主磁極とシールドを備えた垂直磁気記録用磁気ヘッド
【課題】隣接トラック消去の発生の抑制と記録特性の向上を両立する。
【解決手段】磁気ヘッドは、主磁極１５と記録シールド１６とギャップ部１７を備えている。記録シールド１６は、サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃと上部シールドを含んでいる。主磁極１５は側部ＳＰ１，ＳＰ２を有し、サイドシールド１６Ｂは側壁ＳＷ１を有し、サイドシールド１６Ｃは側壁ＳＷ２を有している。ギャップ部１７は、側壁ＳＷ１，ＳＷ２に接するように配置されたギャップ膜１７Ａと、非磁性層１７Ｂを含んでいる。側部ＳＰ１は、媒体対向面２側から順に配置された第１および第３の側面を有している。第２の側部ＳＰ２は、媒体対向面２側から順に配置された第２および第４の側面を有している。非磁性層１７Ｂは、第３の側面と第１の側壁ＳＷ１の間および第４の側面と第２の側壁ＳＷ２の間に存在する。
【解決手段】磁気ヘッドは、主磁極１５と記録シールド１６とギャップ部１７を備えている。記録シールド１６は、サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃと上部シールドを含んでいる。主磁極１５は側部ＳＰ１，ＳＰ２を有し、サイドシールド１６Ｂは側壁ＳＷ１を有し、サイドシールド１６Ｃは側壁ＳＷ２を有している。ギャップ部１７は、側壁ＳＷ１，ＳＷ２に接するように配置されたギャップ膜１７Ａと、非磁性層１７Ｂを含んでいる。側部ＳＰ１は、媒体対向面２側から順に配置された第１および第３の側面を有している。第２の側部ＳＰ２は、媒体対向面２側から順に配置された第２および第４の側面を有している。非磁性層１７Ｂは、第３の側面と第１の側壁ＳＷ１の間および第４の側面と第２の側壁ＳＷ２の間に存在する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録方式によって記録媒体に情報を記録するために用いられる垂直磁気記録用磁気ヘッドに関し、特に、主磁極とシールドを備えた垂直磁気記録用磁気ヘッドおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録再生装置における記録方式には、信号磁化の向きを記録媒体の面内方向（長手方向）とする長手磁気記録方式と、信号磁化の向きを記録媒体の面に対して垂直な方向とする垂直磁気記録方式とがある。垂直磁気記録方式は、長手磁気記録方式に比べて、記録媒体の熱揺らぎの影響を受けにくく、高い線記録密度を実現することが可能であると言われている。
【０００３】
一般的に、垂直磁気記録用の磁気ヘッドとしては、長手磁気記録用の磁気ヘッドと同様に、読み出し用の磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ（Magnetoresistive）素子とも記す。）を有する再生ヘッドと、書き込み用の誘導型電磁変換素子を有する記録ヘッドとを、基板上に積層した構造のものが用いられる。記録ヘッドは、記録媒体の面に対して垂直な方向の磁界を発生する主磁極を備えている。主磁極は、例えば、一端部が記録媒体に対向する媒体対向面に配置されたトラック幅規定部と、このトラック幅規定部の他端部に連結され、トラック幅規定部よりも大きな幅を有する幅広部とを有している。トラック幅規定部は、ほぼ一定の幅を有している。垂直磁気記録方式の記録ヘッドには、高記録密度化のために、トラック幅の縮小と、記録特性、例えば重ね書きの性能を表わすオーバーライト特性の向上が求められる。
【０００４】
ところで、ハードディスク装置等の磁気ディスク装置に用いられる磁気ヘッドは、一般的に、スライダに設けられる。スライダは、上記媒体対向面を有している。この媒体対向面は、空気流入端と空気流出端とを有している。そして、空気流入端から媒体対向面と記録媒体との間に流入する空気流によって、スライダは記録媒体の表面からわずかに浮上するようになっている。このスライダにおいて、一般的に、磁気ヘッドは媒体対向面における空気流出端近傍に配置される。磁気ディスク装置において、磁気ヘッドの位置決めは、例えばロータリーアクチュエータによって行なわれる。この場合、磁気ヘッドは、ロータリーアクチュエータの回転中心を中心とした円軌道に沿って記録媒体上を移動する。このような磁気ディスク装置では、磁気ヘッドのトラック横断方向の位置に応じて、スキューと呼ばれる、円形のトラックの接線に対する磁気ヘッドの傾きが生じる。
【０００５】
特に、長手磁気記録方式に比べて記録媒体への書き込み能力が高い垂直磁気記録方式の磁気ディスク装置では、上述のスキューが生じると、あるトラックへの信号の記録時に、記録対象のトラックに隣接する１以上のトラックに記録された信号が消去されたり減衰したりする現象（以下、隣接トラック消去と言う。）が生じる場合がある。高記録密度化のためには、隣接トラック消去の発生を抑制する必要がある。
【０００６】
上述のようなスキューに起因した隣接トラック消去の発生を抑制する技術としては、例えば、特許文献１ないし特許文献３に記載されているように、媒体対向面における主磁極の端面の幅を、基板の上面に近づくに従って小さくする技術が知られている。
【０００７】
スキューに起因した隣接トラック消去の発生を抑制する他の技術としては、特許文献１や、特許文献２に記載されているように、主磁極のトラック幅方向の両側に２つのサイドシールドを設ける技術が有効である。また、特許文献３に記載されているように、媒体対向面において主磁極の端面の周りを囲むように配置された端面を有するシールド（以下、ラップアラウンドシールドと言う。）を設ける技術も有効である。ラップアラウンドシールドは、主磁極に対して空気流入端側に配置された下部シールドと、主磁極に対して空気流出端側に配置された上部シールドと、主磁極のトラック幅方向の両側に配置された２つのサイドシールドとを含んでいる。これらの技術によれば、主磁極の端面より発生されてトラック幅方向に広がる磁束を取り込むことができることから、隣接トラック消去の発生を抑制することができる。
【０００８】
また、特許文献４には、主磁極の形状を以下のような形状とする技術が開示されている。この技術による主磁極は、媒体対向面から所定の距離だけ離れた位置から媒体対向面までの第１の領域において互いに反対側に配置された第１および第２の側面と、第１の領域以外の第２の領域に配置された第３および第４の側面と、第１の領域と第２の領域との境界位置に配置され、第１の側面と第３の側面とを接続する第５の側面と、第１の領域と第２の領域との境界位置に配置され、第２の側面と第４の側面とを接続する第６の側面とを有している。トラック幅方向についての第１の側面と第２の側面の間隔は、基板の上面に近づくに従って小さくなっている。第１の領域と第２の領域との境界位置において、最も基板の上面に近い位置におけるトラック幅方向についての第３の側面と第４の側面の間隔は、最も基板の上面に近い位置におけるトラック幅方向についての第１の側面と第２の側面の間隔よりも大きい。第５の側面の幅と第６の側面の幅は、いずれも、基板の上面に近づくに従って大きくなっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００５−１９０５１８号公報
【特許文献２】特開２００７−２０７４１９号公報
【特許文献３】米国特許第６，９５４，３４０Ｂ２号明細書
【特許文献４】特開２００９−２４３３５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、媒体対向面における端面の幅が基板の上面に近づくに従って小さくなる形状の主磁極に関しては、以下のような問題点がある。従来の主磁極の形成方法では、上記の形状の主磁極を形成すると、主磁極の側面の大部分が、主磁極の全周にわたって、基板の上面に垂直な方向に対して傾いた面となる。このような形状の主磁極では、主磁極の側面全体が基板の上面に対して垂直な場合に比べて、磁束の流れる方向に対して垂直な主磁極の断面積が小さくなる。この形状の主磁極では、特にトラック幅規定部と幅広部との境界の近傍の部分において多くの磁束を通過させることができなくなり、その結果、オーバーライト特性等の記録特性が低下してしまう。
【００１１】
上記の問題点に対しては、前述の特許文献４に開示された技術が有効である。この技術によれば、トラック幅規定部と幅広部との境界の近傍の部分において、磁束の流れる方向に対して垂直な主磁極の断面積が大きくなるため、多くの磁束を通過させることができる。これにより、オーバーライト特性等の記録特性を向上させることができる。
【００１２】
ここで、特許文献４に開示された技術による前述の形状の主磁極と２つのサイドシールドとを有する磁気ヘッドの構成について考える。２つのサイドシールドの各々は、主磁極の２つの側部の各々に対向する側壁を有している。２つのサイドシールドによって、主磁極の端面より発生されてトラック幅方向の両側に広がる磁束を十分に取り込めるようにするためには、媒体対向面において、主磁極の側部とサイドシールドの側壁との間隔は、小さく且つ均一であることが好ましい。
【００１３】
しかし、媒体対向面以外の広い領域において、主磁極の側部とサイドシールドの側壁とが小さな間隔で対向していると、主磁極からサイドシールドへの磁束の漏れが多くなり、オーバーライト特性等の記録特性が低下してしまう。これを防止するために、媒体対向面に垂直な方向についてのサイドシールドの寸法を小さくすると、サイドシールドの体積が小さくなって、サイドシールドの本来の機能が損なわれる。
【００１４】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、主磁極とシールドを備えた垂直磁気記録用磁気ヘッドであって、隣接トラック消去の発生の抑制と記録特性の向上を両立できるようにした垂直磁気記録用磁気ヘッドおよびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドは、
記録媒体に対向する媒体対向面と、
記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、
媒体対向面に配置された端面を有し、コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する主磁極と、
磁性材料よりなる記録シールドと、
非磁性材料よりなり、主磁極と記録シールドとの間に設けられたギャップ部と、
上面を有する基板とを備えている。
【００１６】
コイル、主磁極、記録シールドおよびギャップ部は、基板の上面の上方に配置されている。記録シールドは、第１および第２のサイドシールドと、第１および第２のサイドシールドに接する上部シールドとを含んでいる。第１および第２のサイドシールドは、媒体対向面において主磁極の端面に対してトラック幅方向の両側に配置された２つの端面を有している。上部シールドは、媒体対向面において主磁極の端面に対して記録媒体の進行方向の前側に配置された端面を有している。
【００１７】
主磁極は、トラック幅方向の両側に配置された第１および第２の側部を有している。第１のサイドシールドは、主磁極の第１の側部に面した第１の側壁を有している。第２のサイドシールドは、主磁極の第２の側部に面した第２の側壁を有している。ギャップ部は、第１および第２の側壁に接するように配置されたギャップ膜と、媒体対向面から離れた位置において、ギャップ膜と第１および第２の側部との間に配置された非磁性層とを含んでいる。
【００１８】
第１の側部は、媒体対向面から所定の距離だけ離れた位置から媒体対向面までの第１の領域に配置された第１の側面と、第１の領域以外の第２の領域に配置された第３の側面とを有している。第２の側部は、第１の領域に配置された第２の側面と、第２の領域に配置された第４の側面とを有している。非磁性層は、第１の側面と第１の側壁との間および第２の側面と第２の側壁との間には存在せず、第３の側面と第１の側壁との間および第４の側面と第２の側壁との間に存在している。トラック幅方向における第３の側面と第１の側壁の間隔は、トラック幅方向における第１の側面と第１の側壁の間隔よりも大きい。トラック幅方向における第４の側面と第２の側壁の間隔は、トラック幅方向における第２の側面と第２の側壁の間隔よりも大きい。
【００１９】
トラック幅方向における第１の側面と第２の側面の間隔は、基板の上面に近づくに従って小さくなっている。第３および第４の側面が基板の上面に垂直な方向に対してなす角度は、第１および第２の側面が基板の上面に垂直な方向に対してなす角度よりも小さい。
【００２０】
本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドにおいて、第１の領域と第２の領域の境界から媒体対向面までの距離は、８０〜６２０ｎｍの範囲内であってもよい。また、記録シールドは、更に、第１および第２のサイドシールドに接する下部シールドを含んでいてもよい。下部シールドは、媒体対向面において主磁極の端面に対して記録媒体の進行方向の後側に配置された端面を有している。
【００２１】
また、本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドにおいて、主磁極は、媒体対向面から遠ざかるに従ってトラック幅方向における第１の側部と第２の側部の間隔が大きくなる部分を含んでいてもよい。また、第１の側壁は、第１の領域内に配置された第１の壁面と、第１の壁面に対して媒体対向面から遠い位置に配置された第３の壁面とを有していてもよい。第２の側壁は、第１の領域内に配置された第２の壁面と、第２の壁面に対して媒体対向面から遠い位置に配置された第４の壁面とを有していてもよい。また、第１の領域の少なくとも一部において、トラック幅方向における第１の壁面と第２の壁面の間隔は、媒体対向面から遠ざかるに従って大きくなっていてもよい。第２の領域の少なくとも一部において、トラック幅方向における第３の壁面と第４の壁面の間隔は、媒体対向面から遠ざかるに従って大きくなっていてもよい。また、第１および第２のサイドシールドにおける基板の上面から最も遠い位置において、前記第２の領域の少なくとも一部において第３および第４の壁面が媒体対向面に垂直な方向に対してなす角度は、第１の領域の少なくとも一部において第１および第２の壁面が媒体対向面に垂直な方向に対してなす角度よりも大きくてもよい。
【００２２】
また、第１の側壁は、更に、第１の壁面と第３の壁面とを連結する第５の壁面を有し、第２の側壁は、更に、第２の壁面と第４の壁面とを連結する第６の壁面を有していてもよい。第１および第２のサイドシールドにおける基板の上面から最も遠い位置において、第５および第６の壁面が媒体対向面に垂直な方向に対してなす角度は、前記第２の領域の少なくとも一部において第３および第４の壁面が媒体対向面に垂直な方向に対してなす角度よりも大きくてもよい。
【００２３】
第１および第２のサイドシールドにおける基板の上面から最も遠い位置において、第５および第６の壁面と媒体対向面の間の最短距離は、５０〜５００ｎｍの範囲内であってもよい。
【００２４】
本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法は、
第１および第２のサイドシールドを形成する工程と、
第１および第２のサイドシールドの形成後、ギャップ膜を形成する工程と、
ギャップ膜の形成後、主磁極および非磁性層を形成する工程と、
主磁極および非磁性層の形成後、上部シールドを形成する工程と、
コイルを形成する工程とを備えている。
【００２５】
本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法において、主磁極および非磁性層を形成する工程は、
ギャップ膜の上に、開口部を有する型を形成する工程と、
型を用いて、後に主磁極になる予備主磁極を形成する工程と、
予備主磁極の形成後、型を除去する工程と、
型の除去後、第１および第２のサイドシールド、ギャップ膜および予備主磁極を覆うように、後に非磁性層になる予備非磁性層を形成する工程と、
第１および第２のサイドシールドおよび予備主磁極が露出するまで予備非磁性層を研磨する工程とを含んでいてもよい。
【００２６】
また、本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法において、記録シールドは、更に、第１および第２のサイドシールドに接する下部シールドを含み、下部シールドは、媒体対向面において主磁極の端面に対して記録媒体の進行方向の後側に配置された端面を有していてもよい。この場合、垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法は、更に、第１および第２のサイドシールドの形成前に、下部シールドを形成する工程を備え、第１および第２のサイドシールドは、下部シールドの上に形成される。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドおよびその製造方法では、主磁極において、トラック幅方向における第１の側面と第２の側面の間隔は、基板の上面に近づくに従って小さくなっている。これにより、媒体対向面における主磁極の端面の、トラック幅方向についての幅は、基板の上面に近づくに従って小さくなる。これにより、本発明によれば、隣接トラック消去の発生を抑制することができる。
【００２８】
また、本発明では、第３および第４の側面が基板の上面に垂直な方向に対してなす角度は、第１および第２の側面が基板の上面に垂直な方向に対してなす角度よりも小さい。これにより、本発明によれば、第２の領域において、磁束の流れる方向に対して垂直な主磁極の断面積を大きくすることができ、その結果、記録特性を向上させることができる。
【００２９】
また、本発明では、非磁性層は、第１の側面と第１の側壁との間および第２の側面と第２の側壁との間には存在せず、第３の側面と第１の側壁との間および第４の側面と第２の側壁との間に存在している。そして、トラック幅方向における第３の側面と第１の側壁の間隔は、トラック幅方向における第１の側面と第１の側壁の間隔よりも大きく、トラック幅方向における第４の側面と第２の側壁の間隔は、トラック幅方向における第２の側面と第２の側壁の間隔よりも大きい。これにより、本発明によれば、サイドシールドの機能を損なうことなく、主磁極からサイドシールドへの磁束の漏れを抑制することができる。以上のことから、本発明によれば、隣接トラック消去の発生の抑制と記録特性の向上を両立させることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の一実施の形態に係る磁気ヘッドにおける主磁極、２つのサイドシールド、下部シールドおよびギャップ部の媒体対向面の近傍の部分を示す斜視図である。
【図２】本発明の一実施の形態における主磁極の媒体対向面の近傍の部分を示す斜視図である。
【図３】本発明の一実施の形態における主磁極、２つのサイドシールドおよびギャップ部の媒体対向面の近傍の部分を示す平面図である。
【図４】図３の一部を拡大して示す平面図である。
【図５】本発明の一実施の形態における主磁極および２つのサイドシールドの媒体対向面に配置された端面を示す正面図である。
【図６】図４の６−６線で示す位置における断面を示す断面図である。
【図７】図４の７−７線で示す位置における断面を示す断面図である。
【図８】本発明の一実施の形態に係る磁気ヘッドの構成を示す断面図である。
【図９】本発明の一実施の形態に係る磁気ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。
【図１０】本発明の一実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す説明図である。
【図１１】図１０に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図１２】図１１に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図１３】図１２に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図１４】図１３に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図１５】図１４に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図１６】図１５に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図１ないし図９を参照して、本発明の一実施の形態に係る磁気ヘッドの構成について説明する。本実施の形態に係る磁気ヘッドは、垂直磁気記録用である。図１は、本実施の形態に係る磁気ヘッドにおける主磁極、２つのサイドシールド、下部シールドおよびギャップ部の媒体対向面の近傍の部分を示す斜視図である。図２は、本実施の形態における主磁極の媒体対向面の近傍の部分を示す斜視図である。図３は、本実施の形態における主磁極、２つのサイドシールドおよびギャップ部の媒体対向面の近傍の部分を示す平面図である。図４は、図３の一部を拡大して示す平面図である。図５は、本実施の形態における主磁極および２つのサイドシールドの媒体対向面に配置された端面を示す正面図である。図６は、図４の６−６線で示す位置における断面を示す断面図である。図７は、図４の７−７線で示す位置における断面を示す断面図である。図８は、本実施の形態に係る磁気ヘッドの構成を示す断面図である。図９は、本実施の形態に係る磁気ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。図１ないし図５および図７おいて記号ＴＷで示す矢印は、トラック幅方向を表している。図８は媒体対向面および基板の上面に垂直な断面を示している。また、図８において記号Ｔで示す矢印は、記録媒体の進行方向を表している。
【００３２】
図８に示したように、本実施の形態に係る磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面２を備えている。また、図８および図９に示したように、磁気ヘッドは、アルミニウムオキサイド・チタニウムカーバイド（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）等のセラミック材料よりなり、上面１ａを有する基板１と、この基板１の上面１ａ上に配置された絶縁材料よりなる絶縁層８１と、この絶縁層８１の上に配置されたヒーター８２と、絶縁層８１およびヒーター８２を覆うように配置された絶縁材料よりなる絶縁層８３とを備えている。絶縁層８１，８３は、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）によって形成されている。ヒーター８２は、媒体対向面２の一部を突出させるための熱を発生する。
