説明

ロタキサン化合物、ロタキサン化合物が結合した固体基板及びこれを利用したバイオチップ

化学式2のククルビツリルまたはその誘導体の内部空洞に化学式3の化合物が垂直に貫通した化学式1の化合物を提供する。さらに、前記化合物が結合した固体基板および前記固体基板を含むバイオチップを提供する。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、所定の官能基を一定間隔で配列させたバイオチップのための固体基板、およびこれを利用したバイオチップに係り、さらに具体的には、ロタキサン化合物、ロタキサン化合物が結合した固体基板、および前記固体基板を用いたバイオチップに関する。
【背景技術】
【0002】
一般的に、固体基板に化合物を導入するためには、下記参考図1に示す方法が広く利用されている。この方法によると、一方の末端には、固体基板1との結合のための官能基2aを有し、他方の末端には、固体基板1に導入しようとする化合物との結合のための官能基2cを有するシラン化合物またはチオール化合物からなる自己組織化薄膜が固体基板1の上に形成される。自己組織化薄膜の形成において、下記参考図1の参照番号2bで表される分子本体は、それらの間の分子間相互作用により形成される薄膜の密度を上昇させる役割を果たす。前記分子本体2bが最も簡単な分子構造である直鎖アルキル基である場合、形成される薄膜における分子間の間隔は、0.5nmほどであると知られている。
【0003】
【化1】

【0004】
ここで、1は固体基板、2aは固体基板との結合のための官能基、2bは分子本体、2cは固体基板に固定しようとする化合物との結合のための官能基である。
【0005】
公知のように、さらなる末端官能基が特定の固体基板上の薄膜として形成されるシラン化合物またはチオール化合物は、DNAおよび蛋白質を含む生体物質、高分子またはナノ粒子などの、単独で用いられた場合固体基板に固定しにくい化学種を、固体基板に容易に一様に固定させることができる。そのため、最近の多くの研究は、このようなシラン化合物またはチオール化合物を用いて、標的化合物の固体基板への固定化に着目している。
【0006】
かような研究のうち、特に、DNA及び蛋白質を含む生体物質の検出及び分析のためのバイオチップ技術は、短時間内に多数の生体物質の相互作用を検出できるため、活発に研究されている。この点で、高い感度および選択性を有するバイオチップを製造するための技術開発が、競争的に進められている。
【0007】
バイオチップは、下記参考図2に表したように、シリコン基板またはガラス基板のような固体基板(支持層)、前記固体基板上に形成され、DNAまたは蛋白質と化学結合可能な官能基を末端に有する分子層(接合層)、及び分析しようとする標的物質と選択的に相互作用可能なDNA(相補的DNA)または蛋白質を含んだ生体物質層(検出層)を含む。かようなバイオチップは、一般的に参考図3の1のようなパターン形状に調製され、その後一連の過程7および8を経て分析しようとする物質を検出することは、当業者に周知である。
【0008】
【化2】

【0009】
【化3】

【0010】
ここで、1は固体基板、2は接合層、3は検出層(DNA一本鎖)、5はハイブリダイズしたDNA二本鎖、7は試料注入及びDNAハイブリダイゼーション、8は検出である。
【0011】
下記参考図4に表したように、固体基板に固定されたDNAまたは蛋白質のような生体物質が、特定の標的物質と選択的に相互作用すると、当業者に周知のように、その構造や体積が、特に特定の三次元構造に変化する。特に、前記バイオチップの固体基板に固定された生体物質がDNAである場合、検出層に固定されたDNA一本鎖の断面の最大径は、約1nm以下であるが、DNA一本鎖が試料中に存在する標的DNAとハイブリダイズして二本鎖構造を形成すれば、二本鎖構造の断面の最大径は、約2.2nmであり、DNA一本鎖の断面の最大径よりも大きい。
【0012】
【化4】

