リソグラフィ原版の製造方法および集積回路の製造方法
【課題】歩留まりの向上に寄与することのできるリソグラフィ原版の製造方法を提供すること。
【解決手段】実施の形態のリソグラフィ原版の製造方法は、回路パターン３に表れる周期的パターン４を連続させた連続パターンを基板の略全面にわたって形成し、連続パターンの欠陥を検出する欠陥検査を行う。検出された欠陥を避けるように回路パターンの形成領域の配置を決定し、回路パターンの形成領域外に形成された連続パターンを除去する。
【解決手段】実施の形態のリソグラフィ原版の製造方法は、回路パターン３に表れる周期的パターン４を連続させた連続パターンを基板の略全面にわたって形成し、連続パターンの欠陥を検出する欠陥検査を行う。検出された欠陥を避けるように回路パターンの形成領域の配置を決定し、回路パターンの形成領域外に形成された連続パターンを除去する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態はリソグラフィ原版の製造方法および集積回路の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路の高集積化、すなわち半導体素子の微細化への要求に対し、光リソグラフィやナノインプリントリソグラフィ（Nanoimprint Lithography：以下、ＮＩＬと呼ぶ）が用いられている。光リソグラフィやＮＩＬでは、被処理基板上のレジストに、微細なパターンを転写するために、フォトマスクやテンプレートといったリソグラフィ原版が用いられる。リソグラフィ原版には、集積回路製造の歩留まりを向上させるために、高い精度が要求される。リソグラフィ原版の精度の向上を図る上で、リソグラフィ原版の基板（例えば、マスクブランクス）自体の欠陥の影響を抑える必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−３３９４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
リソグラフィ原版の精度の向上を図る上では、基板に形成されたパターンの欠陥の影響を抑える必要もある。
【０００５】
本発明の実施の形態は、歩留まりの向上に寄与することのできるリソグラフィ原版の製造方法および集積回路の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施の形態のリソグラフィ原版の製造方法は、回路パターンに表れる周期的パターンを連続させた連続パターンを基板の略全面にわたって形成し、連続パターンの欠陥を検出する欠陥検査を行う。検出された欠陥を避けるように回路パターンの形成領域の配置を決定し、回路パターンの形成領域外に形成された連続パターンを除去する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１−１】図１−１は、第１の実施の形態にかかる集積回路の回路パターンを示す図である。
【図１−２】図１−２は、図１−１に示す回路パターンの周期的パターンと非周期的パターンを示す図である。
【図２】図２は、第１の実施の形態にかかるリソグラフィ原版の製造方法を示すフローチャートである。
【図３】図３は、第１の実施の形態にかかるリソグラフィ原版の製造方法を説明するための図であって、リソグラフィ原版の基板を示す図である。
【図４】図４は、第１の実施の形態にかかるリソグラフィ原版の製造方法を説明するための図であって、リソグラフィ原版の基板を示す図である。
【図５】図５は、第１の実施の形態にかかるリソグラフィ原版の製造方法を説明するための図であって、リソグラフィ原版の基板を示す図である。
【図６】図６は、第１の実施の形態にかかる集積回路の製造方法を示すフローチャートである。
【図７】図７は、第１の実施の形態にかかる集積回路の製造方法を説明するための図であって、被処理基板を示す図である。
【図８−１】図８−１は、トリム工程を詳細に説明するための部分平面図である。
【図８−２】図８−２は、図８−１に示すＡ−Ａ線に沿った矢視断面図である。
【図８−３】図８−３は、トリム工程を詳細に説明するための部分平面図である。
【図８−４】図８−４は、図８−３に示すＡ２−Ａ２線に沿った矢視断面図である。
【図９−１】図９−１は、トリム工程を詳細に説明するための部分平面図である。
【図９−２】図９−２は、図９−１に示すＢ−Ｂ線に沿った矢視断面図である。
【図１０−１】図１０−１は、トリム工程を詳細に説明するための部分平面図である。
【図１０−２】図１０−２は、図１０−１に示すＣ−Ｃ線に沿った矢視断面図である。
【図１１】図１１は、第１の実施の形態にかかる集積回路の製造方法を説明するための図であって、被処理基板を示す図である。
【図１２−１】図１２−１は、大パターンを形成する工程を詳細に説明するための部分平面図である。
【図１２−２】図１２−２は、図１２−１に示すＤ−Ｄ線に沿った矢視断面図である。
【図１３−１】図１３−１は、大パターンを形成する工程を詳細に説明するための部分平面図である。
【図１３−２】図１３−２は、図１３−１に示すＥ−Ｅ線に沿った矢視断面図である。
【図１４−１】図１４−１は、大パターンを形成する工程を詳細に説明するための部分平面図である。
【図１４−２】図１４−２は、図１４−１に示すＦ−Ｆ線に沿った矢視断面図である。
【図１５】図１５は、第２の実施の形態にかかるリソグラフィ原版の製造方法を示すフローチャートである。
【図１６】図１６は、第２の実施の形態にかかるテンプレートを示す図である。
【図１７】図１７は、第３の実施の形態にかかるリソグラフィ原版の製造方法を示すフローチャートである。
【図１８】図１８は、第３の実施の形態にかかるテンプレートを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に添付図面を参照して、実施の形態にかかるリソグラフィ原版の製造方法および集積回路の製造方法を詳細に説明する。なお、この実施の形態により本発明が限定されるものではない。
【０００９】
（第１の実施の形態）
まず、第１の実施の形態にかかる集積回路の回路パターンについて説明する。
図１−１は、第１の実施の形態にかかる集積回路の回路パターンを示す図である。図１−２は、図１−１に示す回路パターンの周期的パターンと非周期的パターンを示す図である。集積回路１は、シリコンからなる被処理基板２の表面に、微細な凹凸からなる回路パターン３が形成されて構成される。回路パターン３は、集積回路１表面の略全域にわたって周期的に表れる周期的パターン４と、集積回路１表面の一部に表れる非周期的パターン５とを有して構成される。
【００１０】
本実施の形態では、周期的パターン４は、ラインアンドスペース状（以下、Ｌ／Ｓ状と呼ぶ）に形成された凹凸である。周期的パターン４は、Ｌ／Ｓ状に凹凸が形成された複数の領域として、１つの回路パターン３に繰り返して表れるように形成されている。Ｌ／Ｓ状に凹凸が形成された周期的パターン４は、メモリセルとして機能する。
【００１１】