【００３３】
磁気ヘッドは、更に、ヒーター８２に対して記録媒体の進行方向Ｔの前側（トレーリング端側）に配置された再生ヘッド部８を備えている。再生ヘッド部８は、絶縁層８３の上に配置された磁性材料よりなる第１の再生シールド層３と、第１の再生シールド層３の上に配置された絶縁膜である第１の再生シールドギャップ膜４と、この第１の再生シールドギャップ膜４の上に配置された再生素子としてのＭＲ（磁気抵抗効果）素子５と、このＭＲ素子５に接続された図示しない２つのリードと、ＭＲ素子５およびリードの上に配置された絶縁膜である第２の再生シールドギャップ膜６と、この第２の再生シールドギャップ膜６の上に配置された磁性材料よりなる第２の再生シールド層７とを有している。
【００３４】
ＭＲ素子５の一端部は、媒体対向面２に配置されている。ＭＲ素子５には、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗効果）素子、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子あるいはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることができる。ＧＭＲ素子としては、磁気的信号検出用の電流を、ＧＭＲ素子を構成する各層の面に対してほぼ平行な方向に流すＣＩＰ（Current In Plane）タイプでもよいし、磁気的信号検出用の電流を、ＧＭＲ素子を構成する各層の面に対してほぼ垂直な方向に流すＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane）タイプでもよい。
【００３５】
磁気ヘッドは、更に、再生ヘッド部８に対して記録媒体の進行方向Ｔの前側に配置された記録ヘッド部９と、再生ヘッド部８と記録ヘッド部９の間に配置された膨張層８４、センサ８５および非磁性部８６とを備えている。非磁性部８６は、非磁性材料によって形成されている。非磁性部８６の材料としては、例えばアルミナを用いることができる。
【００３６】
非磁性部８６は、非磁性層８７，８８，８９を有している。非磁性層８７は、第２の再生シールド層７の上に配置されている。膨張層８４は、非磁性層８７の上に配置されている。非磁性層８８は、膨張層８４の上に配置されている。センサ８５は、非磁性層８８の上に配置されている。非磁性層８９は、センサ８５を覆うように配置されている。
【００３７】
記録ヘッド部９は、コイルと、主磁極１５と、記録シールド１６と、ギャップ部１７とを有している。コイルは、第１の部分１０と第２の部分２０とを含んでいる。第１の部分１０と第２の部分２０は、いずれも銅等の導電材料によって形成されている。また、第１の部分１０と第２の部分２０は、いずれも平面渦巻き形状をなしている。第１の部分１０と第２の部分２０は、直列または並列に接続されている。
【００３８】
第１および第２の部分１０，２０を含むコイルは、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生する。主磁極１５は、媒体対向面２に配置された端面を有し、コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する。図８は、媒体対向面２に配置された主磁極１５の端面と交差し、媒体対向面２および基板１の上面１ａに垂直な断面を示している。
【００３９】
記録シールド１６は、媒体対向面２において主磁極１５の端面の周りを囲むように配置された端面を有している。記録シールド１６は、磁性材料によって形成されている。記録シールド１６の材料としては、例えばＣｏＦｅＮ、ＣｏＮｉＦｅ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。
【００４０】
記録シールド１６は、磁気的に連結された下部シールド１６Ａ、第１のサイドシールド１６Ｂ、第２のサイドシールド１６Ｃおよび上部シールド１６Ｄを有している。サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃは、主磁極１５のトラック幅方向ＴＷの両側に配置されている。下部シールド１６Ａは、サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃに対して記録媒体の進行方向Ｔの後側に配置されて、サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃに接している。上部シールド１６Ｄは、サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃに対して記録媒体の進行方向Ｔの前側に配置されて、サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃに接している。
【００４１】
下部シールド１６Ａは、媒体対向面２において主磁極１５の端面に対して記録媒体の進行方向Ｔの後側に配置された端面１６Ａａを有している。サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃは、媒体対向面２において主磁極１５の端面に対してトラック幅方向ＴＷの両側に配置された２つの端面１６Ｂａ，１６Ｃａを有している。上部シールド１６Ｄは、媒体対向面２において主磁極１５の端面に対して記録媒体の進行方向Ｔの前側に配置された端面１６Ｄａを有している。
【００４２】
記録ヘッド部９は、更に、第１の帰磁路部３０および第２の帰磁路部４０を有している。第１および第２の帰磁路部３０，４０は、いずれも磁性材料によって形成されている。第１および第２の帰磁路部３０，４０の材料としては、例えばＣｏＦｅＮ、ＣｏＮｉＦｅ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。第１の帰磁路部３０は、主磁極１５に対して記録媒体の進行方向Ｔの後側に配置されて記録シールド１６と主磁極１５とに接触し、記録シールド１６と主磁極１５とを磁気的に連結している。第２の帰磁路部４０は、主磁極１５に対して記録媒体の進行方向Ｔの前側に配置されて記録シールド１６と主磁極１５とに接触し、記録シールド１６と主磁極１５とを磁気的に連結している。
【００４３】
第１の帰磁路部３０は、主磁極１５に対して記録媒体の進行方向Ｔの後側に配置されたヨーク層３１と、ヨーク層３１と記録シールド１６とを連結する第１の連結部３２と、媒体対向面２から離れた位置に配置されてヨーク層３１と主磁極１５とを連結する第２の連結部３５とを含んでいる。第１の連結部３２は、磁性層３３，３４を含んでいる。第２の連結部３５は、磁性層３６，３７，３８を含んでいる。
【００４４】
ヨーク層３１は、非磁性層８９の上に配置されている。磁性層３３，３６は、いずれもヨーク層３１の上に配置されている。磁性層３３は、媒体対向面２の近傍に配置されている。磁性層３６は、磁性層３３に対して、媒体対向面２からより遠い位置に配置されている。ヨーク層３１および磁性層３３は、それぞれ、媒体対向面２に向いた端面を有し、これらの端面は、媒体対向面２から離れた位置に配置されている。
【００４５】
磁気ヘッドは、更に、ヨーク層３１の周囲において非磁性層８９の上に配置された絶縁材料よりなる絶縁層５１と、ヨーク層３１および磁性層３３，３６とコイルの第１の部分１０との間に介在する絶縁材料よりなる絶縁膜５２と、第１の部分１０の巻線間に配置された絶縁材料よりなる絶縁層５３と、磁性層３３，３６および第１の部分１０の周囲に配置された絶縁材料よりなる絶縁層５４とを備えている。第１の部分１０、磁性層３３，３６、絶縁膜５２および絶縁層５３，５４の上面は平坦化されている。絶縁層５１，５４および絶縁膜５２は、例えばアルミナによって形成されている。絶縁層５３は、例えばフォトレジストによって形成されている。第１の部分１０は、第１の帰磁路部３０の一部である磁性層３６の周りに巻かれている。
【００４６】
磁性層３４は、磁性層３３および絶縁層５４の上に配置されている。磁性層３７は、磁性層３６の上に配置されている。磁性層３４は、媒体対向面２に配置された端面を有している。磁気ヘッドは、更に、磁性層３４，３７の周囲において第１の部分１０、絶縁膜５２および絶縁層５３，５４の上面の上に配置された絶縁材料よりなる絶縁層５５を備えている。絶縁層５５は、例えばアルミナによって形成されている。磁性層３４，３７および絶縁層５５の上面は、平坦化されている。
【００４７】
下部シールド１６Ａは、磁性層３４の上に配置されている。磁性層３８は、磁性層３７の上に配置されている。磁気ヘッドは、更に、下部シールド１６Ａおよび磁性層３８の周囲において、磁性層３４の上面の一部および絶縁層５５の上面の上に配置された絶縁材料よりなる絶縁層５６を備えている。絶縁層５６は、例えばアルミナによって形成されている。
【００４８】
図２に示したように、主磁極１５は、基板１の上面１ａにより近い端部である下端部１５Ｌと、下端部１５Ｌとは反対側の上面１５Ｔと、トラック幅方向ＴＷの両側に配置された第１および第２の側部ＳＰ１，ＳＰ２とを有している。サイドシールド１６Ｂは、主磁極１５の第１の側部ＳＰ１に面した第１の側壁ＳＷ１を有している。サイドシールド１６Ｃは、主磁極１５の第２の側部ＳＰ２に面した第２の側壁ＳＷ２を有している。
【００４９】
ギャップ部１７は、非磁性材料よりなり、主磁極１５と記録シールド１６との間に設けられている。ギャップ部１７は、ギャップ膜１７Ａと非磁性層１７Ｂとギャップ層１７Ｃとを含んでいる。ギャップ膜１７Ａは、第１および第２の側壁ＳＷ１，ＳＷ２に接するように配置されている。非磁性層１７Ｂは、媒体対向面２から離れた位置において、ギャップ膜１７Ａと第１および第２の側部ＳＰ１，ＳＰ２との間に配置されている。ギャップ層１７Ｃは、少なくとも主磁極１５と上部シールド１６Ｄとの間に配置されている。
【００５０】
サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃは、下部シールド１６Ａの上に配置され、下部シールド１６Ａに接している。ギャップ膜１７Ａは、サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃの側壁ＳＷ１，ＳＷ２、下部シールド１６Ａの上面および絶縁層５６の上面に沿って配置されている。ギャップ膜１７Ａを構成する非磁性材料は、絶縁材料でもよいし、非磁性金属材料でもよい。ギャップ膜１７Ａを構成する絶縁材料としては、例えばアルミナが用いられる。ギャップ膜１７Ａを構成する非磁性金属材料としては、例えばＲｕが用いられる。ギャップ膜１７Ａには、磁性層３８の上面を露出させる開口部が形成されている。
【００５１】
主磁極１５は、下部シールド１６Ａおよび絶縁層５６の上面と主磁極１５との間にギャップ膜１７Ａが介在するように、下部シールド１６Ａおよび絶縁層５６の上に配置されている。また、図１に示したように、媒体対向面２において、主磁極１５とサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃとの間にも、ギャップ膜１７Ａが介在している。
【００５２】
媒体対向面２から離れた位置において、主磁極１５の下端部１５Ｌは、磁性層３８の上面に接している。主磁極１５は、金属磁性材料によって形成されている。主磁極１５の材料としては、例えば、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。主磁極１５の形状については、後で詳しく説明する。
【００５３】
磁気ヘッドは、更に、媒体対向面２から離れた位置において、主磁極１５の上面１５Ｔの一部の上に配置された非磁性金属材料よりなる非磁性金属層５８と、この非磁性金属層５８の上面の上に配置された絶縁材料よりなる絶縁層５９とを備えている。非磁性金属層５８は、例えばＲｕ、ＮｉＣｒまたはＮｉＣｕによって形成されている。絶縁層５９は、例えばアルミナによって形成されている。
【００５４】
ギャップ層１７Ｃは、主磁極１５、非磁性金属層５８および絶縁層５９を覆うように配置されている。ギャップ層１７Ｃの材料は、アルミナ等の非磁性絶縁材料でもよいし、Ｒｕ、ＮｉＣｕ、Ｔａ、Ｗ、ＮｉＢ、ＮｉＰ等の非磁性導電材料でもよい。
【００５５】
上部シールド１６Ｄは、サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃおよびギャップ層１７Ｃの上に配置され、サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃに接している。媒体対向面２において、上部シールド１６Ｄの端面の一部は、主磁極１５の端面に対して、ギャップ層１７Ｃの厚みによる所定の間隔を開けて配置されている。ギャップ層１７Ｃの厚みは、５〜６０ｎｍの範囲内であることが好ましく、例えば３０〜６０ｎｍの範囲内である。主磁極１５の端面は、ギャップ層１７Ｃに隣接する辺を有し、この辺はトラック幅を規定している。
【００５６】
第２の帰磁路部４０は、ヨーク層４１と磁性層４２とを含んでいる。ヨーク層４１は、媒体対向面２から離れた位置において主磁極１５の上に配置されている。磁気ヘッドは、更に、上部シールド１６Ｄおよびヨーク層４１の周囲に配置された非磁性層６１を備えている。非磁性層６１は、例えば無機絶縁材料によって形成されている。この無機絶縁材料としては、例えばアルミナまたはシリコン酸化物が用いられる。上部シールド１６Ｄ、ヨーク層４１および非磁性層６１の上面は平坦化されている。
【００５７】
磁気ヘッドは、更に、ヨーク層４１および非磁性層６１の上面の一部の上に配置された絶縁材料よりなる絶縁層６２を備えている。絶縁層６２は、例えばアルミナによって形成されている。コイルの第２の部分２０の少なくとも一部は、絶縁層６２の上に配置されている。磁気ヘッドは、更に、第２の部分２０を覆うように配置された絶縁材料よりなる絶縁層６３を備えている。絶縁層６３は、例えばフォトレジストによって形成されている。
【００５８】
磁性層４２は、上部シールド１６Ｄ、ヨーク層４１および絶縁層６３の上に配置され、上部シールド１６Ｄとヨーク層４１とを接続している。また、磁性層４２は、媒体対向面２に配置された端面を有している。第２の部分２０は、第２の帰磁路部４０の一部である磁性層４２のうち、ヨーク層４１の上に配置された部分の周りに巻かれている。
【００５９】
磁気ヘッドは、更に、非磁性材料よりなり、磁性層４２および絶縁層６２，６３を覆うように配置された保護層７０を備えている。保護層７０は、例えば、アルミナ等の無機絶縁材料によって形成されている。
【００６０】
以上説明したように、本実施の形態に係る磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面２と再生ヘッド部８と記録ヘッド部９とを備えている。再生ヘッド部８と記録ヘッド部９は、基板１の上に積層されている。記録ヘッド部９は、再生ヘッド部８に対して、記録媒体の進行方向Ｔの前側（トレーリング端側）に配置されている。
【００６１】
記録ヘッド部９は、第１の部分１０および第２の部分２０を含むコイルと、主磁極１５と、記録シールド１６と、ギャップ部１７と、第１および第２の帰磁路部３０，４０とを有している。記録シールド１６は、下部シールド１６Ａと、２つのサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃと、上部シールド１６Ｄとを有している。ギャップ部１７は、ギャップ膜１７Ａと非磁性層１７Ｂとギャップ層１７Ｃとを含んでいる。
【００６２】
第１の帰磁路部３０は、ヨーク層３１と第１および第２の連結部３２，３５とを含んでいる。ヨーク層３１は、主磁極１５に対して記録媒体の進行方向Ｔの後側に配置されている。第１の連結部３２は、磁性層３３，３４を含んでいる。第２の連結部３５は、磁性層３６，３７，３８を含んでいる。図８に示したように、第１の帰磁路部３０は、主磁極１５、ギャップ部１７（ギャップ膜１７Ａ）、記録シールド１６および第１の帰磁路部３０によって囲まれた第１の空間Ｓ１０が形成されるように、記録シールド１６と主磁極１５とを接続し、これにより、記録シールド１６と主磁極１５とを磁気的に連結している。コイルの第１の部分１０は、第１の空間Ｓ１０を通過している。
【００６３】
第２の帰磁路部４０は、ヨーク層４１と磁性層４２とを含んでいる。図８に示したように、第２の帰磁路部４０は、主磁極１５、ギャップ部１７（ギャップ層１７Ｃ）、記録シールド１６および第２の帰磁路部４０によって囲まれた第２の空間Ｓ２０が形成されるように、記録シールド１６と主磁極１５とを接続し、これにより、記録シールド１６と主磁極１５とを磁気的に連結している。コイルの第２の部分２０は、第２の空間Ｓ２０を通過している。
【００６４】
本実施の形態に係る磁気ヘッドは、更に、ヒーター８２と、膨張層８４と、センサ８５と、非磁性部８６とを備えている。膨張層８４、センサ８５および非磁性部８６は、再生ヘッド部８と記録ヘッド部９の間に配置されている。ヒーター８２は、膨張層８４およびセンサ８５に対して、記録媒体の進行方向Ｔの後側（リーディング端側）に配置されている。非磁性部８６は、膨張層８４およびセンサ８５の周囲に配置されている。
【００６５】
以下、ヒーター８２、膨張層８４およびセンサ８５について詳しく説明する。ヒーター８２および膨張層８４は、再生ヘッド部８および記録ヘッド部９と記録媒体の表面との間の距離を小さくするために、媒体対向面２の一部を突出させるためのものである。ヒーター８２は、通電されることによって、媒体対向面２の一部を突出させるための熱を発生する。膨張層８４は、ヒーター８２によって発生された熱を受けて膨張して、媒体対向面２の一部を突出させる。
【００６６】
膨張層８４は、非磁性部８６に比べて、熱伝導率および線熱膨張係数が大きい材料によって形成されている。膨張層８４の材料としては、金属材料を用いることができる。膨張層８４を構成する金属材料は、非磁性金属材料でもよいし、磁性金属材料でもよい。膨張層８４を構成する非磁性金属材料としては、例えばＡｌ、Ｃｕ、Ａｕのいずれかを用いることができる。膨張層８４を構成する磁性金属材料としては、例えばＣｏＦｅＮ、ＣｏＮｉＦｅ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。
【００６７】
磁気ヘッドの構成要素は、ヒーター８２によって発生された熱を受けて膨張する。特に、膨張層８４は、その周囲に配置された非磁性部８６に比べて、熱伝導率が大きい材料によって形成されている。そのため、膨張層８４では、非磁性部８６に比べて、ヒーター８２によって発生された熱が速やかに均一に分布する。また、膨張層８４は、非磁性部８６に比べて、線熱膨張係数が大きい材料によって形成されている。そのため、膨張層８４は、ヒーター８２によって発生された熱を受けて、非磁性部８６に比べて、速やかに、且つ大きく膨張して、媒体対向面２の一部を突出させる。これにより、再生ヘッド部８および記録ヘッド部９と記録媒体の表面との間の距離が小さくなる。
【００６８】
センサ８５は、媒体対向面２の一部が記録媒体に接触したことを検出するためのものである。センサ８５は、媒体対向面２の一部が記録媒体に接触したときに自身の温度変化によって抵抗値が変化する抵抗体である。センサ８５の材料としては、温度変化に対する抵抗値の変化の割合、すなわち抵抗の温度係数がある程度大きい金属材料や半導体材料が用いられる。具体的には、センサ８５の材料としては、例えば、ＮｉＦｅ、Ｗ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔのいずれかを用いることができる。
【００６９】
媒体対向面２の一部が記録媒体に接触すると、接触による摩擦熱によって、媒体対向面２のうち、記録媒体に接触した部分およびその近傍の部分の温度が上昇する。このような温度の上昇に伴って、センサ８５自身の温度も上昇する。その結果、センサ８５の抵抗値が変化する。そのため、センサ８５に接続された図示しない２つのリードを介してセンサ８５の抵抗値を測定することによって、媒体対向面２の一部が記録媒体に接触したことを検出することができる。
【００７０】
以下、図１ないし図４を参照して、主磁極１５、サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃ、ギャップ膜１７Ａおよび非磁性層１７Ｂについて詳しく説明する。前述のように、主磁極１５は、下端部１５Ｌと上面１５Ｔと第１および第２の側部ＳＰ１，ＳＰ２とを有している。
【００７１】
図２に示したように、下端部１５Ｌは、媒体対向面２に配置された第１の端縁とその反対側の第２の端縁とを有する第１の部分１５Ｌ１と、この第１の部分１５Ｌ１よりも媒体対向面２から遠い位置に配置され、第２の端縁において第１の部分１５Ｌ１に接続された第２の部分１５Ｌ２とを含んでいる。第１の部分１５Ｌ１の少なくとも一部における任意の位置の基板１の上面１ａからの距離は、この任意の位置が媒体対向面２に近づくに従って大きくなっている。第２の部分１５Ｌ２は、実質的に媒体対向面２に垂直な方向に延在している。第１の部分１５Ｌ１の少なくとも一部が媒体対向面２に垂直な方向に対してなす角度は、例えば１２°〜４５°の範囲内である。なお、第１の部分１５Ｌ１は、媒体対向面２に垂直な方向に対してなす角度が互いに異なる２つの部分を有していてもよい。
【００７２】
上面１５Ｔは、媒体対向面２に配置された第１の端縁とその反対側の第２の端縁とを有する第１の部分１５Ｔ１と、この第１の部分１５Ｔ１よりも媒体対向面２から遠い位置に配置され、第２の端縁において第１の部分１５Ｔ１に接続された第２の部分１５Ｔ２とを含んでいる。第１の部分１５Ｔ１における任意の位置の基板１の上面１ａからの距離は、この任意の位置が媒体対向面２に近づくに従って小さくなっている。第２の部分１５Ｔ２は、実質的に媒体対向面２に垂直な方向に延在している。第１の部分１５Ｔ１が媒体対向面２に垂直な方向に対してなす角度は、例えば１２°〜４５°の範囲内である。なお、第１の部分１５Ｔ１は、媒体対向面２に垂直な方向に対してなす角度が互いに異なる２つの部分を有していてもよい。
【００７３】
