデータ電極３２との間で発生させる書込み放電が遅れても、走査電極２２と維持電極２３との間で維持放電を発生し得るだけの壁電荷を下地膜９１上に蓄積することができる。しかしながら、走査パルス幅を短縮すると、書込み放電中に走査パルスが立ち下がり、下地膜９１への壁電荷の蓄積が不十分となる。壁電荷の蓄積が不十分な放電セルにおいては、維持パルスを印加しても、安定した維持放電が発生するだけの壁電荷が蓄積されていないためにちらつきが発生する。
【０２３５】
したがって、パネルの点灯性能評価として、正常点灯しているときの走査パルス幅から順次短縮していき、ちらつきが発生し始めたときの走査パルス幅を求めることにより、パネルの「放電遅れ」特性を評価することができる。なお、ちらつきの有無は、パネルの全放電セルが点灯した状態（白色表示）にて目視判断された。
【０２３６】
なお、この性能評価実験でパネルに印加される電圧条件は、以下のとおりである。
【０２３７】
初期化電圧（固定）：３３０Ｖ
走査電圧（固定）：−１４０Ｖ、パルス幅（可変）０．３μｓ〜１．５μｓ
書込み電圧（固定）：７０Ｖ
維持電圧（固定）：２００Ｖ、維持周期０．５μｓ
図２０には、相対発光ピーク強度とちらつきが発生し始めたときの走査パルス幅が示されている。図２０からは、ちらつきが発生し始める走査パルス幅は、相対発光ピーク強度に依存することがわかる。相対発光ピーク強度が６０％以上、１００％未満の場合は、走査パルス幅が、０．６μｓでもちらつきが発生しなかったので、好ましい。これは、凝集粒子９２が、走査パルス印加時に十分な量の初期電子を放出するために「放電遅れ」時間が短縮されたためである。さらに、相対発光ピーク強度が８０％以上、１００％未満の場合は、走査パルス幅が、０．５μｓでもちらつきが発生しなかったので、より好ましい。
【０２３８】
なお、粉砕によって酸化マグネシウム結晶粒子の表面がダメージを受けると考えられるので、単に酸化マグネシウム粗粒子を粉砕したのみでは、相対発光ピーク強度が１００％以上になることはない。
【０２３９】
一方、比較例においては、０．７μｓ〜０．８μｓでちらつきが発生し始めた。１フィールドに配分されている時間は固定されているので、走査パルス印加時間を増加させると、必然的に維持パルス印加時間を減らすか、サブフィールド数を減らす対策を取ることになる。前者の対策ではパネルの輝度が減少し、後者の対策では表現できる階調数が減少して、いずれにしてもパネルの表示品質劣化を招くことになる。この結果より、本実施の形態におけるパネルによれば、書込み放電時の「放電遅れ」を低減し、表示品質の向上が期待できる。
【０２４０】
このような構成によれば、金属酸化物において、初期電子放出能力と相関が高い波長２００ｎｍから３００ｎｍの範囲のフォトルミネッセンスのピーク強度の低下が抑制される。
【０２４１】
なお、金属酸化物のピークは、金属酸化物粗粒子のピークの８０％以上、１００％未満の強度であるとより好ましい。このような構成によれば、金属酸化物において、初期電子放出能力と相関が高い波長２００ｎｍから３００ｎｍの範囲のフォトルミネッセンスのピーク強度の低下が、より抑制される。
【０２４２】
なお、本実施の形態では、金属酸化物結晶粒子９２ａが、酸化マグネシウム結晶粒子である場合が例示された。しかし、本発明はこれには限られない。酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の他にも、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）などを用いることができる。要するに、高い初期電子放出能力を有する金属酸化物結晶粒子９２ａを用いると、同様の効果を得ることができる。したがって、金属酸化物結晶粒子９２ａは、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）に限定されない。また、複数の種類の金属酸化物結晶粒子を用いることもできる。
【０２４３】
さらに、本実施の形態では、下地膜９１上に凝集粒子９２が形成された場合が例示された。しかし、本発明はこれには限られない。つまり、金属酸化物結晶粒子９２ａは凝集されないで、一次粒子の状態で下地膜９１上に形成されてもよい。
【０２４４】
なお、本実施の形態では、下地層が、酸化アルミニウムを含む酸化マグネシウム膜である場合が例示された。しかし、本発明はこれには限られない。酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の他にも、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）などの金属酸化物膜を用いることができる。また、複数の種類の金属酸化物が混合された膜を用いることもできる。