また、非周期的パターン５は、周期的パターン４の周囲に設けられる。非周期的パターン５は、周辺装置、例えば抵抗などを搭載するために、周期的パターン４よりも大きなパターン（以下、大パターンと呼ぶ）として形成されている。
【００１２】
次に、集積回路１に回路パターン３を形成するために用いられるリソグラフィ原版の製造方法について説明する。
図２は、第１の実施の形態にかかるリソグラフィ原版の製造方法を示すフローチャートである。図３〜図５は、第１の実施の形態にかかるリソグラフィ原版の製造方法を説明するための図であって、リソグラフィ原版の基板を示す図である。なお、本実施の形態では、リソグラフィ原版として、ＮＩＬに用いられるテンプレート１５を例示して説明する。
【００１３】
まず、電子ビーム描画（ＥＢ描画）、ＮＩＬ、ＤＳＡ（Directed Self-Assembly）といった手法を用いて、周期的パターン４であるＬ／Ｓ状のパターンを連続させた連続パターン１０を、石英などで構成された基板１１の一面上の略全域にわたって形成する（ステップＳ１）（図３）。ここで、基板１１の一面上に形成されるＬ／Ｓ状のパターンには、欠陥６が含まれる場合がある。
【００１４】
次に、基板１１の一面上における欠陥６の位置を検出するために、欠陥検査を行う（ステップＳ２）。欠陥検査としては、例えば、光学的な欠陥検査や電子ビームを用いた欠陥検査が挙げられる。
【００１５】
次に、検出された欠陥６が周期的パターン４と重ならないように、連続パターン１０の中で回路パターン３が形成される位置を決定する（ステップＳ３）（図４）。次に、回路パターン３が形成される領域外の連続パターン１０を除去することで（ステップＳ４）、テンプレート１５が製造される（図５）。
【００１６】
なお、本実施の形態では、１つの回路パターン３に対応する凹凸だけが形成されたテンプレート１５を例示して説明しているが、複数の回路パターン３に対応する凹凸をテンプレート１５に形成してもよい。テンプレート１５に複数の回路パターン３に対応する凹凸が形成されることで、後述する集積回路の製造工程において、１度に複数の集積回路を製造することができるようになり、生産効率の向上を図ることができる。
【００１７】
次に、上述した工程により製造されたテンプレート１５を用いた集積回路の製造方法について説明する。
図６は、第１の実施の形態にかかる集積回路の製造方法を示すフローチャートである。図７は、第１の実施の形態にかかる集積回路の製造方法を説明するための図であって、被処理基板を示す図である。図８−１は、トリム工程を詳細に説明するための部分平面図である。図８−２は、図８−１に示すＡ１−Ａ１線に沿った矢視断面図である。図８−３は、トリム工程を詳細に説明するための部分平面図である。図８−４は、図８−３に示すＡ２−Ａ２線に沿った矢視断面図である。図９−１は、トリム工程を詳細に説明するための部分平面図である。図９−２は、図９−１に示すＢ−Ｂ線に沿った矢視断面図である。図１０−１は、トリム工程を詳細に説明するための部分平面図である。図１０−２は、図１０−１に示すＣ−Ｃ線に沿った矢視断面図である。図１１は、第１の実施の形態にかかる集積回路の製造方法を説明するための図であって、被処理基板を示す図である。図１２−１は、大パターンを形成する工程を詳細に説明するための部分平面図である。図１２−２は、図１２−１に示すＤ−Ｄ線に沿った矢視断面図である。図１３−１は、大パターンを形成する工程を詳細に説明するための部分平面図である。図１３−２は、図１３−１に示すＥ−Ｅ線に沿った矢視断面図である。図１４−１は、大パターンを形成する工程を詳細に説明するための部分平面図である。図１４−２は、図１４−１に示すＦ−Ｆ線に沿った矢視断面図である。
【００１８】
まず、一面上にアモルファス・シリコンからなる第１被加工層２２が形成された被処理基板２を用意する。なお、被処理基板２の第１被加工層２２上には、シリコン酸化膜からなる第２被加工層２８が積層されている。そして、第２被加工層２８上に光硬化剤２３を塗布する（ステップＳ２１）。
【００１９】
次に、第２被加工層２８上の光硬化剤２３に、テンプレート１５を用いて回路パターン３を転写する（ステップＳ２２）。より具体的には、回路パターン３に対応する凹凸が形成されたテンプレート１５の一面を、光硬化剤２３が塗布された被処理基板２の第２被加工層２８に押し付ける。テンプレート１５が第２被加工層２８に押し付けられることで、第２被加工層２８上において、テンプレート１５の凹部部分に光硬化剤２３が侵入して残存し、凸部部分では光硬化剤２３が排除される。
【００２０】
この状態で、図示しない光源からテンプレート１５を通して紫外光を光硬化剤２３に照射して、光硬化剤２３を硬化させる（ステップＳ２３）。光硬化剤２３を十分硬化させてから、テンプレート１５を離間させることで、テンプレート１５の一面上の凹凸形状が光硬化剤３２に転写される（図８−１，８−２）。
【００２１】
第２被加工層２８上に形成された第１レジスト２４をエッチングマスクとして、第２被加工層２８に対してエッチングを行い、周期パターンを転写するとともに、第１レジスト２４を除去する（ステップＳ２４）。これにより、第２被加工層２８の残存部分によって、周期パターンが転写された第１レジスト２４が、被処理基板２の第２被加工層２８上に形成される（図８−３，８−４）。
【００２２】
次に、第１レジスト２４から、周期的パターン４として残存させる部分を除いた部分、すなわちメモリセル以外の部分を除去するトリム工程を行う（ステップＳ２５）。トリム工程では、図９〜図１０に示すように、第１レジスト２４としての第２被加工層２８のうちメモリセルとなる部分に第２レジスト（第２レジスト）２６を形成し（図９−１，９−２）、その他の部分にある第２被加工層２８をエッチングによって除去する（図１０−１，１０−２）。
【００２３】
次に、第２レジスト２６を除去してから（ステップＳ２６）（図１２−１，１２−２）、第１被加工層２２上に、第１レジスト２４に加えて、非周期的パターン５に対応する領域を覆う第３レジスト２７を形成する（ステップＳ２７）（図１３−１，１３−２）。そして、第１レジスト２４と第３レジスト２７とをエッチングマスクとして、第１被加工層２２に対してエッチングを行うとともに、第１レジスト２４および第３レジスト２７を除去する（ステップＳ２８）（図１４−１，１４−２）。例えば、ドライエッチングによる異方性エッチングを行う。
【００２４】
以上の工程により、図１に示すように周期的パターン（メモリセル）４および非周期的パターン（大パターン）５が形成された集積回路１が製造される。なお、テンプレート１５に複数の回路パターン３に対応する凹凸が形成されている場合には、被処理基板２上にも複数の回路パターン３が形成されるので、ダイシングなどを行うことで、集積回路１を個片化すれば、一度に複数の集積回路１を製造することができる。
【００２５】