第１の側部ＳＰ１は、第１の側面Ｓ１、第３の側面Ｓ３および第５の側面Ｓ５を含んでいる。第２の側部ＳＰ２は、第２の側面Ｓ２、第４の側面Ｓ４および第６の側面Ｓ６を含んでいる。第１および第２の側面Ｓ１，Ｓ２は、媒体対向面２から所定の距離だけ離れた位置から媒体対向面２までの第１の領域Ｒ１に配置されている。第３および第４の側面Ｓ３，Ｓ４は、第１の領域Ｒ１以外の第２の領域Ｒ２に配置されている。第５の側面Ｓ５は、第１の領域Ｒ１と第２の領域Ｒ２との境界位置に配置され、第１の側面Ｓ１と第３の側面Ｓ３とを接続している。第６の側面Ｓ６は、第１の領域Ｒ１と第２の領域Ｒ２との境界位置に配置され、第２の側面Ｓ２と第４の側面Ｓ４とを接続している。図２および図４では、領域Ｒ１と領域Ｒ２の境界を二点鎖線で示している。領域Ｒ１と領域Ｒ２の境界から媒体対向面２までの距離Ｄ１（図４参照）は、８０〜６２０ｎｍの範囲内であることが好ましく、１２０〜２３０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。
【００７４】
トラック幅方向ＴＷにおける第１の側面Ｓ１と第２の側面Ｓ２の間隔は、基板１の上面１ａに近づくに従って小さくなっている。これにより、媒体対向面２における主磁極１５の端面の、トラック幅方向ＴＷについての幅は、基板１の上面１ａに近づくに従って小さくなる。第１の側面Ｓ１が基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度θＳ１と、第２の側面Ｓ２が基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度θＳ２は、例えば７°〜１７°の範囲内であり、１０°〜１５°の範囲内であることが好ましい。第３および第４の側面Ｓ３，Ｓ４が基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度は、角度θＳ１，θＳ２よりも小さい。
【００７５】
ここで、トラック幅方向ＴＷについての側面Ｓ３，Ｓ４の間隔が基板１の上面１ａに近づくに従って小さくなる場合には、側面Ｓ３，Ｓ４の各々が基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度を正の値で表し、トラック幅方向ＴＷについての側面Ｓ３，Ｓ４の間隔が基板１の上面１ａに近づくに従って大きくなる場合には、側面Ｓ３，Ｓ４の各々が基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度を負の値で表す。この場合、側面Ｓ３，Ｓ４の各々が基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度は、例えば−７°〜７°の範囲内であり、−７°〜０°の範囲内であることが好ましい。図７に示した例では、側面Ｓ３，Ｓ４が基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度は０°である。
【００７６】
第１の領域Ｒ１と第２の領域Ｒ２との境界位置において、最も主磁極１５の下端部１５Ｌに近い位置におけるトラック幅方向ＴＷについての側面Ｓ３，Ｓ４の間隔は、最も下端部１５Ｌに近い位置におけるトラック幅方向ＴＷについての側面Ｓ１，Ｓ２の間隔よりも大きい。第５の側面Ｓ５の幅と第６の側面Ｓ６の幅は、いずれも、下端部１５Ｌに近づくに従って大きくなっている。
【００７７】
主磁極１５は、媒体対向面２から遠ざかるに従ってトラック幅方向ＴＷにおける第１の側部ＳＰ１と第２の側部ＳＰ２の間隔が大きくなる部分を含んでいる。図４に示した例では、第１の領域Ｒ１の少なくとも一部において、トラック幅方向ＴＷにおける第１の側面Ｓ１と第２の側面Ｓ２の間隔は、媒体対向面２から遠ざかるに従って大きくなっている。また、第２の領域Ｒ２において、トラック幅方向ＴＷにおける第３の側面Ｓ３と第４の側面Ｓ４の間隔は、媒体対向面２から遠ざかるに従って大きくなっている。
【００７８】
図４に示したように、サイドシールド１６Ｂは第１の側壁ＳＷ１を有し、サイドシールド１６Ｃは第２の側壁ＳＷ２を有している。ギャップ膜１７Ａは、第１および第２の側壁ＳＷ１，ＳＷ２に接するように配置されている。ギャップ膜１７Ａの厚みは、３０〜１２０ｎｍの範囲内であることが好ましく、５０〜８０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。
【００７９】
非磁性層１７Ｂは、媒体対向面２から離れた位置において、ギャップ膜１７Ａと第１および第２の側部ＳＰ１，ＳＰ２との間に配置されている。非磁性層１７Ｂは、第１の側面Ｓ１と第１の側壁ＳＷ１との間および第２の側面Ｓ２と第２の側壁ＳＷ２との間には存在せず、第３の側面Ｓ３と第１の側壁ＳＷ１との間および第４の側面Ｓ４と第２の側壁ＳＷ２との間に存在している。トラック幅方向ＴＷにおける第３の側面Ｓ３と第１の側壁ＳＷ１の間隔は、トラック幅方向ＴＷにおける第１の側面Ｓ１と第１の側壁ＳＷ１の間隔よりも大きい。また。トラック幅方向ＴＷにおける第４の側面Ｓ４と第２の側壁ＳＷ２の間隔は、トラック幅方向ＴＷにおける第２の側面Ｓ２と第２の側壁ＳＷ２の間隔よりも大きい。
【００８０】
第１の側壁ＳＷ１は、第１の領域Ｒ１内に配置された第１の壁面Ｆ１と、第１の壁面Ｆ１に対して媒体対向面２から遠い位置に配置された第３の壁面Ｆ３と、第１の壁面Ｆ１と第３の壁面Ｆ３とを連結する第５の壁面Ｆ５とを有している。第２の側壁ＳＷ２は、第１の領域Ｒ１内に配置された第２の壁面Ｆ２と、第２の壁面Ｆ２に対して媒体対向面２から遠い位置に配置された第４の壁面Ｆ４と、第２の壁面Ｆ２と第４の壁面Ｆ４とを連結する第６の壁面Ｆ６とを有している。
【００８１】
第１の領域Ｒ１の少なくとも一部において、トラック幅方向ＴＷにおける第１の壁面Ｆ１と第２の壁面Ｆ２の間隔は、媒体対向面２から遠ざかるに従って大きくなっている。また、第２の領域Ｒ２の少なくとも一部において、トラック幅方向ＴＷにおける第３の壁面Ｆ３と第４の壁面Ｆ４の間隔は、媒体対向面２から遠ざかるに従って大きくなっている。
【００８２】
図４に示したように、第１および第２のサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃにおける基板１の上面１ａから最も遠い位置において、前記第２の領域Ｒ２の少なくとも一部において第３の壁面Ｆ３が媒体対向面２に垂直な方向に対してなす角度θＦ３および前記第２の領域Ｒ２の少なくとも一部において第４の壁面Ｆ４が媒体対向面２に垂直な方向に対してなす角度θＦ４は、前記第１の領域Ｒ１の少なくとも一部において第１の壁面Ｆ１が媒体対向面２に垂直な方向に対してなす角度θＦ１および前記第１の領域Ｒ１の少なくとも一部において第２の壁面Ｆ２が媒体対向面２に垂直な方向に対してなす角度θＦ２よりも大きい。第３の側面Ｓ３が媒体対向面２に垂直な方向に対してなす角度はθＦ１と等しく、第４の側面Ｓ４が媒体対向面２に垂直な方向に対してなす角度はθＦ２と等しい。
【００８３】
また、第１および第２のサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃにおける基板１の上面１ａから最も遠い位置において、第５および第６の壁面Ｆ５，Ｆ６が媒体対向面２に垂直な方向に対してなす角度は、角度θＦ３，θＦ４よりも大きい。図４に示した例では、第１および第２のサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃにおける基板１の上面１ａから最も遠い位置において、第５および第６の壁面Ｆ５，Ｆ６が媒体対向面２に垂直な方向に対してなす角度は９０°である。
【００８４】
第１および第２のサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃにおける基板１の上面１ａから最も遠い位置において、第５および第６の壁面Ｆ５，Ｆ６と媒体対向面２の間の最短距離Ｄ２（図４参照）は、５０〜５００ｎｍの範囲内であることが好ましく、７０〜１５０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。
【００８５】
図３に示したように、第１の側壁ＳＷ１は、更に、第３の壁面Ｆ３に対して媒体対向面２から遠い位置に配置された第７の壁面Ｆ７と、第３の壁面Ｆ３と第７の壁面Ｆ７とを連結する第９の壁面Ｆ９とを有している。第２の側壁ＳＷ２は、更に、第４の壁面Ｆ４に対して媒体対向面２から遠い位置に配置された第８の壁面Ｆ８と、第４の壁面Ｆ４と第８の壁面Ｆ８とを連結する第１０の壁面Ｆ１０とを有している。
【００８６】
トラック幅方向ＴＷにおける第７の壁面Ｆ７と第１の側部ＳＰ１の間隔は、トラック幅方向ＴＷにおける第３の壁面Ｆ３と第１の側部ＳＰ１の間隔よりも大きい。また、トラック幅方向ＴＷにおける第８の壁面Ｆ８と第２の側部ＳＰ２の間隔は、トラック幅方向ＴＷにおける第４の壁面Ｆ４と第２の側部ＳＰ２の間隔よりも大きい。
【００８７】
第１および第２のサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃにおける基板１の上面１ａから最も遠い位置において、第７および第８の壁面Ｆ７，Ｆ８が媒体対向面２に垂直な方向に対してなす角度は例えば角度θＦ３，θＦ４と等しく、第９および第１０の壁面Ｆ９，Ｆ１０が媒体対向面２に垂直な方向に対してなす角度は例えば９０°である。
【００８８】
次に、本実施の形態に係る磁気ヘッドの作用および効果について説明する。この磁気ヘッドでは、記録ヘッド部９によって記録媒体に情報を記録し、再生ヘッド部８によって、記録媒体に記録されている情報を再生する。記録ヘッド部９において、第１の部分１０および第２の部分２０を含むコイルは、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生する。第１の部分１０によって発生された磁界に対応する磁束は、第１の帰磁路部３０と主磁極１５を通過する。第２の部分２０によって発生された磁界に対応する磁束は、第２の帰磁路部４０と主磁極１５を通過する。第１の部分１０と第２の部分２０は、主磁極１５において、第１の部分１０によって発生された磁界に対応する磁束と第２の部分２０によって発生された磁界に対応する磁束が同じ方向に流れるように、直列または並列に接続されている。
【００８９】
主磁極１５は、第１の部分１０によって発生された磁界に対応する磁束と第２の部分２０によって発生された磁界に対応する磁束とを通過させて、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する。
【００９０】
記録シールド１６は、磁気ヘッドの外部から磁気ヘッドに印加された外乱磁界を取り込む。これにより、外乱磁界が主磁極１５に集中して取り込まれることによって記録媒体に対して誤った記録が行なわれることを防止することができる。また、記録シールド１６は、主磁極１５の端面より発生されて記録媒体の面に垂直な方向以外の方向に広がる磁束を取り込んで、この磁束が記録媒体に達することを阻止する機能を有している。
【００９１】
また、記録シールド１６と第１および第２の帰磁路部３０，４０は、主磁極１５の端面より発生されて、記録媒体を磁化した磁束を還流させる機能を有している。具体的に説明すると、主磁極１５の端面より発生されて、記録媒体を磁化した磁束の一部は、記録シールド１６と第１の帰磁路部３０を通過して主磁極１５に還流する。また、主磁極１５の端面より発生されて、記録媒体を磁化した磁束の他の一部は、記録シールド１６と第２の帰磁路部４０を通過して主磁極１５に還流する。
【００９２】
記録シールド１６は、下部シールド１６Ａと、２つのサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃと、上部シールド１６Ｄとを有している。これにより、本実施の形態によれば、主磁極１５の端面に対して記録媒体の進行方向Ｔの前側および後側ならびにトラック幅方向ＴＷの両側において、主磁極１５の端面より発生されて記録媒体の面に垂直な方向以外の方向に広がる磁束を取り込んで、この磁束が記録媒体に達することを抑制することができる。その結果、本実施の形態によれば、スキューに起因した隣接トラック消去の発生を抑制することができる。下部シールド１６Ａおよび上部シールド１６Ｄは、スキューに起因した隣接トラック消去の発生を抑制することに寄与する他に、記録磁界の勾配を大きくすることに寄与する。サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃは、特に隣接トラック消去を抑制することへの寄与が大きい。このような記録シールド１６の機能により、本実施の形態によれば、記録密度を高めることができる。
【００９３】
また、本実施の形態では、主磁極１５において、トラック幅方向ＴＷにおける第１の側面Ｓ１と第２の側面Ｓ２の間隔は、基板１の上面１ａに近づくに従って小さくなっている。これにより、媒体対向面２における主磁極１５の端面の、トラック幅方向ＴＷについての幅は、基板１の上面１ａに近づくに従って小さくなる。本実施の形態によれば、この特徴によっても、スキューに起因した隣接トラック消去の発生を抑制することができる。
【００９４】
また、本実施の形態では、媒体対向面２において、トラック幅方向ＴＷにおけるサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃの壁面Ｆ１，Ｆ２の間隔は、主磁極１５の側面Ｓ１，Ｓ２の間隔と同様に、基板１の上面１ａに近づくに従って小さくなっている。従って、本実施の形態によれば、媒体対向面２において、側面Ｓ１と壁面Ｆ１との間隔、ならびに側面Ｓ２と壁面Ｆ２との間隔を、小さく、且つ均一にすることが可能になる。これにより、サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃによって、主磁極１５の端面より発生されてトラック幅方向ＴＷの両側に広がる磁束を、効果的に取り込むことができる。その結果、本実施の形態によれば、特にサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃの機能を高めることが可能になり、スキューに起因した隣接トラック消去の発生をより効果的に抑制することが可能になる。
【００９５】
また、本実施の形態では、主磁極１５の下端部１５Ｌは、第１および第２の部分１５Ｌ１，１５Ｌ２を含んでいる。主磁極１５の上面１５Ｔは、第１および第２の部分１５Ｔ１，１５Ｔ２を含んでいる。第１の部分１５Ｌ１の少なくとも一部における任意の位置の基板１の上面１ａからの距離は、この任意の位置が媒体対向面２に近づくに従って大きくなっていると共に、第１の部分１５Ｔ１における任意の位置の基板１の上面１ａからの距離は、この任意の位置が媒体対向面２に近づくに従って小さくなっている。これにより、スキューに起因した隣接トラック消去の発生を抑制することができ、且つ主磁極１５によって多くの磁束を媒体対向面２まで導くことにより記録特性（オーバーライト特性）を向上させることができる。
【００９６】
また、本実施の形態では、主磁極１５の第３および第４の側面Ｓ３，Ｓ４が基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度は、主磁極１５の第１および第２の側面Ｓ１，Ｓ２が基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度θＳ１，θＳ２よりも小さい。これにより、側面Ｓ３，Ｓ４が基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度がθＳ１，θＳ２と等しい場合に比べて、第２の領域Ｒ２において、磁束の流れる方向に対して垂直な主磁極１５の断面積を大きくすることができる。そのため、本実施の形態によれば、主磁極１５において多くの磁束を通過させることができ、その結果、オーバーライト特性等の記録特性を向上させることができる。
【００９７】
ところで、媒体対向面２以外の広い領域において、主磁極１５の側部ＳＰ１，ＳＰ２とサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃの側壁ＳＷ１，ＳＷ２が小さな間隔で対向していると、主磁極１５からサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃへの磁束の漏れが多くなり、オーバーライト特性等の記録特性が低下してしまう。これを防止するために、媒体対向面２に垂直な方向についてのサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃの寸法を小さくすると、サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃの体積が小さくなって、サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃの本来の機能が損なわれる。
【００９８】
これに対し、本実施の形態では、ギャップ部１７の一部である非磁性層１７Ｂは、第１の側面Ｓ１と第１の側壁ＳＷ１との間および第２の側面Ｓ２と第２の側壁ＳＷ２との間には存在せず、第３の側面Ｓ３と第１の側壁ＳＷ１との間および第４の側面Ｓ４と第２の側壁ＳＷ２との間に存在している。そして、トラック幅方向ＴＷにおける第３の側面Ｓ３と第１の側壁ＳＷ１の間隔は、トラック幅方向ＴＷにおける第１の側面Ｓ１と第１の側壁ＳＷ１の間隔よりも大きい。同様に、トラック幅方向ＴＷにおける第４の側面Ｓ４と第２の側壁ＳＷ２の間隔は、トラック幅方向ＴＷにおける第２の側面Ｓ２と第２の側壁ＳＷ２の間隔よりも大きい。これにより、本実施の形態によれば、サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃの体積を小さくすることなく、主磁極１５の側部ＳＰ１，ＳＰ２とサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃの側壁ＳＷ１，ＳＷ２が、ギャップ膜１７Ａの厚みに相当する小さな間隔で対向する領域を小さくすることができる。その結果、サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃの機能を損なうことなく、主磁極１５からサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃへの磁束の漏れを抑制することができる。
【００９９】
また、本実施の形態では、前述のように、図４に示した角度θＦ３，θＦ４が、角度θＦ１，θＦ２よりも大きい。これにより、トラック幅方向ＴＷにおける第３の側面Ｓ３と第３の壁面Ｆ３の間隔と、トラック幅方向ＴＷにおける第４の側面Ｓ４と第４の壁面Ｆ４の間隔は、それぞれ、媒体対向面２から遠ざかるに従って大きくなる。これにより、主磁極１５からサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃへの磁束の漏れを、より確実に抑制することができる。
【０１００】
以上のことから、本実施の形態によれば、隣接トラック消去の発生の抑制と記録特性の向上を両立させることができる。
【０１０１】
次に、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法について説明する。本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法では、まず、図８および図９に示したように、基板１の上に、絶縁層８１、ヒーター８２、絶縁層８３、第１の再生シールド層３、第１の再生シールドギャップ膜４を順に形成する。次に、第１の再生シールドギャップ膜４の上にＭＲ素子５と、このＭＲ素子５に接続された図示しない２つのリードとを形成する。次に、ＭＲ素子５およびリードを覆うように第２の再生シールドギャップ膜６を形成する。次に、第２の再生シールドギャップ膜６の上に第２の再生シールド層７を形成する。次に、第２の再生シールド層７の上に、非磁性層８７、膨張層８４、非磁性層８８、センサ８５および非磁性層８９を順に形成する。
【０１０２】
次に、例えばフレームめっき法によって、非磁性層８９の上にヨーク層３１を形成する。次に、積層体の上面全体の上に絶縁層５１を形成する。次に、例えば化学機械研磨（以下、ＣＭＰと記す。）によって、ヨーク層３１が露出するまで、絶縁層５１を研磨して、ヨーク層３１および絶縁層５１の上面を平坦化する。
【０１０３】
次に、例えばフレームめっき法によって、ヨーク層３１の上に磁性層３３，３６を形成する。次に、後にコイルの第１の部分１０が配置される予定の領域において、ヨーク層３１の上面および磁性層３３，３６の壁面に沿って絶縁膜５２を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、絶縁膜５２の上に第１の部分１０を形成する。次に、第１の部分１０の巻線間に絶縁層５３を形成する。次に、積層体の上面全体の上に、絶縁層５４を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第１の部分１０および磁性層３３，３６が露出するまで絶縁層５４を研磨して、第１の部分１０、磁性層３３，３６、絶縁膜５２および絶縁層５３，５４の上面を平坦化する。
【０１０４】
次に、例えばフレームめっき法によって、磁性層３３および絶縁層５４の上に磁性層３４を形成し、磁性層３６の上に磁性層３７を形成する。次に、積層体の上面全体の上に、絶縁層５５を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、磁性層３４，３７が露出するまで絶縁層５５を研磨して、磁性層３４，３７および絶縁層５５の上面を平坦化する。
【０１０５】
次に、図１０ないし図１６を参照して、上記の工程の後、主磁極１５の上面１５Ｔの形状を決定する工程までの一連の工程について説明する。これらの図は、磁気ヘッドの製造過程における積層体を示している。図１０ないし図１５において、（ａ）は、それぞれ、積層体の一部の上面を示している。図１０ないし図１５において、（ｂ）は、それぞれ、積層体における媒体対向面２が形成される予定の位置における断面を示している。図１０ないし図１５において、（ｃ）は、それぞれ、媒体対向面２が形成される予定の位置に平行な断面を示している。図１０ないし図１５の（ａ）において、ｎＣ−ｎＣ線（ｎは１０以上１５以下の整数）は、図１０ないし図１５の（ｃ）における断面の位置を示している。図１６（ａ）は、積層体における媒体対向面２が形成される予定の位置における断面を示している。図１６（ｂ）は、積層体における媒体対向面２および基板１の上面１ａに垂直な断面を表している。なお、図１０ないし図１６では、下部シールド１６Ａよりも基板１側の部分を省略している。また、図１０ないし図１５における（ａ）および図１６（ｂ）において、記号“ＡＢＳ”は、媒体対向面２が形成される予定の位置を表している。
【０１０６】
