【課題】高精度の転写パターンを有し、光学特性が良好な遮光膜を有する転写用マスクを作製することを可能とする、マスクブランクを提供する。
【解決手段】転写用マスクを作製するために用いられるマスクブランクであり、透光性基板上に遮光膜とエッチングマスク膜とが順に積層した構造を有するマスクブランクであって、前記エッチングマスク膜は、クロムを含有する材料からなり、前記遮光膜は、タンタルを含有する材料からなり、前記遮光膜の透光性基板側とは反対側の表層に高酸化層が形成されており、前記高酸化層は、Ｘ線電子分光分析を行ったときのＴａ４ｆのナロースペクトルが２３ｅＶよりも大きい束縛エネルギーで最大ピークを有することを特徴とするマスクブランクである。 （もっと読む）

【課題】黒欠陥の発生を抑制できる転写用マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜は、ドライエッチングが可能な材料からなり、前記薄膜上にレジスト膜が形成されたマスクブランクを準備する準備工程と、前記レジスト膜に転写パターンを露光処理する露光工程と、前記露光処理されたレジスト膜に対し、エッチング阻害要因物質の濃度が０．３ｐｐｂよりも高く、ｐＨが８以上である現像液を用いて現像処理を行う現像工程と、前記現像処理されたマスクブランクに対し、エッチング阻害要因物質の濃度が０．３ｐｐｂ以下であり、ｐＨが８以上である第１のリンス液を用いて処理を行う第１リンス工程と、前記第１リンス工程後、エッチング阻害要因物質の濃度が０．３ｐｐｂ以下であり、ｐＨが６より大きく８未満である第２のリンス液を用いて処理を行う第２リンス工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクのマスクパターンを、転写パターンの適正な寸法値を用いて、精度良く補正する。
【解決手段】フォトマスクのマスクパターンがレジストに転写され、その転写パターンの寸法が、測長ＳＥＭ等、電子線照射を含む方法を用いて計測される。マスクパターン補正装置５０は、寸法予測値算出部５１により、転写パターンの寸法計測データ６１、及び当該計測時に電子線が照射された領域（観察領域６２）におけるレジストの情報を用いて、転写パターンの電子線照射前の寸法予測値を算出する。そして、算出された寸法予測値を用いて、フォトマスクのマスクパターンデータ６３を補正する。 （もっと読む）

【課題】１つの実施形態は、例えば、露光マージンを向上できるマスクデータ作成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】１つの実施形態によれば、マスクデータ作成方法が提供される。マスクデータ作成方法では、ホールパターンをｘ方向にピッチＰｘ＝λ／（２×ＮＡ×σｘ）で繰り返し配置するとともに、ｙ方向にピッチＰｙ＝λ／（２×ＮＡ×σｙ）で繰り返し配置する。マスクデータ作成方法では、第１のブロック領域における最も第２のブロック領域に近いホールパターンと第２のブロック領域における最も第１のブロック領域に近いホールパターンとの間のピッチＰを特定する。マスクデータ作成方法では、第１のブロック領域と第２のブロック領域との間のブロック間領域において、ＰのＰｙに対する相対的な大きさに応じて補助パターンの配置すべき位置を決定し、決定された位置に補助パターンを配置する。 （もっと読む）

【課題】センサ素子領域が形成されない領域を抑制し、センサ素子領域を広く確保したチップを形成することができる、フォトマスク、露光方法、及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】フォトマスク１０では、センサ素子領域２２の短辺側のみにガードリングパターン２４ａが設けられた第１エリア２０と、センサ素子領域２２の長辺に沿うような形状、かつガードリングパターン２４ａと接続されるように両端部が鉤状に曲折したガードリングパターン２４ｂを線対称に一対形成された第２エリア４０と、が形成されている。当該フォトマスク１０を用いてウエハ基板５０上に露光装置のブラインド機能を用いて各領域を露光する際は、ガードリングパターン２４ａの端部及びガードリングパターン２４ｂの端部が接続されるように繰り返し露光すると共に、ガードリングパターン２４ａの端部同士が接続されるように繰り返し露光する。 （もっと読む）

【課題】近接露光を行う際にパターンの転写精度を向上させる。
【解決手段】主表面に転写用パターンを形成してフォトマスクとなすためのフォトマスク用基板であって、主表面上のパターン領域の高さ変動の最大値ΔＺｍａｘが、８．５（μｍ）以下である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、リソグラフィ装置及びプロセスに関し、より具体的には、リソグラフィ装置の解像限界を超えてターゲットパターンを印刷するための多重パターニングリソグラフィに関する。ここではリソグラフィプロセスにより基板上に結像されるパターンを複数のサブパターンに分割する方法を開示する。
【解決手段】この方法は、サブパターンのうちの少なくとも１つと、リソグラフィプロセスに使用されるリソグラフィ装置の光学設定との間の共最適化の要件を認識するように構成された分割ステップを含む。回折シグネチャ解析に基づくインテリジェントパターン選択を含む、デバイス特徴最適化技術を、多重パターニングプロセスフローに統合することもできる。 （もっと読む）