上述した第１の実施の形態によれば、基板１１の一面上の略全域に、Ｌ／Ｓ状のパターンが連続する連続パターン１０を形成し、その中から周期的パターン４に欠陥６が重ならないように、回路パターン３の位置を決定する。例えば、連続パターン１０の形成を経ずに、いきなり回路パターン３だけを基板１１に形成すれば、欠陥６が形成される位置を制御することは困難であるため、周期的パターン４に欠陥６が含まれてしまうことを避けることも困難となる。
【００２６】
一方、本実施の形態によれば、先にＬ／Ｓ状のパターンが連続する連続パターン１０を基板１１に形成してから、回路パターン３の位置を決定する。そのため、欠陥６の位置を把握してから、回路パターン３の形成される位置を決定できるので、周期的パターン４と欠陥６とが重なることを回避しやすくなる。また、周期的パターン４の重ならない位置であれば欠陥６が存在しても、例えば、ステップＳ４やステップＳ２４において、その部分は除去されるので、欠陥６がほとんど存在しないテンプレート１５、または欠陥６がまったく存在しないテンプレート１５を製造することができる。このような高精度に製造されたテンプレート１５を用いることで、集積回路１で不良品の発生を抑えることができ、歩留まりの向上に寄与することができる。
【００２７】
また、本実施の形態で説明したようなＮＩＬに用いられるテンプレート１５は、凹凸形状が集積回路１に形成される回路パターンと同縮尺である必要があり、いわゆる１倍体である必要がある。そのため、テンプレート１５に複雑な形状で凹凸が形成されている場合には、欠陥検査が困難である。一方、本実施の形態では、欠陥検査を行う時点で、基板１１上にはＬ／Ｓ状のパターンしか形成されていないため、凹凸の形状が単純であり、欠陥検査が容易である。また、欠陥６の検出も高精度に行いやすい。
【００２８】
また、図３に示すような基板１１の一面上に連続パターン１０が形成されたもの（以下、Ｌ／Ｓブランクスという）を、予め作成してストックしておけば、リソグラフィ原版の製造期間の短縮に寄与することができる。すなわち、集積回路１の回路パターン３が決定されてすぐに、Ｌ／Ｓブランクスに対してステップＳ２の欠陥検査を行ったり、ステップＳ３の回路パターン３が形成される位置を決定したりすることができるため、ステップＳ１の工程を省略して、リソグラフィ原版の製造期間の短縮に寄与することができる。
【００２９】
なお、上記ステップＳ１〜ステップＳ４で製造されたテンプレート１５を用いて、ＮＩＬなどによってさらにテンプレート（コピーテンプレート）を製造してもよい。すなわち、ステップＳ１〜ステップＳ４で製造されるテンプレート１５は、コピーテンプレートを製造するためのマスターテンプレートとなる。この場合、マスターテンプレートから製造されたコピーテンプレートを用いて、ステップＳ２１〜ステップＳ２８の工程を行って集積回路１を製造すればよい。
【００３０】
また、ステップＳ１〜ステップＳ４の工程によって製造されるリソグラフィ原版として、ＮＩＬに用いられるテンプレート１５を例示したが、これに限られない。例えば、リソグラフィ原版は、光リソグラフィに用いられるフォトマスクや、極紫外光（ＥＵＶ）リソグラフィに用いられるフォトマスクであってもよい。リソグラフィ原版をフォトマスクとする場合にも、周期的パターン４を連続させた連続パターン１０の形成、欠陥検査の実行、欠陥６の位置に合わせた回路パターン３の位置の決定という工程を行うことで、本実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００３１】
また、本実施の形態では、周期的パターン４としてＬ／Ｓ状のパターンを例示したが、これに限られない。すなわち、周期的パターン４は、回路パターン３の中に繰り返して表れる形状であればよく、孔形状などの他の形状であっても構わない。また、集積回路の回路パターンが周期的パターンのみで構成される場合には、非周期的パターンを形成するための工程を省略すればよい。
【００３２】
（第２の実施の形態）
図１５は、第２の実施の形態にかかるリソグラフィ原版の製造方法を示すフローチャートである。図１６は、第２の実施の形態にかかるテンプレートを示す図である。上記実施の形態と同様の構成については、同様の符号を付して詳細な説明を省略する。第２の実施の形態では、トリム工程をテンプレート３５に対しても行う。そのため、第１の実施の形態と同様の工程、すなわち図２に示すステップＳ１〜ステップＳ４の工程の後に、以下の工程を行う。
【００３３】
すなわち、基板１１上に形成された連続パターン１０（図５も参照）から、周期的パターン４に対応する凹凸として残存させる部分を除いた部分、すなわちメモリセルに対応する凹凸以外の部分を除去するトリム工程を行う（ステップＳ５）。トリム工程の詳細については、図８〜図１０で説明したものと同様に行えばよく、詳細な説明を省略する。
【００３４】
そして、トリム工程が行われたテンプレート３５を用いて、図６と同様の工程を行うことで、集積回路１を製造することができる。
【００３５】
上述した第２の実施の形態によれば、基板１１の一面上の略全域に、Ｌ／Ｓ状のパターンが連続する連続パターン１０を形成し、その中から周期的パターン４に欠陥６が重ならないように、回路パターン３の位置を決定する。そのため、上述した第１の実施の形態と同様に、周期的パターン４に欠陥６が含まれることを回避しやすくなる。これにより、集積回路１で不良品の発生を抑えることができ、歩留まりの向上に寄与することができる。
【００３６】
また、第１の実施の形態と同様に、欠陥検査を行う時点で、基板１１上にはＬ／Ｓ状のパターンしか形成されていないため、凹凸の形状が単純であり、欠陥検査が容易である。また、欠陥６の検出も高精度に行いやすい。また、Ｌ／Ｓブランクスのストックにより、リソグラフィ原版の製造期間の短縮に寄与することができる。
【００３７】
なお、テンプレート３５を用いてコピーテンプレートを製造してもよい。また、リソグラフィ原版としてＮＩＬに用いられるテンプレート３５を例示したが、これに限られない。例えば、リソグラフィ原版は、光リソグラフィに用いられるフォトマスクや、極紫外光（ＥＵＶ）リソグラフィに用いられるフォトマスクであってもよい。
【００３８】
リソグラフィ原版をフォトマスクとする場合にも、周期的パターン４を連続させた連続パターン１０の形成、欠陥検査の実行、欠陥６の位置に合わせた回路パターン３の位置の決定という工程を行うことで、本実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００３９】
また、本実施の形態では、周期的パターン４としてＬ／Ｓ状のパターンを例示したが、これに限られない。すなわち、周期的パターン４は、回路パターン３の中に繰り返して表れる形状であればよく、孔形状などの他の形状であっても構わない。また、集積回路の回路パターンが周期的パターンのみで構成される場合には、非周期的パターンを形成するための工程を省略すればよい。
【００４０】
（第３の実施の形態）