図１０は、磁性層３４，３７および絶縁層５５の上面を平坦化した後の工程を示している。この工程では、まず、例えばフレームめっき法によって、磁性層３４の上に下部シールド１６Ａを形成し、磁性層３７の上に磁性層３８を形成する。次に、積層体の上面全体の上に、絶縁層５６を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、下部シールド１６Ａおよび磁性層３８が露出するまで絶縁層５６を研磨して、下部シールド１６Ａ、磁性層３８および絶縁層５６の上面を平坦化する。
【０１０７】
次に、下部シールド１６Ａの上に、サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃを形成する。以下、サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃの形成方法の一例について説明する。この方法では、まず、ポジ型のフォトレジストよりなるフォトレジスト層をフォトリソグラフィによってパターニングすることによって、下部シールド１６Ａの上面上であって、後にサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃが形成される領域に、第１のレジスト層を形成する。第１のレジスト層は、後に形成されるサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃの形状に対応した形状を有する２つの部分を有している。次に、第１のレジスト層を覆うように、非磁性材料よりなる分離膜を形成する。分離膜は、ポジ型のフォトレジストよりなる第１のレジスト層と、後に形成されるネガ型のフォトレジストよりなるフォトレジスト層とが混合されることを防止するためのものである。分離膜の材料としては、例えばアルミナまたは合成樹脂が用いられる。
【０１０８】
次に、ネガ型のフォトレジストよりなるフォトレジスト層をフォトリソグラフィによってパターニングすることによって、分離膜の上に、後に型になる第２のレジスト層を形成する。第２のレジスト層は、後に形成されるサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃの形状に対応した形状の２つの開口部を有している。次に、例えばウェットエッチングによって、分離膜のうち、第２のレジスト層によって覆われていない部分を除去する。次に、第１および第２のレジスト層を露光した後、例えばアルカリ性の現像液を用いて、第２のレジスト層の２つの開口部から第１のレジスト層を除去する。また、第１のレジスト層を除去する際または第１のレジスト層を除去した後に、分離膜のうち、第２のレジスト層の２つの開口部の壁面に沿った部分を除去する。この工程により、第２のレジスト層は、後にサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃが形成される領域を除く領域に形成された型になる。次に、シード層を形成することなくめっきを行って、下部シールド１６Ａの上面上に、サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃを形成する。サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃは、それぞれ、型の２つの開口部内に形成される。次に、型と分離膜を除去する。図１０は、このようにして形成されたサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃを示している。
【０１０９】
図１１は、次の工程を示す。この工程では、まず、下部シールド１６Ａおよびサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃの上に、図示しないエッチングマスクを形成する。このエッチングマスクは、フォトレジスト層をパターニングして形成される。次に、上記エッチングマスクを用いて、絶縁層５６をエッチングする。このエッチングは、エッチングによって形成される底部が、当初の絶縁層５６の上面と下面の間の高さの位置に達するまで行う。また、このエッチングは、例えば反応性イオンエッチングを用いて行われる。次に、エッチングマスクを除去する。次に、例えばイオンビームエッチングを用いて、媒体対向面２が形成される予定の位置ＡＢＳの近傍において、下部シールド１６Ａの上面の一部をエッチングする。これにより、下部シールド１６Ａの上面は、図８に示したような斜面になる。図１１は、このエッチング後の下部シールド１６Ａおよびサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃを示している。このエッチングによって、サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃの側壁ＳＷ１，ＳＷ２の形状が決定される。
【０１１０】
図１２は、次の工程を示す。この工程では、下部シールド１６Ａおよびサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃを覆うようにギャップ膜１７Ａを形成する。ギャップ膜１７Ａの材料としてアルミナを用いる場合には、例えば原子層堆積法によって、ギャップ膜１７Ａを形成する。ギャップ膜１７Ａの材料としてＲｕを用いる場合には、例えば化学的気相成長法によって、ギャップ膜１７Ａを形成する。
【０１１１】
図１３は、次の工程を示す。この工程では、まず、ギャップ膜１７Ａに、磁性層３８の上面を露出させる開口部を形成する。次に、ギャップ膜１７Ａの上に、開口部１０１ａを有する型１０１を形成する。型１０１は、フォトレジスト層をパターニングして形成される。
【０１１２】
次に、型１０１を用いて、例えばめっき法によって、型１０１の開口部１０１ａ内に、後に主磁極１５になる予備主磁極１５Ｐを形成する。予備主磁極１５Ｐは、その上面がサイドシールド１６Ｂ，１６Ｂの上面よりも上方に配置されるように形成される。
【０１１３】
図１３（ａ）および（ｂ）に示したように、第１の領域Ｒ１では、トラック幅方向（左右方向）についての開口部１０１ａの幅は、後に形成される主磁極１５の第１および第２の側面Ｓ１，Ｓ２のトラック幅方向についての最大の間隔よりも大きい。そのため、第１の領域Ｒ１では、予備主磁極１５Ｐは、サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃの側壁ＳＷ１，ＳＷ２と予備主磁極１５Ｐとの間にギャップ膜１７Ａが介在するように形成される。従って、主磁極１５の第１および第２の側面Ｓ１，Ｓ２の形状は、サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃの側壁ＳＷ１，ＳＷ２とギャップ膜１７Ａとによって決定される。
【０１１４】
一方、図１３（ａ）および（ｃ）に示したように、第２の領域Ｒ２では、開口部１０１ａの側壁は、ギャップ膜１７Ａのうちサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃの側壁ＳＷ１，ＳＷ２上に存在する部分から離れた位置にある。第２の領域Ｒ２における開口部１０１ａの側壁の位置は、後に形成される主磁極１５の第３および第４の側面Ｓ３，Ｓ４の位置と一致している。そのため、第２の領域Ｒ２では、予備主磁極１５Ｐは、サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃの側壁ＳＷ１，ＳＷ２と予備主磁極１５Ｐとの間に、ギャップ膜１７Ａおよび型１０１が介在するように形成される。従って、主磁極１５の第３ないし第６の側面Ｓ３〜Ｓ６の形状は、型１０１によって形成される。
【０１１５】
図１４は、次の工程を示す。この工程では、まず、型１０１を除去する。次に、サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃ、ギャップ膜１７Ａおよび予備主磁極１５Ｐを覆うように、後に非磁性層１７Ｂになる予備非磁性層１０２を形成する。
【０１１６】
図１５は、次の工程を示す。この工程では、例えばＣＭＰによって、予備主磁極１５Ｐおよびサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃが露出するまで予備非磁性層１０２を研磨する。この工程の後では、領域Ｒ２において、ギャップ膜１７Ａのうちサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃの側壁ＳＷ１，ＳＷ２上に存在する部分と予備主磁極１５Ｐとの間に、予備非磁性層１０２が残る。この残った予備非磁性層１０２が非磁性層１７Ｂになる。
【０１１７】
図１６は、次の工程を示す。この工程では、まず、予備主磁極１５Ｐおよびサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃの上に、後に非磁性金属層５８になる第１のマスク層と、後に絶縁層５９になる第２のマスク層とを形成する。次に、第１および第２のマスク層をエッチングマスクとして、例えばイオンビームエッチングによって、予備主磁極１５Ｐおよびサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃのそれぞれの一部をエッチングする。これにより、第１のマスク層は非磁性金属層５８となり、第２のマスク層は絶縁層５９となり、予備主磁極１５Ｐは主磁極１５になる。このエッチングにより、主磁極１５の上面１５Ｔの形状が決定される。
【０１１８】
図１３に示した工程から、図１６に示した工程までが、本発明における「主磁極および非磁性層を形成する工程」に対応する。
【０１１９】
以下、図８および図９を参照して、図１６に示した工程の後の工程について説明する。まず、積層体の上面全体の上に、例えばスパッタ法または化学的気相成長法によって、ギャップ層１７Ｃを形成する。次に、例えばイオンビームエッチングによって、主磁極１５の上面１５Ｔの一部およびサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃの上面の一部が露出するように、ギャップ層１７Ｃ、非磁性金属層５８および絶縁層５９を選択的にエッチングする。次に、例えばフレームめっき法によって、サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃおよびギャップ層１７Ｃの上に上部シールド１６Ｄを形成し、主磁極１５の上にヨーク層４１を形成する。
【０１２０】
次に、積層体の上面全体の上に非磁性層６１を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、上部シールド１６Ｄおよびヨーク層４１が露出するまで、非磁性層６１を研磨して、上部シールド１６Ｄ、ヨーク層４１および非磁性層６１の上面を平坦化する。
【０１２１】
次に、非磁性層６１の上面のうち、コイルの第２の部分２０が配置される領域の上に絶縁層６２を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、絶縁層６２の上に第２の部分２０を形成する。次に、第２の部分２０を覆うように絶縁層６３を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、上部シールド１６Ｄ、ヨーク層４１および絶縁層６３の上に磁性層４２を形成する。
【０１２２】
次に、積層体の上面全体を覆うように保護層７０を形成する。次に、保護層７０の上に配線や端子等を形成し、位置ＡＢＳの近傍で基板１を切断し、この切断によって形成された面を研磨して媒体対向面２を形成し、更に浮上用レールの作製等を行って、磁気ヘッドが完成する。
【０１２３】
本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法では、サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃを形成した後、図１３に示した工程において、下部シールド１６Ａおよびサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃを覆うようにギャップ膜１７Ａを形成し、ギャップ膜１７Ａの上に、開口部１０１ａを有する型１０１を形成する。そして、この型１０１を用いて、後に主磁極１５になる予備主磁極１５Ｐを形成する。主磁極１５の第１および第２の側面Ｓ１，Ｓ２の形状は、サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃの側壁ＳＷ１，ＳＷ２とギャップ膜１７Ａとによって決定される。一方、主磁極１５の第３ないし第６の側面Ｓ３〜Ｓ６の形状は、型１０１によって形成される。
【０１２４】
また、図１４に示した工程と図１５に示した工程とにより、型１０１の除去後、非磁性層１７Ｂを形成することによって、第２の領域Ｒ２にのみ非磁性層１７Ｂを形成される。
【０１２５】
このような磁気ヘッドの製造方法によれば、前述のように隣接トラック消去の発生の抑制と記録特性の向上の両立を可能にする形状および位置関係を有する主磁極１５、サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃ、ギャップ膜１７Ａおよび非磁性層１７Ｂを容易に形成することができる。
【０１２６】
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、実施の形態では、主磁極１５の下端１５Ｌが第１の部分１５Ｌ１と第２の部分１５Ｌ２とを含み、主磁極１５の上面１５Ｔが第１の部分１５Ｔ１と第２の部分１５Ｔ２とを含んでいるが、主磁極１５の下端１５Ｌおよび上面１５Ｔは、それぞれ、それらの全体が実質的に媒体対向面２に垂直な方向に延びていてもよい。
【０１２７】
また、実施の形態では、基体側に再生ヘッド部８を形成し、その上に、記録ヘッド部９を積層した構造の磁気ヘッドについて説明したが、この積層順序を逆にしてもよい。
【符号の説明】
【０１２８】
１５…主磁極、１６…記録シールド、１６Ａ…下部シールド、１６Ｂ，１６Ｃ…サイドシールド、１６Ｄ…上部シールド、１７…ギャップ部、１７Ａ…ギャップ膜、１７Ｂ…非磁性層、ＳＰ１…第１の側部、ＳＰ２…第２の側部、Ｓ１…第１の側面、Ｓ２…第２の側面、Ｓ３…第３の側面、Ｓ４…第４の側面、Ｓ５…第５の側面、Ｓ６…第６の側面、ＳＷ１…第１の側壁、ＳＷ２…第２の側壁、Ｆ１…第１の壁面、Ｆ２…第２の壁面、Ｆ３…第３の壁面、Ｆ４…第４の壁面、Ｆ５…第５の壁面、Ｆ６…第６の壁面。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録方式によって記録媒体に情報を記録するために用いられる垂直磁気記録用磁気ヘッドに関し、特に、主磁極とシールドを備えた垂直磁気記録用磁気ヘッドおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録再生装置における記録方式には、信号磁化の向きを記録媒体の面内方向（長手方向）とする長手磁気記録方式と、信号磁化の向きを記録媒体の面に対して垂直な方向とする垂直磁気記録方式とがある。垂直磁気記録方式は、長手磁気記録方式に比べて、記録媒体の熱揺らぎの影響を受けにくく、高い線記録密度を実現することが可能であると言われている。
【０００３】
一般的に、垂直磁気記録用の磁気ヘッドとしては、長手磁気記録用の磁気ヘッドと同様に、読み出し用の磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ（Magnetoresistive）素子とも記す。）を有する再生ヘッドと、書き込み用の誘導型電磁変換素子を有する記録ヘッドとを、基板上に積層した構造のものが用いられる。記録ヘッドは、記録媒体の面に対して垂直な方向の磁界を発生する主磁極を備えている。主磁極は、例えば、一端部が記録媒体に対向する媒体対向面に配置されたトラック幅規定部と、このトラック幅規定部の他端部に連結され、トラック幅規定部よりも大きな幅を有する幅広部とを有している。トラック幅規定部は、ほぼ一定の幅を有している。垂直磁気記録方式の記録ヘッドには、高記録密度化のために、トラック幅の縮小と、記録特性、例えば重ね書きの性能を表わすオーバーライト特性の向上が求められる。
【０００４】
ところで、ハードディスク装置等の磁気ディスク装置に用いられる磁気ヘッドは、一般的に、スライダに設けられる。スライダは、上記媒体対向面を有している。この媒体対向面は、空気流入端と空気流出端とを有している。そして、空気流入端から媒体対向面と記録媒体との間に流入する空気流によって、スライダは記録媒体の表面からわずかに浮上するようになっている。このスライダにおいて、一般的に、磁気ヘッドは媒体対向面における空気流出端近傍に配置される。磁気ディスク装置において、磁気ヘッドの位置決めは、例えばロータリーアクチュエータによって行なわれる。この場合、磁気ヘッドは、ロータリーアクチュエータの回転中心を中心とした円軌道に沿って記録媒体上を移動する。このような磁気ディスク装置では、磁気ヘッドのトラック横断方向の位置に応じて、スキューと呼ばれる、円形のトラックの接線に対する磁気ヘッドの傾きが生じる。
【０００５】
特に、長手磁気記録方式に比べて記録媒体への書き込み能力が高い垂直磁気記録方式の磁気ディスク装置では、上述のスキューが生じると、あるトラックへの信号の記録時に、記録対象のトラックに隣接する１以上のトラックに記録された信号が消去されたり減衰したりする現象（以下、隣接トラック消去と言う。）が生じる場合がある。高記録密度化のためには、隣接トラック消去の発生を抑制する必要がある。
【０００６】
上述のようなスキューに起因した隣接トラック消去の発生を抑制する技術としては、例えば、特許文献１ないし特許文献３に記載されているように、媒体対向面における主磁極の端面の幅を、基板の上面に近づくに従って小さくする技術が知られている。
【０００７】
スキューに起因した隣接トラック消去の発生を抑制する他の技術としては、特許文献１や、特許文献２に記載されているように、主磁極のトラック幅方向の両側に２つのサイドシールドを設ける技術が有効である。また、特許文献３に記載されているように、媒体対向面において主磁極の端面の周りを囲むように配置された端面を有するシールド（以下、ラップアラウンドシールドと言う。）を設ける技術も有効である。ラップアラウンドシールドは、主磁極に対して空気流入端側に配置された下部シールドと、主磁極に対して空気流出端側に配置された上部シールドと、主磁極のトラック幅方向の両側に配置された２つのサイドシールドとを含んでいる。これらの技術によれば、主磁極の端面より発生されてトラック幅方向に広がる磁束を取り込むことができることから、隣接トラック消去の発生を抑制することができる。
【０００８】
また、特許文献４には、主磁極の形状を以下のような形状とする技術が開示されている。この技術による主磁極は、媒体対向面から所定の距離だけ離れた位置から媒体対向面までの第１の領域において互いに反対側に配置された第１および第２の側面と、第１の領域以外の第２の領域に配置された第３および第４の側面と、第１の領域と第２の領域との境界位置に配置され、第１の側面と第３の側面とを接続する第５の側面と、第１の領域と第２の領域との境界位置に配置され、第２の側面と第４の側面とを接続する第６の側面とを有している。トラック幅方向についての第１の側面と第２の側面の間隔は、基板の上面に近づくに従って小さくなっている。第１の領域と第２の領域との境界位置において、最も基板の上面に近い位置におけるトラック幅方向についての第３の側面と第４の側面の間隔は、最も基板の上面に近い位置におけるトラック幅方向についての第１の側面と第２の側面の間隔よりも大きい。第５の側面の幅と第６の側面の幅は、いずれも、基板の上面に近づくに従って大きくなっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００５−１９０５１８号公報
【特許文献２】特開２００７−２０７４１９号公報
【特許文献３】米国特許第６，９５４，３４０Ｂ２号明細書
【特許文献４】特開２００９−２４３３５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、媒体対向面における端面の幅が基板の上面に近づくに従って小さくなる形状の主磁極に関しては、以下のような問題点がある。従来の主磁極の形成方法では、上記の形状の主磁極を形成すると、主磁極の側面の大部分が、主磁極の全周にわたって、基板の上面に垂直な方向に対して傾いた面となる。このような形状の主磁極では、主磁極の側面全体が基板の上面に対して垂直な場合に比べて、磁束の流れる方向に対して垂直な主磁極の断面積が小さくなる。この形状の主磁極では、特にトラック幅規定部と幅広部との境界の近傍の部分において多くの磁束を通過させることができなくなり、その結果、オーバーライト特性等の記録特性が低下してしまう。
【００１１】
上記の問題点に対しては、前述の特許文献４に開示された技術が有効である。この技術によれば、トラック幅規定部と幅広部との境界の近傍の部分において、磁束の流れる方向に対して垂直な主磁極の断面積が大きくなるため、多くの磁束を通過させることができる。これにより、オーバーライト特性等の記録特性を向上させることができる。
【００１２】
ここで、特許文献４に開示された技術による前述の形状の主磁極と２つのサイドシールドとを有する磁気ヘッドの構成について考える。２つのサイドシールドの各々は、主磁極の２つの側部の各々に対向する側壁を有している。２つのサイドシールドによって、主磁極の端面より発生されてトラック幅方向の両側に広がる磁束を十分に取り込めるようにするためには、媒体対向面において、主磁極の側部とサイドシールドの側壁との間隔は、小さく且つ均一であることが好ましい。
【００１３】
しかし、媒体対向面以外の広い領域において、主磁極の側部とサイドシールドの側壁とが小さな間隔で対向していると、主磁極からサイドシールドへの磁束の漏れが多くなり、オーバーライト特性等の記録特性が低下してしまう。これを防止するために、媒体対向面に垂直な方向についてのサイドシールドの寸法を小さくすると、サイドシールドの体積が小さくなって、サイドシールドの本来の機能が損なわれる。
【００１４】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、主磁極とシールドを備えた垂直磁気記録用磁気ヘッドであって、隣接トラック消去の発生の抑制と記録特性の向上を両立できるようにした垂直磁気記録用磁気ヘッドおよびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドは、
記録媒体に対向する媒体対向面と、
記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、