【0013】
ここで、1は固体基板、2は接合層、3は検出層(DNA一本鎖)、5はハイブリダイズしたDNA二本鎖、7は試料注入及びDNAハイブリダイゼーションである。
【0014】
現在用いられうるDNAチップの調製技術は、前記検出層として用いられるDNA一本鎖間の間隔を標的DNA鎖とのハイブリダイゼーションで生じる大きさの変化を考慮して設定することに限界があった。もし、DNA一本鎖が過密に配置されれば、固体基板に固定されているDNA一本鎖とのハイブリダイゼーションによる二本鎖構造の形成を難しくする立体障害のために、試料中に存在する標的DNA鎖は検出層に入ることができない。一方、固体基板上のDNA一本鎖の間隔が過度にまばらであれば、DNAチップの感度が低下しうる。
【0015】
ここまで、DNAチップを中心に説明したが、DNAチップ以外のバイオチップにおいても類似の問題が発生することがある。前記のような理由で、検出層を構成する生体物質の単一面積当たりの濃度を上昇させることだけでは、高い感度および選択性を有するバイオチップを調製することはできない。一定の感度および選択的な相互作用を確実にするために、検出層の前記生体物質の間隔を最適にする必要がある。
【0016】
標的DNA鎖と固体基板に固定されたDNA鎖との間のハイブリダイゼーションによって得られたDNA二本鎖は、固体基板に固定化されたDNA鎖に比べて、断面の直径が約2倍大きい。したがって、下記参考図5の(a)に表したように、DNAチップの固体基板にDNA鎖を過密に固定させれば、以後の標的DNA鎖とのハイブリダイゼーションの間に立体障害が発生し、それによってDNAチップの効率が落ちる。従って、高い選択性と感度とを有したDNAチップを調製するためには、下記参考図5の(b)のように、固体基板にDNA鎖を固定して検出層を形成するときに、以後のハイブリダイゼーションで生じる構造または体積の変化を考慮し、DNA鎖は、均等な狭い間隔を有さなければならない。
【0017】
【化5】

【0018】
ここで、1は固体基板、2は接合層、3は検出層(DNA一本鎖)、5は標的DNA鎖である。
【0019】
上述のような、検出の間の、固体基板に固定された生体物質の構造的変化による立体障害の問題は、DNAチップだけでなく、固体基板に固定された蛋白質の大きさが標的分子(固体基板に固定された蛋白質に選択的に結合する対の分子)の大きさに比べて十分に大きくない蛋白質チップの場合にも起こりうる。例えば、アビジンのような巨大分子が、蛋白質チップで広く使われている固体基板上に固定されたビオチンのような小さな分子と結合する場合にも起こりうる。さらに、立体障害の問題は、DNAチップ及び蛋白質チップのようなバイオチップ以外にも、固体基板に固定された化学物質が標的物質と結合するあらゆるチップで起こりうる。
【0020】
上述の問題点の最もよい解決は、固体基板上に形成される接合層の密度を適切に調節することである。それによって、前記接合層の上に形成される検出層中のDNAまたは蛋白質の間隔が調節されうる。
【0021】
一般に、接合層の密度は、接合層の材料の濃度及び結合層の形成時間を調節することにより、調節されうる。Tarlovらは、自己組織化薄膜(接合層に該当)物質の濃度を調節することによって化学種間の距離を変化させた研究を報告している(J.Am.Chem.Soc.,1998,120,p.9787)。しかし、かような方法では、均一な密度分布を有する接合層を形成できないため、接合層の上に形成されるDNA間の間隔を所望の値に制御することが難しい。最近、Georgiadisらは、Tarlovらの方法と同じ方法で化学種間の間隔を調節した後、DNAのハイブリダイゼーションの程度を測定する定量的な研究を報告した。しかし、上述の問題は残った(J.Am.Chem.Soc.,2002,124,p.14601)。
【0022】
最近、Jun−Won Parkらは、円錐状のデンドロン分子を用いた、検出層として用いられる化合物間の間隔を調節する方法を報告した(韓国特許公開第2002−0019325号公報、Langmuir 19,2003,p.2357)。この方法によれば、アミノシランで修飾された固体基板を、それぞれ下端に10個のカルボキシル基、および上端に1個のアミン基を有するデンドロン分子で処理すると、固体基板表面のアミン基とデンドロン分子の下端のカルボキシル基との間の水素結合が生じる。その結果、デンドロン分子が固体基板に固定され、デンドロン分子の上端に存在するアミン基は、デンドロン分子の断面の最大直径に相当する間隔で配置される。しかし、かようなデンドロン分子は、構造的にもろいために、例えば単結合の回転によるベンディング、または折れ曲がりのような構造的変形がおこりやすく、それによってアミン基間の間隔が減少しうる。さらに、デンドロン分子の重なりにより、アミン基間の間隔が減少しうる。従って、かような方法は、従来の方法の短所を完全に除去できない。また、該方法で用いられるデンドロン分子は、多数の官能基を有するために、DNAチップまたは蛋白質チップの性能を阻害する非特異的結合の可能性が増加しうる。
【発明の開示】
【0023】
発明の詳細な説明
発明が解決しようとする課題
本発明は、接合層の中の構成分子が互いに所定の距離で離れて位置した、固体基板上に形成された接合層を形成するためのロタキサン化合物を提供する。
【0024】
本発明はまた、前記ロタキサン化合物が結合した固体基板を提供する。
【0025】
本発明はまた、それぞれ前記ロタキサン化合物が結合した固体基板を含む、遺伝子チップ及び蛋白質チップを提供する。
【0026】
本発明はまた、前記ロタキサン化合物が結合した固体基板を含む生体分析用センサを提供する。
【0027】
発明の開示
本発明の一実施形態によれば、下記化学式2のククルビツリルまたはその誘導体の内部空洞に下記化学式3の化合物が垂直に貫通した下記化学式1のロタキサン化合物が提供される:
【0028】
【化6】