図１７は、第３の実施の形態にかかるリソグラフィ原版の製造方法を示すフローチャートである。図１８は、第３の実施の形態にかかるテンプレートを示す図である。上記実施の形態と同様の構成については、同様の符号を付して詳細な説明を省略する。第３の実施の形態では、トリム工程に加えて、非周期的パターン５（図１）に対応する凹凸をテンプレート４５に対して行う。そのため、そのため、第１の実施の形態と同様の工程、すなわち図１５に示すステップＳ１〜ステップＳ５の工程の後に、以下の工程を行う。
【００４１】
すなわち、トリム工程（ステップＳ５）によって凹凸が除去された領域に対し、非周期的パターン５に対応する領域以外の部分に凸部を形成する（ステップＳ６）。したがって、トリム工程（ステップＳ５）によって凹凸が除去された領域では、非周期的パターン５に対応する領域以外の部分が凸部となり、非周期的パターン５に対応する領域が凹部となる。
【００４２】
このように形成されたテンプレート４５を用いてＮＩＬを行えば、テンプレート４５を被処理基板２上の第１被加工層２２に押し付けるだけで、非周期的パターン（大パターン）５に対応する領域に第１レジストを形成することができる。したがって、被処理基板２上に回路パターン３を形成するのに必要となるレジストをすべて一括して形成することができる。これにより、集積回路１を製造する工程において、図６に示す工程のうち、トリム工程および大パターンを形成する工程、すなわちステップＳ２４〜ステップＳ２６を省略することができる。したがって、集積回路１の製造工程を省略することができ、集積回路１の製造効率の向上に、より一層寄与することができる。
【００４３】
上述した第３の実施の形態によれば、基板１１の一面上の略全域に、Ｌ／Ｓ状のパターンが連続する連続パターン１０を形成し、その中から周期的パターン４に欠陥６が重ならないように、回路パターン３の位置を決定する。そのため、上述した第１の実施の形態と同様に、周期的パターン４に欠陥６が含まれることを回避しやすくなる。これにより、集積回路１で不良品の発生を抑えることができ、歩留まりの向上に寄与することができる。
【００４４】
また、第１の実施の形態と同様に、欠陥検査を行う時点で、基板１１上にはＬ／Ｓ状のパターンしか形成されていないため、凹凸の形状が単純であり、欠陥検査が容易である。また、欠陥６の検出も高精度に行いやすい。また、Ｌ／Ｓブランクスのストックにより、リソグラフィ原版の製造期間の短縮に寄与することができる。
【００４５】
なお、テンプレート４５を用いてコピーテンプレートを製造してもよい。また、リソグラフィ原版としてＮＩＬに用いられるテンプレート４５を例示したが、これに限られない。例えば、リソグラフィ原版は、光リソグラフィに用いられるフォトマスクや、極紫外光（ＥＵＶ）リソグラフィに用いられるフォトマスクであってもよい。
【００４６】
リソグラフィ原版をフォトマスクとする場合にも、周期的パターン４を連続させた連続パターン１０の形成、欠陥検査の実行、欠陥６の位置に合わせた回路パターン３の位置の決定という工程を行うことで、本実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００４７】
また、本実施の形態では、周期的パターン４としてＬ／Ｓ状のパターンを例示したが、これに限られない。すなわち、周期的パターン４は、回路パターン３の中に繰り返して表れる形状であればよく、孔形状などの他の形状であっても構わない。また、集積回路の回路パターンが周期的パターンのみで構成される場合には、非周期的パターンを形成するための工程を省略すればよい。
【００４８】
なお、上記実施形態は例示であり、発明の範囲はそれらに限定されない。
【符号の説明】
【００４９】
１ 集積回路、２ 被処理基板、３ 回路パターン、４ 周期的パターン、５ 非周期的パターン、６ 欠陥、１０ 連続パターン、１１ 基板、１５，３５，４５ テンプレート、２２ 第１被加工層、２３ 光硬化剤、２４ 第１レジスト、２６ 第２レジスト、２７ 第３レジスト、２８ 第２被加工層。
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態はリソグラフィ原版の製造方法および集積回路の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路の高集積化、すなわち半導体素子の微細化への要求に対し、光リソグラフィやナノインプリントリソグラフィ（Nanoimprint Lithography：以下、ＮＩＬと呼ぶ）が用いられている。光リソグラフィやＮＩＬでは、被処理基板上のレジストに、微細なパターンを転写するために、フォトマスクやテンプレートといったリソグラフィ原版が用いられる。リソグラフィ原版には、集積回路製造の歩留まりを向上させるために、高い精度が要求される。リソグラフィ原版の精度の向上を図る上で、リソグラフィ原版の基板（例えば、マスクブランクス）自体の欠陥の影響を抑える必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−３３９４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
リソグラフィ原版の精度の向上を図る上では、基板に形成されたパターンの欠陥の影響を抑える必要もある。
【０００５】
本発明の実施の形態は、歩留まりの向上に寄与することのできるリソグラフィ原版の製造方法および集積回路の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施の形態のリソグラフィ原版の製造方法は、回路パターンに表れる周期的パターンを連続させた連続パターンを基板の略全面にわたって形成し、連続パターンの欠陥を検出する欠陥検査を行う。検出された欠陥を避けるように回路パターンの形成領域の配置を決定し、回路パターンの形成領域外に形成された連続パターンを除去する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１−１】図１−１は、第１の実施の形態にかかる集積回路の回路パターンを示す図である。
【図１−２】図１−２は、図１−１に示す回路パターンの周期的パターンと非周期的パターンを示す図である。
【図２】図２は、第１の実施の形態にかかるリソグラフィ原版の製造方法を示すフローチャートである。
【図３】図３は、第１の実施の形態にかかるリソグラフィ原版の製造方法を説明するための図であって、リソグラフィ原版の基板を示す図である。
【図４】図４は、第１の実施の形態にかかるリソグラフィ原版の製造方法を説明するための図であって、リソグラフィ原版の基板を示す図である。
【図５】図５は、第１の実施の形態にかかるリソグラフィ原版の製造方法を説明するための図であって、リソグラフィ原版の基板を示す図である。
【図６】図６は、第１の実施の形態にかかる集積回路の製造方法を示すフローチャートである。
【図７】図７は、第１の実施の形態にかかる集積回路の製造方法を説明するための図であって、被処理基板を示す図である。
【図８−１】図８−１は、トリム工程を詳細に説明するための部分平面図である。
【図８−２】図８−２は、図８−１に示すＡ−Ａ線に沿った矢視断面図である。