媒体対向面に配置された端面を有し、コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する主磁極と、
磁性材料よりなる記録シールドと、
非磁性材料よりなり、主磁極と記録シールドとの間に設けられたギャップ部と、
上面を有する基板とを備えている。
【００１６】
コイル、主磁極、記録シールドおよびギャップ部は、基板の上面の上方に配置されている。記録シールドは、第１および第２のサイドシールドと、第１および第２のサイドシールドに接する上部シールドとを含んでいる。第１および第２のサイドシールドは、媒体対向面において主磁極の端面に対してトラック幅方向の両側に配置された２つの端面を有している。上部シールドは、媒体対向面において主磁極の端面に対して記録媒体の進行方向の前側に配置された端面を有している。
【００１７】
主磁極は、トラック幅方向の両側に配置された第１および第２の側部を有している。第１のサイドシールドは、主磁極の第１の側部に面した第１の側壁を有している。第２のサイドシールドは、主磁極の第２の側部に面した第２の側壁を有している。ギャップ部は、第１および第２の側壁に接するように配置されたギャップ膜と、媒体対向面から離れた位置において、ギャップ膜と第１および第２の側部との間に配置された非磁性層とを含んでいる。
【００１８】
第１の側部は、媒体対向面から所定の距離だけ離れた位置から媒体対向面までの第１の領域に配置された第１の側面と、第１の領域以外の第２の領域に配置された第３の側面とを有している。第２の側部は、第１の領域に配置された第２の側面と、第２の領域に配置された第４の側面とを有している。非磁性層は、第１の側面と第１の側壁との間および第２の側面と第２の側壁との間には存在せず、第３の側面と第１の側壁との間および第４の側面と第２の側壁との間に存在している。トラック幅方向における第３の側面と第１の側壁の間隔は、トラック幅方向における第１の側面と第１の側壁の間隔よりも大きい。トラック幅方向における第４の側面と第２の側壁の間隔は、トラック幅方向における第２の側面と第２の側壁の間隔よりも大きい。
【００１９】
トラック幅方向における第１の側面と第２の側面の間隔は、基板の上面に近づくに従って小さくなっている。第３および第４の側面が基板の上面に垂直な方向に対してなす角度は、第１および第２の側面が基板の上面に垂直な方向に対してなす角度よりも小さい。
【００２０】
本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドにおいて、第１の領域と第２の領域の境界から媒体対向面までの距離は、８０〜６２０ｎｍの範囲内であってもよい。また、記録シールドは、更に、第１および第２のサイドシールドに接する下部シールドを含んでいてもよい。下部シールドは、媒体対向面において主磁極の端面に対して記録媒体の進行方向の後側に配置された端面を有している。
【００２１】
また、本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドにおいて、主磁極は、媒体対向面から遠ざかるに従ってトラック幅方向における第１の側部と第２の側部の間隔が大きくなる部分を含んでいてもよい。また、第１の側壁は、第１の領域内に配置された第１の壁面と、第１の壁面に対して媒体対向面から遠い位置に配置された第３の壁面とを有していてもよい。第２の側壁は、第１の領域内に配置された第２の壁面と、第２の壁面に対して媒体対向面から遠い位置に配置された第４の壁面とを有していてもよい。また、第１の領域の少なくとも一部において、トラック幅方向における第１の壁面と第２の壁面の間隔は、媒体対向面から遠ざかるに従って大きくなっていてもよい。第２の領域の少なくとも一部において、トラック幅方向における第３の壁面と第４の壁面の間隔は、媒体対向面から遠ざかるに従って大きくなっていてもよい。また、第１および第２のサイドシールドにおける基板の上面から最も遠い位置において、前記第２の領域の少なくとも一部において第３および第４の壁面が媒体対向面に垂直な方向に対してなす角度は、第１の領域の少なくとも一部において第１および第２の壁面が媒体対向面に垂直な方向に対してなす角度よりも大きくてもよい。
【００２２】
また、第１の側壁は、更に、第１の壁面と第３の壁面とを連結する第５の壁面を有し、第２の側壁は、更に、第２の壁面と第４の壁面とを連結する第６の壁面を有していてもよい。第１および第２のサイドシールドにおける基板の上面から最も遠い位置において、第５および第６の壁面が媒体対向面に垂直な方向に対してなす角度は、前記第２の領域の少なくとも一部において第３および第４の壁面が媒体対向面に垂直な方向に対してなす角度よりも大きくてもよい。
【００２３】
第１および第２のサイドシールドにおける基板の上面から最も遠い位置において、第５および第６の壁面と媒体対向面の間の最短距離は、５０〜５００ｎｍの範囲内であってもよい。
【００２４】
本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法は、
第１および第２のサイドシールドを形成する工程と、
第１および第２のサイドシールドの形成後、ギャップ膜を形成する工程と、
ギャップ膜の形成後、主磁極および非磁性層を形成する工程と、
主磁極および非磁性層の形成後、上部シールドを形成する工程と、
コイルを形成する工程とを備えている。
【００２５】
本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法において、主磁極および非磁性層を形成する工程は、
ギャップ膜の上に、開口部を有する型を形成する工程と、
型を用いて、後に主磁極になる予備主磁極を形成する工程と、
予備主磁極の形成後、型を除去する工程と、
型の除去後、第１および第２のサイドシールド、ギャップ膜および予備主磁極を覆うように、後に非磁性層になる予備非磁性層を形成する工程と、
第１および第２のサイドシールドおよび予備主磁極が露出するまで予備非磁性層を研磨する工程とを含んでいてもよい。
【００２６】
また、本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法において、記録シールドは、更に、第１および第２のサイドシールドに接する下部シールドを含み、下部シールドは、媒体対向面において主磁極の端面に対して記録媒体の進行方向の後側に配置された端面を有していてもよい。この場合、垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法は、更に、第１および第２のサイドシールドの形成前に、下部シールドを形成する工程を備え、第１および第２のサイドシールドは、下部シールドの上に形成される。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドおよびその製造方法では、主磁極において、トラック幅方向における第１の側面と第２の側面の間隔は、基板の上面に近づくに従って小さくなっている。これにより、媒体対向面における主磁極の端面の、トラック幅方向についての幅は、基板の上面に近づくに従って小さくなる。これにより、本発明によれば、隣接トラック消去の発生を抑制することができる。
【００２８】
また、本発明では、第３および第４の側面が基板の上面に垂直な方向に対してなす角度は、第１および第２の側面が基板の上面に垂直な方向に対してなす角度よりも小さい。これにより、本発明によれば、第２の領域において、磁束の流れる方向に対して垂直な主磁極の断面積を大きくすることができ、その結果、記録特性を向上させることができる。
【００２９】
また、本発明では、非磁性層は、第１の側面と第１の側壁との間および第２の側面と第２の側壁との間には存在せず、第３の側面と第１の側壁との間および第４の側面と第２の側壁との間に存在している。そして、トラック幅方向における第３の側面と第１の側壁の間隔は、トラック幅方向における第１の側面と第１の側壁の間隔よりも大きく、トラック幅方向における第４の側面と第２の側壁の間隔は、トラック幅方向における第２の側面と第２の側壁の間隔よりも大きい。これにより、本発明によれば、サイドシールドの機能を損なうことなく、主磁極からサイドシールドへの磁束の漏れを抑制することができる。以上のことから、本発明によれば、隣接トラック消去の発生の抑制と記録特性の向上を両立させることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の一実施の形態に係る磁気ヘッドにおける主磁極、２つのサイドシールド、下部シールドおよびギャップ部の媒体対向面の近傍の部分を示す斜視図である。
【図２】本発明の一実施の形態における主磁極の媒体対向面の近傍の部分を示す斜視図である。
【図３】本発明の一実施の形態における主磁極、２つのサイドシールドおよびギャップ部の媒体対向面の近傍の部分を示す平面図である。
【図４】図３の一部を拡大して示す平面図である。
【図５】本発明の一実施の形態における主磁極および２つのサイドシールドの媒体対向面に配置された端面を示す正面図である。
【図６】図４の６−６線で示す位置における断面を示す断面図である。
【図７】図４の７−７線で示す位置における断面を示す断面図である。
【図８】本発明の一実施の形態に係る磁気ヘッドの構成を示す断面図である。
【図９】本発明の一実施の形態に係る磁気ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。
【図１０】本発明の一実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す説明図である。
【図１１】図１０に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図１２】図１１に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図１３】図１２に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図１４】図１３に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図１５】図１４に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図１６】図１５に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図１ないし図９を参照して、本発明の一実施の形態に係る磁気ヘッドの構成について説明する。本実施の形態に係る磁気ヘッドは、垂直磁気記録用である。図１は、本実施の形態に係る磁気ヘッドにおける主磁極、２つのサイドシールド、下部シールドおよびギャップ部の媒体対向面の近傍の部分を示す斜視図である。図２は、本実施の形態における主磁極の媒体対向面の近傍の部分を示す斜視図である。図３は、本実施の形態における主磁極、２つのサイドシールドおよびギャップ部の媒体対向面の近傍の部分を示す平面図である。図４は、図３の一部を拡大して示す平面図である。図５は、本実施の形態における主磁極および２つのサイドシールドの媒体対向面に配置された端面を示す正面図である。図６は、図４の６−６線で示す位置における断面を示す断面図である。図７は、図４の７−７線で示す位置における断面を示す断面図である。図８は、本実施の形態に係る磁気ヘッドの構成を示す断面図である。図９は、本実施の形態に係る磁気ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。図１ないし図５および図７おいて記号ＴＷで示す矢印は、トラック幅方向を表している。図８は媒体対向面および基板の上面に垂直な断面を示している。また、図８において記号Ｔで示す矢印は、記録媒体の進行方向を表している。
【００３２】
図８に示したように、本実施の形態に係る磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面２を備えている。また、図８および図９に示したように、磁気ヘッドは、アルミニウムオキサイド・チタニウムカーバイド（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）等のセラミック材料よりなり、上面１ａを有する基板１と、この基板１の上面１ａ上に配置された絶縁材料よりなる絶縁層８１と、この絶縁層８１の上に配置されたヒーター８２と、絶縁層８１およびヒーター８２を覆うように配置された絶縁材料よりなる絶縁層８３とを備えている。絶縁層８１，８３は、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）によって形成されている。ヒーター８２は、媒体対向面２の一部を突出させるための熱を発生する。
【００３３】
磁気ヘッドは、更に、ヒーター８２に対して記録媒体の進行方向Ｔの前側（トレーリング端側）に配置された再生ヘッド部８を備えている。再生ヘッド部８は、絶縁層８３の上に配置された磁性材料よりなる第１の再生シールド層３と、第１の再生シールド層３の上に配置された絶縁膜である第１の再生シールドギャップ膜４と、この第１の再生シールドギャップ膜４の上に配置された再生素子としてのＭＲ（磁気抵抗効果）素子５と、このＭＲ素子５に接続された図示しない２つのリードと、ＭＲ素子５およびリードの上に配置された絶縁膜である第２の再生シールドギャップ膜６と、この第２の再生シールドギャップ膜６の上に配置された磁性材料よりなる第２の再生シールド層７とを有している。
【００３４】
ＭＲ素子５の一端部は、媒体対向面２に配置されている。ＭＲ素子５には、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗効果）素子、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子あるいはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることができる。ＧＭＲ素子としては、磁気的信号検出用の電流を、ＧＭＲ素子を構成する各層の面に対してほぼ平行な方向に流すＣＩＰ（Current In Plane）タイプでもよいし、磁気的信号検出用の電流を、ＧＭＲ素子を構成する各層の面に対してほぼ垂直な方向に流すＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane）タイプでもよい。
【００３５】
磁気ヘッドは、更に、再生ヘッド部８に対して記録媒体の進行方向Ｔの前側に配置された記録ヘッド部９と、再生ヘッド部８と記録ヘッド部９の間に配置された膨張層８４、センサ８５および非磁性部８６とを備えている。非磁性部８６は、非磁性材料によって形成されている。非磁性部８６の材料としては、例えばアルミナを用いることができる。
【００３６】
非磁性部８６は、非磁性層８７，８８，８９を有している。非磁性層８７は、第２の再生シールド層７の上に配置されている。膨張層８４は、非磁性層８７の上に配置されている。非磁性層８８は、膨張層８４の上に配置されている。センサ８５は、非磁性層８８の上に配置されている。非磁性層８９は、センサ８５を覆うように配置されている。
【００３７】
記録ヘッド部９は、コイルと、主磁極１５と、記録シールド１６と、ギャップ部１７とを有している。コイルは、第１の部分１０と第２の部分２０とを含んでいる。第１の部分１０と第２の部分２０は、いずれも銅等の導電材料によって形成されている。また、第１の部分１０と第２の部分２０は、いずれも平面渦巻き形状をなしている。第１の部分１０と第２の部分２０は、直列または並列に接続されている。
【００３８】
第１および第２の部分１０，２０を含むコイルは、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生する。主磁極１５は、媒体対向面２に配置された端面を有し、コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する。図８は、媒体対向面２に配置された主磁極１５の端面と交差し、媒体対向面２および基板１の上面１ａに垂直な断面を示している。
【００３９】
記録シールド１６は、媒体対向面２において主磁極１５の端面の周りを囲むように配置された端面を有している。記録シールド１６は、磁性材料によって形成されている。記録シールド１６の材料としては、例えばＣｏＦｅＮ、ＣｏＮｉＦｅ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。
【００４０】
記録シールド１６は、磁気的に連結された下部シールド１６Ａ、第１のサイドシールド１６Ｂ、第２のサイドシールド１６Ｃおよび上部シールド１６Ｄを有している。サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃは、主磁極１５のトラック幅方向ＴＷの両側に配置されている。下部シールド１６Ａは、サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃに対して記録媒体の進行方向Ｔの後側に配置されて、サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃに接している。上部シールド１６Ｄは、サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃに対して記録媒体の進行方向Ｔの前側に配置されて、サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃに接している。
【００４１】
下部シールド１６Ａは、媒体対向面２において主磁極１５の端面に対して記録媒体の進行方向Ｔの後側に配置された端面１６Ａａを有している。サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃは、媒体対向面２において主磁極１５の端面に対してトラック幅方向ＴＷの両側に配置された２つの端面１６Ｂａ，１６Ｃａを有している。上部シールド１６Ｄは、媒体対向面２において主磁極１５の端面に対して記録媒体の進行方向Ｔの前側に配置された端面１６Ｄａを有している。
【００４２】
記録ヘッド部９は、更に、第１の帰磁路部３０および第２の帰磁路部４０を有している。第１および第２の帰磁路部３０，４０は、いずれも磁性材料によって形成されている。第１および第２の帰磁路部３０，４０の材料としては、例えばＣｏＦｅＮ、ＣｏＮｉＦｅ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。第１の帰磁路部３０は、主磁極１５に対して記録媒体の進行方向Ｔの後側に配置されて記録シールド１６と主磁極１５とに接触し、記録シールド１６と主磁極１５とを磁気的に連結している。第２の帰磁路部４０は、主磁極１５に対して記録媒体の進行方向Ｔの前側に配置されて記録シールド１６と主磁極１５とに接触し、記録シールド１６と主磁極１５とを磁気的に連結している。
【００４３】
第１の帰磁路部３０は、主磁極１５に対して記録媒体の進行方向Ｔの後側に配置されたヨーク層３１と、ヨーク層３１と記録シールド１６とを連結する第１の連結部３２と、媒体対向面２から離れた位置に配置されてヨーク層３１と主磁極１５とを連結する第２の連結部３５とを含んでいる。第１の連結部３２は、磁性層３３，３４を含んでいる。第２の連結部３５は、磁性層３６，３７，３８を含んでいる。
【００４４】
ヨーク層３１は、非磁性層８９の上に配置されている。磁性層３３，３６は、いずれもヨーク層３１の上に配置されている。磁性層３３は、媒体対向面２の近傍に配置されている。磁性層３６は、磁性層３３に対して、媒体対向面２からより遠い位置に配置されている。ヨーク層３１および磁性層３３は、それぞれ、媒体対向面２に向いた端面を有し、これらの端面は、媒体対向面２から離れた位置に配置されている。
【００４５】
磁気ヘッドは、更に、ヨーク層３１の周囲において非磁性層８９の上に配置された絶縁材料よりなる絶縁層５１と、ヨーク層３１および磁性層３３，３６とコイルの第１の部分１０との間に介在する絶縁材料よりなる絶縁膜５２と、第１の部分１０の巻線間に配置された絶縁材料よりなる絶縁層５３と、磁性層３３，３６および第１の部分１０の周囲に配置された絶縁材料よりなる絶縁層５４とを備えている。第１の部分１０、磁性層３３，３６、絶縁膜５２および絶縁層５３，５４の上面は平坦化されている。絶縁層５１，５４および絶縁膜５２は、例えばアルミナによって形成されている。絶縁層５３は、例えばフォトレジストによって形成されている。第１の部分１０は、第１の帰磁路部３０の一部である磁性層３６の周りに巻かれている。
【００４６】
磁性層３４は、磁性層３３および絶縁層５４の上に配置されている。磁性層３７は、磁性層３６の上に配置されている。磁性層３４は、媒体対向面２に配置された端面を有している。磁気ヘッドは、更に、磁性層３４，３７の周囲において第１の部分１０、絶縁膜５２および絶縁層５３，５４の上面の上に配置された絶縁材料よりなる絶縁層５５を備えている。絶縁層５５は、例えばアルミナによって形成されている。磁性層３４，３７および絶縁層５５の上面は、平坦化されている。
【００４７】
下部シールド１６Ａは、磁性層３４の上に配置されている。磁性層３８は、磁性層３７の上に配置されている。磁気ヘッドは、更に、下部シールド１６Ａおよび磁性層３８の周囲において、磁性層３４の上面の一部および絶縁層５５の上面の上に配置された絶縁材料よりなる絶縁層５６を備えている。絶縁層５６は、例えばアルミナによって形成されている。
【００４８】
図２に示したように、主磁極１５は、基板１の上面１ａにより近い端部である下端部１５Ｌと、下端部１５Ｌとは反対側の上面１５Ｔと、トラック幅方向ＴＷの両側に配置された第１および第２の側部ＳＰ１，ＳＰ２とを有している。サイドシールド１６Ｂは、主磁極１５の第１の側部ＳＰ１に面した第１の側壁ＳＷ１を有している。サイドシールド１６Ｃは、主磁極１５の第２の側部ＳＰ２に面した第２の側壁ＳＷ２を有している。
【００４９】
ギャップ部１７は、非磁性材料よりなり、主磁極１５と記録シールド１６との間に設けられている。ギャップ部１７は、ギャップ膜１７Ａと非磁性層１７Ｂとギャップ層１７Ｃとを含んでいる。ギャップ膜１７Ａは、第１および第２の側壁ＳＷ１，ＳＷ２に接するように配置されている。非磁性層１７Ｂは、媒体対向面２から離れた位置において、ギャップ膜１７Ａと第１および第２の側部ＳＰ１，ＳＰ２との間に配置されている。ギャップ層１７Ｃは、少なくとも主磁極１５と上部シールド１６Ｄとの間に配置されている。
【００５０】
サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃは、下部シールド１６Ａの上に配置され、下部シールド１６Ａに接している。ギャップ膜１７Ａは、サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃの側壁ＳＷ１，ＳＷ２、下部シールド１６Ａの上面および絶縁層５６の上面に沿って配置されている。ギャップ膜１７Ａを構成する非磁性材料は、絶縁材料でもよいし、非磁性金属材料でもよい。ギャップ膜１７Ａを構成する絶縁材料としては、例えばアルミナが用いられる。ギャップ膜１７Ａを構成する非磁性金属材料としては、例えばＲｕが用いられる。ギャップ膜１７Ａには、磁性層３８の上面を露出させる開口部が形成されている。
【００５１】
主磁極１５は、下部シールド１６Ａおよび絶縁層５６の上面と主磁極１５との間にギャップ膜１７Ａが介在するように、下部シールド１６Ａおよび絶縁層５６の上に配置されている。また、図１に示したように、媒体対向面２において、主磁極１５とサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃとの間にも、ギャップ膜１７Ａが介在している。
【００５２】
媒体対向面２から離れた位置において、主磁極１５の下端部１５Ｌは、磁性層３８の上面に接している。主磁極１５は、金属磁性材料によって形成されている。主磁極１５の材料としては、例えば、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。主磁極１５の形状については、後で詳しく説明する。
【００５３】
磁気ヘッドは、更に、媒体対向面２から離れた位置において、主磁極１５の上面１５Ｔの一部の上に配置された非磁性金属材料よりなる非磁性金属層５８と、この非磁性金属層５８の上面の上に配置された絶縁材料よりなる絶縁層５９とを備えている。非磁性金属層５８は、例えばＲｕ、ＮｉＣｒまたはＮｉＣｕによって形成されている。絶縁層５９は、例えばアルミナによって形成されている。
【００５４】
ギャップ層１７Ｃは、主磁極１５、非磁性金属層５８および絶縁層５９を覆うように配置されている。ギャップ層１７Ｃの材料は、アルミナ等の非磁性絶縁材料でもよいし、Ｒｕ、ＮｉＣｕ、Ｔａ、Ｗ、ＮｉＢ、ＮｉＰ等の非磁性導電材料でもよい。
【００５５】
上部シールド１６Ｄは、サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃおよびギャップ層１７Ｃの上に配置され、サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃに接している。媒体対向面２において、上部シールド１６Ｄの端面の一部は、主磁極１５の端面に対して、ギャップ層１７Ｃの厚みによる所定の間隔を開けて配置されている。ギャップ層１７Ｃの厚みは、５〜６０ｎｍの範囲内であることが好ましく、例えば３０〜６０ｎｍの範囲内である。主磁極１５の端面は、ギャップ層１７Ｃに隣接する辺を有し、この辺はトラック幅を規定している。
【００５６】
第２の帰磁路部４０は、ヨーク層４１と磁性層４２とを含んでいる。ヨーク層４１は、媒体対向面２から離れた位置において主磁極１５の上に配置されている。磁気ヘッドは、更に、上部シールド１６Ｄおよびヨーク層４１の周囲に配置された非磁性層６１を備えている。非磁性層６１は、例えば無機絶縁材料によって形成されている。この無機絶縁材料としては、例えばアルミナまたはシリコン酸化物が用いられる。上部シールド１６Ｄ、ヨーク層４１および非磁性層６１の上面は平坦化されている。
【００５７】
磁気ヘッドは、更に、ヨーク層４１および非磁性層６１の上面の一部の上に配置された絶縁材料よりなる絶縁層６２を備えている。絶縁層６２は、例えばアルミナによって形成されている。コイルの第２の部分２０の少なくとも一部は、絶縁層６２の上に配置されている。磁気ヘッドは、更に、第２の部分２０を覆うように配置された絶縁材料よりなる絶縁層６３を備えている。絶縁層６３は、例えばフォトレジストによって形成されている。
【００５８】
磁性層４２は、上部シールド１６Ｄ、ヨーク層４１および絶縁層６３の上に配置され、上部シールド１６Ｄとヨーク層４１とを接続している。また、磁性層４２は、媒体対向面２に配置された端面を有している。第２の部分２０は、第２の帰磁路部４０の一部である磁性層４２のうち、ヨーク層４１の上に配置された部分の周りに巻かれている。
【００５９】
磁気ヘッドは、更に、非磁性材料よりなり、磁性層４２および絶縁層６２，６３を覆うように配置された保護層７０を備えている。保護層７０は、例えば、アルミナ等の無機絶縁材料によって形成されている。
【００６０】
以上説明したように、本実施の形態に係る磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面２と再生ヘッド部８と記録ヘッド部９とを備えている。再生ヘッド部８と記録ヘッド部９は、基板１の上に積層されている。記録ヘッド部９は、再生ヘッド部８に対して、記録媒体の進行方向Ｔの前側（トレーリング端側）に配置されている。
【００６１】
記録ヘッド部９は、第１の部分１０および第２の部分２０を含むコイルと、主磁極１５と、記録シールド１６と、ギャップ部１７と、第１および第２の帰磁路部３０，４０とを有している。記録シールド１６は、下部シールド１６Ａと、２つのサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃと、上部シールド１６Ｄとを有している。ギャップ部１７は、ギャップ膜１７Ａと非磁性層１７Ｂとギャップ層１７Ｃとを含んでいる。
【００６２】
第１の帰磁路部３０は、ヨーク層３１と第１および第２の連結部３２，３５とを含んでいる。ヨーク層３１は、主磁極１５に対して記録媒体の進行方向Ｔの後側に配置されている。第１の連結部３２は、磁性層３３，３４を含んでいる。第２の連結部３５は、磁性層３６，３７，３８を含んでいる。図８に示したように、第１の帰磁路部３０は、主磁極１５、ギャップ部１７（ギャップ膜１７Ａ）、記録シールド１６および第１の帰磁路部３０によって囲まれた第１の空間Ｓ１０が形成されるように、記録シールド１６と主磁極１５とを接続し、これにより、記録シールド１６と主磁極１５とを磁気的に連結している。コイルの第１の部分１０は、第１の空間Ｓ１０を通過している。
【００６３】
第２の帰磁路部４０は、ヨーク層４１と磁性層４２とを含んでいる。図８に示したように、第２の帰磁路部４０は、主磁極１５、ギャップ部１７（ギャップ層１７Ｃ）、記録シールド１６および第２の帰磁路部４０によって囲まれた第２の空間Ｓ２０が形成されるように、記録シールド１６と主磁極１５とを接続し、これにより、記録シールド１６と主磁極１５とを磁気的に連結している。コイルの第２の部分２０は、第２の空間Ｓ２０を通過している。
【００６４】
本実施の形態に係る磁気ヘッドは、更に、ヒーター８２と、膨張層８４と、センサ８５と、非磁性部８６とを備えている。膨張層８４、センサ８５および非磁性部８６は、再生ヘッド部８と記録ヘッド部９の間に配置されている。ヒーター８２は、膨張層８４およびセンサ８５に対して、記録媒体の進行方向Ｔの後側（リーディング端側）に配置されている。非磁性部８６は、膨張層８４およびセンサ８５の周囲に配置されている。
【００６５】
以下、ヒーター８２、膨張層８４およびセンサ８５について詳しく説明する。ヒーター８２および膨張層８４は、再生ヘッド部８および記録ヘッド部９と記録媒体の表面との間の距離を小さくするために、媒体対向面２の一部を突出させるためのものである。ヒーター８２は、通電されることによって、媒体対向面２の一部を突出させるための熱を発生する。膨張層８４は、ヒーター８２によって発生された熱を受けて膨張して、媒体対向面２の一部を突出させる。
【００６６】
膨張層８４は、非磁性部８６に比べて、熱伝導率および線熱膨張係数が大きい材料によって形成されている。膨張層８４の材料としては、金属材料を用いることができる。膨張層８４を構成する金属材料は、非磁性金属材料でもよいし、磁性金属材料でもよい。膨張層８４を構成する非磁性金属材料としては、例えばＡｌ、Ｃｕ、Ａｕのいずれかを用いることができる。膨張層８４を構成する磁性金属材料としては、例えばＣｏＦｅＮ、ＣｏＮｉＦｅ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。
【００６７】
磁気ヘッドの構成要素は、ヒーター８２によって発生された熱を受けて膨張する。特に、膨張層８４は、その周囲に配置された非磁性部８６に比べて、熱伝導率が大きい材料によって形成されている。そのため、膨張層８４では、非磁性部８６に比べて、ヒーター８２によって発生された熱が速やかに均一に分布する。また、膨張層８４は、非磁性部８６に比べて、線熱膨張係数が大きい材料によって形成されている。そのため、膨張層８４は、ヒーター８２によって発生された熱を受けて、非磁性部８６に比べて、速やかに、且つ大きく膨張して、媒体対向面２の一部を突出させる。これにより、再生ヘッド部８および記録ヘッド部９と記録媒体の表面との間の距離が小さくなる。
【００６８】
センサ８５は、媒体対向面２の一部が記録媒体に接触したことを検出するためのものである。センサ８５は、媒体対向面２の一部が記録媒体に接触したときに自身の温度変化によって抵抗値が変化する抵抗体である。センサ８５の材料としては、温度変化に対する抵抗値の変化の割合、すなわち抵抗の温度係数がある程度大きい金属材料や半導体材料が用いられる。具体的には、センサ８５の材料としては、例えば、ＮｉＦｅ、Ｗ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔのいずれかを用いることができる。
【００６９】
媒体対向面２の一部が記録媒体に接触すると、接触による摩擦熱によって、媒体対向面２のうち、記録媒体に接触した部分およびその近傍の部分の温度が上昇する。このような温度の上昇に伴って、センサ８５自身の温度も上昇する。その結果、センサ８５の抵抗値が変化する。そのため、センサ８５に接続された図示しない２つのリードを介してセンサ８５の抵抗値を測定することによって、媒体対向面２の一部が記録媒体に接触したことを検出することができる。
【００７０】
以下、図１ないし図４を参照して、主磁極１５、サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃ、ギャップ膜１７Ａおよび非磁性層１７Ｂについて詳しく説明する。前述のように、主磁極１５は、下端部１５Ｌと上面１５Ｔと第１および第２の側部ＳＰ１，ＳＰ２とを有している。
【００７１】
図２に示したように、下端部１５Ｌは、媒体対向面２に配置された第１の端縁とその反対側の第２の端縁とを有する第１の部分１５Ｌ１と、この第１の部分１５Ｌ１よりも媒体対向面２から遠い位置に配置され、第２の端縁において第１の部分１５Ｌ１に接続された第２の部分１５Ｌ２とを含んでいる。第１の部分１５Ｌ１の少なくとも一部における任意の位置の基板１の上面１ａからの距離は、この任意の位置が媒体対向面２に近づくに従って大きくなっている。第２の部分１５Ｌ２は、実質的に媒体対向面２に垂直な方向に延在している。第１の部分１５Ｌ１の少なくとも一部が媒体対向面２に垂直な方向に対してなす角度は、例えば１２°〜４５°の範囲内である。なお、第１の部分１５Ｌ１は、媒体対向面２に垂直な方向に対してなす角度が互いに異なる２つの部分を有していてもよい。
【００７２】
上面１５Ｔは、媒体対向面２に配置された第１の端縁とその反対側の第２の端縁とを有する第１の部分１５Ｔ１と、この第１の部分１５Ｔ１よりも媒体対向面２から遠い位置に配置され、第２の端縁において第１の部分１５Ｔ１に接続された第２の部分１５Ｔ２とを含んでいる。第１の部分１５Ｔ１における任意の位置の基板１の上面１ａからの距離は、この任意の位置が媒体対向面２に近づくに従って小さくなっている。第２の部分１５Ｔ２は、実質的に媒体対向面２に垂直な方向に延在している。第１の部分１５Ｔ１が媒体対向面２に垂直な方向に対してなす角度は、例えば１２°〜４５°の範囲内である。なお、第１の部分１５Ｔ１は、媒体対向面２に垂直な方向に対してなす角度が互いに異なる２つの部分を有していてもよい。
【００７３】
第１の側部ＳＰ１は、第１の側面Ｓ１、第３の側面Ｓ３および第５の側面Ｓ５を含んでいる。第２の側部ＳＰ２は、第２の側面Ｓ２、第４の側面Ｓ４および第６の側面Ｓ６を含んでいる。第１および第２の側面Ｓ１，Ｓ２は、媒体対向面２から所定の距離だけ離れた位置から媒体対向面２までの第１の領域Ｒ１に配置されている。第３および第４の側面Ｓ３，Ｓ４は、第１の領域Ｒ１以外の第２の領域Ｒ２に配置されている。第５の側面Ｓ５は、第１の領域Ｒ１と第２の領域Ｒ２との境界位置に配置され、第１の側面Ｓ１と第３の側面Ｓ３とを接続している。第６の側面Ｓ６は、第１の領域Ｒ１と第２の領域Ｒ２との境界位置に配置され、第２の側面Ｓ２と第４の側面Ｓ４とを接続している。図２および図４では、領域Ｒ１と領域Ｒ２の境界を二点鎖線で示している。領域Ｒ１と領域Ｒ２の境界から媒体対向面２までの距離Ｄ１（図４参照）は、８０〜６２０ｎｍの範囲内であることが好ましく、１２０〜２３０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。
【００７４】
トラック幅方向ＴＷにおける第１の側面Ｓ１と第２の側面Ｓ２の間隔は、基板１の上面１ａに近づくに従って小さくなっている。これにより、媒体対向面２における主磁極１５の端面の、トラック幅方向ＴＷについての幅は、基板１の上面１ａに近づくに従って小さくなる。第１の側面Ｓ１が基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度θＳ１と、第２の側面Ｓ２が基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度θＳ２は、例えば７°〜１７°の範囲内であり、１０°〜１５°の範囲内であることが好ましい。第３および第４の側面Ｓ３，Ｓ４が基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度は、角度θＳ１，θＳ２よりも小さい。
【００７５】
ここで、トラック幅方向ＴＷについての側面Ｓ３，Ｓ４の間隔が基板１の上面１ａに近づくに従って小さくなる場合には、側面Ｓ３，Ｓ４の各々が基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度を正の値で表し、トラック幅方向ＴＷについての側面Ｓ３，Ｓ４の間隔が基板１の上面１ａに近づくに従って大きくなる場合には、側面Ｓ３，Ｓ４の各々が基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度を負の値で表す。この場合、側面Ｓ３，Ｓ４の各々が基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度は、例えば−７°〜７°の範囲内であり、−７°〜０°の範囲内であることが好ましい。図７に示した例では、側面Ｓ３，Ｓ４が基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度は０°である。
【００７６】
第１の領域Ｒ１と第２の領域Ｒ２との境界位置において、最も主磁極１５の下端部１５Ｌに近い位置におけるトラック幅方向ＴＷについての側面Ｓ３，Ｓ４の間隔は、最も下端部１５Ｌに近い位置におけるトラック幅方向ＴＷについての側面Ｓ１，Ｓ２の間隔よりも大きい。第５の側面Ｓ５の幅と第６の側面Ｓ６の幅は、いずれも、下端部１５Ｌに近づくに従って大きくなっている。
【００７７】
主磁極１５は、媒体対向面２から遠ざかるに従ってトラック幅方向ＴＷにおける第１の側部ＳＰ１と第２の側部ＳＰ２の間隔が大きくなる部分を含んでいる。図４に示した例では、第１の領域Ｒ１の少なくとも一部において、トラック幅方向ＴＷにおける第１の側面Ｓ１と第２の側面Ｓ２の間隔は、媒体対向面２から遠ざかるに従って大きくなっている。また、第２の領域Ｒ２において、トラック幅方向ＴＷにおける第３の側面Ｓ３と第４の側面Ｓ４の間隔は、媒体対向面２から遠ざかるに従って大きくなっている。
【００７８】
図４に示したように、サイドシールド１６Ｂは第１の側壁ＳＷ１を有し、サイドシールド１６Ｃは第２の側壁ＳＷ２を有している。ギャップ膜１７Ａは、第１および第２の側壁ＳＷ１，ＳＷ２に接するように配置されている。ギャップ膜１７Ａの厚みは、３０〜１２０ｎｍの範囲内であることが好ましく、５０〜８０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。
【００７９】
非磁性層１７Ｂは、媒体対向面２から離れた位置において、ギャップ膜１７Ａと第１および第２の側部ＳＰ１，ＳＰ２との間に配置されている。非磁性層１７Ｂは、第１の側面Ｓ１と第１の側壁ＳＷ１との間および第２の側面Ｓ２と第２の側壁ＳＷ２との間には存在せず、第３の側面Ｓ３と第１の側壁ＳＷ１との間および第４の側面Ｓ４と第２の側壁ＳＷ２との間に存在している。トラック幅方向ＴＷにおける第３の側面Ｓ３と第１の側壁ＳＷ１の間隔は、トラック幅方向ＴＷにおける第１の側面Ｓ１と第１の側壁ＳＷ１の間隔よりも大きい。また。トラック幅方向ＴＷにおける第４の側面Ｓ４と第２の側壁ＳＷ２の間隔は、トラック幅方向ＴＷにおける第２の側面Ｓ２と第２の側壁ＳＷ２の間隔よりも大きい。
【００８０】
第１の側壁ＳＷ１は、第１の領域Ｒ１内に配置された第１の壁面Ｆ１と、第１の壁面Ｆ１に対して媒体対向面２から遠い位置に配置された第３の壁面Ｆ３と、第１の壁面Ｆ１と第３の壁面Ｆ３とを連結する第５の壁面Ｆ５とを有している。第２の側壁ＳＷ２は、第１の領域Ｒ１内に配置された第２の壁面Ｆ２と、第２の壁面Ｆ２に対して媒体対向面２から遠い位置に配置された第４の壁面Ｆ４と、第２の壁面Ｆ２と第４の壁面Ｆ４とを連結する第６の壁面Ｆ６とを有している。
【００８１】
第１の領域Ｒ１の少なくとも一部において、トラック幅方向ＴＷにおける第１の壁面Ｆ１と第２の壁面Ｆ２の間隔は、媒体対向面２から遠ざかるに従って大きくなっている。また、第２の領域Ｒ２の少なくとも一部において、トラック幅方向ＴＷにおける第３の壁面Ｆ３と第４の壁面Ｆ４の間隔は、媒体対向面２から遠ざかるに従って大きくなっている。
【００８２】
図４に示したように、第１および第２のサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃにおける基板１の上面１ａから最も遠い位置において、前記第２の領域Ｒ２の少なくとも一部において第３の壁面Ｆ３が媒体対向面２に垂直な方向に対してなす角度θＦ３および前記第２の領域Ｒ２の少なくとも一部において第４の壁面Ｆ４が媒体対向面２に垂直な方向に対してなす角度θＦ４は、前記第１の領域Ｒ１の少なくとも一部において第１の壁面Ｆ１が媒体対向面２に垂直な方向に対してなす角度θＦ１および前記第１の領域Ｒ１の少なくとも一部において第２の壁面Ｆ２が媒体対向面２に垂直な方向に対してなす角度θＦ２よりも大きい。第３の側面Ｓ３が媒体対向面２に垂直な方向に対してなす角度はθＦ１と等しく、第４の側面Ｓ４が媒体対向面２に垂直な方向に対してなす角度はθＦ２と等しい。
【００８３】
また、第１および第２のサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃにおける基板１の上面１ａから最も遠い位置において、第５および第６の壁面Ｆ５，Ｆ６が媒体対向面２に垂直な方向に対してなす角度は、角度θＦ３，θＦ４よりも大きい。図４に示した例では、第１および第２のサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃにおける基板１の上面１ａから最も遠い位置において、第５および第６の壁面Ｆ５，Ｆ６が媒体対向面２に垂直な方向に対してなす角度は９０°である。
【００８４】
第１および第２のサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃにおける基板１の上面１ａから最も遠い位置において、第５および第６の壁面Ｆ５，Ｆ６と媒体対向面２の間の最短距離Ｄ２（図４参照）は、５０〜５００ｎｍの範囲内であることが好ましく、７０〜１５０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。
【００８５】
図３に示したように、第１の側壁ＳＷ１は、更に、第３の壁面Ｆ３に対して媒体対向面２から遠い位置に配置された第７の壁面Ｆ７と、第３の壁面Ｆ３と第７の壁面Ｆ７とを連結する第９の壁面Ｆ９とを有している。第２の側壁ＳＷ２は、更に、第４の壁面Ｆ４に対して媒体対向面２から遠い位置に配置された第８の壁面Ｆ８と、第４の壁面Ｆ４と第８の壁面Ｆ８とを連結する第１０の壁面Ｆ１０とを有している。
【００８６】
トラック幅方向ＴＷにおける第７の壁面Ｆ７と第１の側部ＳＰ１の間隔は、トラック幅方向ＴＷにおける第３の壁面Ｆ３と第１の側部ＳＰ１の間隔よりも大きい。また、トラック幅方向ＴＷにおける第８の壁面Ｆ８と第２の側部ＳＰ２の間隔は、トラック幅方向ＴＷにおける第４の壁面Ｆ４と第２の側部ＳＰ２の間隔よりも大きい。
【００８７】
第１および第２のサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃにおける基板１の上面１ａから最も遠い位置において、第７および第８の壁面Ｆ７，Ｆ８が媒体対向面２に垂直な方向に対してなす角度は例えば角度θＦ３，θＦ４と等しく、第９および第１０の壁面Ｆ９，Ｆ１０が媒体対向面２に垂直な方向に対してなす角度は例えば９０°である。
【００８８】
次に、本実施の形態に係る磁気ヘッドの作用および効果について説明する。この磁気ヘッドでは、記録ヘッド部９によって記録媒体に情報を記録し、再生ヘッド部８によって、記録媒体に記録されている情報を再生する。記録ヘッド部９において、第１の部分１０および第２の部分２０を含むコイルは、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生する。第１の部分１０によって発生された磁界に対応する磁束は、第１の帰磁路部３０と主磁極１５を通過する。第２の部分２０によって発生された磁界に対応する磁束は、第２の帰磁路部４０と主磁極１５を通過する。第１の部分１０と第２の部分２０は、主磁極１５において、第１の部分１０によって発生された磁界に対応する磁束と第２の部分２０によって発生された磁界に対応する磁束が同じ方向に流れるように、直列または並列に接続されている。
【００８９】
主磁極１５は、第１の部分１０によって発生された磁界に対応する磁束と第２の部分２０によって発生された磁界に対応する磁束とを通過させて、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する。
【００９０】