【0029】
前記化学式1で、R、R及びRは、それぞれ独立して、飽和もしくは不飽和のC〜C10の直鎖アルキレン、エチレングリコールオリゴマー、1,4−置換ベンゼン、または1,4−置換ピリジンであり、X及びXは、それぞれ独立して化学式2のククルビツリルまたはその誘導体の酸素原子とのイオン−双極子相互作用のための正に荷電した官能基であり、Yは、遺伝子または蛋白質を含む生体物質との結合のための官能基であり、Yは、固体基板との結合のための官能基であり、
【0030】
【化7】

【0031】
前記化学式2で、nは、4ないし20の整数であり、R及びRは、それぞれ独立して水素、置換もしくは非置換のC〜C20のアルキル部分を有し、末端が不飽和結合であるアルケニルオキシ基、置換もしくは非置換のC〜C20のアルキル部分を有するカルボキシアルキルスルフィニルオキシ基、置換もしくは非置換のC〜Cのアルキル部分を有するカルボキシアルキルオキシ基、置換もしくは非置換のC〜Cのアルキル部分を有するアミノアルキルオキシ基、または置換もしくは非置換のC〜Cのアルキル部分を有するヒドロキシアルキルオキシ基であり、
【0032】
【化8】

【0033】
前記化学式3で、R、R、R、X、X、Y及びYは、前記化学式1で定義された通りである。
【0034】
前記化学式1のロタキサン化合物で、X及びXは、それぞれ独立して2級アンモニウム、1,4−置換ピリジニウム、またはベンジルアンモニウムであり、Y及びYは、それぞれ独立して1級アミン基、アミド基、アクリルアミン基、アルキルエステル基、アルデヒド基、カルボキシル基、アルコキシシラン基、ハロゲン化アシル基、ヒドロキシル基、チオール基、ハロゲン基、シアン基、イソシアン基またはイソチオシアン基でありうる。
【0035】
本発明の他の実施形態によれば、前記化学式1の化合物と共有結合または非共有結合を介して結合した固体基板が提供される。
【0036】
前記化学式1の化合物は、0.05ないし0.6個/nmの密度で前記固体基板に結合されうる。
【0037】
前記固体基板は、ガラス、シリコンウェーハ、インジウムスズ酸化物(ITO)ガラス、酸化アルミニウム基板、または二酸化チタン基板でありうる。
【0038】
本発明の他の実施形態によれば、前記化学式1の化合物と結合した固体基板を含む遺伝子チップが提供される。
【0039】
本発明の他の実施形態によれば、前記化学式1の化合物と結合した固体基板を含む蛋白質チップが提供される。
【0040】
本発明のさらに他の実施形態によれば、前記化学式1の化合物と結合した固体基板を含む生体物質分析用センサが提供される。
【0041】
以下、本発明を詳細に説明する。
【0042】
本発明によれば、ロタキサン化合物は、バイオチップの固体基板上に形成される接合層の中で、分子を所定の間隔に分離するために用いられる。本明細書中、「ロタキサン化合物」の用語は、長鎖状化合物が丈夫な環状化合物であるククルビツリルを貫通した、連結化合物を意味する。かようなロタキサン化合物を接合層に導入すれば、隣接する鎖状化合物間の間隔がククルビツリルの直径以上に維持されうる。かような原理により、固体基板上にロタキサン化合物から構成された接合層を形成させれば、接合層を構成する分子が互いに所定の距離で離れて配置されうる。かような原理を図1に示す。
【0043】
したがって、本発明は、下記化学式2のククルビツリルまたはその誘導体に下記化学式3の化合物が貫通した、下記化学式1のロタキサン化合物を提供する:
【0044】
【化9】