【図８−３】図８−３は、トリム工程を詳細に説明するための部分平面図である。
【図８−４】図８−４は、図８−３に示すＡ２−Ａ２線に沿った矢視断面図である。
【図９−１】図９−１は、トリム工程を詳細に説明するための部分平面図である。
【図９−２】図９−２は、図９−１に示すＢ−Ｂ線に沿った矢視断面図である。
【図１０−１】図１０−１は、トリム工程を詳細に説明するための部分平面図である。
【図１０−２】図１０−２は、図１０−１に示すＣ−Ｃ線に沿った矢視断面図である。
【図１１】図１１は、第１の実施の形態にかかる集積回路の製造方法を説明するための図であって、被処理基板を示す図である。
【図１２−１】図１２−１は、大パターンを形成する工程を詳細に説明するための部分平面図である。
【図１２−２】図１２−２は、図１２−１に示すＤ−Ｄ線に沿った矢視断面図である。
【図１３−１】図１３−１は、大パターンを形成する工程を詳細に説明するための部分平面図である。
【図１３−２】図１３−２は、図１３−１に示すＥ−Ｅ線に沿った矢視断面図である。
【図１４−１】図１４−１は、大パターンを形成する工程を詳細に説明するための部分平面図である。
【図１４−２】図１４−２は、図１４−１に示すＦ−Ｆ線に沿った矢視断面図である。
【図１５】図１５は、第２の実施の形態にかかるリソグラフィ原版の製造方法を示すフローチャートである。
【図１６】図１６は、第２の実施の形態にかかるテンプレートを示す図である。
【図１７】図１７は、第３の実施の形態にかかるリソグラフィ原版の製造方法を示すフローチャートである。
【図１８】図１８は、第３の実施の形態にかかるテンプレートを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に添付図面を参照して、実施の形態にかかるリソグラフィ原版の製造方法および集積回路の製造方法を詳細に説明する。なお、この実施の形態により本発明が限定されるものではない。
【０００９】
（第１の実施の形態）
まず、第１の実施の形態にかかる集積回路の回路パターンについて説明する。
図１−１は、第１の実施の形態にかかる集積回路の回路パターンを示す図である。図１−２は、図１−１に示す回路パターンの周期的パターンと非周期的パターンを示す図である。集積回路１は、シリコンからなる被処理基板２の表面に、微細な凹凸からなる回路パターン３が形成されて構成される。回路パターン３は、集積回路１表面の略全域にわたって周期的に表れる周期的パターン４と、集積回路１表面の一部に表れる非周期的パターン５とを有して構成される。
【００１０】
本実施の形態では、周期的パターン４は、ラインアンドスペース状（以下、Ｌ／Ｓ状と呼ぶ）に形成された凹凸である。周期的パターン４は、Ｌ／Ｓ状に凹凸が形成された複数の領域として、１つの回路パターン３に繰り返して表れるように形成されている。Ｌ／Ｓ状に凹凸が形成された周期的パターン４は、メモリセルとして機能する。
【００１１】
また、非周期的パターン５は、周期的パターン４の周囲に設けられる。非周期的パターン５は、周辺装置、例えば抵抗などを搭載するために、周期的パターン４よりも大きなパターン（以下、大パターンと呼ぶ）として形成されている。
【００１２】
次に、集積回路１に回路パターン３を形成するために用いられるリソグラフィ原版の製造方法について説明する。
図２は、第１の実施の形態にかかるリソグラフィ原版の製造方法を示すフローチャートである。図３〜図５は、第１の実施の形態にかかるリソグラフィ原版の製造方法を説明するための図であって、リソグラフィ原版の基板を示す図である。なお、本実施の形態では、リソグラフィ原版として、ＮＩＬに用いられるテンプレート１５を例示して説明する。
【００１３】
まず、電子ビーム描画（ＥＢ描画）、ＮＩＬ、ＤＳＡ（Directed Self-Assembly）といった手法を用いて、周期的パターン４であるＬ／Ｓ状のパターンを連続させた連続パターン１０を、石英などで構成された基板１１の一面上の略全域にわたって形成する（ステップＳ１）（図３）。ここで、基板１１の一面上に形成されるＬ／Ｓ状のパターンには、欠陥６が含まれる場合がある。
【００１４】
次に、基板１１の一面上における欠陥６の位置を検出するために、欠陥検査を行う（ステップＳ２）。欠陥検査としては、例えば、光学的な欠陥検査や電子ビームを用いた欠陥検査が挙げられる。
【００１５】
次に、検出された欠陥６が周期的パターン４と重ならないように、連続パターン１０の中で回路パターン３が形成される位置を決定する（ステップＳ３）（図４）。次に、回路パターン３が形成される領域外の連続パターン１０を除去することで（ステップＳ４）、テンプレート１５が製造される（図５）。
【００１６】
なお、本実施の形態では、１つの回路パターン３に対応する凹凸だけが形成されたテンプレート１５を例示して説明しているが、複数の回路パターン３に対応する凹凸をテンプレート１５に形成してもよい。テンプレート１５に複数の回路パターン３に対応する凹凸が形成されることで、後述する集積回路の製造工程において、１度に複数の集積回路を製造することができるようになり、生産効率の向上を図ることができる。
【００１７】
次に、上述した工程により製造されたテンプレート１５を用いた集積回路の製造方法について説明する。
図６は、第１の実施の形態にかかる集積回路の製造方法を示すフローチャートである。図７は、第１の実施の形態にかかる集積回路の製造方法を説明するための図であって、被処理基板を示す図である。図８−１は、トリム工程を詳細に説明するための部分平面図である。図８−２は、図８−１に示すＡ１−Ａ１線に沿った矢視断面図である。図８−３は、トリム工程を詳細に説明するための部分平面図である。図８−４は、図８−３に示すＡ２−Ａ２線に沿った矢視断面図である。図９−１は、トリム工程を詳細に説明するための部分平面図である。図９−２は、図９−１に示すＢ−Ｂ線に沿った矢視断面図である。図１０−１は、トリム工程を詳細に説明するための部分平面図である。図１０−２は、図１０−１に示すＣ−Ｃ線に沿った矢視断面図である。図１１は、第１の実施の形態にかかる集積回路の製造方法を説明するための図であって、被処理基板を示す図である。図１２−１は、大パターンを形成する工程を詳細に説明するための部分平面図である。図１２−２は、図１２−１に示すＤ−Ｄ線に沿った矢視断面図である。図１３−１は、大パターンを形成する工程を詳細に説明するための部分平面図である。図１３−２は、図１３−１に示すＥ−Ｅ線に沿った矢視断面図である。図１４−１は、大パターンを形成する工程を詳細に説明するための部分平面図である。図１４−２は、図１４−１に示すＦ−Ｆ線に沿った矢視断面図である。
【００１８】
まず、一面上にアモルファス・シリコンからなる第１被加工層２２が形成された被処理基板２を用意する。なお、被処理基板２の第１被加工層２２上には、シリコン酸化膜からなる第２被加工層２８が積層されている。そして、第２被加工層２８上に光硬化剤２３を塗布する（ステップＳ２１）。
【００１９】