記録シールド１６は、磁気ヘッドの外部から磁気ヘッドに印加された外乱磁界を取り込む。これにより、外乱磁界が主磁極１５に集中して取り込まれることによって記録媒体に対して誤った記録が行なわれることを防止することができる。また、記録シールド１６は、主磁極１５の端面より発生されて記録媒体の面に垂直な方向以外の方向に広がる磁束を取り込んで、この磁束が記録媒体に達することを阻止する機能を有している。
【００９１】
また、記録シールド１６と第１および第２の帰磁路部３０，４０は、主磁極１５の端面より発生されて、記録媒体を磁化した磁束を還流させる機能を有している。具体的に説明すると、主磁極１５の端面より発生されて、記録媒体を磁化した磁束の一部は、記録シールド１６と第１の帰磁路部３０を通過して主磁極１５に還流する。また、主磁極１５の端面より発生されて、記録媒体を磁化した磁束の他の一部は、記録シールド１６と第２の帰磁路部４０を通過して主磁極１５に還流する。
【００９２】
記録シールド１６は、下部シールド１６Ａと、２つのサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃと、上部シールド１６Ｄとを有している。これにより、本実施の形態によれば、主磁極１５の端面に対して記録媒体の進行方向Ｔの前側および後側ならびにトラック幅方向ＴＷの両側において、主磁極１５の端面より発生されて記録媒体の面に垂直な方向以外の方向に広がる磁束を取り込んで、この磁束が記録媒体に達することを抑制することができる。その結果、本実施の形態によれば、スキューに起因した隣接トラック消去の発生を抑制することができる。下部シールド１６Ａおよび上部シールド１６Ｄは、スキューに起因した隣接トラック消去の発生を抑制することに寄与する他に、記録磁界の勾配を大きくすることに寄与する。サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃは、特に隣接トラック消去を抑制することへの寄与が大きい。このような記録シールド１６の機能により、本実施の形態によれば、記録密度を高めることができる。
【００９３】
また、本実施の形態では、主磁極１５において、トラック幅方向ＴＷにおける第１の側面Ｓ１と第２の側面Ｓ２の間隔は、基板１の上面１ａに近づくに従って小さくなっている。これにより、媒体対向面２における主磁極１５の端面の、トラック幅方向ＴＷについての幅は、基板１の上面１ａに近づくに従って小さくなる。本実施の形態によれば、この特徴によっても、スキューに起因した隣接トラック消去の発生を抑制することができる。
【００９４】
また、本実施の形態では、媒体対向面２において、トラック幅方向ＴＷにおけるサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃの壁面Ｆ１，Ｆ２の間隔は、主磁極１５の側面Ｓ１，Ｓ２の間隔と同様に、基板１の上面１ａに近づくに従って小さくなっている。従って、本実施の形態によれば、媒体対向面２において、側面Ｓ１と壁面Ｆ１との間隔、ならびに側面Ｓ２と壁面Ｆ２との間隔を、小さく、且つ均一にすることが可能になる。これにより、サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃによって、主磁極１５の端面より発生されてトラック幅方向ＴＷの両側に広がる磁束を、効果的に取り込むことができる。その結果、本実施の形態によれば、特にサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃの機能を高めることが可能になり、スキューに起因した隣接トラック消去の発生をより効果的に抑制することが可能になる。
【００９５】
また、本実施の形態では、主磁極１５の下端部１５Ｌは、第１および第２の部分１５Ｌ１，１５Ｌ２を含んでいる。主磁極１５の上面１５Ｔは、第１および第２の部分１５Ｔ１，１５Ｔ２を含んでいる。第１の部分１５Ｌ１の少なくとも一部における任意の位置の基板１の上面１ａからの距離は、この任意の位置が媒体対向面２に近づくに従って大きくなっていると共に、第１の部分１５Ｔ１における任意の位置の基板１の上面１ａからの距離は、この任意の位置が媒体対向面２に近づくに従って小さくなっている。これにより、スキューに起因した隣接トラック消去の発生を抑制することができ、且つ主磁極１５によって多くの磁束を媒体対向面２まで導くことにより記録特性（オーバーライト特性）を向上させることができる。
【００９６】
また、本実施の形態では、主磁極１５の第３および第４の側面Ｓ３，Ｓ４が基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度は、主磁極１５の第１および第２の側面Ｓ１，Ｓ２が基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度θＳ１，θＳ２よりも小さい。これにより、側面Ｓ３，Ｓ４が基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度がθＳ１，θＳ２と等しい場合に比べて、第２の領域Ｒ２において、磁束の流れる方向に対して垂直な主磁極１５の断面積を大きくすることができる。そのため、本実施の形態によれば、主磁極１５において多くの磁束を通過させることができ、その結果、オーバーライト特性等の記録特性を向上させることができる。
【００９７】
ところで、媒体対向面２以外の広い領域において、主磁極１５の側部ＳＰ１，ＳＰ２とサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃの側壁ＳＷ１，ＳＷ２が小さな間隔で対向していると、主磁極１５からサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃへの磁束の漏れが多くなり、オーバーライト特性等の記録特性が低下してしまう。これを防止するために、媒体対向面２に垂直な方向についてのサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃの寸法を小さくすると、サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃの体積が小さくなって、サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃの本来の機能が損なわれる。
【００９８】
これに対し、本実施の形態では、ギャップ部１７の一部である非磁性層１７Ｂは、第１の側面Ｓ１と第１の側壁ＳＷ１との間および第２の側面Ｓ２と第２の側壁ＳＷ２との間には存在せず、第３の側面Ｓ３と第１の側壁ＳＷ１との間および第４の側面Ｓ４と第２の側壁ＳＷ２との間に存在している。そして、トラック幅方向ＴＷにおける第３の側面Ｓ３と第１の側壁ＳＷ１の間隔は、トラック幅方向ＴＷにおける第１の側面Ｓ１と第１の側壁ＳＷ１の間隔よりも大きい。同様に、トラック幅方向ＴＷにおける第４の側面Ｓ４と第２の側壁ＳＷ２の間隔は、トラック幅方向ＴＷにおける第２の側面Ｓ２と第２の側壁ＳＷ２の間隔よりも大きい。これにより、本実施の形態によれば、サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃの体積を小さくすることなく、主磁極１５の側部ＳＰ１，ＳＰ２とサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃの側壁ＳＷ１，ＳＷ２が、ギャップ膜１７Ａの厚みに相当する小さな間隔で対向する領域を小さくすることができる。その結果、サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃの機能を損なうことなく、主磁極１５からサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃへの磁束の漏れを抑制することができる。
【００９９】
また、本実施の形態では、前述のように、図４に示した角度θＦ３，θＦ４が、角度θＦ１，θＦ２よりも大きい。これにより、トラック幅方向ＴＷにおける第３の側面Ｓ３と第３の壁面Ｆ３の間隔と、トラック幅方向ＴＷにおける第４の側面Ｓ４と第４の壁面Ｆ４の間隔は、それぞれ、媒体対向面２から遠ざかるに従って大きくなる。これにより、主磁極１５からサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃへの磁束の漏れを、より確実に抑制することができる。
【０１００】
以上のことから、本実施の形態によれば、隣接トラック消去の発生の抑制と記録特性の向上を両立させることができる。
【０１０１】
次に、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法について説明する。本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法では、まず、図８および図９に示したように、基板１の上に、絶縁層８１、ヒーター８２、絶縁層８３、第１の再生シールド層３、第１の再生シールドギャップ膜４を順に形成する。次に、第１の再生シールドギャップ膜４の上にＭＲ素子５と、このＭＲ素子５に接続された図示しない２つのリードとを形成する。次に、ＭＲ素子５およびリードを覆うように第２の再生シールドギャップ膜６を形成する。次に、第２の再生シールドギャップ膜６の上に第２の再生シールド層７を形成する。次に、第２の再生シールド層７の上に、非磁性層８７、膨張層８４、非磁性層８８、センサ８５および非磁性層８９を順に形成する。
【０１０２】
次に、例えばフレームめっき法によって、非磁性層８９の上にヨーク層３１を形成する。次に、積層体の上面全体の上に絶縁層５１を形成する。次に、例えば化学機械研磨（以下、ＣＭＰと記す。）によって、ヨーク層３１が露出するまで、絶縁層５１を研磨して、ヨーク層３１および絶縁層５１の上面を平坦化する。
【０１０３】
次に、例えばフレームめっき法によって、ヨーク層３１の上に磁性層３３，３６を形成する。次に、後にコイルの第１の部分１０が配置される予定の領域において、ヨーク層３１の上面および磁性層３３，３６の壁面に沿って絶縁膜５２を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、絶縁膜５２の上に第１の部分１０を形成する。次に、第１の部分１０の巻線間に絶縁層５３を形成する。次に、積層体の上面全体の上に、絶縁層５４を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第１の部分１０および磁性層３３，３６が露出するまで絶縁層５４を研磨して、第１の部分１０、磁性層３３，３６、絶縁膜５２および絶縁層５３，５４の上面を平坦化する。
【０１０４】
次に、例えばフレームめっき法によって、磁性層３３および絶縁層５４の上に磁性層３４を形成し、磁性層３６の上に磁性層３７を形成する。次に、積層体の上面全体の上に、絶縁層５５を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、磁性層３４，３７が露出するまで絶縁層５５を研磨して、磁性層３４，３７および絶縁層５５の上面を平坦化する。
【０１０５】
次に、図１０ないし図１６を参照して、上記の工程の後、主磁極１５の上面１５Ｔの形状を決定する工程までの一連の工程について説明する。これらの図は、磁気ヘッドの製造過程における積層体を示している。図１０ないし図１５において、（ａ）は、それぞれ、積層体の一部の上面を示している。図１０ないし図１５において、（ｂ）は、それぞれ、積層体における媒体対向面２が形成される予定の位置における断面を示している。図１０ないし図１５において、（ｃ）は、それぞれ、媒体対向面２が形成される予定の位置に平行な断面を示している。図１０ないし図１５の（ａ）において、ｎＣ−ｎＣ線（ｎは１０以上１５以下の整数）は、図１０ないし図１５の（ｃ）における断面の位置を示している。図１６（ａ）は、積層体における媒体対向面２が形成される予定の位置における断面を示している。図１６（ｂ）は、積層体における媒体対向面２および基板１の上面１ａに垂直な断面を表している。なお、図１０ないし図１６では、下部シールド１６Ａよりも基板１側の部分を省略している。また、図１０ないし図１５における（ａ）および図１６（ｂ）において、記号“ＡＢＳ”は、媒体対向面２が形成される予定の位置を表している。
【０１０６】
図１０は、磁性層３４，３７および絶縁層５５の上面を平坦化した後の工程を示している。この工程では、まず、例えばフレームめっき法によって、磁性層３４の上に下部シールド１６Ａを形成し、磁性層３７の上に磁性層３８を形成する。次に、積層体の上面全体の上に、絶縁層５６を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、下部シールド１６Ａおよび磁性層３８が露出するまで絶縁層５６を研磨して、下部シールド１６Ａ、磁性層３８および絶縁層５６の上面を平坦化する。
【０１０７】
次に、下部シールド１６Ａの上に、サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃを形成する。以下、サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃの形成方法の一例について説明する。この方法では、まず、ポジ型のフォトレジストよりなるフォトレジスト層をフォトリソグラフィによってパターニングすることによって、下部シールド１６Ａの上面上であって、後にサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃが形成される領域に、第１のレジスト層を形成する。第１のレジスト層は、後に形成されるサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃの形状に対応した形状を有する２つの部分を有している。次に、第１のレジスト層を覆うように、非磁性材料よりなる分離膜を形成する。分離膜は、ポジ型のフォトレジストよりなる第１のレジスト層と、後に形成されるネガ型のフォトレジストよりなるフォトレジスト層とが混合されることを防止するためのものである。分離膜の材料としては、例えばアルミナまたは合成樹脂が用いられる。
【０１０８】
次に、ネガ型のフォトレジストよりなるフォトレジスト層をフォトリソグラフィによってパターニングすることによって、分離膜の上に、後に型になる第２のレジスト層を形成する。第２のレジスト層は、後に形成されるサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃの形状に対応した形状の２つの開口部を有している。次に、例えばウェットエッチングによって、分離膜のうち、第２のレジスト層によって覆われていない部分を除去する。次に、第１および第２のレジスト層を露光した後、例えばアルカリ性の現像液を用いて、第２のレジスト層の２つの開口部から第１のレジスト層を除去する。また、第１のレジスト層を除去する際または第１のレジスト層を除去した後に、分離膜のうち、第２のレジスト層の２つの開口部の壁面に沿った部分を除去する。この工程により、第２のレジスト層は、後にサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃが形成される領域を除く領域に形成された型になる。次に、シード層を形成することなくめっきを行って、下部シールド１６Ａの上面上に、サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃを形成する。サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃは、それぞれ、型の２つの開口部内に形成される。次に、型と分離膜を除去する。図１０は、このようにして形成されたサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃを示している。
【０１０９】
図１１は、次の工程を示す。この工程では、まず、下部シールド１６Ａおよびサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃの上に、図示しないエッチングマスクを形成する。このエッチングマスクは、フォトレジスト層をパターニングして形成される。次に、上記エッチングマスクを用いて、絶縁層５６をエッチングする。このエッチングは、エッチングによって形成される底部が、当初の絶縁層５６の上面と下面の間の高さの位置に達するまで行う。また、このエッチングは、例えば反応性イオンエッチングを用いて行われる。次に、エッチングマスクを除去する。次に、例えばイオンビームエッチングを用いて、媒体対向面２が形成される予定の位置ＡＢＳの近傍において、下部シールド１６Ａの上面の一部をエッチングする。これにより、下部シールド１６Ａの上面は、図８に示したような斜面になる。図１１は、このエッチング後の下部シールド１６Ａおよびサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃを示している。このエッチングによって、サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃの側壁ＳＷ１，ＳＷ２の形状が決定される。
【０１１０】
図１２は、次の工程を示す。この工程では、下部シールド１６Ａおよびサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃを覆うようにギャップ膜１７Ａを形成する。ギャップ膜１７Ａの材料としてアルミナを用いる場合には、例えば原子層堆積法によって、ギャップ膜１７Ａを形成する。ギャップ膜１７Ａの材料としてＲｕを用いる場合には、例えば化学的気相成長法によって、ギャップ膜１７Ａを形成する。
【０１１１】
図１３は、次の工程を示す。この工程では、まず、ギャップ膜１７Ａに、磁性層３８の上面を露出させる開口部を形成する。次に、ギャップ膜１７Ａの上に、開口部１０１ａを有する型１０１を形成する。型１０１は、フォトレジスト層をパターニングして形成される。
【０１１２】
次に、型１０１を用いて、例えばめっき法によって、型１０１の開口部１０１ａ内に、後に主磁極１５になる予備主磁極１５Ｐを形成する。予備主磁極１５Ｐは、その上面がサイドシールド１６Ｂ，１６Ｂの上面よりも上方に配置されるように形成される。
【０１１３】
図１３（ａ）および（ｂ）に示したように、第１の領域Ｒ１では、トラック幅方向（左右方向）についての開口部１０１ａの幅は、後に形成される主磁極１５の第１および第２の側面Ｓ１，Ｓ２のトラック幅方向についての最大の間隔よりも大きい。そのため、第１の領域Ｒ１では、予備主磁極１５Ｐは、サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃの側壁ＳＷ１，ＳＷ２と予備主磁極１５Ｐとの間にギャップ膜１７Ａが介在するように形成される。従って、主磁極１５の第１および第２の側面Ｓ１，Ｓ２の形状は、サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃの側壁ＳＷ１，ＳＷ２とギャップ膜１７Ａとによって決定される。
【０１１４】
一方、図１３（ａ）および（ｃ）に示したように、第２の領域Ｒ２では、開口部１０１ａの側壁は、ギャップ膜１７Ａのうちサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃの側壁ＳＷ１，ＳＷ２上に存在する部分から離れた位置にある。第２の領域Ｒ２における開口部１０１ａの側壁の位置は、後に形成される主磁極１５の第３および第４の側面Ｓ３，Ｓ４の位置と一致している。そのため、第２の領域Ｒ２では、予備主磁極１５Ｐは、サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃの側壁ＳＷ１，ＳＷ２と予備主磁極１５Ｐとの間に、ギャップ膜１７Ａおよび型１０１が介在するように形成される。従って、主磁極１５の第３ないし第６の側面Ｓ３〜Ｓ６の形状は、型１０１によって形成される。
【０１１５】
図１４は、次の工程を示す。この工程では、まず、型１０１を除去する。次に、サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃ、ギャップ膜１７Ａおよび予備主磁極１５Ｐを覆うように、後に非磁性層１７Ｂになる予備非磁性層１０２を形成する。
【０１１６】
図１５は、次の工程を示す。この工程では、例えばＣＭＰによって、予備主磁極１５Ｐおよびサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃが露出するまで予備非磁性層１０２を研磨する。この工程の後では、領域Ｒ２において、ギャップ膜１７Ａのうちサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃの側壁ＳＷ１，ＳＷ２上に存在する部分と予備主磁極１５Ｐとの間に、予備非磁性層１０２が残る。この残った予備非磁性層１０２が非磁性層１７Ｂになる。
【０１１７】
図１６は、次の工程を示す。この工程では、まず、予備主磁極１５Ｐおよびサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃの上に、後に非磁性金属層５８になる第１のマスク層と、後に絶縁層５９になる第２のマスク層とを形成する。次に、第１および第２のマスク層をエッチングマスクとして、例えばイオンビームエッチングによって、予備主磁極１５Ｐおよびサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃのそれぞれの一部をエッチングする。これにより、第１のマスク層は非磁性金属層５８となり、第２のマスク層は絶縁層５９となり、予備主磁極１５Ｐは主磁極１５になる。このエッチングにより、主磁極１５の上面１５Ｔの形状が決定される。
【０１１８】
図１３に示した工程から、図１６に示した工程までが、本発明における「主磁極および非磁性層を形成する工程」に対応する。
【０１１９】
以下、図８および図９を参照して、図１６に示した工程の後の工程について説明する。まず、積層体の上面全体の上に、例えばスパッタ法または化学的気相成長法によって、ギャップ層１７Ｃを形成する。次に、例えばイオンビームエッチングによって、主磁極１５の上面１５Ｔの一部およびサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃの上面の一部が露出するように、ギャップ層１７Ｃ、非磁性金属層５８および絶縁層５９を選択的にエッチングする。次に、例えばフレームめっき法によって、サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃおよびギャップ層１７Ｃの上に上部シールド１６Ｄを形成し、主磁極１５の上にヨーク層４１を形成する。