【課題】半導体作製におけるパターン位置精度に関して、異なるレイヤー間の重ね合わせ精度を向上させたマスクパターンデータ生成方法を提供する。
【解決手段】設計データの所定のレイヤーが、重ね合わせする際の基準となる基準層であるか否かを選定する工程と、基準層であると選定したレイヤーにおいて、マスク描画の座標基準として基準格子を選択し、基準層であるレイヤーの設計データをマスク描画データに変換する工程と、基準層であるレイヤーのマスクを作製する工程と、作製された基準層であるレイヤーのマスクパターンの位置座標を第２の基準格子として設定する工程と、を有し、基準層でないと選定したレイヤーのマスク描画の座標基準として前記第２の基準格子を選択し、基準層でないレイヤーの設計データをマスク描画データに変換する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微細なフォトマスクパターンを高精度に形成することが可能で、フォトマスクの生産性を向上させることができるフォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】フォトマスクブランク１０として、このフォトマスクブランク１０を用いて形成するフォトマスク３０の非遮光部とする領域のクロム膜１３の膜厚を遮光部とする領域のクロム膜１３の膜厚よりも薄くしたフォトマスクブランク１０を作製して、そのフォトマスクブランク１０を使用してフォトマスク３０を作製する。非遮光部とする領域のクロム膜１３の膜厚をエッチングにより薄くしてもよく、遮光部とする領域のクロム膜１３の膜厚をスパッタリングによって厚くしてもよい。 （もっと読む）

【課題】フレアを考慮したマスクパターン補正を高速かつ高精度に行うことができるマスクパターン補正方法を提供すること。
【解決手段】実施形態のマスクパターン補正方法では、レイアウト中のパターンの種類毎に、基準フレア値におけるマスクパターン補正量を基準マスク補正量として算出するとともに、フレア値の変化量に対するマスクパターン補正量の変化量を変化量情報として算出する。そして、前記パターンと、前記基準マスク補正量と、前記変化量情報と、を対応付けした対応付け情報から、前記パターンに対応する基準マスク補正量および変化量情報を抽出する。さらに、前記パターンが配置される配置位置でのフレア値と前記基準フレア値との差分であるフレア差分と、抽出した基準マスク補正量および変化量情報とに基づいて、前記パターンのフレア値に応じたマスクパターンを作成する。 （もっと読む）

【課題】ＦＰＤ用大型マスクにおけるプロセス（描画方法やレジスト塗布方法）や異なる条件（レジストの種類やレジスト膜厚）に適したマスクブランク及びフォトマスクを提供する。
【解決手段】透光性基板上に、遮光性膜を少なくとも有し、前記遮光性膜上にレーザ描画用のレジスト膜をスリットコータ装置で形成するためのＦＰＤデバイス製造用マスクブランクであって、前記遮光性膜は、前記レーザ描画波長を含む３５０ｎｍ〜４５０ｎｍに渡る波長帯域において、膜面反射率の変動幅が２％未満の範囲となるように制御された膜であり、前記スリットコータ装置は、一方向に延びるレジスト液供給口を有するノズルからレジスト液を吐出させつつ、前記遮光性膜表面に対して前記一方向に交差する方向へノズルを相対移動させてレジスト膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】マスクの良品率を向上させることによってマスクの製造コストを下げることができるマスク判定方法を提供すること。
【解決手段】実施形態のマスク判定方法では、マスク上に形成されたマスクパターンの寸法および光学特性の少なくとも一方に対し、マスク面内における面内誤差平均値およびマスク面内における面内ばらつき分布の少なくとも一方を測定する。そして、照明光源から発した露光光を前記マスクに照射して基板上に基板上パターンを形成した場合に前記基板上に形成される像性能を表すコスト関数が所望値に近づく照明条件を、前記面内誤差平均値および前記面内ばらつき分布の少なくとも一方に基づいて算出する。さらに、前記照明条件で前記マスクに露光光を照射して前記基板上に基板上パターンを形成した場合の像性能が所定の許容範囲内であるか否かに基づいて、前記マスクの良否を判定する。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光以外の波長を有した露光光を容易に評価する露光量評価方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一つの実施形態によれば、フォトマスクが、露光光のうちＥＵＶ光よりも長い波長を有した長波長光を反射し且つ前記ＥＵＶ光を吸収する長波長光反射膜を有している。また、フォトマスクは、前記長波長光反射膜の上層側に配置されるとともに前記ＥＵＶ光および前記長波長光を吸収する吸収膜を用いて形成されたマスクパターンを有している。そして、フォトマスクと、レジストが塗布された露光対象の基板と、をＥＵＶ露光装置内にセットする。前記フォトマスクに対し前記マスクパターン側から前記露光光を照射するとともに、前記フォトマスクで反射された露光光を前記基板に照射する。そして、前記基板に照射された露光光の露光量に基づいて、前記基板に照射された長波長光の光量分布を測定する。 （もっと読む）