次に、第２被加工層２８上の光硬化剤２３に、テンプレート１５を用いて回路パターン３を転写する（ステップＳ２２）。より具体的には、回路パターン３に対応する凹凸が形成されたテンプレート１５の一面を、光硬化剤２３が塗布された被処理基板２の第２被加工層２８に押し付ける。テンプレート１５が第２被加工層２８に押し付けられることで、第２被加工層２８上において、テンプレート１５の凹部部分に光硬化剤２３が侵入して残存し、凸部部分では光硬化剤２３が排除される。
【００２０】
この状態で、図示しない光源からテンプレート１５を通して紫外光を光硬化剤２３に照射して、光硬化剤２３を硬化させる（ステップＳ２３）。光硬化剤２３を十分硬化させてから、テンプレート１５を離間させることで、テンプレート１５の一面上の凹凸形状が光硬化剤３２に転写される（図８−１，８−２）。
【００２１】
第２被加工層２８上に形成された第１レジスト２４をエッチングマスクとして、第２被加工層２８に対してエッチングを行い、周期パターンを転写するとともに、第１レジスト２４を除去する（ステップＳ２４）。これにより、第２被加工層２８の残存部分によって、周期パターンが転写された第１レジスト２４が、被処理基板２の第２被加工層２８上に形成される（図８−３，８−４）。
【００２２】
次に、第１レジスト２４から、周期的パターン４として残存させる部分を除いた部分、すなわちメモリセル以外の部分を除去するトリム工程を行う（ステップＳ２５）。トリム工程では、図９〜図１０に示すように、第１レジスト２４としての第２被加工層２８のうちメモリセルとなる部分に第２レジスト（第２レジスト）２６を形成し（図９−１，９−２）、その他の部分にある第２被加工層２８をエッチングによって除去する（図１０−１，１０−２）。
【００２３】
次に、第２レジスト２６を除去してから（ステップＳ２６）（図１２−１，１２−２）、第１被加工層２２上に、第１レジスト２４に加えて、非周期的パターン５に対応する領域を覆う第３レジスト２７を形成する（ステップＳ２７）（図１３−１，１３−２）。そして、第１レジスト２４と第３レジスト２７とをエッチングマスクとして、第１被加工層２２に対してエッチングを行うとともに、第１レジスト２４および第３レジスト２７を除去する（ステップＳ２８）（図１４−１，１４−２）。例えば、ドライエッチングによる異方性エッチングを行う。
【００２４】
以上の工程により、図１に示すように周期的パターン（メモリセル）４および非周期的パターン（大パターン）５が形成された集積回路１が製造される。なお、テンプレート１５に複数の回路パターン３に対応する凹凸が形成されている場合には、被処理基板２上にも複数の回路パターン３が形成されるので、ダイシングなどを行うことで、集積回路１を個片化すれば、一度に複数の集積回路１を製造することができる。
【００２５】
上述した第１の実施の形態によれば、基板１１の一面上の略全域に、Ｌ／Ｓ状のパターンが連続する連続パターン１０を形成し、その中から周期的パターン４に欠陥６が重ならないように、回路パターン３の位置を決定する。例えば、連続パターン１０の形成を経ずに、いきなり回路パターン３だけを基板１１に形成すれば、欠陥６が形成される位置を制御することは困難であるため、周期的パターン４に欠陥６が含まれてしまうことを避けることも困難となる。
【００２６】
一方、本実施の形態によれば、先にＬ／Ｓ状のパターンが連続する連続パターン１０を基板１１に形成してから、回路パターン３の位置を決定する。そのため、欠陥６の位置を把握してから、回路パターン３の形成される位置を決定できるので、周期的パターン４と欠陥６とが重なることを回避しやすくなる。また、周期的パターン４の重ならない位置であれば欠陥６が存在しても、例えば、ステップＳ４やステップＳ２４において、その部分は除去されるので、欠陥６がほとんど存在しないテンプレート１５、または欠陥６がまったく存在しないテンプレート１５を製造することができる。このような高精度に製造されたテンプレート１５を用いることで、集積回路１で不良品の発生を抑えることができ、歩留まりの向上に寄与することができる。
【００２７】
また、本実施の形態で説明したようなＮＩＬに用いられるテンプレート１５は、凹凸形状が集積回路１に形成される回路パターンと同縮尺である必要があり、いわゆる１倍体である必要がある。そのため、テンプレート１５に複雑な形状で凹凸が形成されている場合には、欠陥検査が困難である。一方、本実施の形態では、欠陥検査を行う時点で、基板１１上にはＬ／Ｓ状のパターンしか形成されていないため、凹凸の形状が単純であり、欠陥検査が容易である。また、欠陥６の検出も高精度に行いやすい。
【００２８】
また、図３に示すような基板１１の一面上に連続パターン１０が形成されたもの（以下、Ｌ／Ｓブランクスという）を、予め作成してストックしておけば、リソグラフィ原版の製造期間の短縮に寄与することができる。すなわち、集積回路１の回路パターン３が決定されてすぐに、Ｌ／Ｓブランクスに対してステップＳ２の欠陥検査を行ったり、ステップＳ３の回路パターン３が形成される位置を決定したりすることができるため、ステップＳ１の工程を省略して、リソグラフィ原版の製造期間の短縮に寄与することができる。
【００２９】
なお、上記ステップＳ１〜ステップＳ４で製造されたテンプレート１５を用いて、ＮＩＬなどによってさらにテンプレート（コピーテンプレート）を製造してもよい。すなわち、ステップＳ１〜ステップＳ４で製造されるテンプレート１５は、コピーテンプレートを製造するためのマスターテンプレートとなる。この場合、マスターテンプレートから製造されたコピーテンプレートを用いて、ステップＳ２１〜ステップＳ２８の工程を行って集積回路１を製造すればよい。
【００３０】
また、ステップＳ１〜ステップＳ４の工程によって製造されるリソグラフィ原版として、ＮＩＬに用いられるテンプレート１５を例示したが、これに限られない。例えば、リソグラフィ原版は、光リソグラフィに用いられるフォトマスクや、極紫外光（ＥＵＶ）リソグラフィに用いられるフォトマスクであってもよい。リソグラフィ原版をフォトマスクとする場合にも、周期的パターン４を連続させた連続パターン１０の形成、欠陥検査の実行、欠陥６の位置に合わせた回路パターン３の位置の決定という工程を行うことで、本実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００３１】
また、本実施の形態では、周期的パターン４としてＬ／Ｓ状のパターンを例示したが、これに限られない。すなわち、周期的パターン４は、回路パターン３の中に繰り返して表れる形状であればよく、孔形状などの他の形状であっても構わない。また、集積回路の回路パターンが周期的パターンのみで構成される場合には、非周期的パターンを形成するための工程を省略すればよい。
【００３２】
（第２の実施の形態）