【0045】
前記化学式1で、R、R及びRは、それぞれ独立して、飽和もしくは不飽和のC〜C10の直鎖アルキレン、エチレングリコールオリゴマー、1,4−置換ベンゼン、または1,4−置換ピリジンであり、X及びXは、それぞれ独立して化学式2のククルビツリルまたはその誘導体の酸素原子とのイオン−双極子相互作用のための正に荷電した官能基であり、Yは、遺伝子または蛋白質を含む生体物質との結合のための官能基であり、Yは、固体基板との結合のための官能基であり、
【0046】
【化10】

【0047】
前記化学式2で、nは、4ないし20の整数であり、R及びRは、それぞれ独立して水素、置換もしくは非置換のC〜C20のアルキル部分を有し、末端が不飽和結合であるアルケニルオキシ基、置換もしくは非置換のC〜C20のアルキル部分を有するカルボキシアルキルスルフィニルオキシ基、置換もしくは非置換のC〜Cのアルキル部分を有するカルボキシアルキルオキシ基、置換もしくは非置換のC〜Cのアルキル部分を有するアミノアルキルオキシ基、または置換もしくは非置換のC〜Cのアルキル部分を有するヒドロキシアルキルオキシ基であり、
【0048】
【化11】

【0049】
前記化学式3で、R、R、R、X、X、Y及びYは、前記化学式1で定義された通りである。
【0050】
前記化学式2の化合物を合成原料として用いられるヒドロキシククルビツリルおよびその母体であるククルビツリルの例は、本出願人により出願された韓国特許出願第02−68362号、同第02−318号、同01−57573号、同01−39756号、及び同00−33026号にその構造式及び合成方法とともに開示されており、その全体が参照として本明細書中に含まれる。
【0051】
前記化学式3の化合物は、化学式2のククルビツリル誘導体を貫通しうる。前記化学式3の化合物の一端は、固体基質に固定させるための官能基を、他端は、DNAまたは蛋白質を含む生体物質、あるいはセンサのための検出物質との結合のための官能基を有する。
【0052】
前記化学式1のロタキサン化合物において、X及びXは、それぞれ独立して2級アンモニウム、1,4−置換ピリジニウム、またはベンジルアンモニウムであり、Y及びYは、それぞれ独立して1級アミン基、アミド基、アクリルアミン基、アルキルエステル基、アルデヒド基、カルボキシル基、アルコキシシラン基、ハロゲン化アシル基、ヒドロキシル基、チオール基、ハロゲン基、シアン基、イソシアン基またはイソチオシアン基でありうる。
【0053】
前記化学式1のロタキサン化合物は、下記化学式5ないし化学式13で表される化合物から選択されたものであることが望ましい:
【0054】
【化12】