【課題】集積回路にわたるフレア・インテンシティの変動を補償する方法と装置とに関する。
【解決手段】集積回路の物理層に関するレイアウト記述またはその一部は、隣接タイルのような多数の領域に分割される。各領域におけるフレア・インテンシティの評価が決定される。計算されたフレア・インテンシティ値は、多数の領域に分割される。一実施形態において、レイアウト記述におけるデータ層は、計算されたフレア値の各領域に対して定義される。特定の範囲のフレア値を有するエリアに印刷される特徴は、対応する追加的なデータ層に関連する。追加的なデータ層の各々に関連する特徴は、集積回路において発生する異なるフレア値を補償するために選択または調整される解像度向上技術を用いて解析される。 （もっと読む）

【課題】遮光性の高い遮光枠を有する反射型マスク、及び反射型マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板１１と、前記基板表面に形成された多層反射層２１と、前記多層反射層の上に形成された吸収層５１を有する反射型マスクの製造工程において、基板裏面よりレーザ照射を行う工程を設けることで、多層反射層２１の界面を消失させ、多層反射層２１から発生する反射強度を下げ、且つ吸収層５１の光学的性質が維持された遮光性の高い遮光枠を作製する。 （もっと読む）

【課題】 マスクパターン補正方法及びマスクパターン補正装置に関し、フレア補正に伴う補正誤差を小さくして、レジストパターンの寸法精度を高める。
【解決手段】 半導体集積回路のパターンデータに基づき第１のマスクパターンを作成する工程と、前記第１のマスクパターンを複数の領域に分割して第１のフレア強度を計算する第１の計算工程と、前記第１のフレア強度の計算に基づき、前記第１のマスクパターンを補正して第２のマスクパターンを作成する工程と、前記第２のマスクパターンを複数の領域に分割して第２のフレア強度を計算する第２の計算工程と、前記第２のフレア強度の計算に基づき、前記第２のマスクパターンを補正して第３のマスクパターンを作成する工程とを設ける。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィマスクの誤差を補正する分野に関する技術を提供する。
【解決手段】本発明は、フォトリソグラフィマスクの複数の誤差を補正する方法に関連し、本方法は、フォトリソグラフィマスクの結像変換の第１のパラメータと、フォトリソグラフィマスク上に局所的に向けられるレーザビームの第２のパラメータとを最適化する段階と、最適化された第１のパラメータを用いて結像変換を適用し、かつ最適化された第２のパラメータを用いてレーザビームをフォトリソグラフィマスク上に局所的に向けることによって複数の誤差を補正する段階とを含み、第１及び第２のパラメータは、共同の最適化工程において同時に最適化される。 （もっと読む）

【課題】反射防止層の一部が欠損した場合であってもレジスト残膜厚の低下を抑制する。
【解決手段】 遮光部は、半透光膜、反射防止層を上層部に有する遮光膜が透明基板上にこの順に積層されてなり、反射防止層の一部が欠損したときであっても、遮光部の光学濃度がｉ線〜ｇ線の範囲内の代表波長の光に対して３．０以上となる。 （もっと読む）

【課題】本発明はウェーハの露光エネルギー情報を利用した露光用マスクの管理方法を提供する。
【解決手段】 露光装備でウェーハを露光させるために使うマスクに対する情報を露光装備から算出して、該当のマスクを利用して各ウェーハを露光させるうちに適用された光エネルギー値を算出して、算出された光エネルギー値をデータサーバーに貯藏して、半導体パッケージ内の多数の露光装備から進行されるすべてのウェーハの露光工程に対して同じデータを取合して多数の露光装備によって使われる多数のマスクそれぞれに対して露光エネルギーに対する露出情報を蓄積管理するので、結晶成長、混濁のようなマスク汚染の直接的な原因である露光エネルギーに対するマスクの露出程度を直接的に算出してマスク欠陷を予測して、それによる対策を立てることで半導体収率下落を防止して半導体生産の収率を進めることができる。 （もっと読む）

【課題】隣接するストライプ状領域の重複領域の位置を所望の位置に容易に調整することができるフォトマスクの製造方法、この方法を用いて作製されたフォトマスク、およびフォトマスクの製造装置を提供する。
【解決手段】マスクブランクス１０上でＸ方向に延びかつＸ方向と交差するＹ方向における幅を有するとともにＹ方向に並ぶ複数のストライプ状領域Ｓ１，Ｓ２に順にパターンの描画が行われる。複数のストライプ状領域Ｓ１，Ｓ２のうち一部のストライプ状領域Ｓ１の幅ｗｓ１が他のストライプ状領域Ｓ２の幅ｗｓ２と異なるように、複数のストライプ状領域Ｓ１，Ｓ２の幅がそれぞれ設定される。設定された幅ｗｓ１，ｗｓ２を有する複数のストライプ状領域Ｓ１，Ｓ２に順に描画が行なわれることにより、隣接する複数のストライプ状領域Ｓ１，Ｓ２の境界部分にＸ方向に沿って延びる重複領域ＯＶが形成される。 （もっと読む）