【０２４５】
さらに、金属酸化物膜の他にも、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）などの金属酸化物微粒子の集合体を用いることができる。また、複数の種類の金属酸化物微粒子が混合された集合体を用いることもできる。
【０２４６】
このように、上記記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法と、保護層を有したプラズマディスプレイパネルであれば、パネルに表示される画像の黒輝度を低減してコントラストを高め、画像表示品質を高めることができるプラズマディスプレイ装置を実現することができる。
【産業上の利用可能性】
【０２４７】
本発明は、パネルに表示される画像の黒輝度を低減してコントラストを高め、画像表示品質を高めることができるので、プラズマディスプレイ装置として有用である。
【符号の説明】
【０２４８】
１ プラズマディスプレイ装置
１０ パネル
２１ （ガラス製の）前面板
２２ 走査電極
２３ 維持電極
２４ 表示電極対
２５，３３ 誘電体層
２６ 保護層
３１ 背面板
３２ データ電極
３４ 隔壁
３５ 蛍光体層
４１ 画像信号処理回路
４２ データ電極駆動回路
４３ 走査電極駆動回路
４４ 維持電極駆動回路
４５ タイミング発生回路
５０ 維持パルス発生回路
５１ 初期化波形発生回路
５２ 走査パルス発生回路
５３，５４，５５ ミラー積分回路
９１ 下地膜
９２ 凝集粒子
９２ａ 金属酸化物結晶粒子
Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ３１ コンデンサ
Ｄ３１ ダイオード
Ｌ１ 上りランプ電圧
Ｌ２，Ｌ４ 下りランプ電圧
Ｌ３ 消去ランプ電圧
Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４，Ｑ５，Ｑ６，ＱＨ１〜ＱＨｎ，ＱＬ１〜ＱＬｎ スイッチング素子
Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３ 抵抗
【特許請求の範囲】
【請求項１】
初期化期間と書込み期間と維持期間とを有するサブフィールドを１フィールド内に複数設けて階調表示するサブフィールド法で駆動するとともに特別初期化サブフィールドと複数の選択初期化サブフィールドとで１つのフィールドを構成し、時間的に連続する複数の前記フィールドで１つのフィールド群を構成して、プラズマディスプレイパネルを駆動するプラズマディスプレイ装置であって、
前記初期化期間に、直前のサブフィールドの動作にかかわらず前記放電セルに初期化放電を発生する強制初期化波形と、直前のサブフィールドの前記維持期間に維持放電を発生した前記放電セルだけに初期化放電を発生する選択初期化波形と、前記放電セルに初期化放電が発生しない非初期化波形とのいずれかを発生して前記走査電極に印加するとともに、前記特別初期化サブフィールドの前記初期化期間では、前記強制初期化波形または前記非初期化波形を発生して選択的に前記走査電極に印加し、前記選択初期化サブフィールドの前記初期化期間では前記選択初期化波形を発生して全ての前記走査電極に印加し、１つの前記走査電極に１つの前記フィールド群で１回だけ前記強制初期化波形を印加する走査電極駆動回路とを備え、
前記走査電極駆動回路は、
前記特別初期化サブフィールドにおいて前記強制初期化波形を印加する走査電極の両側の走査電極には、その特別初期化サブフィールドと、その特別初期化サブフィールドの後の最初の特別初期化サブフィールドとの少なくとも２つの特別初期化サブフィールドで前記非初期化波形を印加する駆動波形の発生パターンを１フィールド群に少なくとも１つ含んで駆動波形を発生し、
前記プラズマディスプレイパネルは、前面板と、前記前面板と対向配置された背面板と、を備え、前記前面板は、電極と誘電体層と保護層とを有し、前記保護層は、下地層と前記下地層の上に形成された金属酸化物とを含み、
前記金属酸化物は、金属酸化物粗粒子が粉砕されたものであり、前記金属酸化物と前記金属酸化物粗粒子とは、波長２００ｎｍから３００ｎｍの範囲にフォトルミネッセンスのピークがあり、前記金属酸化物のピークは、前記金属酸化物粗粒子のピークの６０％以上、１００％未満の強度である、
プラズマディスプレイ装置。
【請求項２】
前記走査電極駆動回路は、
上昇する傾斜電圧を発生する傾斜電圧発生回路を有し、