【0055】
【化13】

【0056】
【化14】

【0057】
【化15】

【0058】
【化16】

【0059】
【化17】

【0060】
【化18】

【0061】
【化19】

【0062】
【化20】

【0063】
前記化学式1のロタキサン化合物は、以下のように調製されうる。
【0064】
当技術分野に公知されている一般的な有機合成方法で合成された化学式3の化合物と、本出願人が出願した韓国特許出願第02−68362号、同第02−318号、同01−57573号、同01−39756号、または同00−33026号に開示されている方法に基づき合成された化学式2の化合物とを、水、ジメチルホルムアミド、またはジメチルスルホキシドに溶解させて、化学式2の化合物と化学式3の化合物との自己組織化により化学式1の化合物が調製される。
【0065】
前記化学式1のロタキサン化合物は、多様な末端官能基を有する修飾された固体基板に結合され、所望の固体基板が形成される。
【0066】
前記化学式1の化合物は、0.05ないし0.5個/nmの密度で固体基板に結合されうる。前記固体基板は、ガラス、シリコンウェーハ、インジウムスズ酸化物(ITO)ガラス、酸化アルミニウム基板、または二酸化チタン基板でありうる。
【0067】
前記化学式1のロタキサン化合物が結合した修飾された固体基板において、接合層を構成するロタキサン分子は、互いに所定の距離で離れて配置されうる。接合層の中での分子間の間隔は、前記化学式1の化合物を構成する化学式2のククルビツリルまたはその誘導体の型によって決定される。
【0068】
前記化学式1のロタキサン化合物が結合した固体基板は遺伝子チップの調製に用いられうる。
【0069】
また、前記化学式1のロタキサン化合物が結合した固体基板は、蛋白質チップまたは生体物質分析用センサの調製に用いられうる。
【0070】
化学式1のロタキサン化合物が結合した固体基板を利用して調製された遺伝子チップ、蛋白質チップ、及び生体物質分析用センサは、上にロタキサン分子が互いに所定の距離で離れて配置された接合層を有する。したがって、前記接合層の上に固定された遺伝子および蛋白質のような生体物質もまた規則的な間隔でありうる。また、前記バイオチップのための固体基板の接合層中の化学式1のロタキサン化合物は、生体物質と水素結合のような非特異的な結合を形成して接合層に固定化しうる官能基の数が少ないために、本発明の方法はより実用的になる。
【0071】
発明の効果
上述のように、本発明のロタキサン化合物によって、固体基板に形成された接合層の中で、ロタキサン分子の一定の間隔が得られる。このため、高い感度および選択性を有するバイオチップを製造できる。
【0072】
図面の簡単な説明
図1は、ククルビツリルまたはその誘導体の内部空洞に長鎖状化合物が垂直に貫通したロタキサン化合物から形成される接合層が結合した固体基板、および接合層を構成する分子間の間隔がククルビツリルまたはその誘導体の直径以上に対応する距離で互いに離れて配置される原理を図式的に表現した図面である。
【発明を実施するための最良の形態】
【0073】
以下、実施例を介して本発明をさらに詳細に説明する。しかし、それら実施例は、単に本発明を例示するためのものであり、本発明の範囲がそれらの実施例により制限されるものではない。
【実施例】
【0074】
実施例1:ロタキサン化合物の調製
下記化学式4のスペルミン四塩酸180mg(0.5mmol)を水10mlに溶かし、ククルビト[6]ウリル(CB[6])500mg(0.5mmol)を加えた。反応混合物をメンブランフィルタで濾過し、濾液にヘキサフルオロリン酸アンモニウム340mg(2mmol)を加えた。得られた沈殿をメンブランフィルタで濾過し、乾燥させて化学式5の化合物を得た。
【0075】
【化21】

【0076】
【化22】

【0077】
実施例2:ロタキサン化合物の調製
化学式5の化合物1.03g(0.58mmol)をジメチルホルムアミド50mlに溶かした。塩化アクリロイル395ml(4.62mmol)とトリエチルアミン348ml(2.32mmol)とを加え、撹拌した。反応が完了した後、塩化テトラブチルアンモニウムの飽和水溶液を加え、得られた沈殿をメンブランフィルタで濾過した後、乾燥させて化学式6の化合物を得た。
【0078】
【化23】