図１５は、第２の実施の形態にかかるリソグラフィ原版の製造方法を示すフローチャートである。図１６は、第２の実施の形態にかかるテンプレートを示す図である。上記実施の形態と同様の構成については、同様の符号を付して詳細な説明を省略する。第２の実施の形態では、トリム工程をテンプレート３５に対しても行う。そのため、第１の実施の形態と同様の工程、すなわち図２に示すステップＳ１〜ステップＳ４の工程の後に、以下の工程を行う。
【００３３】
すなわち、基板１１上に形成された連続パターン１０（図５も参照）から、周期的パターン４に対応する凹凸として残存させる部分を除いた部分、すなわちメモリセルに対応する凹凸以外の部分を除去するトリム工程を行う（ステップＳ５）。トリム工程の詳細については、図８〜図１０で説明したものと同様に行えばよく、詳細な説明を省略する。
【００３４】
そして、トリム工程が行われたテンプレート３５を用いて、図６と同様の工程を行うことで、集積回路１を製造することができる。
【００３５】
上述した第２の実施の形態によれば、基板１１の一面上の略全域に、Ｌ／Ｓ状のパターンが連続する連続パターン１０を形成し、その中から周期的パターン４に欠陥６が重ならないように、回路パターン３の位置を決定する。そのため、上述した第１の実施の形態と同様に、周期的パターン４に欠陥６が含まれることを回避しやすくなる。これにより、集積回路１で不良品の発生を抑えることができ、歩留まりの向上に寄与することができる。
【００３６】
また、第１の実施の形態と同様に、欠陥検査を行う時点で、基板１１上にはＬ／Ｓ状のパターンしか形成されていないため、凹凸の形状が単純であり、欠陥検査が容易である。また、欠陥６の検出も高精度に行いやすい。また、Ｌ／Ｓブランクスのストックにより、リソグラフィ原版の製造期間の短縮に寄与することができる。
【００３７】
なお、テンプレート３５を用いてコピーテンプレートを製造してもよい。また、リソグラフィ原版としてＮＩＬに用いられるテンプレート３５を例示したが、これに限られない。例えば、リソグラフィ原版は、光リソグラフィに用いられるフォトマスクや、極紫外光（ＥＵＶ）リソグラフィに用いられるフォトマスクであってもよい。
【００３８】
リソグラフィ原版をフォトマスクとする場合にも、周期的パターン４を連続させた連続パターン１０の形成、欠陥検査の実行、欠陥６の位置に合わせた回路パターン３の位置の決定という工程を行うことで、本実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００３９】
また、本実施の形態では、周期的パターン４としてＬ／Ｓ状のパターンを例示したが、これに限られない。すなわち、周期的パターン４は、回路パターン３の中に繰り返して表れる形状であればよく、孔形状などの他の形状であっても構わない。また、集積回路の回路パターンが周期的パターンのみで構成される場合には、非周期的パターンを形成するための工程を省略すればよい。
【００４０】
（第３の実施の形態）
図１７は、第３の実施の形態にかかるリソグラフィ原版の製造方法を示すフローチャートである。図１８は、第３の実施の形態にかかるテンプレートを示す図である。上記実施の形態と同様の構成については、同様の符号を付して詳細な説明を省略する。第３の実施の形態では、トリム工程に加えて、非周期的パターン５（図１）に対応する凹凸をテンプレート４５に対して行う。そのため、そのため、第１の実施の形態と同様の工程、すなわち図１５に示すステップＳ１〜ステップＳ５の工程の後に、以下の工程を行う。
【００４１】
すなわち、トリム工程（ステップＳ５）によって凹凸が除去された領域に対し、非周期的パターン５に対応する領域以外の部分に凸部を形成する（ステップＳ６）。したがって、トリム工程（ステップＳ５）によって凹凸が除去された領域では、非周期的パターン５に対応する領域以外の部分が凸部となり、非周期的パターン５に対応する領域が凹部となる。
【００４２】
このように形成されたテンプレート４５を用いてＮＩＬを行えば、テンプレート４５を被処理基板２上の第１被加工層２２に押し付けるだけで、非周期的パターン（大パターン）５に対応する領域に第１レジストを形成することができる。したがって、被処理基板２上に回路パターン３を形成するのに必要となるレジストをすべて一括して形成することができる。これにより、集積回路１を製造する工程において、図６に示す工程のうち、トリム工程および大パターンを形成する工程、すなわちステップＳ２４〜ステップＳ２６を省略することができる。したがって、集積回路１の製造工程を省略することができ、集積回路１の製造効率の向上に、より一層寄与することができる。
【００４３】
上述した第３の実施の形態によれば、基板１１の一面上の略全域に、Ｌ／Ｓ状のパターンが連続する連続パターン１０を形成し、その中から周期的パターン４に欠陥６が重ならないように、回路パターン３の位置を決定する。そのため、上述した第１の実施の形態と同様に、周期的パターン４に欠陥６が含まれることを回避しやすくなる。これにより、集積回路１で不良品の発生を抑えることができ、歩留まりの向上に寄与することができる。
【００４４】
また、第１の実施の形態と同様に、欠陥検査を行う時点で、基板１１上にはＬ／Ｓ状のパターンしか形成されていないため、凹凸の形状が単純であり、欠陥検査が容易である。また、欠陥６の検出も高精度に行いやすい。また、Ｌ／Ｓブランクスのストックにより、リソグラフィ原版の製造期間の短縮に寄与することができる。
【００４５】
なお、テンプレート４５を用いてコピーテンプレートを製造してもよい。また、リソグラフィ原版としてＮＩＬに用いられるテンプレート４５を例示したが、これに限られない。例えば、リソグラフィ原版は、光リソグラフィに用いられるフォトマスクや、極紫外光（ＥＵＶ）リソグラフィに用いられるフォトマスクであってもよい。
【００４６】
リソグラフィ原版をフォトマスクとする場合にも、周期的パターン４を連続させた連続パターン１０の形成、欠陥検査の実行、欠陥６の位置に合わせた回路パターン３の位置の決定という工程を行うことで、本実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００４７】
また、本実施の形態では、周期的パターン４としてＬ／Ｓ状のパターンを例示したが、これに限られない。すなわち、周期的パターン４は、回路パターン３の中に繰り返して表れる形状であればよく、孔形状などの他の形状であっても構わない。また、集積回路の回路パターンが周期的パターンのみで構成される場合には、非周期的パターンを形成するための工程を省略すればよい。
【００４８】
なお、上記実施形態は例示であり、発明の範囲はそれらに限定されない。
【符号の説明】
【００４９】
１ 集積回路、２ 被処理基板、３ 回路パターン、４ 周期的パターン、５ 非周期的パターン、６ 欠陥、１０ 連続パターン、１１ 基板、１５，３５，４５ テンプレート、２２ 第１被加工層、２３ 光硬化剤、２４ 第１レジスト、２６ 第２レジスト、２７ 第３レジスト、２８ 第２被加工層。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路パターンに表れる周期的パターンを連続させた連続パターンを基板の略全面にわたって形成し、