【０１２０】
次に、積層体の上面全体の上に非磁性層６１を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、上部シールド１６Ｄおよびヨーク層４１が露出するまで、非磁性層６１を研磨して、上部シールド１６Ｄ、ヨーク層４１および非磁性層６１の上面を平坦化する。
【０１２１】
次に、非磁性層６１の上面のうち、コイルの第２の部分２０が配置される領域の上に絶縁層６２を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、絶縁層６２の上に第２の部分２０を形成する。次に、第２の部分２０を覆うように絶縁層６３を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、上部シールド１６Ｄ、ヨーク層４１および絶縁層６３の上に磁性層４２を形成する。
【０１２２】
次に、積層体の上面全体を覆うように保護層７０を形成する。次に、保護層７０の上に配線や端子等を形成し、位置ＡＢＳの近傍で基板１を切断し、この切断によって形成された面を研磨して媒体対向面２を形成し、更に浮上用レールの作製等を行って、磁気ヘッドが完成する。
【０１２３】
本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法では、サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃを形成した後、図１３に示した工程において、下部シールド１６Ａおよびサイドシールド１６Ｂ，１６Ｃを覆うようにギャップ膜１７Ａを形成し、ギャップ膜１７Ａの上に、開口部１０１ａを有する型１０１を形成する。そして、この型１０１を用いて、後に主磁極１５になる予備主磁極１５Ｐを形成する。主磁極１５の第１および第２の側面Ｓ１，Ｓ２の形状は、サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃの側壁ＳＷ１，ＳＷ２とギャップ膜１７Ａとによって決定される。一方、主磁極１５の第３ないし第６の側面Ｓ３〜Ｓ６の形状は、型１０１によって形成される。
【０１２４】
また、図１４に示した工程と図１５に示した工程とにより、型１０１の除去後、非磁性層１７Ｂを形成することによって、第２の領域Ｒ２にのみ非磁性層１７Ｂを形成される。
【０１２５】
このような磁気ヘッドの製造方法によれば、前述のように隣接トラック消去の発生の抑制と記録特性の向上の両立を可能にする形状および位置関係を有する主磁極１５、サイドシールド１６Ｂ，１６Ｃ、ギャップ膜１７Ａおよび非磁性層１７Ｂを容易に形成することができる。
【０１２６】
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、実施の形態では、主磁極１５の下端１５Ｌが第１の部分１５Ｌ１と第２の部分１５Ｌ２とを含み、主磁極１５の上面１５Ｔが第１の部分１５Ｔ１と第２の部分１５Ｔ２とを含んでいるが、主磁極１５の下端１５Ｌおよび上面１５Ｔは、それぞれ、それらの全体が実質的に媒体対向面２に垂直な方向に延びていてもよい。
【０１２７】
また、実施の形態では、基体側に再生ヘッド部８を形成し、その上に、記録ヘッド部９を積層した構造の磁気ヘッドについて説明したが、この積層順序を逆にしてもよい。
【符号の説明】
【０１２８】
１５…主磁極、１６…記録シールド、１６Ａ…下部シールド、１６Ｂ，１６Ｃ…サイドシールド、１６Ｄ…上部シールド、１７…ギャップ部、１７Ａ…ギャップ膜、１７Ｂ…非磁性層、ＳＰ１…第１の側部、ＳＰ２…第２の側部、Ｓ１…第１の側面、Ｓ２…第２の側面、Ｓ３…第３の側面、Ｓ４…第４の側面、Ｓ５…第５の側面、Ｓ６…第６の側面、ＳＷ１…第１の側壁、ＳＷ２…第２の側壁、Ｆ１…第１の壁面、Ｆ２…第２の壁面、Ｆ３…第３の壁面、Ｆ４…第４の壁面、Ｆ５…第５の壁面、Ｆ６…第６の壁面。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に対向する媒体対向面と、
前記記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、
前記媒体対向面に配置された端面を有し、前記コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって前記情報を前記記録媒体に記録するための記録磁界を発生する主磁極と、
磁性材料よりなる記録シールドと、
非磁性材料よりなり、前記主磁極と前記記録シールドとの間に設けられたギャップ部と、
上面を有する基板とを備えた垂直磁気記録用磁気ヘッドであって、
前記コイル、主磁極、記録シールドおよびギャップ部は、前記基板の上面の上方に配置され、
前記記録シールドは、第１および第２のサイドシールドと、前記第１および第２のサイドシールドに接する上部シールドとを含み、
前記第１および第２のサイドシールドは、前記媒体対向面において前記主磁極の前記端面に対してトラック幅方向の両側に配置された２つの端面を有し、
前記上部シールドは、前記媒体対向面において前記主磁極の前記端面に対して記録媒体の進行方向の前側に配置された端面を有し、
前記主磁極は、トラック幅方向の両側に配置された第１および第２の側部を有し、
前記第１のサイドシールドは、前記主磁極の第１の側部に面した第１の側壁を有し、
前記第２のサイドシールドは、前記主磁極の第２の側部に面した第２の側壁を有し、
前記ギャップ部は、前記第１および第２の側壁に接するように配置されたギャップ膜と、前記媒体対向面から離れた位置において、前記ギャップ膜と前記第１および第２の側部との間に配置された非磁性層とを含み、
前記第１の側部は、前記媒体対向面から所定の距離だけ離れた位置から前記媒体対向面までの第１の領域に配置された第１の側面と、前記第１の領域以外の第２の領域に配置された第３の側面とを有し、
前記第２の側部は、前記第１の領域に配置された第２の側面と、前記第２の領域に配置された第４の側面とを有し、
前記非磁性層は、前記第１の側面と第１の側壁との間および前記第２の側面と第２の側壁との間には存在せず、前記第３の側面と第１の側壁との間および前記第４の側面と第２の側壁との間に存在し、
トラック幅方向における前記第３の側面と第１の側壁の間隔は、トラック幅方向における前記第１の側面と第１の側壁の間隔よりも大きく、
トラック幅方向における前記第４の側面と第２の側壁の間隔は、トラック幅方向における前記第２の側面と第２の側壁の間隔よりも大きく、
トラック幅方向における前記第１の側面と第２の側面の間隔は、前記基板の上面に近づくに従って小さくなっており、
前記第３および第４の側面が前記基板の上面に垂直な方向に対してなす角度は、前記第１および第２の側面が前記基板の上面に垂直な方向に対してなす角度よりも小さいことを特徴とする垂直磁気記録用磁気ヘッド。
【請求項２】
前記第１の領域と第２の領域の境界から前記媒体対向面までの距離は、８０〜６２０ｎｍの範囲内であることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。
【請求項３】
前記記録シールドは、更に、前記第１および第２のサイドシールドに接する下部シールドを含み、前記下部シールドは、前記媒体対向面において前記主磁極の前記端面に対して記録媒体の進行方向の後側に配置された端面を有することを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。
【請求項４】
前記主磁極は、前記媒体対向面から遠ざかるに従ってトラック幅方向における前記第１の側部と第２の側部の間隔が大きくなる部分を含み、
前記第１の側壁は、前記第１の領域内に配置された第１の壁面と、前記第１の壁面に対して前記媒体対向面から遠い位置に配置された第３の壁面とを有し、
前記第２の側壁は、前記第１の領域内に配置された第２の壁面と、前記第２の壁面に対して前記媒体対向面から遠い位置に配置された第４の壁面とを有し、
前記第１の領域の少なくとも一部において、トラック幅方向における前記第１の壁面と第２の壁面の間隔は、前記媒体対向面から遠ざかるに従って大きくなり、
前記第２の領域の少なくとも一部において、トラック幅方向における前記第３の壁面と第４の壁面の間隔は、前記媒体対向面から遠ざかるに従って大きくなり、
前記第１および第２のサイドシールドにおける前記基板の上面から最も遠い位置において、前記第２の領域の少なくとも一部において前記第３および第４の壁面が前記媒体対向面に垂直な方向に対してなす角度は、前記第１の領域の少なくとも一部において前記第１および第２の壁面が前記媒体対向面に垂直な方向に対してなす角度よりも大きいことを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。
【請求項５】
前記第１の側壁は、更に、前記第１の壁面と第３の壁面とを連結する第５の壁面を有し、
前記第２の側壁は、更に、前記第２の壁面と第４の壁面とを連結する第６の壁面を有し、
前記第１および第２のサイドシールドにおける前記基板の上面から最も遠い位置において、前記第５および第６の壁面が前記媒体対向面に垂直な方向に対してなす角度は、前記第２の領域の少なくとも一部において前記第３および第４の壁面が前記媒体対向面に垂直な方向に対してなす角度よりも大きいことを特徴とする請求項４記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。
【請求項６】
前記第１および第２のサイドシールドにおける前記基板の上面から最も遠い位置において、前記第５および第６の壁面と前記媒体対向面の間の最短距離は、５０〜５００ｎｍの範囲内であることを特徴とする請求項５記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。
【請求項７】
請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドを製造する方法であって、
前記第１および第２のサイドシールドを形成する工程と、
前記第１および第２のサイドシールドの形成後、前記ギャップ膜を形成する工程と、
前記ギャップ膜の形成後、前記主磁極および非磁性層を形成する工程と、
前記主磁極および非磁性層の形成後、前記上部シールドを形成する工程と、
前記コイルを形成する工程とを備えたことを特徴とする垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項８】
前記主磁極および非磁性層を形成する工程は、
前記ギャップ膜の上に、開口部を有する型を形成する工程と、
前記型を用いて、後に前記主磁極になる予備主磁極を形成する工程と、
前記予備主磁極の形成後、前記型を除去する工程と、
前記型の除去後、前記第１および第２のサイドシールド、ギャップ膜および予備主磁極を覆うように、後に前記非磁性層になる予備非磁性層を形成する工程と、
前記第１および第２のサイドシールドおよび予備主磁極が露出するまで前記予備非磁性層を研磨する工程とを含むことを特徴とする請求項７記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項９】
前記記録シールドは、更に、前記第１および第２のサイドシールドに接する下部シールドを含み、前記下部シールドは、前記媒体対向面において前記主磁極の前記端面に対して記録媒体の進行方向の後側に配置された端面を有し、
垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法は、更に、前記第１および第２のサイドシールドの形成前に、前記下部シールドを形成する工程を備え、
前記第１および第２のサイドシールドは、前記下部シールドの上に形成されることを特徴とする請求項７記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１】
記録媒体に対向する媒体対向面と、
前記記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、
前記媒体対向面に配置された端面を有し、前記コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって前記情報を前記記録媒体に記録するための記録磁界を発生する主磁極と、
磁性材料よりなる記録シールドと、
非磁性材料よりなり、前記主磁極と前記記録シールドとの間に設けられたギャップ部と、
上面を有する基板とを備えた垂直磁気記録用磁気ヘッドであって、
前記コイル、主磁極、記録シールドおよびギャップ部は、前記基板の上面の上方に配置され、
前記記録シールドは、第１および第２のサイドシールドと、前記第１および第２のサイドシールドに接する上部シールドとを含み、
前記第１および第２のサイドシールドは、前記媒体対向面において前記主磁極の前記端面に対してトラック幅方向の両側に配置された２つの端面を有し、
前記上部シールドは、前記媒体対向面において前記主磁極の前記端面に対して記録媒体の進行方向の前側に配置された端面を有し、
前記主磁極は、トラック幅方向の両側に配置された第１および第２の側部を有し、
前記第１のサイドシールドは、前記主磁極の第１の側部に面した第１の側壁を有し、
前記第２のサイドシールドは、前記主磁極の第２の側部に面した第２の側壁を有し、
前記ギャップ部は、前記第１および第２の側壁に接するように配置されたギャップ膜と、前記媒体対向面から離れた位置において、前記ギャップ膜と前記第１および第２の側部との間に配置された非磁性層とを含み、
前記第１の側部は、前記媒体対向面から所定の距離だけ離れた位置から前記媒体対向面までの第１の領域に配置された第１の側面と、前記第１の領域以外の第２の領域に配置された第３の側面とを有し、
前記第２の側部は、前記第１の領域に配置された第２の側面と、前記第２の領域に配置された第４の側面とを有し、
前記非磁性層は、前記第１の側面と第１の側壁との間および前記第２の側面と第２の側壁との間には存在せず、前記第３の側面と第１の側壁との間および前記第４の側面と第２の側壁との間に存在し、
トラック幅方向における前記第３の側面と第１の側壁の間隔は、トラック幅方向における前記第１の側面と第１の側壁の間隔よりも大きく、
トラック幅方向における前記第４の側面と第２の側壁の間隔は、トラック幅方向における前記第２の側面と第２の側壁の間隔よりも大きく、
トラック幅方向における前記第１の側面と第２の側面の間隔は、前記基板の上面に近づくに従って小さくなっており、
前記第３および第４の側面が前記基板の上面に垂直な方向に対してなす角度は、前記第１および第２の側面が前記基板の上面に垂直な方向に対してなす角度よりも小さいことを特徴とする垂直磁気記録用磁気ヘッド。
【請求項２】
前記第１の領域と第２の領域の境界から前記媒体対向面までの距離は、８０〜６２０ｎｍの範囲内であることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。
【請求項３】
前記記録シールドは、更に、前記第１および第２のサイドシールドに接する下部シールドを含み、前記下部シールドは、前記媒体対向面において前記主磁極の前記端面に対して記録媒体の進行方向の後側に配置された端面を有することを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。
【請求項４】
前記主磁極は、前記媒体対向面から遠ざかるに従ってトラック幅方向における前記第１の側部と第２の側部の間隔が大きくなる部分を含み、
前記第１の側壁は、前記第１の領域内に配置された第１の壁面と、前記第１の壁面に対して前記媒体対向面から遠い位置に配置された第３の壁面とを有し、
前記第２の側壁は、前記第１の領域内に配置された第２の壁面と、前記第２の壁面に対して前記媒体対向面から遠い位置に配置された第４の壁面とを有し、
前記第１の領域の少なくとも一部において、トラック幅方向における前記第１の壁面と第２の壁面の間隔は、前記媒体対向面から遠ざかるに従って大きくなり、
前記第２の領域の少なくとも一部において、トラック幅方向における前記第３の壁面と第４の壁面の間隔は、前記媒体対向面から遠ざかるに従って大きくなり、
前記第１および第２のサイドシールドにおける前記基板の上面から最も遠い位置において、前記第２の領域の少なくとも一部において前記第３および第４の壁面が前記媒体対向面に垂直な方向に対してなす角度は、前記第１の領域の少なくとも一部において前記第１および第２の壁面が前記媒体対向面に垂直な方向に対してなす角度よりも大きいことを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。
【請求項５】
前記第１の側壁は、更に、前記第１の壁面と第３の壁面とを連結する第５の壁面を有し、
前記第２の側壁は、更に、前記第２の壁面と第４の壁面とを連結する第６の壁面を有し、
前記第１および第２のサイドシールドにおける前記基板の上面から最も遠い位置において、前記第５および第６の壁面が前記媒体対向面に垂直な方向に対してなす角度は、前記第２の領域の少なくとも一部において前記第３および第４の壁面が前記媒体対向面に垂直な方向に対してなす角度よりも大きいことを特徴とする請求項４記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。
【請求項６】
前記第１および第２のサイドシールドにおける前記基板の上面から最も遠い位置において、前記第５および第６の壁面と前記媒体対向面の間の最短距離は、５０〜５００ｎｍの範囲内であることを特徴とする請求項５記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。
【請求項７】
請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドを製造する方法であって、
前記第１および第２のサイドシールドを形成する工程と、
前記第１および第２のサイドシールドの形成後、前記ギャップ膜を形成する工程と、
前記ギャップ膜の形成後、前記主磁極および非磁性層を形成する工程と、
前記主磁極および非磁性層の形成後、前記上部シールドを形成する工程と、
前記コイルを形成する工程とを備えたことを特徴とする垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項８】
前記主磁極および非磁性層を形成する工程は、
前記ギャップ膜の上に、開口部を有する型を形成する工程と、
前記型を用いて、後に前記主磁極になる予備主磁極を形成する工程と、
前記予備主磁極の形成後、前記型を除去する工程と、
前記型の除去後、前記第１および第２のサイドシールド、ギャップ膜および予備主磁極を覆うように、後に前記非磁性層になる予備非磁性層を形成する工程と、
前記第１および第２のサイドシールドおよび予備主磁極が露出するまで前記予備非磁性層を研磨する工程とを含むことを特徴とする請求項７記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項９】
前記記録シールドは、更に、前記第１および第２のサイドシールドに接する下部シールドを含み、前記下部シールドは、前記媒体対向面において前記主磁極の前記端面に対して記録媒体の進行方向の後側に配置された端面を有し、
垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法は、更に、前記第１および第２のサイドシールドの形成前に、前記下部シールドを形成する工程を備え、
前記第１および第２のサイドシールドは、前記下部シールドの上に形成されることを特徴とする請求項７記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【公開番号】特開２０１３−２５８５９（Ｐ２０１３−２５８５９Ａ）
【公開日】平成２５年２月４日（２０１３．２．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−５１４６８（Ｐ２０１２−５１４６８）
【出願日】平成２４年３月８日（２０１２．３．８）
【出願人】（５００４７５６４９）ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド (251)
【出願人】（５００３９３８９３）新科實業有限公司 (361)
【氏名又は名称原語表記】ＳＡＥ Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ（Ｈ．Ｋ．）Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】ＳＡＥ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｅｎｔｒｅ， ６ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｐａｒｋ Ｅａｓｔ Ａｖｅｎｕｅ， Ｈｏｎｇ Ｋｏｎｇ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｐａｒｋ， Ｓｈａｔｉｎ， Ｎ．Ｔ．， Ｈｏｎｇ Ｋｏｎｇ
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年２月４日（２０１３．２．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年３月８日（２０１２．３．８）
【出願人】（５００４７５６４９）ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド (251)
【出願人】（５００３９３８９３）新科實業有限公司 (361)
【氏名又は名称原語表記】ＳＡＥ Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ（Ｈ．Ｋ．）Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】ＳＡＥ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｅｎｔｒｅ， ６ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｐａｒｋ Ｅａｓｔ Ａｖｅｎｕｅ， Ｈｏｎｇ Ｋｏｎｇ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｐａｒｋ， Ｓｈａｔｉｎ， Ｎ．Ｔ．， Ｈｏｎｇ Ｋｏｎｇ
【Ｆターム（参考）】
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