【0079】
実施例3:固体基板の調製及び導入されたアミン基の密度測定
ピラニア溶液(硫酸:過酸化水素=3:1混合物)でガラス基板を洗浄し、ガラス基板の表面にヒドロキシル基を導入し、その後窒素雰囲気下で10mlバイアルに入れた。次いで、(3−イソシアンプロピル)トリエトキシシランのトルエン溶液(10mM)を入れ、常温で保管してシラン化を行った。
【0080】
シラン化が完了した後、ガラス基板をトルエンで洗浄し、真空乾燥した。前記実施例1の化学式5の化合物のジメチルホルムアミド溶液とトリエチルアミン4当量とを加え、常温、窒素雰囲気下で撹拌した。その後、ガラス基板を無水ジメチルホルムアミドで洗浄し、エタノールアミンの無水ジメチルホルムアミド溶液に浸し、残っているイソシアンシランの反応性を除去し、希塩酸で洗浄して化学式14の固体基板を得た:
【0081】
【化24】

【0082】
実施例3のガラス基板上に存在するアミン基の密度は、9−アントラアルデヒドの蛍光を用いて測定した。このとき、9−アントラアルデヒドを用いた密度測定は、9−アントラアルデヒドの、化学式1のCB[6]よりも小さいサイズに基づいている(Langmuir,19,2003,p.2357)。
【0083】
測定結果によると、実施例3のガラス基板の表面に存在するアミン基の表面密度は、0.1アミン/nmと示された。
【0084】
実施例4:固体基板の調製及び導入されたアミン基の密度測定
ピラニア溶液でガラス基板を洗浄し、ガラス基板の表面にヒドロキシル基を導入し、窒素雰囲気下で10mlバイアルに入れた。次いで、(3−アミノプロピル)トリエトキシシランのトルエン溶液(10mM)を入れた後、常温で保管してシラン化を行った。
【0085】
シラン化が完了した後、ガラス基板をトルエンで洗浄し、減圧下で1時間120℃に加熱した。前記ガラス基板を冷却し、1,4−ジイソチオシアン酸フェニルの無水ジメチルホルムアミド溶液に浸し、常温、窒素雰囲気下で撹拌した。
【0086】
前記ガラス基板をきれいに洗浄し、前記実施例1の化学式5の化合物の無水ジメチルホルムアミド溶液とトリエチルアミン4当量とを加え、常温、窒素雰囲気下で撹拌した。その後、ガラス基板を無水ジメチルホルムアミドできれいに洗浄し、エタノールアミンの無水ジメチルホルムアミド溶液に浸し、残っているイソチオシアンシランの反応性を除去し、希塩酸で洗浄して下記化学式15の固体基板を得た:
【0087】
【化25】

【0088】
上述のように調製された前記化学式15のガラス基板上に存在するアミン基密度を、前記実施例3と同様に測定した。
【0089】
測定結果によると、前記化学式15のガラス基板の表面に存在するアミン基の表面密度は、0.1アミン/nmと示された。
【0090】
実施例5:固体基板の調製及び導入されたアミン基の密度測定
ピラニア溶液でガラス基板を洗浄し、ガラス基板の表面にヒドロキシル基を導入し、その後、窒素雰囲気下で10mlバイアルに入れた。次いで、(3−チオールプロピル)トリエトキシシランのトルエン溶液(10mM)を入れ、常温で保管してシラン化を行った。
【0091】
シラン化が完了した後、ガラス基板をトルエンできれいに洗浄し、前記実施例2の化学式6の化合物の水溶液に加え、常温で撹拌した。ガラス基板を蒸溜水できれいに洗浄し、アクリロニトリルのジメチルホルムアミド溶液に浸して残った反応性を除去し、ジメチルホルムアミドとメタノールとで洗浄し、化学式16の固体基板を得た:
【0092】
【化26】

【0093】
前記化学式16のガラス基板上に存在するアミン基の密度を、前記実施例3と同様に測定した。測定結果によると、前記化学式16のガラス基板の表面に存在するアミン基の表面密度は、0.1アミン/nmと示された。
【0094】
密度の測定結果によれば、前記実施例3ないし実施例5で調製された固体基板上に存在するアミン基の密度は、アミノシランで修飾されたガラス基板に比べ、非常に低下していることが分かる。二本鎖DNAの直径が約2nmであることを勘案すれば、DNA1個当たり0.4個のアミンが対応するので、前記実施例3ないし実施例5のガラス基板は、DNAのハイブリダイゼーションの際に立体障害を生じない。また、Georgiadisらが報告した方法によれば、固体基板上に存在するアミン基の密度が約0.01アミン/nmである。この点で、本発明の固体基板上のアミン基の密度は、従来の固体基板のものより10倍高い。したがって、より高い検出感度が期待される。
【図面の簡単な説明】
【0095】
【図1】ククルビツリルまたはその誘導体の内部空洞に長鎖状化合物が垂直に貫通したロタキサン化合物から形成される接合層が結合した固体基板、および接合層を構成する分子間の間隔がククルビツリルまたはその誘導体の直径以上に対応する距離で互いに離れて配置される原理を図式的に表現した図面である。
【符号の説明】
【0096】
1 固体基板、
2 接合層、
3 検出層、
4 ロタキサン化合物。

