【課題】環境影響が低減されたネガ型パターンを形成できるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分と、露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分と、酸性化合物成分とを含有するレジスト組成物を、支持体上に塗布してレジスト膜を形成する工程（１）と、レジスト膜上に保護膜形成用組成物を塗布して保護膜を形成する工程（２）と、レジスト膜及び保護膜を露光する工程（３）と、工程（３）の後にベークを行い、露光部において、露光により光塩基発生剤成分から発生した塩基と、酸性化合物成分とを中和させ、未露光部において、酸性化合物成分の作用により、基材成分のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる工程（４）と、レジスト膜をアルカリ現像し、未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程（５）とを含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分と、露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分と、酸性化合物成分とを含有するレジスト組成物を、支持体上に塗布してレジスト膜を形成する工程（１）と、
前記レジスト膜上に保護膜形成用組成物を塗布して保護膜を形成する工程（２）と、
前記レジスト膜及び前記保護膜を露光する工程（３）と、
前記工程（３）の後にベークを行い、前記レジスト膜の露光部において、前記露光により前記光塩基発生剤成分から発生した塩基と、前記酸性化合物成分とを中和させ、前記レジスト膜の未露光部において、前記酸性化合物成分の作用により、前記基材成分のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる工程（４）と、
前記レジスト膜をアルカリ現像し、前記レジスト膜の未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程（５）と、を含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。

【図１】

【公開番号】特開２０１３−１０９２７９（Ｐ２０１３−１０９２７９Ａ）
【公開日】平成２５年６月６日（２０１３．６．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２５６１１９（Ｐ２０１１−２５６１１９）
【出願日】平成２３年１１月２４日（２０１１．１１．２４）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】