前記連続パターンの欠陥を検出する欠陥検査を行い、
前記欠陥を避けるように前記回路パターンの形成領域の配置を決定し、
前記回路パターンの形成領域外に形成された前記連続パターンを除去するリソグラフィ原版の製造方法。
【請求項２】
前記回路パターンの形成領域のうち、前記周期的パターンが形成される領域外の前記連続パターンを除去する請求項１に記載のリソグラフィ原版の製造方法。
【請求項３】
前記周期的パターンが形成される領域外の前記連続パターンを除去した後に、前記回路パターンに表れる非周期的パターンに対応するパターンを形成する請求項２に記載のリソグラフィ原版の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の製造方法で製造されたリソグラフィ原版に形成されたパターンを被処理基板上のレジストに転写し、
前記レジストに転写されたパターンから、前記周期的パターンが形成される領域外のパターンを除去し、
前記回路パターンに表れる非周期的パターンに対応するパターンを前記レジストに形成し、
前記レジストをマスクとして前記被処理基板をエッチングする集積回路の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載の製造方法で製造されたリソグラフィ原版に形成されたパターンを被処理基板上のレジストに転写し、
前記レジストに転写されたパターンから、前記周期的パターンが形成される領域外のパターンを除去し、
前記レジストをマスクとして前記被処理基板をエッチングする集積回路の製造方法。
【請求項６】
前記周期的パターンが形成される領域外の前記連続パターンを除去した後に、前記回路パターンに表れる非周期的パターンに対応するパターンを形成する請求項５に記載の集積回路の製造方法。
【請求項７】
請求項３に記載の製造方法で製造されたリソグラフィ原版に形成されたパターンを被処理基板上のレジストに転写し、
前記レジストをマスクとして前記被処理基板をエッチングする集積回路の製造方法。
【請求項８】
前記リソグラフィ原版に形成されたパターンを被処理基板上のレジストに転写した後に、前記回路パターンに表れる非周期的パターンに対応するパターンを形成する請求項７に記載の集積回路の製造方法。
【請求項９】
請求項３に記載の製造方法で製造されたリソグラフィ原版に形成されたパターンを被処理基板上のレジストに転写し、
前記レジストをマスクとして前記被処理基板をエッチングする集積回路の製造方法。
【請求項１】
回路パターンに表れる周期的パターンを連続させた連続パターンを基板の略全面にわたって形成し、
前記連続パターンの欠陥を検出する欠陥検査を行い、
前記欠陥を避けるように前記回路パターンの形成領域の配置を決定し、
前記回路パターンの形成領域外に形成された前記連続パターンを除去するリソグラフィ原版の製造方法。
【請求項２】
前記回路パターンの形成領域のうち、前記周期的パターンが形成される領域外の前記連続パターンを除去する請求項１に記載のリソグラフィ原版の製造方法。
【請求項３】
前記周期的パターンが形成される領域外の前記連続パターンを除去した後に、前記回路パターンに表れる非周期的パターンに対応するパターンを形成する請求項２に記載のリソグラフィ原版の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の製造方法で製造されたリソグラフィ原版に形成されたパターンを被処理基板上のレジストに転写し、
前記レジストに転写されたパターンから、前記周期的パターンが形成される領域外のパターンを除去し、
前記回路パターンに表れる非周期的パターンに対応するパターンを前記レジストに形成し、
前記レジストをマスクとして前記被処理基板をエッチングする集積回路の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載の製造方法で製造されたリソグラフィ原版に形成されたパターンを被処理基板上のレジストに転写し、
前記レジストに転写されたパターンから、前記周期的パターンが形成される領域外のパターンを除去し、
前記レジストをマスクとして前記被処理基板をエッチングする集積回路の製造方法。
【請求項６】
前記周期的パターンが形成される領域外の前記連続パターンを除去した後に、前記回路パターンに表れる非周期的パターンに対応するパターンを形成する請求項５に記載の集積回路の製造方法。
【請求項７】
請求項３に記載の製造方法で製造されたリソグラフィ原版に形成されたパターンを被処理基板上のレジストに転写し、
前記レジストをマスクとして前記被処理基板をエッチングする集積回路の製造方法。
【請求項８】
前記リソグラフィ原版に形成されたパターンを被処理基板上のレジストに転写した後に、前記回路パターンに表れる非周期的パターンに対応するパターンを形成する請求項７に記載の集積回路の製造方法。
【請求項９】
請求項３に記載の製造方法で製造されたリソグラフィ原版に形成されたパターンを被処理基板上のレジストに転写し、
前記レジストをマスクとして前記被処理基板をエッチングする集積回路の製造方法。
【図１−１】
【図１−２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８−１】
【図８−２】
【図８−３】
【図８−４】
【図９−１】
【図９−２】
【図１０−１】
【図１０−２】
【図１１】
【図１２−１】
【図１２−２】
【図１３−１】
【図１３−２】
【図１４−１】
【図１４−２】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１−２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８−１】
【図８−２】
【図８−３】
【図８−４】
【図９−１】
【図９−２】
【図１０−１】
【図１０−２】
【図１１】
【図１２−１】
【図１２−２】
【図１３−１】
【図１３−２】
【図１４−１】
【図１４−２】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【公開番号】特開２０１２−６８４５０（Ｐ２０１２−６８４５０Ａ）
【公開日】平成２４年４月５日（２０１２．４．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２１３４５７（Ｐ２０１０−２１３４５７）
【出願日】平成２２年９月２４日（２０１０．９．２４）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年４月５日（２０１２．４．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年９月２４日（２０１０．９．２４）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
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