【特許請求の範囲】
【請求項1】
下記化学式2のククルビツリルまたはその誘導体の内部空洞に下記化学式3の化合物が垂直に貫通した下記化学式1の化合物:
【化1】

前記化学式1で、R、R及びRは、それぞれ独立して、飽和もしくは不飽和のC〜C10の直鎖アルキレン、エチレングリコールオリゴマー、1,4−置換ベンゼン、または1,4−置換ピリジンであり、X及びXは、それぞれ独立して化学式2のククルビツリルまたはその誘導体の酸素原子とのイオン−双極子相互作用のための正に荷電した官能基であり、Yは、遺伝子または蛋白質を含む生体物質との結合のための官能基であり、Yは、固体基板との結合のための官能基であり、
【化2】

前記化学式2で、nは、4ないし20の整数であり、R及びRは、それぞれ独立して水素、置換もしくは非置換のC〜C20のアルキル部分を有し、末端が不飽和結合であるアルケニルオキシ基、置換もしくは非置換のC〜C20のアルキル部分を有するカルボキシアルキルスルフィニルオキシ基、置換もしくは非置換のC〜Cのアルキル部分を有するカルボキシアルキルオキシ基、置換もしくは非置換のC〜Cのアルキル部分を有するアミノアルキルオキシ基、または置換もしくは非置換のC〜Cのアルキル部分を有するヒドロキシアルキルオキシ基であり、
【化3】

前記化学式3で、R、R、R、X、X、Y及びYは、前記化学式1で定義された通りである。
【請求項2】
及びXは、それぞれ独立して2級アンモニウム、1,4−置換ピリジニウム、またはベンジルアンモニウムであり、Y及びYは、それぞれ独立して1級アミン基、アミド基、アクリルアミン基、アルキルエステル基、アルデヒド基、カルボキシル基、アルコキシシラン基、ハロゲン化アシル基、ヒドロキシル基、チオール基、ハロゲン基、シアン基、イソシアン基またはイソチオシアン基である、請求項1に記載の化合物。
【請求項3】
下記化学式5ないし化学式13で表される化合物からなる群から選択される請求項1に記載の化合物:
【化4】

【化5】

【化6】

【化7】

【化8】

【化9】

【化10】

【化11】

【化12】

【請求項4】
化学式1の化合物と共有結合または非共有結合を介して結合した固体基板。
【請求項5】
前記化学式1の化合物が0.05ないし0.6個/nmの密度で存在する、請求項4に記載の固体基板。
【請求項6】
ガラス、シリコンウェーハ、インジウムスズ酸化物(ITO)ガラス、酸化アルミニウム基板、または二酸化チタン基板である、請求項4に記載の固体基板。
【請求項7】
請求項4〜6のいずれか1項に記載の固体基板を含む遺伝子チップ。
【請求項8】
請求項4〜6のいずれか1項に記載の固体基板を含む蛋白質チップ。
【請求項9】
請求項4〜6のいずれか1項に記載の固体基板を含む生体物質分析用センサ。

【図1】
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【公表番号】特表2007−521289(P2007−521289A)
【公表日】平成19年8月2日(2007.8.2)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2006−518541(P2006−518541)
【出願日】平成16年7月5日(2004.7.5)
【国際出願番号】PCT/KR2004/001651
【国際公開番号】WO2005/003136
【国際公開日】平成17年1月13日(2005.1.13)
【出願人】(500345478)ポステック・ファウンデーション (25)
【Fターム(参考)】