前記傾斜電圧発生回路が出力する傾斜電圧に所定の電圧を重畳した電圧を前記強制初期化波形として出力し、
前記所定の電圧を重畳しない前記傾斜電圧を前記非初期化波形として出力することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のプラズマディスプレイ装置であって、
前記金属酸化物のピークは、前記金属酸化物粗粒子のピークの８０％以上、１００％未満の強度である、
プラズマディスプレイ装置。
【請求項１】
初期化期間と書込み期間と維持期間とを有するサブフィールドを１フィールド内に複数設けて階調表示するサブフィールド法で駆動するとともに特別初期化サブフィールドと複数の選択初期化サブフィールドとで１つのフィールドを構成し、時間的に連続する複数の前記フィールドで１つのフィールド群を構成して、プラズマディスプレイパネルを駆動するプラズマディスプレイ装置であって、
前記初期化期間に、直前のサブフィールドの動作にかかわらず前記放電セルに初期化放電を発生する強制初期化波形と、直前のサブフィールドの前記維持期間に維持放電を発生した前記放電セルだけに初期化放電を発生する選択初期化波形と、前記放電セルに初期化放電が発生しない非初期化波形とのいずれかを発生して前記走査電極に印加するとともに、前記特別初期化サブフィールドの前記初期化期間では、前記強制初期化波形または前記非初期化波形を発生して選択的に前記走査電極に印加し、前記選択初期化サブフィールドの前記初期化期間では前記選択初期化波形を発生して全ての前記走査電極に印加し、１つの前記走査電極に１つの前記フィールド群で１回だけ前記強制初期化波形を印加する走査電極駆動回路とを備え、
前記走査電極駆動回路は、
前記特別初期化サブフィールドにおいて前記強制初期化波形を印加する走査電極の両側の走査電極には、その特別初期化サブフィールドと、その特別初期化サブフィールドの後の最初の特別初期化サブフィールドとの少なくとも２つの特別初期化サブフィールドで前記非初期化波形を印加する駆動波形の発生パターンを１フィールド群に少なくとも１つ含んで駆動波形を発生し、
前記プラズマディスプレイパネルは、前面板と、前記前面板と対向配置された背面板と、を備え、前記前面板は、電極と誘電体層と保護層とを有し、前記保護層は、下地層と前記下地層の上に形成された金属酸化物とを含み、
前記金属酸化物は、金属酸化物粗粒子が粉砕されたものであり、前記金属酸化物と前記金属酸化物粗粒子とは、波長２００ｎｍから３００ｎｍの範囲にフォトルミネッセンスのピークがあり、前記金属酸化物のピークは、前記金属酸化物粗粒子のピークの６０％以上、１００％未満の強度である、
プラズマディスプレイ装置。
【請求項２】
前記走査電極駆動回路は、
上昇する傾斜電圧を発生する傾斜電圧発生回路を有し、
前記傾斜電圧発生回路が出力する傾斜電圧に所定の電圧を重畳した電圧を前記強制初期化波形として出力し、
前記所定の電圧を重畳しない前記傾斜電圧を前記非初期化波形として出力することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のプラズマディスプレイ装置であって、
前記金属酸化物のピークは、前記金属酸化物粗粒子のピークの８０％以上、１００％未満の強度である、
プラズマディスプレイ装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１Ａ】
【図１１Ｂ】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１Ａ】
【図１１Ｂ】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【公開番号】特開２０１２−１５９５５７（Ｐ２０１２−１５９５５７Ａ）
【公開日】平成２４年８月２３日（２０１２．８．２３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１７５４６（Ｐ２０１１−１７５４６）
【出願日】平成２３年１月３１日（２０１１．１．３１）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年８月２３日（２０１２．８．２３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１月３１日（２０１１．１．３１）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
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